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MLCC（Multi-layers Ceramic Capacitor），即多层陶瓷电容器，也称为片式电容器、积层电容、叠层电容等，是使用最广泛的一种电容器。MLCC是由印好电极（内电极）的陶瓷介质膜片以交错的方式叠合起来，经过高温烧结形成陶瓷块体，再在陶瓷块的两端封上金属层（外电极）而形成的。
MLCC的结构主要包括三大部分：
陶瓷介质，金属内电极，金属外电极。
陶瓷介质：主要是绝缘性能优良的氧化物材料如钛酸钡、钛酸锶等，它们是构成电容器的电气特性的基础。
内部电极：内部电极存在于每层陶瓷介质之间，起传导电流作用。
外层电极又分为外部电极、阻挡层和焊接层。外部电极主要为铜金属电极或银金属电极，与内部电极相连接，以便外接电源的输入。阻挡层主要成分为Ni镀层，起到热阻挡作用。焊接层主要为Sn镀层，提供可焊接性。
MLCC具有体积小、电容量大、高频使用时损失率低、适合大量生产、且价格低及稳定性高等优点，适合于信息功能产品轻、薄、短、小的需求，从而被大量使用，是现代电子产品不可或缺的元件。那MLCC是如何被制造出来的呢？
1.配料
将陶瓷粉、粘合剂及溶剂和各种添加剂按一定比例经过一定时间的球磨或砂磨，形成均匀、稳定的瓷浆。瓷浆是个比较复杂的系统，一般由瓷粉、溶剂、分散剂、粘合剂、增塑剂、消泡剂等组成。
陶瓷粉作为最主要的材料决定了MLCC的基本特性。粘合剂是高分子树脂，作用是使陶瓷粉之间维持一定的距离并提供强度。溶剂是甲苯和乙醇按照一定比例混合而成。分散剂，是为了避免陶瓷粉表面静电作用易发生的粘连及团聚，保证瓷浆能形成稳定分散的悬浮液的一种表面活性剂。添加剂是用于调节陶瓷粉本身的电特性、满足制品信赖性方面的某些要求、保证烧结能够较好地进行的。
2.流延
将瓷浆通过流延机的浇注口，使其涂布在绕行的有机硅薄膜上，从而形成一层均匀的瓷浆薄层，再通过热风区（将瓷浆中绝大部分溶剂挥发），通过加热干燥方式，形成具有一定厚度、密度且均匀的薄膜（一般膜片的厚度在1um-20um之间）。
成型过程中流延挤出方式分为两种。On roll方式一般适用于厚膜，是缝口模头挤出方式，使后滚轴的中心对上模具的喷口处；Off roll方式一般用于薄膜，是模具喷出口在后滚轴中心线的上方，基材在没有接触后滚轴处被涂覆上浆料，这种方式也称气垫法或张网法。
成型干燥需要调整线速、温度、泵流量，将瓷浆中溶剂大部分挥发，使薄膜收缩、致密化，从而具有一定厚度、膜密度。
3.印刷
通过丝网版将内电极浆料印刷到陶瓷膜片上，烘干后得到清晰、完整的介质膜片。
印刷类型分为四种：1.凸版印刷，在凸出部分蘸内电极浆料之后加压印刷。2.凹版印刷，在整个板上蘸内电极浆料之后只在凹进部分留内电极浆料进行印刷。3.平板印刷，利用水和油的排斥作用，版面蘸内电极浆料进行印刷。4.丝网印刷，通过丝网孔排出内电极浆后印刷。
丝网印刷与滚印/凹版印刷（Gravure printer）相比，设备工装成本低，内浆利用率高浪费少，电极图案渗边少，且丝网设计灵活，因此大多数厂家印刷方式类似SMT刷锡膏或者红胶工艺，通过丝网印版将内电极浆料印刷到陶瓷膜片上，有些厂家则采用印刷机，让陶瓷薄膜通过浆料池，让金属浆料附着到陶瓷薄膜上。
4.叠层
叠层是MLCC制造过程的第四个步骤，它的作用是将印刷好的介质膜片一张一张按一定错位整齐叠合在一起使之形成厚度一致的巴块。印刷后，在叠层时膜片被切割剥离，叠层时底部和顶面还需要加上陶瓷膜保护片，以增加机械强度和提高绝缘性能。该道制程需要管控的是叠层时的温度、压力、时间，以及错位位置的对位管控和环境的洁净度等，所以也需要在无尘室里面完成。
5.层压
将印刷、叠层后的巴块通过均匀温度的静水均压的方式，使巴块中各叠层膜彼此紧密结合，以提高烧结后瓷体的致密性，使其更加紧密结合在一起的过程。该道制程压力、保压时间、温度是关键品质因数（CTQ），需要重点管控外，压力的均匀性非常重要，因此最好的方式是放在水中进行压着。一般需要切片抽测确认压着的均匀性、结合度等以保证品质。
层压主要流程：巴块装密封袋→进层压机→加压加温层压→冷却→拆袋
6.切割
将层压后的巴块按产品的设计要求，使用片式薄刀片按设计尺寸对巴块进行横向纵向切割，使其成为完全分离的独立芯片（电容器生坯）。
切割原理：刀片对巴块进行下切时，刀座推动刀片向下运动，刀锋接触巴块面部，刀座继续推动锋利的刀锋向下铡压，当刀锋在刀座及惯性的作用下到达切割胶PET基材表面时，刀座迅速向上提升，从而完成一次切割。
切割原理
7.排胶
排胶指的是，在对切割后陶瓷生坯进行热处理，排除粘合剂等有机物。镍电极MLCC的空气排胶温度大概是在250℃左右，具体温度与尺寸规格以及配方有关，氮气排胶的温度可以更高，约400℃-500℃。
排胶主要流程：装钵排片→进排胶炉排胶→出排胶炉
8.烧结
烧结可以使排胶后的芯片成为内电极完好，致密性好，尺寸合格，高机械强度和优良电性能的陶瓷体，可分为两个阶段：致密化阶段与再氧化阶段。
烧结过程是在气氛炉中进行，一般烧结温度在1100℃~1350℃之间。由于是高温烧结，为了防止氧化等，烧结炉里面需要填充氮气/氢气。烧结的关键就是炉膛内的温度与其均匀一致性，还有就是应在一个热动态平衡中进行，空气应充分流动，使瓷体的晶相生长均匀与致密。
烧结主要流程：摆放→烧结→出烧结→卸钵
9.倒角
倒角，也叫研磨。经过烧结成瓷的电容器本体棱角分明，不利于与外部电极的连接，所以需要进行研磨倒角处理。倒角工序是将电容与水和磨介装在倒角罐里，通过球磨、行星磨等方式运动，除去陶瓷芯片表面毛刺，使芯片表面光洁，同时也使端面内电极充分暴露。管控的重点是转速、时间、温度，检查的重点是外观尺寸、弧度、暴露率等参数。
倒角主要流程：配罐→倒角→清洗→出罐→烘干
10.封端
通过封端机，将端浆涂覆在经倒角处理后的芯片外露内部电极的两端上，将同侧内部电极连接起来形成外部电极。
封端主要流程：芯片植入→沾浆→烘干→导出
11.烧端
在高温750℃左右，氮气空气，且有时会在加湿条件下，使端电极浆料中的有机黏合剂充分燃烧，玻璃体熔融并浸润铜粉，使端头固化并与瓷体和内电极形成良好的连接。
12.电镀
指对烧端后的产品进行端头处理，其实质上就是电镀过程，即在含有镍和锡金属离子的电解质溶液中，将MLCC的端电极作为阴极，通过一定的低压直流电，分别不断在阴极沉积为一层镍和锡。
镍的作用：提高电容的抗热冲击性能，保护外部电极以及防止外部电极和Sn 形成合金状态。
锡的作用：提高电容的可焊性，使MLCC芯片在表面封装中能更好焊接在PCB板上。
13.测试
针对电容产品的容量、损耗、绝缘、耐压四个方面的性能，对产品进行100%测试和分选，将不良品剔除，同时按不同容量范围分选出来。
主要测试项目：容量、损耗、耐压和绝缘。
14.外观检查
针对电容产品的外观形貌进行检查，将形态不佳的产品剔除。
主要识别项目：外观缺陷、尺寸异常品
15.编带
编带工程是将测试后的MLCC芯片，编入载带，并按固定数量卷成一个胶盘。编带是为了方便SMT制程中大量高速的自动贴装生产，也可以防止运输等过程导致MLCC碰撞破裂等问题。同时，为了防止混料，一般在编带机上，会对每一片MLCC再次进行容量测试。
16.包装
包装是贴识别标签和运输前打包的过程，MLCC制造商编带后的产品标签，一般只带有厂商自己的信息，包装过程则会增加客户信息的标签和条码，以便于客户识别。
包装主要流程：料盘标签贴装—产品装入盒及盒标贴装—盒子装入箱及箱标贴装。
后道包装过程，一般采用自动化管理检查，扫描条码后自动和对，避免混料错料。
以上就是MLCC制造中的十几道重点流程，可以看出，MLCC的制作工艺非常复杂，技术含量高，机械化程度高，对工厂环境，设备水平和制造管理水平的要求都非常高，是典型的高端制造行业。定位于高端MLCC系列的微容科技，在罗定搭建了行业顶尖的MLCC工业园，其工厂洁净度标准、设备精密度和自动化都有着行业最高标准，并且全流程都以自动化扫描设定参数和制程进行管理，同时利用全行业资深人才，积极开发并快速量产超微型、高容量、车规、高频等重点高端MLCC系列，成为中国高端MLCC的引领者。
陶瓷电容有以下一些材质：Y5P；Y5E；Y5R；Y5T；Y5V； Y5U； Z5U；Z5V；Z4V；X7R；N750；N330；NPO；SL。
陶瓷电容常用的几种：Y5P；Y5V；Y5U；X7R；NPO。
Y5P的温度补偿性能最好，全温度范围内的电容值变化范围为±10%。
Y5U对温度变化无补偿性，全温度范围内的电容值变化范围为+22%/-56%。
Y5V表示工作在-30~+85度，整个温度范围内偏差-82%~+22%
X5R表示工作在-55~+85度，整个温度范围内偏差正负15%
X7R表示工作在-55~+125度，整个温度范围内偏差正负15%
NPO（COG）是温度特性最稳定的电容器，电容温漂很小，整个温度范围容量很稳定，温度也是-55~125度，适用于振荡器，超高频滤波去耦。
1、材质不同
陶瓷电容无极性，电解电容有极性。
2、容量不同
陶瓷电容的容量一般较小，电解电容的容值可以做得很大。
3、用途不同
陶资电容一般用于信号源滤波，而电解电容一般用于电源部分。
作用：
电解电容器广泛应用于家用电器和各种电子产品中，其容量范围较大，一般为1~33000μF，额定工作电压范围为6.3~700V。其缺点是介质损耗、容量误差较大（最大允许偏差为+100%、-20%），耐高温性较差，存放时间长容易失效。
陶瓷电容高频特性好，多用于高频电路。瓷片电容可滤除高频纹波，故可用作高通滤波。瓷片电容可用于纯交流电路。
参考资料来源：百度百科-陶瓷电容
参考资料来源：百度百科-电解电容
它的外形以片式居多，也有管形、圆形等形状
CBB电容就是聚丙烯电容
聚丙烯电容（CBB）电容量：1000p--10u额定电压：63--2000V主要特点：稳定，低损耗，体积较大应用：代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路
外形同一些薄膜电容
无感CBB电容2层聚丙乙烯塑料和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成.无感,高频特性好,体积较小不适合做大容量,价格比较高,耐热性能较差.安规电容是电容器失效后，不会导致电击，不危及人身安全的电容
三者的区别：1、陶瓷电容是针对高频高压使用的瓷介电容器，其中额定电压为400V和250V的电容，分别命名为Y1Y2电容，即安规瓷片电容
2、CBB电容属于薄膜电容
根据经验，很多厂家就用聚丙稀金属薄膜电容
CBB和安规电容材质一样的，都是聚丙烯薄膜，耐冲击能力优越
瓷片电容的高频特性好，但电容值最大只能做到0.1uF。
瓷片电容也属于陶瓷电容的一种，陶瓷电容是总称。
瓷片电容(ceramiccapacitor)是一种用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜，再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器。
瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。
优点：稳定，绝缘性好，耐高压
缺点：容量比较小
独石电容是多层陶瓷电容器的别称，英文名称monolithic ceramic capacitor或multi-layer ceramic capacitor, 简称MLCC，根据所使用的材料，可分为三类。
一类
为温度补偿类NPO电介质
这种电容器电气性能最稳定，基本上不随温度、电压、时间的改变，属超稳定型、低损耗电容材料类型，适用在对稳定性、可靠性要求较高的高频、特高频、甚高频电路中。
二类
为高介电常数类X7R电介质
由于X7R是一种强电介质，因而能制造出容量比NPO介质更大的电容器。这种电容器性能较稳定，随温度、电压时间的改变，其特有的性能变化并不显著，属稳定电容材料类型，使用在隔直、耦合、傍路、滤波电路及可靠性要求较高的中高频电路中。
三类
为半导体类Y5V电介质
这种电容器具有较高的介电常数，常用于生产比容较大、标称容量较高的大容量电容器产品。但其容量稳定性较X7R差，容量、损耗对温度、电压等测试条件较敏感，主要用在电子整机中的振荡、耦合、滤波及旁路电路中。
独石电容比一般瓷介电容器大（10pF~10μF），且电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定、耐高温、绝缘性好、成本低等优点，因而得到广泛的应用。独石电容器不仅可替代云母电容器和纸介电容器，还取代了某些钽电容器，广泛应用在小型和超小型电子设备(如液晶手表和微型仪器)中。
特点
温度特性好，频率特性好。一般电容随着频率的上升,电容量呈现下降的规律，独石电容下降比较少，容量比较稳定。
独石电容除有电容器 “隔直通交”的通性特点外，其还有体积小，比容大，寿命长，可靠性高，适合表面安装等特点。随着世界电子行业的飞速发展，作为电子行业的基础元件，独石电容也以惊人的速度向前发展，每年以10[%]～15[%]的速度递增。世界独石电容的需求量在 2000亿支以上，70[%]出自日本，其次是欧美和东南亚（含中国）。随着片容产品可靠性和集成度的提高，其使用的范围越来越广，广泛地应用于各种军民用电子整机和电子设备。如电脑、电话、程控交换机、精密的测试仪器、雷达通信等。
陶瓷电容用用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。
