光伏ctm是什么意思
通常我们使用组件输出功率与电池片功率总和的百分比(Cell To Module简称CTM值)表示组件功率损失的程度，CTM值越高表示组件封装功率损失的程度越小。
影响CTM的因素很多，包括：
A.光学损耗：制绒绒面不同引起的光学反射、玻璃和EVA等引起的反射损失。
B.电阻损耗，电池片本身的串联电阻损耗、焊带，汇流条本身的电阻引起的损耗，焊带不良导致的接触电阻、接线盒的电阻。
C.不同电流的电池片串联时引起的电流失配损失，由于组成组件的各电池片最大工作点电流不匹配造成的失配损失(分档，低效片混入)。
D.热损耗，组件温度升高会引起的输出功率下降。
E.B-O复合引起的电池片效率衰减，与本征衰退损失。
F.组件生产过程中产生隐裂或碎片。
影响单晶和多晶组件CTM差异的因素主要包括2个方面，光学损耗和硼氧复合损耗。
光学损耗产生的差异主要为单多晶电池产品的制绒工艺是不同的，反射率的差异性比较大B-O复合损耗的差异为单多晶原料片生长工艺不同，单晶原料过程中引入的硼氧对要多于多晶原料。
本文设计实验主要针对以上两点进行实验设计，分析造成单多晶组件CTM差异性的原因。
如果CTM值较低，组件的输出功率有可能达不到预期的要求，遭到客户的投诉，最终造成经济效益的损失。
与此相反，如果可以提高CTM值，组件的输出功率的增加会提高公司组件产品的收益，已达到降低生产成本的目的。
在组件产品的生产过程中发现单晶组件和多晶组件的CTM差别比较大。
在组件生产工序完全一致的情况下，单晶组件CTM损失要高于多晶组件，本文主要针对单晶和多晶组件CTM的差异性进行研究，解释单多晶组件CTM不同的内在原因。
CTM值等于组件的功率与一个组件所用电池片功率总和的比值
CTM越大表示封装损失越小,也行指的是同一个吧。η=Pm(电池片的峰值功率)/A(电池片面积)其中:Pin=1KW/_=100mW/cm2
被中国人民解放军指定为空军飞行员专用表
填补了中国军表史上的空白
战旗牌军表成为中国人民解放军军内备受推崇的品牌
是引用瑞士先进技术
严格按照瑞士制表工艺以及执行国际检测标准
在生产过程中
每只战旗军表都经过数十道精细加工严格检验值得注意的是，
当时这批手表并不是由空军部队统一配发，而是供一线飞行员个人购买使用的。
由于产量不高，随着时间的流逝能完整保留下来的就更少，
如今这种如此特殊的国产表引起了国内外钟表收藏家和爱好者的极大兴趣，
下面我就说一下为什么光伏焊带高要求的原因。因为组件中电池片非常薄，现在的硅片2012年的技术已经在180um正负20UM这么薄的一个小片片对焊接要求非常高，稍微用点力就为造成破片 碎片 隐裂等所以对焊枪 以及焊带的要求也就极高不能说极高至少也是很高，，焊带多少钱这点小帐利害得失很容易就算清楚了吧。当然家里要是有超级牛逼的师傅另当别论了。呵呵
通常我们使用组件输出功率与电池片功率总和的百分比(Cell To Module简称CTM值)表示组件功率损失的程度，CTM值越高表示组件封装功率损失的程度越小。
影响CTM的因素很多，包括：
A.光学损耗：制绒绒面不同引起的光学反射、玻璃和EVA等引起的反射损失。
B.电阻损耗，电池片本身的串联电阻损耗、焊带，汇流条本身的电阻引起的损耗，焊带不良导致的接触电阻、接线盒的电阻。
C.不同电流的电池片串联时引起的电流失配损失，由于组成组件的各电池片最大工作点电流不匹配造成的失配损失(分档，低效片混入)。
D.热损耗，组件温度升高会引起的输出功率下降。
E.B-O复合引起的电池片效率衰减，与本征衰退损失。
F.组件生产过程中产生隐裂或碎片。
影响单晶和多晶组件CTM差异的因素主要包括2个方面，光学损耗和硼氧复合损耗。
光学损耗产生的差异主要为单多晶电池产品的制绒工艺是不同的，反射率的差异性比较大B-O复合损耗的差异为单多晶原料片生长工艺不同，单晶原料过程中引入的硼氧对要多于多晶原料。
本文设计实验主要针对以上两点进行实验设计，分析造成单多晶组件CTM差异性的原因。
如果CTM值较低，组件的输出功率有可能达不到预期的要求，遭到客户的投诉，最终造成经济效益的损失。
与此相反，如果可以提高CTM值，组件的输出功率的增加会提高公司组件产品的收益，已达到降低生产成本的目的。
在组件产品的生产过程中发现单晶组件和多晶组件的CTM差别比较大。
在组件生产工序完全一致的情况下，单晶组件CTM损失要高于多晶组件，本文主要针对单晶和多晶组件CTM的差异性进行研究，解释单多晶组件CTM不同的内在原因。
通常我们使用组件输出功率与电池片功率总和的百分比(Cell To Module简称CTM值)表示组件功率损失的程度，CTM值越高表示组件封装功率损失的程度越小。
影响CTM的因素很多，包括：
A.光学损耗：制绒绒面不同引起的光学反射、玻璃和EVA等引起的反射损失。
B.电阻损耗，电池片本身的串联电阻损耗、焊带，汇流条本身的电阻引起的损耗，焊带不良导致的接触电阻、接线盒的电阻。
C.不同电流的电池片串联时引起的电流失配损失，由于组成组件的各电池片最大工作点电流不匹配造成的失配损失(分档，低效片混入)。
D.热损耗，组件温度升高会引起的输出功率下降。
E.B-O复合引起的电池片效率衰减，与本征衰退损失。
F.组件生产过程中产生隐裂或碎片。
影响单晶和多晶组件CTM差异的因素主要包括2个方面，光学损耗和硼氧复合损耗。
光学损耗产生的差异主要为单多晶电池产品的制绒工艺是不同的，反射率的差异性比较大B-O复合损耗的差异为单多晶原料片生长工艺不同，单晶原料过程中引入的硼氧对要多于多晶原料。
本文设计实验主要针对以上两点进行实验设计，分析造成单多晶组件CTM差异性的原因。
如果CTM值较低，组件的输出功率有可能达不到预期的要求，遭到客户的投诉，最终造成经济效益的损失。
与此相反，如果可以提高CTM值，组件的输出功率的增加会提高公司组件产品的收益，已达到降低生产成本的目的。
在组件产品的生产过程中发现单晶组件和多晶组件的CTM差别比较大。
在组件生产工序完全一致的情况下，单晶组件CTM损失要高于多晶组件，本文主要针对单晶和多晶组件CTM的差异性进行研究，解释单多晶组件CTM不同的内在原因。
to
module
loss
不论单晶还是多晶，电池片效率越高，组件ctm越低（主要原因是电池片效率越高一般短波响应越好，但组件中的玻璃和eva会吸收短波，导致效率高的电池片优势被削弱）
