硅片用在光伏什么地方

将光能转化为电能 简单的说吧。就是由于光子的能量照射到硅和锗构成的半导体PN结中的电子孔穴位置，而电子就会产生迁跃，从而在两端的半导体硅中产生电压，如果该电压形成回路，则产生电流。

duoJInggul to一yongnengd一oneh- 多晶硅太阳能电池(polyerystaline一silicon solar cen)用多晶硅材料制成的pn结太阳能电 池。多晶硅是由许多细小的单晶顺粒非定向排列而成， 所以它的许多基本特性都和单晶硅相同。主要区别是 多晶硅中的单晶颗粒之间存在着晶界，而晶界往往有 许多非晶态硅原子和杂质原子。紧邻晶界的晶粒中，位 错、缺陷、应力、应变也较多，使得多晶硅中由人射光 激发而产生的光生载流子的寿命比较短，因而多晶硅 太阳能电池中的复合电流大，开路电压、短路电流、填 充因子及效率均没有单晶硅电池高。而一般的光电特 ~10种硅带技术在研究，其中有四种比较成熟，即:① 定边喂膜法(EFG)②跳状枝晶法(DB)③硅筒法 (SB)④电喷法。这四种方法获得的带硅厚约200料m. 沿带硅生长方向看，晶较取向比较一致，而沿带宽方向 看，晶向比较复杂，所以常称这种有纤维状晶体结构的 带硅为半晶硅。用半晶硅片制成的太阳能电池，平均效 率已突破10%，有的已达15%。其中:①定边喂膜法， 是用刻有狭缝的石墨模具浸人硅熔液，靠毛细现象，硅 液沿狭缝上升，用籽晶硅片把硅液沿狭缝冷凝后向上 拉伸，即得到等宽等厚的带硅②跳状枝晶法，是用两 根细籽晶平行伸入硅熔液，靠表面张力，硅液在籽晶之 间形成一个蹼状弯月面状的硅膜，把籽晶向上提伸.这 种蹼状硅膜同时伸长，形成蹼状带硅③硅筒法，是用 宽约125 mm、厚约0.2 mm的9片籽晶，围成8边形， 伸人硅熔液，然后向上提拉，即可得到一个8边形的硅 筒，用激光分割后，即可得到厚度均匀、质量较好的硅 片。由于硅筒生长速度快、切片损耗低，用硅筒基片制 成的太阳能电池的效率已达12%~14.5%，因而已具 备产业化的条件④电喷法，是由多晶硅粉末电喷到耐 高温衬底上，形成宽60cm、长数米、可以绕曲的多晶 硅带。用这种电喷多晶硅带材料制成的光伏组件，典型 的参数为:输出功率尸。、匕90Wp，短路电流I、一5.8 A，开路电压Voc二21.gV，几何尺寸(LxwxH)- 1633 mm派660 mmX35mm。 (5)太阳级硅:一般认为它是一种能够制造出效率 大于10%的太阳能电池用的廉价硅.虽然已经花费了 巨额经费摸索了多种杂质元素对太阳能电池的影响， 但是至今尚无关于太阳级硅的精确定义。目前正在设 法从沸腾床反应炉和从冶金硅直接纯化法制备太阳级 硅。用锌催化从沸腾床反应炉产出的高纯颗粒状多晶 硅，已可用作硅太阳能电池的原料。 性和制作工艺与单晶硅太阳能电池相同. 因为拉制单晶硅需要消耗大量能源以及昂贵的高 纯石英增祸，人们从20世纪60年代起探索以多晶硅 作为制造太阳能电池的材料。其中主要有: (l)薄膜多晶硅:在廉价的衬底(如冶金硅、石墨、 陶瓷以至于金属)上，用化学汽相沉积(VCD)法、等 离子增强的化学汽相沉积(PCDV)法和金属有机物化 学汽相沉积(M〔X二VD)法，生长一层20~50拌m的多 晶薄层，由此做成的多晶硅太阳能电池效率已大于 10肠。 (2)铸锭多晶硅:用石墨增涡把熔融硅定向冷却， 以获得晶界纵向排列、晶粒粗大的多晶硅锭，用多线切 俐机或内圆切割机切成。.2~0.4讯m厚的大面积多 晶硅片。以此制成的多晶硅太阳能电池，效率已达 17%~18写.与拉制单晶硅相比，这种铸锭硅生产周期 短、产t大(单个铸锭已达240 kg)、价格低。在德国， 这种太阳能电池已经开始取代单晶硅成为第二代实用 ┌—┬—┬—┬——┬—┐ │ │ │ │ │ │ │ │ ├—┼——┼—┤ │ │ │! │盯- │ │ └—┴—┴—┴——┴—┘ 柱形晶粒的多晶硅 太阳能电池 的太阳能电池。图示为 这种多晶硅太阳能电 池的示意图. (3)片状多晶硅: 当液体硅滴到旋转的 平台上，很快可以形成 一片厚约0.1~o·2 mm的多晶硅片。用这种称为滴转法制成的多晶硅太 阳能电池，效率已突破10%. (4)带状多晶硅:直接从硅液中拉出多晶带作为电 池的羞体材料，然后用激光切割成方形太阳能电池基 片.它不擂机械切割，可节省一半硅材料，还可节省为 消除机械切割损伤所必需的清洗、腐蚀试剂和人工。这 种降低成本的途径已引起人们的注意.

在硅片上制造微电路是成批地制造，在微小的面积上制出晶体管、电阻、电容而且按要求连成电路已属不易，而在一定面积的硅片上制造出性能一致的芯片则更加困难。集成电路的生产，大多是从硅片制备开始的，硅片的制备需要专门的设备和严格的生产条件。集成电路的制作过程更加复杂，为了保证工艺质量需使用大量昂贵的设备。仅以光刻机为例，我们从国外购买一台光刻机的价格就是2000万美金，而光刻机的型号升级诸如从5000型升级到6000型，则要投入上亿美金。而且，集成电路的制作对生产厂房的温度、湿度、空气的清洁度都有很高的要求，集成电路的生产一般都要在超净车间中进行，这种厂房的基本建设投资也大大高于一般厂房，相对于0．25微米6英寸的生产线建设投资2亿美金，建设一条0．25微米8英寸的线则需投入10到15亿美金。

集成电路的制造工艺、设备不仅非常复杂、昂贵，更需要不断创新。英特尔近来已经宣布将投入75亿美元改造它目前的0．18微米生产技术和设备，以采用0．13微米的制造工艺，并在这一工艺制造的集成电路芯片上采用铜线技术而非目前的铝线技术，因为铜线技术可以使芯片的运转速度更快、成本更低而且使用时升温幅度更小。

当我们在某种程度上逾越了技术封锁与设备禁运的时候，使我们掣肘的是我国技术工业的基础还有相当大的差距。举一个例子，光刻机的研制需要光学、精密仪器、机械、计算机控制等多种学科的知识，我们虽然可以把光刻机的原型器械和原理搞得一清二楚，但是经过材料、加工到生产的一系列环节之后，就是无法做出大规模生产的这种机器来。我们可以从美国买来光刻机，从意大利买来刻蚀机等等，但是我们很难把这些设备配置在一起，我国在集成电路工艺上的研究还没有大突破，集成电路工艺是设计和设备的桥梁和基础，设计与工艺不结合，设计做不上去，设备也做不出来。

还有一个值得指出的是，技术引进不等于自主技术的提升。随着我国对外开放、经济环境的日益宽松，现在技术、资本、设备都成套地被引进来，这在促进我国设备和材料方面具有一定的积极作用，但对于其它方面并没有什么太多的影响，因为这种引进并没有改变我国集成电路的技术工业基础，在核心技术层面上并没有使我们与先进水平缩短什么差距。

讲一个我们亲身经历的事儿。首钢 N EC最初引进的是6英寸、0．5微米（部分是0．35微米）的生产工艺，开始由 N EC负责管理生产、产品销售，日子很好的时候，我们提出想与他们进行研发合作，但颇受冷落。可是几年以后他们引进的技术落后了，外方也放手许可他们做“代工”，但是没有技术支撑，能做什么呢？后来他们回过头来又找我们合作；最近我们还听到华虹 N EC传出巨额亏损的消息，于是也有人反问：如果像华虹 N EC有关人士介绍的，它的亏损缘自世界半导体需求的下降以及 D RAM价格的暴跌，那么 D RAM卖不动了可不可以做些别的？我们没有这样的开发能力，不可能进行产品转型。

光伏板硅片五层。根据查询相关公开信息：光伏板硅片是指太阳能电池板，为五层。光伏硅片是光伏电池片的核心原材料，位于光伏主产业链上游环节。光伏硅片，是将硅棒通过切片、抛磨、清洗等工艺形成的高纯片状硅，是重要的半导体材料，在其中掺入微量的第IIIA族元素（硼），可形成P型硅半导体。掺入微量的第VA族元素（磷），可形成N型硅半导体。将N、P型半导体结合在一起，可做成晶硅光伏电池片，将太阳的辐射能转变为电能。

是用来发电的。

1、光伏板从原料砂中提取硅，然后利用硅原料通过生产工艺一片一片地制作硅片，然后将硅片串联起来制作太阳能电池。在光伏板的电池中，在原始硅原料中，原子（磷原子）将被注入形成N形半导体，然后原子（硼原子）将被注入形成P形半导体。当P和N半导体结合时，它们将接触表面，形成电位差，我们称之为PN结。当阳光照射到PN结时，空穴从P极区域移动到N极区域，电子从N极区域移动到P极区域，形成电流。

1、阳光照射在半导体p-n结上形成新的空穴电子对。在p-n结电场的作用下，空穴从p区流向n区，电子从n区流向p区，电路导通后形成电流。这就是光伏效应太阳能电池的工作原理。太阳能发电太阳能发电有两种方法，一种是光热电转换法，另一种是光电直接转换法。

2、光热电转换法利用太阳辐射发电。通常，太阳能收集器将吸收的热量转化为工作流体的蒸汽，然后驱动蒸汽轮机发电。前者为光热转换过程；后一个过程是热电转换过程。 光电直接转换法利用光电效应将太阳辐射能直接转换为电能。光电转换的基本装置是太阳能电池。太阳能电池是一种利用光伏效应将太阳能直接转换为电能的装置。它是一个半导体光电二极管。当太阳照射在光电二极管上时，光电二极管将把太阳光能转化为电能，产生电流。当许多电池串联或并联时，可以形成输出功率相对较大的方形太阳能电池阵列。

3、单晶硅太阳能电池板的光电转换效率约为15%，最高可达24%。这是所有类型太阳能电池板中光电转换效率最高的，但生产成本太高，无法广泛应用。使用。由于单晶硅通常由钢化玻璃和防水树脂封装，因此其耐用，使用寿命可长达15年，也可长达25年。

硅晶圆片是半导体生产的基础材料，单晶硅是制造硅晶圆片的基础材料，多晶硅粗砂是制造单晶硅的基础材料。

原料开采，一般有石英矿的地方都有。硅晶圆片生产出来之后，会送进半导体代工厂进行光刻加工，之后送到封装车间进行切片封装，再送到测试工厂测试，之后，就成了市场上卖的IC产品。高级的像CPU啊，低级的像各种小塑封小集成块啊，都是最终的产品。

目前世界上最大的代工厂是台湾的台积电，中国主要集中在广州、无锡、上海一带，中芯国际是目前中国比较有规模的企业。

其实目前硅片一般都是从国外进口的，质量比较好。同时，中国半导体技术比较差，能生产的90nm沟道的产品就很稀奇了，所以都是做封装测试的比较多。同时，由于外国技术封锁，我们能接触到的，基本上都是在国外已经光刻完毕、掩膜完成之后的晶圆片。比如无锡的东芝半导体，晶圆片都是从日本运过来的，中国的半导体工厂就只是负责切割、封装、测试、出售而已，核心技术根本不传到中国。

光伏上游所需量最大金属是硅，具体如下。

一、硅料环节：

1、金属硅：合盛硅业、东岳硅材。

2、多晶硅：通威股份、大全能源、新特能源、保利协鑫、特变电工。

二、硅片环节：

1、硅片：隆基股份、中环股份、晶澳科技、上机数控。

2、设备：晶盛机电、高测股份、连城数控。

3、耗材：金博股份、中天火箭、美畅股份、三超新材、岱勒新材、东材科技。

三、电池片环节：

1、电池片：通威股份、晶澳科技、隆基股份、爱旭股份、天合光能、东方日升、晶科能源。

2、设备：捷佳伟创、迈为股份、帝尔激光、双良节能、北方华创、奥特维。

3、耗材：帝科股份、苏州固锝、中晶科技、匡宇科技。

光伏产业链包括硅料、硅片、电池片、电池组件、应用系统5个环节。上游为硅料、硅片环节；中游为电池片、电池组件环节；下游为应用系统环节。从全球范围来看，产业链5个环节所涉及企业数量依次大幅增加，光伏市场产业链呈金字塔形结构。

在整个产业链中，硅料尤其是高纯度的硅料毛利率最高。由于近年来光伏产业的快速发展，硅料出现供不应求的状况，硅料的价格更是节节攀升。2008年初从以工业硅为原料提纯后所得的多晶硅价格已经上涨至约300美元/公斤，部分高纯度多晶硅甚至达到500美元/公斤。其次是硅片生产的利润率较高，而组件生产和工程安装利润率最低，约为10%左右。

目前，大部分光伏企业的产品集中在硅片、电池片和电池组件，以及应用系统方面。硅料的利润增长点主要是来自高纯度的多晶硅，而纯度较低的工业硅（纯度为98%～99%）则价格极为低廉。工业硅料的生产主要在发展中国家进行，是产业链中高能耗、高污染的一环。工业硅料经提纯后得到高纯度的硅料（纯度在99.9999%以上）则价格高昂。高纯度硅料的供应商主要来自美国、德国和日本的公司。随着光伏产业的发展，这些公司有扩大高纯度硅料产能的趋势，如美国HSC公司（Hemlock Semiconductor Corporation）的多晶硅产能将从目前的1万吨增加到2008年的1.45万吨，预计2010年扩产至1.9万吨；另一家公司MEMC公司（MEMC Electronic Materials Inc.）的产能也将由4900吨提高至2009年的8000吨。

硅片是制作晶体管和集成电路的原料。

一般是单晶硅的切片。硅片，是制作集成电路的重要材料，通过对硅片进行光刻、离子注入等手段，可以制成各种半导体器件。用硅片制成的芯片有着惊人的运算能力。科学技术的发展不断推动着半导体的发展。自动化和计算机等技术发展，使硅片（集成电路）这种高技术产品的造价已降到十分低廉的程度。

面临挑战：

1、切割线直径

更细的切割线意味着更低的截口损失，也就是说同一个硅块可以生产更多的硅片。然而，切割线更细更容易断裂。

2、荷载

每次切割的总面积，等于硅片面积X每次切割的硅块数量X每个硅块所切割成的硅片数量。

普通半导体器件用的硅片纯度是99.9999999999%，俗称12个9.

而太阳能级硅片的纯度只要达到99.9999%，即6个9即可。

可以参考以下链接的内容：http://www.taiyanggonggong.com/news/content/2008/3/3786.html

太阳能光伏产业调研报告 能源是人类社会赖以生存的物质基础，是经济和社会发展的重要资源。长期以来，化石能源的大规模开发利用，不但迅速消耗着地球亿万年积存下的宝贵资源，同时也带来了气候变化、生态破坏等严重的环境问题，直接威胁着人类的可持续发展。随着科学技术的进步，人类对可再生能源尤其是风能、太阳能、水能等新型可再生能源的认识不断深化。太阳能作为取之不尽的可再生能源，其开发利用日益受到世界各国尤其是发达国家的高度重视，太阳能光伏产业的规模持续扩大，技术水平逐步提高，成为世界能源领域的一大亮点，呈现出良好的发展前景。

一、国外太阳能光伏产业基本情况

日本、德国和美国是推动光伏发电系统最有力的国家。资料显示，欧盟希望在2010年安装3GW的光伏发电装置，2030年增加到200GW左右。美国预计2020年光伏发电累计安装量达到36GW。日本计划到2010年安装近5GW。

日本1994年实施“朝日七年计划”，目前已安装了近7万个太阳能屋顶，预计到2010年要安装100万个太阳能屋顶。德国2000年通过可再生能源法，以固定优惠收购电价鼓励可再生能源，并于2004年4月进一步补充修订可再生能源法，使得德国2004年光伏发电系统设备大幅增加，并一举超过日本成为全球最大光伏发电系统装设地区。根据Solarbuzz提供的数据，2004年，德国光伏发电系统装设容量为361MW，同比增长152％，已占全球总量的39％；日本以278MW的装设容量占全球30％。德日两国装设容量占了全球2/3以上。目前我国电池产品也主要出口到上述两国。美国于1997年宣布百万屋顶计划，计划到2010年在100万座屋顶上安装光伏发电和光热系统。

过去十年，随着世界光伏市场需求量大幅增加，加上大规模制造技术的不断提升，推动了世界光伏产业的快速发展，光伏电池产量从1995年的78.6MW，提高到2005年的1727MW，年均增幅达到32.4％。可以预见，未来15年世界光伏生产规模将保持年均20％以上的增长，甚至有更为乐观地估计，到2010年，全球太阳能产量将增长4倍，销售收入增长3倍，利润增长3倍。

世界光伏电池制造主要集中在日本、德国、美国、西班牙等发达国家，其中日本2005年光伏电池产量达到833MW，占据了世界光伏市场份额的近半壁江山，中国大陆进入了世界光伏制造十大国之一，2005年光伏电池产量为128MW，列世界第四位，占世界市场分额7.4％。

年度统计表：1995－2005年世界太阳能电池产量和增长率

年份1995 1996 1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005

产量（MW） 78.6 89.6 125.8 153 201.4 278 395536 742 1194 1727

增长率（％）12.6 14 40.4 21.5 31.8 3842.1 35.7 38.4 60.9 44.6

99－05年增长率

2005年世界主要太阳能电池制造商产量产能和市场份额一览表

公司名称 产品类型 国别/地区 产量(MW) 产能(MW) 市场份额 产量排名

Sharp（夏普） 单/多晶硅非晶硅 日本 428 600 24.78% 1

Q-Cells 单/多晶硅 德国 160 300 9.26% 2

Kyocera（京瓷） 多晶硅 日本 142 240 8.22% 3

Sanyo（三洋） a-Si/sc-Si*非晶硅 日本 125 158 7.24% 4

Mitsubishi（三菱电子） 多晶硅 日本 100 135 5.79% 5

Schott Solar 多晶硅

EFG带硅

非晶硅 德国 95 113 5.50% 6

BP Solar 单/多晶硅

非晶硅 美国 90 157 5.21% 7

尚德太阳能 单/多晶硅 中国无锡 85 120 4.92% 8

Motech（茂迪） 单/多晶硅 中国台湾 60 100 3.47% 9

Shell Solar 单/多晶硅 CIS 薄膜 德国 59 110 3.42% 10

Isofoton 单晶硅 西班牙 53 90 3.07% 11

Deutsche Cell 多晶硅 德国 38 40 2.20% 12

Photowatt 多晶硅 法国 24 30 1.39% 13

United Solar

Ovonic 非晶硅 美国 22 30 1.27% 14

Kaneka

Solartech 非晶硅 日本 21 23 1.22% 15

SunPower 单晶硅 美国 20 50 1.16% 16

Ersol Solar Energy 多晶硅 德国 20 25 1.16% 17

E-Ton Solar (益通) 单/多晶硅 中国台湾 20 28 1.16% 18

First Solar CdTe 美国 20 25 1.16% 19

GE Energy(原Astropower) 单晶硅 美国 18 25 1.04% 20

Sunways 多晶硅 德国 16 42 0.93% 21

Evergreen Solar 带硅(String Ribbon) 美国 14 15 0.81% 22

MHI(三菱重工) 非晶硅 日本 12 12 0.69% 23

宁波太阳能 单晶硅 中国 12 16 0.69% 24

天达光伏 CdTe薄膜 德国 10 30 0.58 35

世界总计 1727 － 100%

二、我国太阳能光伏产业和应用情况

（一）光伏产业情况

1、硅材料和硅片

目前太阳能电池厂家广泛采用的原料是多晶硅，多晶硅同时还是半导体的原料。多晶硅由硅纯度较低的冶金级硅提炼而来，太阳能级硅纯度要达到99.9999％，即6个9，而半导体用硅要求硅纯度达到99.9999999999％，即12个9。

光伏产业的持续快速增长，使得主要依赖半导体工业用硅的头尾料、废料和剩余产能已经不能满足光伏市场的需求，光伏和半导体产业对硅料的竞争需求直接造成目前硅料的供应紧张和价格上涨，2003年每公斤24美元，2004年涨到32美元，目前市场价格正逼进100美元。尽管目前各主要硅料制造商都在扩充产能，而且新增产能基本都用于满足光伏产业的需要，根据市场需求和主要硅料供应商未来供应能力方面的数据分析，到2008年硅料供应紧张的状况有所缓解。

世界多晶硅原料光伏供应与需求关系

供应紧张的后果不仅是价格疯涨，部分电池企业根本就无法获得硅料，我国电池企业所用硅料90％以上靠进口，不少电池企业由于没有充足硅料，电池生产能力被放空，甚至处于“等米下锅”的境地。

迄今为止，生产高纯度多晶硅提炼技术还掌握在发达国家的少数企业手中。下表给出了包括SGS、Hemlock、Wacker、Tokuyama、AsiMI等在内的8家世界主要高纯多晶硅原料制造商产量及其光伏供应量数据。

世界晶硅原料制造商产量及其光伏供应量一览表

制造商名称 国别 2004年 2005年预测

总产量(吨） 光伏供应量(吨) 总产量(吨） 光伏供应量(吨)

SGS(与AsiMI合资) 美国 2100 2100 2300 2300

Hemlock 美国 7000 2700 7400 2700

Wacker 德国 5000 2400 5000 2400

Tokuyama(德山) 日本 5200 2000 5200 2000

ASiMI 美国 2200 0 3000 200

MEMC 意大利 2500 0 3700 700

住友 Sitix Sumitomo Titanium 日本 700 0 700 0

三菱* 日本 2800 300 2800 300

其它 500 0 2000 1000

合计 28000 9500 32100 11600

其它光伏用硅原料供应商（含半导体工业的边角料，废料以及库存用量等） 4000 4000

光伏应用合计 13500 15600

*三菱产量为三菱材料和三菱多晶两家总产量

国外硅料生产商意识到这是一轮大牛市，纷纷行动起来，积极扩大产能。例如，全球最大硅料供应商Hemlock于今年11月中旬宣布，计划在美国投资4－5亿美元扩充产能，将现有产能扩充50％。全球第三大硅料生产商Wacker也有宏伟扩产计划，2007年将其产能从目前的5000吨扩充到9000吨。

由于当前国际硅料供应的紧张，给迅速升温的国内光伏产业带来了不利的影响。然而，投资硅料比投资太阳能电池生产将面临更高的资金、技术及人才的门槛，但最重要的门槛还不是资本，而是技术。目前国内掌握硅料生产技术的主要有新光硅业、洛阳半导体厂。洛阳半导体厂以及作为新光硅业科研生产基地的峨嵋半导体厂的项目此前都已建设多年，但由于受技术水平较低、资金不足、规模小等限制，根本无法与国际巨头竞争。为了尽快摆脱受制于国外硅材料的被动局面，国内有条件的企业也在加快提高多晶硅产量。新光硅业引进俄罗斯技术，投资12亿元建设1200吨多晶硅项目。洛阳中硅以峨嵋半导体材料厂的技术班底为依托，300吨多晶硅项目已投产并在建设二期工程。以生产电池和组件为主的天威公司，也在加快向产业上游扩张，2005年收购了四川峨嵋半导体材料厂，成为其第二大股东。

太阳能电池用硅锭/硅片生产主要包括单晶硅棒拉制和多晶硅铸锭制造以及切片。2003年前，我国硅锭/硅片生产规模较小，成本优势不明显。经过2004年以来两年的发展，生产企业增多，产量得到提高，硅锭/硅片生产已形成一定规模，硅片生产能力基本能够满足国内市场需求。

中国晶硅材料的生产供应情况

企业名称 目前产能(吨) 新建和扩产后产能(吨) 技术

来源 投产时间

四川新光硅业科技有限公司 0 1200 峨嵋半导体材料厂，引进部分俄罗斯技术和国外设备 2007年初

洛阳中硅高科技有限公司 30 一期 300

二期 3000 洛阳单晶硅公司，中国有色工程设计总院 一期2005年底，二期2007年

宁夏石嘴山市 0 5000 俄罗斯稀有金属研究院 筹建

云南爱信硅科技有限公司 0 一期3000

总一万吨 引进德国生产线技术 一期投资25亿，2007年底

江苏顺大半导体发展有限公司 0 一期1500吨总3000吨 美国Hemlock 总投资30亿，一期2007

辽宁凌海市 0 1000 引进美国生产线生产 投资11亿 招商当中

四川超磊实业 0 1000 与美国公司合作引进技术产品外销模式 筹建

峨嵋半导体材料厂 100 220 自主技术 2006年

2、光伏电池和组件

近几年，我国的光伏制造能力实现了跨越式的发展，特别是2002年以来，随着无锡尚德、保定天威英利等新建规模企业的陆续建成投产和原有主要企业天达光伏和宁波太阳能等企业的产能扩张，我国的光伏电池生产能力迅速提升。此外，一大批规模光伏组件封装企业涌现出来，典型的包括上海太阳能科技、佳阳新能源、京瓷（天津）和力诺桑普等，使得我国无论是组件还是电池生产迅速向世界光伏制造大国迈进。

近三年，中国的光伏制造一步一个台阶，处于年均增幅超过100％的高增长期。2002年中国光伏制造首次跻身世界10强，组件和电池产量均位居世界第7；2003年中国电池产量和组件产量分别排名世界第6和第5；2005年中国光伏电池和组件制造又全面跻身世界四强，电池、组件产量排名第4。尽管2003年底以来上游硅片的短缺多少影响了中国光伏产量的进一步放

中国光伏硅片制造产量和产能一览表

企业名称 产品类型 2004年(MW) 2005年（MW）

产量 年底产能 产量 年底产能

保定天威英利 多晶硅片 4．7 6．0 15 70

宁波晶元太阳能（中意太阳能） 多晶硅片 2 2 3 5

河北晶龙集团 单晶硅棒

单晶硅片 800吨

20MW 800吨

20MW 1000吨

24MW 1000吨

25MW

镇江环太硅 单晶硅片 200万片

（4MW） 600万片

（15MW） 700万片

（17MW） 1000万片

（25MW）

海润科技 单晶硅片 100万片

（3MW） 1000万片

（30MW） 600万片

（15MW） 1500万片

（40MW）

鑫日硅 单晶硅棒 10吨 30吨 40吨 400吨

锦州新华石英玻璃集团公司 单晶硅棒 - 188吨 - 200吨

宁波太阳能 单晶硅片 1MW 1MW 1MW 1MW

西安骊晶电子 单晶硅片 1MW 1MW 1MW 1MW

昆明天达光伏 单晶硅片 0.5MW 0.5MW 0.5MW 0.5MW

新疆新能源 单晶硅片 2006年2月试产成功，产能100MW

顺大半导体 单晶硅棒

单晶硅片 2005年初开始量产单晶硅棒，2005年产量约300吨，目前年产能约450吨，到2006年底将形成800吨的产能。硅片产品已于2006年3月开始投产

精功绍兴太阳能 多晶硅片 2005年底投产，一期产能10MW，2006年将达产300万片

常州天合光能 单晶硅片 2005年底投产，产能30MW，正扩建产能到100MW

塞维LDK 多晶硅片 已经于2006年3月投产，产能75MW，07年形成200MW产能，2008年达到400MW产能

洛阳单晶硅 单晶硅片 目前供应半导体应用为主，未来形成年100MW光伏硅片

高佳太阳能 单晶硅片 2005年年底量产，一期加工产能800万片（20MW）二期投产后全部加工产能2400万片

合计 多晶硅片

单晶硅片

硅片 6.7MW

29.5MW

36.2MW 8MW

68.5MW

76.5MW 18.5MW

63.5MW

82.0MW 85MW

140MW

225MW

大。随着越来越多的企业投资光伏行业，到2005年底中国光伏电池总产能将达到250MW，组件总产能超过400MW。目前中国总体上已经成为仅次于日德的第三大光伏制造国。

中国光伏电池和组件产量和增长率

年份 1996 1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003 2004 2005

组件产量（MW） 1.8 2 2.1 2.5 3.1 4.1 14.9 24.8 88.8 210

增长率（%） 50.1 10.5 5 24 19 32.3 263 66.4 258 136

电池产量（MW） 1.8 2 2.1 2.5 3.1 4.3 11.9 19 52.8 150

增长率（%） 50.1 10.5 5 24 19 32.3 190 59.7 178 185

中国主要光伏电池和组件制造商产量一览表

制造商 产品类型 2004年产量（MW） 2005年产量（MW）

电池 组件 电池 组件

尚德太阳能 单晶硅

多晶硅 35 40 85 85

天威英利 多晶硅 4 5 4 17

中电光伏 单晶硅

多晶硅 - - 5- -

上海太阳能 多晶硅

单晶硅 - 10 - 30

京瓷（天津） 多晶硅 - 10 - 15

天达光伏 单晶硅 4 3 10 9

宁波太阳能 单晶硅 5 4．5 12 12

创益科技 非晶硅

多晶硅 2．5 5．5 3 7

哈克新能源 非晶硅 0．8 0．8 0．8 0．8

力诺桑普 多晶硅 - 1．0 - 3

津能电池 非晶硅 0．5 0．5 3.5 3.5

林洋新能源 单晶硅

多晶硅 - 0．1 - 7．5

佳阳新能源 单晶硅

多晶硅 - 2．4 - 6．5

交大泰阳 单晶硅 - 0．5 3 5

玄中新能源

（奥奇太阳能） 单晶硅

多晶硅 - 0．5 - 2

世华创新 单晶硅

多晶硅 - - - 6

其他 - 1．0 5 2 10

总计 52．8 88．8 128.3 219.3

光伏总产能 至2005年底中国电池总产能420MW，组件总产能450MW，硅片总产能225MW。

（二）光伏发电应用

在太阳能光伏发电应用方面，目前我国主要以解决西部无电地区应用为主，国内市场并不足以消化制造商不断增加的产能，目前中国光伏产品90%以上出口欧洲、日本等国际市场。

中国光伏发电重大项目一览表

项目名称 出资方 支持力度 主要内容 执行期 执行地域

“光明工程”先导项目 国家发改委，地方政府 400万人民币 建立村落电站和户用系统，帮助建立销售网络和加强机构能力建设 2000- 西藏、内蒙古、甘肃

“送电到乡”工程 原国家计委，地方政府 26亿人民币 建立集中电站 2002-2003 新疆、西藏、甘肃、陕西、内蒙古、四川、青海

内蒙古新能源通电计划 内蒙古自治区政府 2．25亿人民币 补贴农村户用系统 2001- 内蒙古

世行、全球环境基金REDP项目 全球环境基金 2550万美元 补贴农村户用系统销售，帮助机构能力建设和技术进步 2002-2007 新疆、西藏、甘肃、内蒙古、四川、青海

丝绸之路照明计划 荷兰政府 1379万欧元 补贴农村户用系统 2002-2006 新疆

德援KFW项目* 德国政府 2600万欧元 建立村落电站 2003-2005 新疆、云南、青海、甘肃

德援GTZ项目** 德国政府 约460万欧元 技术支持与培训 2003- 青海、云南、西藏、甘肃

加拿大太阳能项目 加拿大政府 343万加元 建立示范电站及管理培训 2003-2005 内蒙古

日本援助NEDO项目 日本政府 3853万人民币 建立示范电站；实验室建设 1998-2002 新疆、西藏、甘肃、陕西、宁夏、内蒙古、四川，青海、云南、广东、浙江、河北

*KFW项目的全称为：中德财政合作西部太阳能项目

**GTZ项目的全称为：中德技术合作在农村地区应用可再生能源改善当地发展机遇项目

随着世界光伏市场需求持续高速增长以及我国《可再生能源法》的颁布实施，中国在光伏制造快速增长的同时，光伏应用的步伐也将加快。根据我国初步完成的《可再生能源中长期发展规划》，2020年，我国光伏发电将达到2GW。虽然与发达国家有差距，但跟2004年我国光伏发电仅65MW的基础相比，未来20年的增幅也将相当可观。目前，相关部门正在着手研究制定光伏发电的扶持政策。

下表在国内外调研数据的基础上，对未来五年中国光伏产业从组件价格（元/Wp）、组件产量（MW）、组件产值（亿元）、年度并网安装份额（％）、累积安装容量（MW）等几个方面的数据进行了分析预测。

2005-2010年中国光伏产业主要数据预测

年份 组件价格

（元/Wp） 组件产量

(MW) 组件产值

(亿元) 年度并网安装

份额（%） 年度并网安装份额（%） 累积安装容量（MW）

2005 37 200 74 8 8 104

2006 37 300 111 13 13 150

2007 35 400 140 21 21 <DIV