光伏镀二氧化硅膜是什么工艺

PECVD( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)等离子增强化学气相沉积，等离子体是物质分子热运动加剧，相互间的碰撞会导致气体分子产生电离，物质就会变成自由运动并由相互作用的正离子、电子和中性粒子组成的混合物。

据测算，光在硅表面的反射损失率高达35%左右，减反膜可以极高地提高电池片对太阳光的利用率，有助于提高光生电流密度，进而提高转换效率，同时薄膜中的氢对于电池片表面的钝化降低了发射结的表面复合速率，减小了暗电流，提升了开路电压，提高了光电转换效率；在烧穿工艺中的高温瞬时退火断裂了一些Si-H、N-H键，游离出来的H进一步加强了对电池的钝化。

由于光伏级硅材料中不可避免的含有大量的杂质和缺陷，导致硅中少子寿命及扩散长度降低，从而导致电池的转换效率下降，H能与硅中的缺陷或杂质进行反应，从而将禁带中的能带转入价带或者导带。

一、PECVD原理

PECVD 系统是一组利用平行板镀膜舟和高频等离子激发器的系列发生器。在低压和升温的情况下，等离子发生器直接装在镀膜板中间发生反应。所用的活性气体为硅烷SiH4和氨NH3。这些气体作用于存储在硅片上的氮化硅。可以根据改变硅烷对氨气的比率，来得到不同的折射指数。在沉积工艺中，伴有大量的氢原子和氢离子的产生，使得晶片的氢钝化性十分良好。

在真空、480摄氏度的环境温度下，通过对石墨舟的导电，使硅片的表面镀上一层SixNy。

3SiH4+4NH3 → Si3N4+12H2

二、Si3N4

Si3N4膜的颜色随着它的厚度的变化而变化，一般理想的厚度是75—80nm之间，表现为深蓝色，Si3N4膜的折射率在2.0—2.5之间效果最好，通常用酒精来测其折射率。

优良的表面钝化效果、高效的光学减反射性能（厚度折射率匹配）、低温工艺（有效降低成本）、生成的H离子对硅片表面钝化.

三、镀膜车间常见事项

膜厚。沉积时间的不同膜厚也是不一样的要根据镀膜的颜色来适当的增加或减少它的沉积时间，片子发白要减少沉积时间，如偏红则要适当的增加

EVA主要用于晶硅电池的封装，少部分薄膜也有采用，主要起到保护电池以及将电池片与盖板玻璃紧密贴合的作用。目前市场使用的产品以Dupont的Tedlar最为知名，但也有不少其他国际大厂在生产各种产品，如3M等，国内亦有几家能够用于太阳能的生产商，如福斯特、斯威克等；

PVB目前主要用在薄膜电池、双玻组件、建筑一体化（BIPV）等领域，生产企业和产品型号均较少，目前以Dupont、Kuraray等为主，国内也有个别企业正在尝试生产，如鑫富药业等。

2、层压工艺

PVB、EVA对温度的要求不一样。EVA热塑性好，对设备要求没有PVB高。PVB对温度的要求较高（155℃左右），对层压机的要求比较高。

3.其他

PVB是建筑材料，对气体阻隔性能非常好，而且粘结性能很好，耐候性好很多。缺点在于对水汽的阻隔性能太差，这对太阳能电池而言是不可接受的。而且过于柔软不好操作。价格也是EVA的3倍以上。

单体太阳电池不能直接做电源使用。作电源必须将若干单体电池串、并联连接和严密封装成组件。以下是我为大家整理的关于层压光伏组件的工艺流程，给大家作为参考，欢迎阅读!

一，准备组质量控制点

准备组准备的主要物料有：电池片，TPT，EVA，涂锡带，玻璃……

电池片外观：电池片不能有隐裂，裂片，破片(崩边缺角)……单片电池片不能有明显颜色不均匀的现象，同一组件的电池片颜色要一致。电性能：每个组件的电性能搭配首先要求的功率要在同一等级，然后在根据电池片的工作电流(IWORK)分档进行搭配，统一功率组件中电池片的工作电流应在同一等级。如果同一等级的电池片缺少时，应选择功率和电流高一等级的进行补片。

激光划片：划片后的电池片不仅在尺寸上符合图纸要求，而且划好的片子放在光学显微镜下观察，要求切割的深度在电池片厚度的1/2—2/3范围内，并且电池片无崩边裂纹，切割面目视平整，光亮。

TPT /EVA：在裁剪TPT /EVA时必须按照物料清单规定的尺寸进行裁剪，在遇到特殊物料时，需要做尺寸上的修改必须通知技术，工艺，此外每个工序之间传达必须要有。与此同时每隔两个小时必须对物料的裁剪尺寸进行测量，并做好记录。

涂锡带：涂锡带的裁剪首先要根据物料清单规定的尺寸进行裁剪，其实在裁剪的过程中要不定时的进行尺寸的测量,涂锡带的浸泡时间与烘烤时间以工艺作业指导书规定为标准。

玻璃：玻璃从仓库拉到车间在使用之间首先要对玻璃尺寸进行确认，在生产的过程中一拖也要进行抽测尺寸。

二，压带质量控制点

首先就是对烙铁头温度，加热台温度进行校准，使必须工作在工艺温度范围内。 焊接表面：焊接表面平整光亮，无焊锡渣，赃污，高点毛刺，助焊剂发白(烙铁头必须每5个工作如换一次并做好记录)。 焊接效果：不能有虚焊，脱焊，掉线……

焊接错位：正面涂锡带末端到电池片边缘距离为3mm(±0.5mm)偏移主栅线<0.5mm 电池片外观检查：不能有隐裂，裂片，破片(崩边缺角)……

三，串带质量控制点

首先就是对烙铁头温度，加热台温度进行校准，使必须工作在工艺温度范围内。 焊接表面：焊接表面平整光亮，无焊锡渣，赃污，

焊接效果：检查电池片的正反面不能有虚焊，脱焊，掉线……涂锡带上不能有高点，毛刺存在。

焊接错位：相邻两电池片正面涂锡带偏移≦1mm，反面涂锡带偏移主栅线距离<1/2主栅线，相邻两电池片之间的距离为2(±0.5mm)

电池片外观检查：不能有隐裂，裂片，破片(崩边缺角)……

四，排版质量控制点

摆片时电池串头部与玻璃边缘距离，尾部与玻璃边缘距离两侧电池串到玻璃边缘距离都必须符合图纸设计要求，汇流带的焊接符合图纸要求， 引线折弯必须要有一定的角度，况且引线不能有变形的现象。 高温胶纸的固定必须按按照图纸设计的去贴，一个都不能少。

铺设绝缘TPT与TPT时必须以引线折弯处为对准点。、

检查中板内不允许有杂物(焊锡渣，头发，tpt丝)电池片无隐裂，裂片，破片(崩边缺角)……现象。

五，层压质量控制点

层压机的参数设置必须符合工艺文件要求，层压机温度点检与实际温度在±2为合格，在更换物料(EVA)时相对应的工艺参数必须做调整。

对每次层压之后的高温布，硅胶板上残留的EVA胶必须及时的清理。

每天的温度点检和交联度实验必须去做，并且还要去核对标准看是否在正常范围内。 组件EL测试与外观检测严格按照《晶体硅太阳能组件检验规范》检验标准

六，装配质量控制点

装配质量控制点主要表现在：在组框机进行组完边框之后要不定时的留意边框的B面是否有划伤的现象，组好之后长边框与短边框之间的缝隙不能超过0.5mm，对组好边框之后的组件要定时的测量对角线的尺寸，并做好记录。

七，测试质量控制点

在标准测试环境下进行测试：STC条件：1000w/m2，AM1.5，温度25oC±2 oC。

校准程序须严格按照作业指导书进行操作， 组件标贴符合设计要求，字迹清晰，印刷清洁

八，包装质量控制点

包装控制点主要表现在：对组件背面缺胶的现象必须要很敏感，正面刮胶与清洁必须做到没有赃物附着在玻璃上面。

纸箱外观应该洁净，没有明显划痕。产品型号，数量，制造厂商信息清晰可见。

外箱应该有易碎或禁压标签，标签的粘贴牢固，整齐，美观。 打包后打包条与箱体边缘间距对称、美观

太阳能电池组件构成及各部分功能：

1) 钢化玻璃 其作用为保护发电主体(如电池片)，透光其选用是有要求的， 1.透光率必须高(一般91%以上)2.超白钢化处理

2) EVA 用来粘结固定钢化玻璃和发电主体(如电池片)，透明EVA材质的优劣直接影响到组件的寿命，暴露在空气中的EVA易老化发黄，从而影响组件的透光率，从而影响组件的发电质量除了EVA本身的质量外，组件厂家的层压工艺影响也是非常大的，如EVA胶连度不达标，EVA与钢化玻璃、背板粘接强度不够，都会引起EVA提早老化，影响组件寿命。

3) 电池片 主要作用就是发电，发电主体市场上主流的是晶体硅太阳电池片、薄膜太阳能电池片，两者各有优劣晶体硅太阳能电池片,设备成本相对较低，但消耗及电池片成本很高，但光电转换效率也高，在室外阳光下发电比较适宜薄膜太阳能电池，相对设备成本较高，但消耗和电池成本 很低，但光电转化效率相对晶体硅电池片一半多点，但弱光效应非常好，在普通灯光下也能发电，如计算器上的太阳能电池。

4) EVA 作用如上，主要粘结封装发电主体和背板

5) 背板 作用，密封、绝缘、防水(一般都用TPT、TPE等材质必须耐老化，大部分组件厂家质保都是25年，钢化玻璃，铝合金一般都没问题，关键就在与背板和硅胶是否能达到要求。)

6) 铝合金 保护层压件，起一定的密封、支撑作用

7) 接线盒 保护整个发电系统，起到电流中转站的作用，如果组件短路接线盒自动断开短路电池串，防止烧坏整个系统接线盒中最关键的是二极管的选用，根据组件内电池片的类型不同，对应的二极管也不相同

8) 硅胶 密封作用，用来密封组件与铝合金边框、组件与接线盒交界处有些公司使用双面胶条、泡棉来替代硅胶，国内普遍使用硅胶，工艺简单，方便，易操作，而且成本很低。

组件设计

按国际电工委员会IEC：1215：1993标准要求进行设计，采用36片或72片多晶硅太阳能电池进行串联以形成12V和24V各种类型的组件。该组件可用于各种户用光伏系统、独立光伏电站和并网光伏电站等。

原材料特点

电池片：采用高效率（14.5%以上）的多晶硅太阳能片封装，保证太阳能电池板发电功率充足。

玻璃： 采用低铁钢化绒面玻璃(又称为白玻璃)， 厚度3.2mm,在太阳电池光谱响应的波长范围内(320-1100nm)透光率达91%以上，对于大于1200 nm的红外光有较高的反射率。此玻璃同时能耐太阳紫外光线的辐射，透光率不下降。

EVA：采用加有抗紫外剂、抗氧化剂和固化剂的厚度为0.78mm的优质EVA膜层作为太阳电池的密封剂和与玻璃、TPT之间的连接剂。具有较高的透光率和抗老化能力。

TPT：太阳电池的背面覆盖物―氟塑料膜为白色，对阳光起反射作用，因此对组件的效率略有提高，并因其具有较高的红外发射率，还可降低组件的工作温度，也有利于提高组件的效率。当然，此氟塑料膜首先具有太阳电池封装材料所要求的耐老化、耐腐蚀、不透气等基本要求。

边框：所采用的铝合金边框具有高强度，抗机械冲击能力强。

基本参数

标准测试条件：（AM1.5）辐照度=1000W/m2,电池温度=25℃

绝缘电压:≥600V

边框接地电阻:≤10hm

迎风压强:2400Pa

填充因子:73％

短路电流温度系数：+0.4mA/℃

开路电压温度系数:-60mV/℃

工作温度：-40℃～+90℃

组件接线说明

安装所需要的工具

M4一字螺丝刀，十字螺丝刀各一把。

接线盒盖的打开

将M4一字螺丝刀按照接线盒上的标示插入盒盖上的安装孔内，将其一脚轻轻抬起，如此这般先将边上四角抬起，即可打开盒盖。盒内有接线护盖，将其提起则可看到三个接线端子。

电池板的接线

在左右两个接线端子的旁边有正负极标志，它代表电池在工作状态下输出电压的正负极，按照用电需求正极接正接，负极接负极。

接线采用机械压紧方式，用M4十字螺丝刀将接线柱的压紧螺丝旋开，将电线去皮后穿过G7电缆密封接头，插入接线孔中，将线压紧。

电线接好后，将防护盖盖上，用M4十字螺丝刀将自攻螺丝拧入螺丝孔，固定好后在将接线盒盖盖上，即完成电池板的接线。

电池板的接地

在电池板的背面安装有接地螺丝，将接地线固定在接地螺丝上即可安全接地。

《薄膜太阳电池生产工艺配方技术-太阳电池,敏化纳米薄类资料》

详细目录列表如下：

1-BG45284 薄膜太阳电池组件汇流条的制造方法及薄膜太阳电池组件 资

2-BG45284 生产串联连接的薄膜太阳电池阵列的方法 料

3-BG45284 薄膜太阳电池热处理装置 来

4-BG45284 宽谱域低温叠层硅基薄膜太阳电池 源

5-BG45284 宽谱域低温叠层硅基薄膜太阳电池 :

6-BG45284 染料敏化纳米薄膜太阳电池电极的制备方法 万

7-BG45284 染料敏化纳米薄膜太阳电池用电解质溶液 息

8-BG45284 染料敏化纳米薄膜太阳电池的密封方法 数

9-BG45284 箱体侧立式大面积薄膜太阳电池测试仪的光路装置 据

10-BG45284 单次闪光薄膜太阳电池组件测试仪

11-BG45284 大面积内部串联染料敏化纳米薄膜太阳电池 0

12-BG45284 大面积内部并联染料敏化纳米薄膜太阳电池 2

13-BG45284 大面积内部并联染料敏化纳米薄膜太阳电池及其制作方法 8

14-BG45284 大面积内部串联染料敏化纳米薄膜太阳电池及其制作方法

15-BG45284 柔性衬底薄膜太阳电池衬底的清洗方法 :

16-BG45284 柔性衬底薄膜太阳电池阻挡层及其制备方法 6

17-BG45284 染料敏化纳米薄膜太阳电池的外连接方法及装置 5

18-BG45284 硅薄膜太阳电池集成组件的制备技术 8

19-BG45284 硅薄膜太阳电池用P型窗口层及其制备方法 1

20-BG45284 柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池制备方法 8

21-BG45284 柔性非晶硅薄膜太阳电池 3

22-BG45284 廉价多晶硅薄膜太阳电池 5

23-BG45284 CIS系薄膜太阳电池组件及其制造方法 6

24-BG45284 用于非晶硅薄膜太阳电池制作的PECVD装置

25-BG45284 薄膜太阳电池应用在服饰制作上的发光装置

26-BG45284 CIS系薄膜太阳电池模块的改进的耐久性试验方法

27-BG45284 薄膜太阳电池应用在光伏大盖帽上的照明装置

28-BG45284 在箱包制作上应用薄膜太阳电池光伏发电的照明装置

29-BG45284 薄膜太阳电池应用在风筝制作上的照明装置

30-BG45284 ZnO为电绝缘与杂质阻挡层的薄膜太阳电池及其制备方法

31-BG45284 一种机械叠层AlSbCIS薄膜太阳电池

32-BG45284 氢化非晶硅薄膜太阳电池及其制备方法

33-BG45284 SnO*为衬底的微晶硅薄膜太阳电池用透明导电薄膜的制备方法

34-BG45284 可自旋展开的薄膜太阳电池阵及其在太空的应用

35-BG45284 铜铟镓硫硒薄膜太阳电池光吸收层的制备方法

36-BG45284 柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池及其吸收层的制备方法

37-BG45284 柔性薄膜太阳电池组件

38-BG45284 CuInSe*半导体薄膜太阳电池光吸收层的制备工艺

39-BG45284 双面可吸光发电的薄膜太阳电池

40-BG45284 柔性衬底薄膜太阳电池及专用设备

41-BG45284 薄膜太阳电池中空夹胶幕墙组件

42-BG45284 薄膜太阳电池制造系统以及共用基板保管架

43-BG45284 一种锡硫化物薄膜太阳电池

44-BG45284 薄膜太阳电池模块及其加工方法

45-BG45284 硅基薄膜太阳电池用窗口材料及其制备方法

46-BG45284 CdTe薄膜太阳电池的腐蚀方法

47-BG45284 一种柔性碲化镉薄膜太阳电池制造方法

48-BG45284 一种薄膜太阳电池的光吸收层材料及其制备方法

49-BG45284 一种锑化铝透明薄膜太阳电池

50-BG45284 薄膜太阳电池应用在服装制作中的保暖装置

51-BG45284 薄膜太阳电池应用在服装制作中的按摩装置

52-BG45284 具有电子复合抑制结构层的染料敏化纳米薄膜太阳电池及制备

53-BG45284 具有Te缓冲层的CdTe薄膜太阳电池

54-BG45284 染料敏化薄膜太阳电池草坪灯

55-BG45284 薄膜太阳电池应用在服装制作中的保暖装置

56-BG45284 柔性衬底硅基薄膜太阳电池

57-BG45284 薄膜太阳电池模块

58-BG45284 一种薄膜太阳电池的测试装置

59-BG45284 一种堆叠型薄膜太阳电池的结构与制程方法

60-BG45284 薄膜太阳电池模块

61-BG45284 一种柔性非晶硅薄膜太阳电池的制备方法

62-BG45284 一种纳米晶非晶硅两相薄膜太阳电池的制备方法

63-BG45284 薄膜太阳电池模块及其加工方法

64-BG45284 双层掺杂层硅基薄膜太阳电池

65-BG45284 一种制备多晶硅薄膜太阳电池的方法和装置

66-BG45284 一种制作碲化镉薄膜太阳电池的工艺方法

67-BG45284 一种共极型薄膜太阳电池

68-BG45284 一种碲化镉薄膜太阳电池导电玻璃的清洗方法

69-BG45284 碲化镉薄膜太阳电池

70-BG45284 一种改善单室沉积微晶硅基薄膜太阳电池性能的方法

71-BG45284 染料敏化纳米薄膜太阳电池用液晶电解质溶液

72-BG45284 制作薄膜太阳电池组件用的层压套

73-BG45284 薄膜太阳电池CdS缓冲层及制备方法

74-BG45284 一种薄膜太阳电池及其制造方法

75-BG45284 铜铟镓硒薄膜太阳电池应用在针灸上的治疗装置

76-BG45284 铜铟镓硒薄膜太阳电池应用在黑木耳栽培上的培育装置

77-BG45284 铜铟镓硒薄膜太阳电池应用在银耳栽培上的培育装置

78-BG45284 薄膜太阳电池模块的加工方法

79-BG45284 串并联结构的薄膜太阳电池模块组

80-BG45284 一种硅薄膜太阳电池用宽带隙N型纳米硅材料及制备方法

81-BG45284 一种聚酰亚胺塑料衬底柔性硅基薄膜太阳电池集成组件的制造方法

82-BG45284 一种以聚对苯二甲酸乙二酯塑料为衬底非晶硅薄膜太阳电池的制备方法

83-BG45284 硅基薄膜太阳电池用背反射电极及其制备方法

84-BG45284 提高单室沉积微晶硅基薄膜太阳电池效率的制备方法

85-BG45284 一种硅薄膜太阳电池及其制备方法

86-BG45284 一种叠层硅薄膜太阳电池的制造工艺

87-BG45284 薄膜太阳电池多层透明导电膜及其制造方法

88-BG45284 用于制作薄膜太阳电池金属电极层的沉积装置

89-BG45284 串并联结构的薄膜太阳电池模块组

90-BG45284 一种非晶硅薄膜太阳电池的制造工艺

91-BG45284 一种用于薄膜太阳电池的陷光结构

92-BG45284 串并联结构的薄膜太阳电池模块组及其加工方法

93-BG45284 非晶硅染料敏化叠层薄膜太阳电池及其制备方法

94-BG45284 串并联结构的薄膜太阳电池模块组及其加工方法

95-BG45284 单晶硅薄膜太阳电池

96-BG45284 可透光非晶硅薄膜太阳电池模块及其制造方法

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