请问Metal-Oganic Source是什么意思啊 ？LDE制程中用到的。
金属有机气相沉积原料，能提供连续不断的源料。主要指TMGA、TMIN、TEGA等，其性质如下：
MO Source特性
三甲基镓Ga(CH3)3
1.英文名： Trimethylgallium，常简写为TMG或TMGa
2.用途：外延成长、化学气相淀积、金属的有机合成。
3.制法：2GaCl3+6MgCH3I→2Ga(CH3)3+3Mgl2+3MgCl2
4.理化性质：
分子量： 114.825
熔点(101.325kPa)： -15.8℃
沸点(191.325kPa)： 55.8℃
液体密度(15℃，100kPa)： 1151 kg/m
气体密度： 4.0 kg/m。
蒸气压(-10℃)： 5.1kPa
(10℃)： 14.7kPa
(30℃)： 37.0kPa
三甲基镓在常温常压下为无色透明有毒液体。在空气中易氧化，在室温自燃，燃烧时发出金属氧化物白烟。高温时自行分解。它在已烷、庚烷等脂肪族饱和烃和甲苯、二甲苯等芳香族烃中以任何比例相溶。与水激烈反应生成Me2GaOH和[(Me2Ga)2O]X，并放出甲烷气。与AsH3、PH3、乙醚类、叔胺及其它路易士碱形成稳定的络合物。与具有活性氢的醇类、酸类产生激烈反应。用烃类溶剂烯释到25%以下的三甲基镓，失去其自燃性。
5.毒性
三甲基镓接触皮肤能引起组织破坏和烧伤。三甲基镓的燃烧产物氧化物白烟，能刺激和腐蚀眼、皮肤和呼吸道粘膜，损伤支气管、肺和肾，严重时可引起肺水肿。
6.安全防护
贮液钢瓶内的液面要用N2、Ar等惰性气体保护。容器及用气设备装置必须事先烘干，抽真空，用惰性气体清洗，赶出空气和水分。经探漏，在确保密封的情况下使用。
三甲基镓无腐蚀性，可以用碳钢、不锈钢、铜、青铜、黄铜、镍等金属材料，不能用铅、镁、锡、锌和铝。可以用聚四氟乙烯、含聚四氟乙烯的石棉、聚三氟氯乙烯聚合体、含碳石棉。尼龙、聚丙烯、氟化橡胶也可短时间使用。不能用硅橡胶、天然橡胶、氯丁橡胶、丁腈橡胶和纤维素、羊毛等纤维类。
三甲基镓着火时，灭火比较困难。一般是用干粉、干砂、二氧化碳和砾石来控制火势，防止火灾蔓延到别处，直至其完全燃烧掉。绝不可用水、泡沫和卤代烃灭火剂。
当三甲基镓泄漏时，首先要切断所有火源，然后用不燃性分散剂制成的乳剂洗刷，或用干燥砂土吸收后拿到空旷地方掩埋。污染的地面要用肥皂或洗涤剂洗刷，洗水经稀释后排入废水系统。
三甲基铝
1、英文名：Aluminium trimethyt，Trinethyluminium.
分子式：[(CH3)3Al]2
性质：无色液体，熔点15℃。
沸点126℃。闪点-18℃。密度0.752g/cm3。
2、用途：
石油烃聚合的催化剂、火箭燃烯料、化学气相淀积、外延成长、有机合成。
3、理化性质：
分子量： 72.086
熔点(101.325kPa)： 15.28℃
沸点(101.325kPa)： 127.12℃
液体密度(20℃，100kPa)： 752kg/m
熔化热(15.28℃，101.325kPa)： 122.05 kJ/kg
气化热(127.12℃，101.325kPa)： 581.38kJ/kg
比热容(25℃，101.325kPa)： 2160.389 J/(kg•℃)
蒸气压(10℃)： 0.588kPa
(20℃)： 1.120Kpa
(60℃)： 9.133kPa
着火点： 室温
毒性级别： 3
易燃性级别： 3
易爆性级别： 3
三甲基铝在常温常压下为无色透明液体。反应性极强。空气中自燃，瞬间就能着火。与具有活性氢的酒精类、酸类激烈反应。与水反应激烈，既使在冷水中也能产生爆炸性分解反应，并生成甲烷，有时还能发火。在300℃时缓慢分解产生甲烷。与AsH3、PH3、醚类、叔胺及其它路易士碱形成稳定的络合物。能与己烷、庚烷等脂肪烃及甲苯、二甲苯等芳香族烃以任意比例混溶。用烃系溶剂烯释到25%以下的三甲基铝失去其自燃性。
三甲基铝与一些物质混合接触时的危险性如下表所示：
混合接触危
险物质名称化学式危险等级摘要
氯酸钠NaClO3A
高氯酸钠NaClO4A
过氧化氧H2O2A
过氧化钠Na2O2B
硝酸铵NH4NO3A
硝酸钠NaNO3A
高锰酸钾KMnO4A
氯苯C6H5ClB有激烈反应的危险
硝酸HNO3A
硫酸H2SO4A
三氧化铬CrO3A
亚氯酸钠NaClO2A
溴酸钠NaBrO3A
重铬酸钾K2Cr2O7B
四氯化碳CCl4B有爆炸的危险性
4、生产方法：
①碘甲烷和金属铝反应。
②二甲基银和铝作用。
③参见三异丁基铝。
烷基铝都是无色液体，商品以20%烃类溶液供应。贮运时可用己烷、庚烷、苯、甲苯等烃类作为溶剂。空气中自燃。遇水、氧化剂、卤代烃、醇或其它含氧有机物都能起猛烈反应。加热至177～232℃时自行分解并放出相应的如乙烯、丙烯、丁烯等易燃性不饱和烃类气体。铝的有机化合物全部操作要在惰性气体(N2、Ar)中进行。20%的烃类溶液无自燃性，但在空气中仍发烟。这种溶液的闪点为所用溶剂的闪点。溢出溶液与空气作用放出的反应热能使溶剂挥发，增加其着火危险。
5、毒性特征：
最高容许浓度：0.5 mg/m
三甲基铝接触皮肤能引起组织破坏和烧伤。因为三甲基铝太活泼，它不可能以其原形直接吸人体内。它在空气中自燃时发出对人体有害的氧化铝烟雾。这种烟雾能刺激和腐蚀眼、皮肤和呼吸道粘膜。人吸入后气管和肺受损伤，严重时能引起肺水肿。
遇到吸入氧化铝烟雾的患者，应立即转移至无污染区，安置休息并保持温暖和舒适，并速请医诊治。眼睛和皮肤接触后，立即用大量水充分冲洗后就医。进入口内时立即漱口并急送医院抢救。
铝的有机化合物，其毒性决定于它的分解产物。急性中毒时出现对眼和上呼吸道的刺激作用、抑制神经系统(无麻醉作用)、降低耗氧量、大脑和内脏充血、肺气肿，严重染毒能引起死亡。烷基铝对人的不幸事件大多与火灾和烧伤有关。死亡病例发生在中毒后36～72小时。参见四乙基铅的毒性。
6、安全防护：
工作时必须穿戴氯乙烯或氯丁橡胶防护服，皮或者尼龙的手套，高腰胶靴，护目镜，防毒(酸性气体用)口罩等。工作场所要通风，保持环境空气新鲜干燥。用钢瓶盛装，液面要用N2、Ar等惰性气体保护。在保护气中的含水及含氧量均应小于20PPm。钢瓶要存放在室外阴凉干燥之处，或易燃液体专用库内，要远离火种、热源、可燃物及能与三甲基铝反应的物质。电气设备必须有防火花装置。库温要低于30℃，相对湿度在75%以下。
有机金属化合物一般没有腐蚀性，可以用碳钢、不锈钢、铜、青铜、黄铜、镍等通用金属材料，但是不能用铅、镁、锡、锌和铝。可用聚四氟乙烯、含聚四氟乙烯或碳的石棉、聚三氟氯乙烯聚合体、聚氯乙烯、聚乙烯、聚丙烯等。
三甲基铝等烷基铝一接触空气就着火，而且还没有有效的灭火方法，所以灭火是比较困难的。着火时，一般的对策是先切断所有火源，隔绝其它可燃物，用干粉、干砂、二氧化碳、砾石等来控制火势，使火灾不蔓延到别处。绝不能使用泡沫及四氯化碳等卤代烃灭火剂。
当三甲基铝泄漏时，首先要切断所有的火源，然后用不燃性分散剂制成的乳剂刷洗。如果没有分散剂，可用干燥砂土吸收后拿到空旷处掩埋，或者用苏打粉混合泄漏液后放在空旷处的大钢盘上，上面用废木料或纸盖住，并在严格监督下烧掉。受污染的地面要用肥皂或洗涤剂洗刷，洗水经稀释后排入废水系统。
有机铝化合物可用煤油、汽油及其它碳氢化合物慢慢地洗涤。对于弱的有机铝溶液，只用水洗。但是在碳氢化合物溶液中使用有机铝化合物时，要防止有机铝化合物着火
三乙基镓Ga(C2H5)3
1.名•英文名 ：Triethylgallium．
2.用途
有机合成、化学气相淀积、处延成长。
3.制法：
4.理化性质
分子量： 156.906
熔点(101.325kPa)： -82.3℃
沸点(101.325KPa)： 142.6℃
液体密度(30℃,100kPa)： 1058kg/m
气体密度： 5.4kg/m
蒸气压(30℃)： 1.25kPa
(70℃)： 8.3kpa
(90℃)： 18.5kPa
三乙基镓在常温常压下为无色透明液体；空气中自燃。与水激烈反应放出乙烷气。在乙烷、庚烷等脂肪族饱和碳氢化合物，甲苯、二甲苯等的芳香族碳氢化合物中，以任意比例相溶解。同AsH3、PH3、醇类、叔胺及路易士碱生成稳定的络合物。与含有活性氢的醇类、酸类产生激烈反应。在室温下，在N2、Ar等惰性气体中保存时稳定。
二茂镁
1、英文名称： magnesocene；di (cyclopentadienyl) magnesium
2、分子式：Mg(C5H5)2 又称双(异戊二烯基)镁。
白色晶体。熔点176℃。在100℃时升华。对空气、潮湿、二氧化碳和二硫化碳均很敏感，固态晶体曝置在空气中着火。溶于乙醚、四氢呋喃、苯、二甲苯。棕褐色。强烈水解。与某金属的氯化物反应，可脱去氯化镁而得二茂金属。在二茂镁分子中，化学键属共价键还是金属离子键，目前尚有争论。二茂镁是向过渡金属引入环戊二烯基的一种很有用的试剂。
3、制法：
溴化乙基镁与苯和乙醚反应可脱去乙烷而得溴化茂基镁(C5H5MgBr)，二个分子的后者于220℃及10-2Pa下可缩去一分子溴化镁而得二茂镁。又金属镁与异戊二烯在500℃反应亦可脱H2而得二茂镁。
三甲基铟In(CH3)3
1.别名•英文名 Trimethylindium．
2.用途 外延成长、有机合成、化学气相淀积。
3.制法
4.理化性质•毒性•安全防护
分子量： 159.9
熔点： 89℃
沸点： 135.8℃
液体密度(10℃)： 1568kg/m3
蒸气压(30℃)：0.960kPa (70℃)： 9.60kPa
三甲基铟在常温常压下为无色透明具有特殊臭味的升华性无色结晶。遇冷水部分水解放出甲烷气体。它与己烷、庚烷等脂肪族饱和烃，甲苯、二甲苯等芳香族烃以任意比例相溶。空气中自燃。与AsH3、PH3、醚类、叔胺及其它路易士碱形成稳定的络合物。与具有活性氢的醇类、酸类进行激烈反应。与甲基醚、三甲基磷烷、三甲基砷烷等作用形成配位化合物，但是其稳定性比镓差。光照易引起三甲基铟的分解，长期保存时需要存放在阴凉干燥之处。
最高容许浓度：0.1 mg/m3(以In计)
昕纳公司回收铟渣ito靶材废铟铟的应用简介
金属铟具有延展性好，可塑性强，熔点低，沸点高，低电阻，抗腐蚀等优良特性，且具有较好的光渗透性和导电性，被广泛应用于宇航、无线电和电子工业、医疗、国防、高新技术、能源等领域。生产ITO靶材（用于生产液晶显示器和平板屏幕）是铟锭的主要消费领域，占全球铟消费量的70%；其次电子半导体领域，占全球消费量的12%；焊料和合金领域占12%；研究行业占6%。
ITO靶材
由于铟锭具有较好的光渗透性和导电性，由高纯氧化铟和氧化锡的玻璃态复合物（ITO）在等离子电视和液晶电视屏工业中用来制作透明导电的电极，还用作某些气体测量的敏感元件。全球铟消费的70%都用来生产ITO靶材。
电子半导体和无线电领域
铟具有沸点高、低电阻和抗腐蚀等特性，在电子半导体和无线电行业也有广泛应用。有相当大部分的金属铟用于生产半导体材料。在无线电和电子工业中，铟用于制造特殊的接触装置，即将铟和银的氧化物经混合后压制而成。
铟在焊料和合金领域的应用
许多合金在掺入少量的铟之后，可以提高合金的强度、提高其延展性、提高其抗磨损与抗腐蚀的性能等，从而使铟得到了“合金的维生素”这样的美名，也有人称之为“奇妙的铟效应”。
铟合金可以用作太阳能电池的生产。铜铟镓硒薄膜太阳电池具有生产成本低、污染小、不衰退、弱光性能好等特点，光电转换效率居各种薄膜太阳能电池之首，接近晶体硅太阳电池，而成本则是晶体硅电池的三分之一，被国际上称为“下一时代非常有前途的新型薄膜太阳电池”。此外，该电池具有柔和、均匀的黑色外观，是对外观有较高要求场所的理想选择，如大型建筑物的玻璃幕墙，在现代化高层建筑等领域有很大市场。
由于延展性（可塑性）极好、蒸气压低，又能够粘附在多种材料之上，所以它被广泛用作高空仪器和宇航设备中的垫片或内衬层材料。铟箔常用作超声波线性阻滞的接触器。
在原子能工业中，铟用于制造中子的指示剂。许多铟的合金，常用于制造原子核反应堆中的控制棒。铟还是制造中子检测器的优良材料，并可以与金属镓相媲美。
金属铟在工业上最初的应用领域是制造工业轴承，在这方面的用途延续至今。轴承的表面镀上铟，轴承的使用年限比普通镀层的轴承延长5倍之多。铟和镓的合金可以对滑动元件起润滑作用因此也被用于电动真空仪器中。
铟易于在金属表面形成牢固的涂层，且有良好的抗腐蚀性能，特别是能阻止碱性溶液的腐蚀作用。铟的涂层不仅具有鲜艳的色泽而且易于抛光打磨。除了纯铟涂层之外，亦可用铟与锌等合金作为涂层。铟镀层亦用于装饰工艺方面。各种镜子、反光镜和反射器，如果表面镀上铟，则其反射性能会大大加强并耐海水的侵蚀，因此在海上船舶的反光镜常用到这种镀层。此外，表面镀铟的青铜丝网可用于排除真空仪器的汞蒸气。
由于铟的熔点较低，所以用它可制造出多种易熔合金。熔点在47～122℃范围内的这类含铟合金多用于制造各式各样的保险丝、熔断器、控温器及信号装置等。
铟的许多易熔合金用作钎焊料。甚至是纯净的金属铟本身，也极易与玻璃、石英、云母的表面润湿，且粘附得极佳。利用铟可以使压电材料制作成的零件相互牢固的焊接在一起。在制作多层集成电路时，选用含铟成分的钎焊料乃是至关重要的一步。
铟的较有发展前景的应用领域是口腔医学领域。已知用作假牙的合金基本上是以金、银和钯为主要成分并添加0.5%～10%铟的合金。牙科镶补物的材料中添加少量的金属铟之后，可以显著地提高这些镶补物抗腐蚀的能力和硬度，同时这种合金材料不会发乌。
铟产品应用简介
铟的某些化合物，如氧化物、硫化物和磷酸盐，多用于制造黄色和橙黄色玻璃，以及特种光学玻璃。含有铋或镉的铟硼酸盐玻璃，能够吸收中等强度的X光，还可以吸收比热中子能量更高的中子。
铟的卤化物，其中如碘化铟，常用作金属卤化物灯中的添加剂，旨在增强照明的输出功率和改善光谱的质量。
铟锭：梯形，表面光洁，呈白色具有金属光泽，主要供制造多种合金、特殊焊、涂层、电子及生产高纯铟等部门使用。
三氧化二铟：淡黄色，用于荧光屏，玻璃，陶瓷，化学试剂等。
氢氧化铟：用于电池，玻璃，陶瓷化学试剂等。
高纯三甲基铟：白色结晶性晶体，主要用作GAEHI 工艺外延生长含铟化合物，半导体光电功能材料的原料。
高纯氯化铟：无色或白色粉末，主要用于制荧光粉、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体、低压纳灯、锰干电池无汞负极、（ 锌）防腐添加剂、ITO透明电池等。
铟是锗晶体管中的掺杂元素，在PNP锗晶体管生产中使用铟的数量最大。
每年铟在新用途方面的用量还以10%-20%的速度增加。
因为其较软的性质在某些需填充金属的行业上也用于压缝。如：较高温度下的真空缝隙填充材料。
中文名称：氯化铟
中文别名：三氯化铟
英文名称：Indium chloride
英文别名：Indium(III) chloride hydrateIndium trichloride anhydrousIndiumchlorideanhydrousPURATREMIndium(III) chlorideIndium trichloridetrichloroindium hydrate
CAS号：10025-82-812672-70-7
EINECS号：233-043-0
分子式：Cl3In
分子量：221.18
为了写完光刻胶的研究任务，挑了南大光电， 本文写完的时候也是一个月前，一直放到草稿箱里到今天才发 ，所以一些信息可能没更新（比如南大光电的光刻胶通过的客户认证）。
公司的主营业务主要有MO源、光刻胶、电子特气、ALD前驱体产品。
我想此刻我们的心情是一样的。
为了了解这2个英文字母+1个汉字，估计我得对各个概念如剥笋般层层研究。首先看MO源，即“高纯金属有机源”，是制备LED、新一代太阳能电池、相变存储器、半导体激光器、射频集成电路芯片等的核心原材料，在半导体照明、信息通讯、航天等领域有极重要的作用。公司2010年在国内MO源的市场份额60%，全球15%。
它的下游客户，带“光电”二字的公司很多，可以进一步了解到，这个东西应该主要应用于光电子行业，如LED和太阳能电池。
好了，虽然不知道这个东西，但至少可以了解到它是做半导体的某种核心基本材料，看样子是不可或缺的。而且公司是这一块的绝对龙头（都60%市占率了还能说啥？）。
MO源“是利用先进的金属有机化学气相沉积（以下简称‘MOCVD’）工艺生成化合物半导体材料的关键支撑原材料，因而又被称为MOCVD的‘前体物’。MO源的质量直接决定了最终器件的性能，因此MOCVD工艺对MO源的质量要求很高，其中纯度是衡量MO源质量的关键指标。”
气相沉积不难理解，我个人通俗理解是，用化学气体或蒸汽附在材料上，形成一个涂层。化合物半导体就是之前我在《三安光电年报解读》中讲到的SiC、GaN之类。所以我对MO源这句话的通俗理解就是：为了做出SiC之类的第三代半导体，你得用上气相沉积（MOCVD）工艺，那为了用好这个工艺，你得用上高纯度的MO源。
MO源有60多种，三甲基镓和三甲基铟是最主要的两种MO源，其中又以三甲基镓的用量最大，使用比例在80%左右，三甲基铟使用比例平均不超过10%。
招股书继续写道：
看到这里林北清楚多了：三安、乾照等LED外延片供应商，使用的是MOCVD技术，把MO源上的原材料附着在衬底上，外延生长出化合物半导体，也就是我们常说的LED外延片。事实上，90%以上的MO源都被用于生产LED外延片。所以，对MO源市场前景的判断，关键就看LED的市场前景，而其需求又和MOCVD设备直接相关。
话虽如此，往后的报表却很不乐观。LED后来进入产能过剩阶段，MO源价格也跟着讲，毛利也从80%陆续下降到70%、60%、50%，其中用量最大的三甲基镓的毛利率更是从上市前最高70%掉到6%。
即电子特种气体，号称半导体生产过程中的“粮食”。具体可以看一下林北写过的《华特气体年报解读》。
公司于2013年成立了全椒南大材料，2016年才完成高纯磷烷、砷烷产品的产线建设；2019年直接并购山东飞源，又获得了三氟化氮、六氟化硫的生产能力。特气业务增长迅速，17年开始每年营业额是3600万、7800万、1.64亿，已经比MO源还多，毛利率也稳定在50%左右。
特气这个行业不太好理解，主要是气体太多太杂，各个环节要用到的气体也不一样。在《华特气体年报解读》一文中，林北明确表示对特气公司只看不投，因为真的不懂。
2016年公司参股了北京科华微电子材料有限公司，经过笔者研究，北京科华应该是目前国内技术实力最强的光刻胶企业，唯一一家通过了EUV光刻胶“02专项”研发。但是现在在北京科华的工商信息上，看不到南大光电了，记录显示是2019年初转让掉的。
2018年，“193nm光刻胶及配套材料关键技术开发项目”和“ArF光刻胶开发和产业化项目”获得国家02专项的正式立项，获得中央财政拨款1.3亿。公司新设了光刻胶事业部，成立“宁波南大光电材料有限公司”。
总而言之，公司虽然有光刻胶的概念，但并没有实际开展业务，而且充满不确定性。不像晶瑞股份等是从g线、i线开始做，而是一上来就搞ArF，而且都处在“专项科研”阶段。
说它是业务有点勉强，它是公司16年和 科技 部签订的一个研究项目“ALD金属有机前驱体产品的开发和安全离子注入产品开发”。前驱体就是一个东西之前的形态，就像暴龙兽之前是亚古兽，再之前是滚球兽一样，额，这是我的理解。
ALD即原子层沉积，前面讲到气相沉积，就相当于给衬底烘一层蒸汽让物质附在上面，而ALD更厉害，直接以单原子膜的形式一层一层地附在上面。ALD懂了，前驱体懂了，ALD前驱体是什么，抱歉，我还没看懂。
南大光电是一家典型的高 科技 公司，所以林北只研究了它的行业，用来辅助最近的光刻胶行业调查任务，并没有对财务进行分析。总而言之，南大光电之前做MO源，但最近这门生意好惨。为了走出困境，公司积极布局电子特气行业，经过3年努力，特气的业务已经超过了老业务MO源。
然后是我关心的光刻胶行业，作为南大的校企（大股东南京大学资产经营有限公司），公司也理所当然地能拿到国家科研专项任务，一上来就高举高打研发ArF光刻胶，这可是中国目前没有办法供应的产品，同样还在研发的还有北京科华和容大感光。当然，所有这些公司都还在研发中，还没有一家投放市场，接着光刻胶的概念，好几年股价震荡的南大光电迎来大涨。
2019年1月，南大光电卖掉了北京科华的股份，价值1.7亿，获得了近2000万投资收益，占利润总额的28.87%，多好的一只母鸡就这么被卖掉了，现在公司多了一家技术NB的竞争者。但笔者不是公司高管，对此举不好评论。
optoelectronic material
在光电子技术领域应用的，以光子、电子为载体，处理、存储和传递信息的材料。光电子技术是结合光学和电子学技术而发展起来的一门新技术，主要应用于信息领域，也用于能源和国防领域。已使用的光电子材料主要分为光学功能材料、激光材料、发光材料、光电信息传输材料（主要是光导纤维）、光电存储材料、光电转换材料、光电显示材料（如电致发光材料和液晶显示材料）和光电集成材料。
（一）新型光电子材料及相关基础材料、关键设备和特种光电子器件
1、光电子基础材料、生长源和关键设备
研究目标：突破新型生长源关键制备技术，掌握相关的检测技术；突破半导体光电子器件的基础材料制备技术，实现产业化。
研究内容及主要指标：
1) 高纯四氯化硅(4N)的纯化技术和规模化生产技术(B类，要求企业负责并有配套投入)
2) 高纯(6N)三甲基铟规模化生产技术(B类，要求企业负责并有配套投入)
3) 可协变(Compliant)衬底关键技术(A类)
4) 衬底材料制备与加工技术(B类)
重点研究开发外延用蓝宝石、GaN、SiC等衬底材料的高标抛光产业化技术（Epi-ready级）；大尺寸（>2"）蓝宝石衬底材料制备技术和产业化关键技术。蓝宝石基GaN器件芯片切割技术。
5) 用于平板显示的光电子基础材料与关键设备技术(A类)
大面积(对角线>14〃)的定向排列碳纳米管或纳米棒薄膜生长的关键技术等离子体平板显示用的新型高效荧光粉的关键技术。
2、人工晶体和全固态激光器技术
研究目标：研究探索新型人工晶体材料与应用技术，突破人工晶体的产业化关键技术，研制大功率全固态激光器，解决产业化关键技术问题。
研究内容及主要指标：
1) 新型深紫外非线性光学晶体材料和全固态激光器(A类)
2) 面向光子/声子应用的人工微结构晶体材料与器件 (A类)
3) 研究开发瓦级红、蓝全固态激光器产业化技术(B类)，高损伤阈值光学镀膜关键技术(B类)，基于全固态激光器的全色显示技术(A类)
4) 研究开发大功率半导体激光器阵列光纤耦合模块产业化技术(B类)
5) Yb系列激光晶体技术(A类)。
3、新型半导体材料与光电子器件技术
研究目标：重点研究自组装半导体量子点、ZnO晶体和低维量子结构、窄禁带氮化物等新型半导体材料及光电子器件技术。
研究内容及主要指标：
1) 研究ZnO晶体、低维量子结构材料技术，研制短波长光电子器件 (A类)
2) 自组装量子点激光器技术 (A类)
3) Ⅲ-Ⅴ族窄禁带氮化物材料及器件技术(A类)
4) 光泵浦外腔式面发射半导体激光器(A类)
4、 光电子材料与器件产业化质量控制技术(A类)
研究目标：发展人工晶体与全固态激光器、GaN基材料及器件表征评价技术，解决产业化质量控制关键技术。
研究内容：重点研究人工晶体与全固态激光器、GaN基材料及器件质量监测新方法与新技术，相关产品测试条件与数据标准化研究。
5、光电子材料与器件的微观结构设计与性能预测研究(A类)
研究目标：提出光电子新材料、新器件的构思，为原始创新提供理论概念与设计
研究内容：针对光电子技术的发展需求，结合本主题的研制任务，采用建立分析模型、进行计算机模拟，在不同尺度（从原子、分子到纳米、介观及宏观）范围内，阐明材料性能与微观结构的关系，以利性能、结构及工艺的优化。解释材料制备实验中的新现象和问题，预测新结构、新性能，预报新效应，以利材料研制的创新。低维量子结构材料新型表征评价技术和设备。
（二）通信用光电子材料、器件与集成技术
1、集成光电子芯片和模块技术
研究目标：突破并掌握用于光电集成(OEIC)、光子集成(PIC)与微光电机械(MOEMS)方面的材料和芯片的关键工艺技术，以典型器件的研制带动研究开发工艺平台的建设和完善，探索集成光电子系统设计和工艺制造协调发展的途径，促进芯片、模块和组件的产业化。
研究内容及主要指标：
1) 光电集成芯片技术
(1)速率在2.5Gb/s以上的长波长单片集成光发射机芯片及模块关键技术(A类)
(2) 高速 Si基单片集成光接收机芯片及模块关键技术(A类)
2) 基于平面集成光波导技术的OADM芯片及模块关键技术(A类)
3) 平面光波导器件的自动化耦合封装关键技术(B类)
4) 基于微光电机械(MOEMS)芯片技术的8′8以上阵列光开关关键技术(A类)
5) 光电子芯片与集成系统(Integrated System)的无生产线设计技术研究(A类)
2、 通信光电子关键器件技术
研究目标：针对干线高速通信系统和密集波分复用系统、全光网络以及光接入网系统的需要，重点进行一批技术含量高、市场前景广阔的目标产品和单元技术的研究开发，迅速促进相应产品系列的形成和规模化生产，显著提高我国通信光电子关键器件产业的综合竞争能力。
研究内容及主要指标：
(1) 速率在10Gb/s以上的高速光探测器组件(PIN-TIA) 目标产品和规模化生产技术，直接调制DFB-LD目标产品和规模化生产技术，光转发器(Transponder)目标产品和规模化生产技术；(均为B类，要求企业负责并有配套投入)
(2) 40通道、0.8nm间隔EDFA动态增益均衡关键技术(A类)；
(3) InGaNAs高性能激光器研究(A类)；
(4) 光波长变换器关键技术和目标产品(B类)；
(5) 可调谐激光器目标产品(A类)；
(6) 用于无源光网络(EPON)的突发式光收发模块关键技术和目标产品(B类)。
3、光纤制造新技术及新型光纤
研究目标：研究开发并掌握具有自主知识产权的光纤预制棒制造技术；研究开发新一代通信光纤，推动光纤通信系统在高速、大容量骨干网以及接入网中的应用。
研究内容和主要指标：
1) 光纤预制棒制造新技术(B类，要求企业负责并有配套投入)；
2) 新型特种光纤(A类)。
（三）面向信息获取、处理、利用的光电子材料与器件
1．GaN材料和器件技术
研究目标：重点突破用于蓝光激光器衬底的GaN体单晶生长技术。
研究内容及主要指标：
大面积、高质量GaN体单晶生长技术。
2、超高亮度全色显示材料与器件应用技术
研究目标：研究开发用于场致电子发射平板显示器（FED）材料和器件结构，以及超高亮度冷阴极发光管制作和应用的关键技术。
说明：等离子体平板显示器和高亮度、长寿命有机发光器件（OLED）和FED的产业化关键技术将于"平板显示专项"中考虑。
研究内容及主要指标：
1) 超高亮度冷阴极发光管制作和应用的关键技术(A类)
2) 研制FED用的、能够在低电压下工作的新型冷阴极电子源结构、新型冷阴极电子发射材料(A类)。
3、超高密度光存储材料与器件技术
研究目标：发展具有自主知识产权的超高密度、大容量、高速度光存储材料和技术，达到国际先进水平，为发展超高密度光存储产业打下基础。
研究内容及主要指标：
1) DVD光头用光源和非球面透镜等产业化关键技术(B类)；
2) 新型近场光存储材料和器件(A类)。
4、光传感材料与器件技术
研究目标：以特殊环境应用为目的，实现传感元器件的产业化技术开发；研究开发新型光电传感器。
研究内容及主要指标：
1) 光纤光栅温度、压力、振动传感器的产业化技术(B类，要求企业负责并有配套投入)
2) 锑化物半导体材料及室温无制冷红外焦平面探测器技术(A类)
3) 大气监测用高灵敏红外探测器及其列阵(A类)
4) 基于新概念、新原理的光电探测技术(A类)
5、新型有机光电子材料及器件
研究目标：研究开发新型有机半导体材料及其在光显示等领域的应用。
研究内容及主要指标：：
1) 有机非线性光学材料及其在全光光开关中的应用(A类)
2) 有机半导体薄膜晶体管材料与器件技术(A类)。
中文名称：砷化铟[1]英文名称：indium arsenide英文别名：Indium arsenideIndiam arsenideIndium arsenide (InAs)Indium monoarsenidearsanylidyneindiumarsenic(-3) anionindium(+3) cation
砷化铟
CAS号：1303-11-3EINECS号：215-115-3分子式：AsIn分子量：189.7396砷化铟是由铟和砷构成的Ⅲ一V族化合物半导体材料。常温呈银灰色固体，具有闪锌矿型的晶体结构，晶格常数为0.6058nm，密度为5.66g/cm(固态)、5.90g/cm(熔点时液态)。能带结构为直接跃迁，禁带宽度(300K)0.45eV。InAs相图如图所示。[2]InAs在熔点(942℃)时砷的离解压只有0.033MPa，可在常压下由熔体生长单晶。常用的有HB和LEC方法，单晶直径达φ50mm。InAs是一种难于纯化的半导体材料。非掺In．As单晶的剩余载流子浓度高于l×10/cm，室温电子迁移率3.3×10cm/(V·s)，空穴迁移率460cm/(V·s)。硫在In．As中的有效分凝系数接近1，故用作n型掺杂剂，以提高纵向载流子浓度分布的均匀性。工业用的InAs(s)单晶，n≥1×10/cm3，μ≤2.0×10cm/(V·s)，EPD≤5×10/cm。InAs晶体具有较高的电子迁移率和迁移率比值(μe/μh=70)，低的磁阻效应和小的电阻温度系数，是制造霍耳器件和磁阻器件的理想材料。InAs的发射波长3.34μm，在InAs衬底上能生长晶格匹配的In—GaAsSb、InAsPSb和InAsSb多元外延材料，可制造2～4μm波段的光纤通信用的激光器和探测器。
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