常用的树脂材料的组成成分及CAS号，例如PET、PVC、OPP、CPP、PP、PE等。

端庄的网络

2023-01-01 07:42:42

最佳答案

朴素的盼望

2025-07-15 05:51:47

常用的树脂材料的组成成分及CAS号，例如PET、PVC、OPP、CPP、PP、PE等。

CAS(Chemical Abstract Service Numbers)：化学文摘服务社编号(CAS)；

在化工方面： CAS Registry Number或称CAS Number 又称CAS登录号。

是美国化学文摘服务社(Chemical Abstracts Service ,CAS)为化学物质制订的登记号，该号是检索有多个名称的化学物质信息的重要工具。是某种物质（化合物、高分子材料、生物序列（Biological sequences）、混合物或合金的唯一的数字识别号码。美国化学会的下设组织CAS负责为每一种出现在文献中的物质分配一个CAS号，其目的是为了避免化学物质有多种名称的麻烦，使数据库的检索更为方便。如今几乎所有的化学数据库都允许用CAS号检索。到2005年12月25日，CAS已经登记了27,115,156种物质最新数据，并且还以每天4,000余种的速度增加。

格式 :一个CAS号以连字符“-”分为三部分，第一部分有2到6位数字，第二部分有2 位数字，第三部分有1位数字作为校验码。CAS号以升序排列且没有任何内在含义。校验码的计算方法如下：CAS顺序号（第一、二部分数字）的最后一位乘以1，最后第二位乘以2，依此类推，然后再把所有的乘积相加，再把和除以10，其余数就是第三部分的校验码。举例来说，水（H2O）的CAS号前两部分是7732-18，则其校验码＝（8×1＋1×2＋2×3＋3×4＋7×5＋7×6）mod 10＝105 mod 10＝5。（mod是求余运算符）。

　CAS简而言之就是化学物质的学号。

PET成分就是聚对苯二甲酸乙二醇酯，Poly(Ethylene Terephthalare)，又叫：聚脂， CAS NO: 25038-59-9 ；

单体一，组分是对苯二甲酸，CAS NO: 100-21-0；

单体二，组分是乙二醇，CAS NO: 107-21-1；

PVC（聚氯乙烯）Polyvinylchlorid，9002-86-2；由氯乙烯聚合而成，CAS No.： 75-01-4 ；

OPP ，就是定向聚丙烯(薄膜)，拉伸性的聚丙烯,其特征是:容易燃烧,火焰情况:熔融滴落,上黄下蓝,离火后烟少,继续燃烧。 OPP（英文是 Oriented polypropylene）：定向聚丙烯(薄膜)，是聚丙烯的一种；此外还有双向聚丙烯（BOPP）。 O（是 Oriented 的缩写）。

PP（聚丙烯）， Polypropylene聚丙烯，聚丙烯和聚丙烯树脂的 CAS 号:9003-07-0；

CPP，氯化聚丙烯树脂，氯化聚丙烯CPP，聚丙烯改性树脂。氯化聚丙烯（CPP）是聚丙烯改性制得的树脂，溶于甲苯等有机溶剂。因其与聚丙烯等材料制品有良好的粘附性，在油墨、涂料、粘合剂等各方面广为应用。CAS： 108-52-11；

PE（聚乙烯）， polyethylene，CAS No.： 9002-88-4；乙烯，CAS No.： 74-85-1

PS（聚苯乙烯）Polystyrene 聚苯乙烯，PS的CAS是 9003-53-6；苯乙烯的CAS是100-42-5；

ABS， Acrylonitrile Butadiene Styrene 丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物，CAS是：9003-56-9；

PA(聚酰胺Polyamide)：尼龙6，聚己内酰胺只是聚酰胺的一个品种，聚己内酰胺的CAS No. 25038-54-4 ；

PC(聚碳酸酯Polycarbonate)： CAS No.: 25037-45-0

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为了回答这个问题，已经投入了四五个小时。

最新回答

等待的金毛

2025-07-15 05:51:47

内存序列号

从PC100标准开始内存条上带有SPD芯片，SPD芯片是内存条正面右侧的一块8管脚小芯片，里面保存着内存条的速度、工作频率、容量、工作电压、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。当开机时，支持SPD功能的主板BIOS就会读取SPD中的信息，按照读取的值来设置内存的存取时间。我们可以借助SiSoft Sandra2001这类工具软件来查看SPD芯片中的信息，例如软件中显示的SDRAM PC133U-333-542就表示被测内存的技术规范。

内存技术规范统一的标注格式，一般为PCx-xxx-xxx，但是不同的内存规范，其格式也有所不同。

1、PC66/100 SDRAM内存标注格式

（1）1.0---1.2版本

这类版本内存标注格式为：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示，一般为2；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示，一般为2；e表示最大的tAC（相对于时钟下沿的数据读取时间），一般为6（ns）或6。5，越短越好；f表示SPD版本号，所有的PC100内存条上都有EEPROM，用来记录此内存条的相关信息，符合Intel PC100规范的为1。2版本以上；g代表修订版本；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。

（2）1.2b+版本

其格式为：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示；ee代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本为1.2；g代表修订版本，如2代表修订版本为1.2；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。

2、PC133 SDRAM（版本为2.0）内存标注格式

威盛和英特尔都提出了PC133 SDRAM标准，威盛力推的PC133规范是PC133 CAS=3，延用了PC100的大部分规范，例如168线的SDRAM、3.3V的工作电压以及SPD；英特尔的PC133规范要严格一些，是PC133 CAS=2，要求内存芯片至少7.5ns，在133MHz时最好能达到CAS=2。

PC133 SDRAM标注格式为：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示标准工作频率，单位MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；c表示最小的CL（即CAS的延迟时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表5.4ns tAC；g代表SPD版本，如2代表SPD版本为2.0。

3、PC1600/2100 DDR SDRAM（版本为1.0）内存标注格式

其格式为：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示内存带宽，单位为MB/s；a*1/16=内存的标准工作频率，例如2100代表内存带宽为2100MB/s，对应的标准工作频率为2100*1/16=133MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；cc表示CAS延迟时间，用时钟周期数表示，表达时不带小数点，如25代表CL=2.5；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如75代表7.5ns tAC；g代表SPD版本，如0代表SPD版本为1.0。

4、RDRAM 内存标注格式

其格式为：aMB/b c d PCe，例如256MB/16 ECC PC800，其中a表示内存容量；b代表内存条上的内存颗粒数量；c代表内存支持ECC；d保留；e代表内存的数据传输率，e*1/2=内存的标准工作频率，例如800代表内存的数据传输率为800Mt/s，对应的标准工作频率为800*1/2=400MHZ。

5、各厂商内存芯片编号

内存打假的方法除了识别内存标注格式外，还可以利用刻在内存芯片上的编号。内存条上一般有多颗内存芯片，内存芯片因为生产厂家的不同，其上的编号也有所不同。

由于韩国HY和SEC占据了世界内存产量的多半份额，它们产的内存芯片质量稳定，价格不高，另外市面上还流行LGS、Kingmax、金邦金条等内存，先来看看它们的内存芯片编号。

（1）HYUNDAI（现代）

现代的SDRAM内存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它，其SDRAM芯片编号格式为：HY 5a b cde fg h i j k lm-no

表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；h代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；I代表接口（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口）；j代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）；k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-II，TD=13mm TSOP-II，TG=16mm

TSOP-II）；no代表速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100 CL2或3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕）。

例如HY57V658010CTC-10s，HY表示现代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4K refresh cycles/64ms，8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100。

换为T-H这样的尾号，可市场上PC133的现代内存尾号为75的还有很多，这可能是以前的屯货，但可能性很小，假货的可能性较大，所以最好购买T-H尾号的PC133现代内存。

（2）LGS〔LG Semicon〕

LGs如今已被HY兼并，市面上LGs的内存芯片也很常见。

LGS SDRAM内存芯片编号格式为：GM72V ab cd e 1 f g T hi

其中GM代表LGS的产品；72代表SDRAM；ab代表容量(16=16Mbits，66=64Mbits)；cd表示数据位宽(一般为4、8、16等)；e代表Bank（2=2个Bank，4=4个Bank）；f表示内核版本，至少已排到E；g代表功耗（L=低功耗，空白=普通）；T代表封装（T=常见的TSOPⅡ封装，I=BLP封装）；hi代表速度（7.5=7.5ns〔133MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，7K=10ns〔PC-100 CL2或3〕，7J=10ns〔100MHz〕，10K=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=15ns〔66MHz〕）。

例如GM72V661641CT7K，表示LGs SDRAM，64Mbit，16位输出，4个Bank，7K速度即PC-100、CL=3。

LGS编号后缀中，7.5是PC133内存；8是真正的8ns PC 100内存，速度快于7K/7J；7K和7J属于PC 100的SDRAM，两者主要区别是第三个反应速度的参数上，7K比7J的要快，上133MHz时7K比7J更稳定；10K属于非PC100规格的，速度极慢，由于与7J/7K外型相似，不少奸商把它们冒充7J/7K的来卖。

（3）Kingmax(胜创)

Kingmax的内存采用先进的TinyBGA封装方式，而一般SDRAM内存都采用TSOP封装。采用TinyBGA封装的内存，其大小是TSOP封装内存的三分之一，在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍，而且体积要小、更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有0.36mm，线路阻抗也小，因此具有良好的超频性能和稳定性，不过Kingmax内存与主板芯片组的兼容性不太好，例如Kingmax PC150内存在某些KT133主板上竟然无法开机。

Kingmax PC100内存打磨成7ns的PC133或PC150内存，所以你最好用SISOFT SANDRA2001等软件测试一下内存的速度，注意观察内存上字迹是否清晰，是否有规则的刮痕，芯片表面是否发白等，看看芯片上的编号。

KINGMAX PC150内存采用了6纳秒的颗粒，这使它的速度得到了很大程度的提升，即使你用它工作在PC133，其速度也会比一般的PC133内存来的快；Kingmax的PC133内存芯片是-7的，例如编号KSV884T4A1A-07；而PC100内存芯片有两种情况：部分是-8的（例如编号KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如编号KSV884T4A0-07）。其中KINGMAXPC133与PC100的区别在于：PC100的内存有相当一部分可以超频到133，但不是全部；而PC133的内存却可以保证100%稳定工作在PC133外频下（CL=2）。

（4）Geil(金邦、原樵风金条)

金邦金条分为"金、红、绿、银、蓝"五种内存条，各种金邦金

条的SPD均是确定的，对应不同的主板。其中红色金条是PC133内存；金色金条P针对PC133服务器系统，适合双处理器主板；绿色金条是PC100内存；蓝A色金条针对AMD750/760 K7系主板，面向超频玩家；蓝V色金条针对KX133主板；蓝T色金条针对KT-133主板；银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存。

金邦内存芯片编号例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32

其中GL2000代表芯片类型（GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装，金SDRAM=BLP）；GP代表金邦科技的产品；6代表产品家族（6=SDRAM）；LC代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=0.2微米3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；16M8是设备号码（深度*宽度，内存芯片容量 = 内存基粒容量 * 基粒数目 = 16 * 8 =128Mbit，其中16 = 内存基粒容量；8 = 基粒数目；M = 容量单位，无字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封装代码（DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针，2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μ BGA）；-7是存取时间（7=7ns（143MHz））；AMIR是内部标

识号。以上编号表示金邦千禧条，128MB，TSOP（第二代）封装，0.2微米3.3V Vdd CMOS制造工艺，7ns、143MHz速度。

（5）SEC（Samsung Electronics，三星）

三星EDO DRAM内存芯片编号例如KM416C254D表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（1=x1[以1的倍数为单位]、4=x4、8=x8、16=x16）；C代表电压（C=5V、V=3.3V）；254代表内存密度256Kbit（256[254] =256Kx、512(514) = 512Kx、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 =16Mx）；D代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代）即三星256Kbit*16=4Mb内存。

三星SDRAM内存芯片编号例如KM416S16230A-G10表示：KM表示三

星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（4 = x4、8 = x8、16 =x16）；S代表SDRAM；16代表内存芯片密度16Mbit（1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 =8M、16 = 16M）；2代表刷新（0 = 4K、1 = 2K、2 = 8K）；3表示内存排数（2=2排、3=4排）；0代表内存接口（0=LVTTL、1=SSTL）；A代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代）；G代表电源供应（G=自动刷新、F=低电压自动刷新）；10代表最高频率（7 =7ns[143MHz]、8 = 8ns[125 MHz]、10 = 10ns[100 MHz]、H = 100MHz @ CAS值为2、L=100 MHz @ CAS值为3 ）。三星的容量需要自己计算一下，方法是用"S"后的数字乘S前的数字，得到的结果即为容量，即三星16M*16=256Mbit SDRAM内存芯片，刷新为8K，内存Banks为3，内存接口LVTTL，第2代内存，自动刷新，速度是

10ns(100 MHz)。

三星PC133标准SDRAM内存芯片格式如下：

Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA

Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA

256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G）；0代表刷新（0 = 64m/4K [15.6μs]、1 = 32m/2K

[15.6μs]、2 = 128m/8K[15.6μs]、3 = 64m/8K[7.8μs]、4 =128m/16K[7.8μs]）；3表示内存排数（3=4排、4=8排）；0代表接口电压（0=混合接口LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V)）；T表示封装类型（T=66针

TSOP II、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代表速度133MHz（5 = 5ns, 200MHz (400Mbps)、6 = 6ns,166MHz (333Mbps)、Y = 6.7ns, 150MHz (300Mbps)、Z = 7.5ns,133MHz (266Mbps)、8 = 8ns, 125MHz (250Mbps)、0 = 10ns, 100MHz (200Mbps)）。即三星4Mbit*16=64Mbit内存芯片，3.3V DDR SDRAM，刷新时间0 = 64m/4K

(15.6μs)，内存芯片排数为4排（两面各两排），接口电压LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封装类型66针TSOP II，速度133MHZ。

三星RAMBUS DRAM内存芯片编号例如KM418RD8C表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；18代表内存芯片组成x18（16 = x16、18 = x18）；RD表示产品类型（RD=Direct RAMBUS DRAM）；8代表内存芯片密度8M（4 = 4M、8 =8M、16 = 16M）；C代表封装类型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆转CSP]、W = WL-CSP）；80代表速度（60 = 600Mbps、80 = 800Mbps）。即三星8M*18bit=144M，BGA封装，速度800Mbps。

（6）Micron（美光）

Micron公司是世界上知名内存生产商之一（如右图Micron PC143 SDRAM内存条），其SDRAM芯片编号格式为：MT48 ab cdMef Ag TG-hi j

其中MT代表Micron的产品；48代表产品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus）；ab代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；cdMef设备号码（深度*宽度），无字母=Bits，K=Kilobits（KB），M=Megabits（MB），G=Gigabits（GB）Mricron的容量=cd*ef；ef表示数据位宽(4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位)；Ag代表Write Recovery〔Twr〕(A2=Twr=2clk)；TG代表封装（TG=TSOPII封装，DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型

FBGA，R2=84针2行微型FBGA，U=μ BGA）；j代表功耗（L=低耗，空白=普通）；hj代表速度，分成以下四类：

（A）、DRAM-4=40ns，-5=50ns，-6=60ns，-7=70ns SDRAM，x32 DDR SDRAM（时钟率 @ CL3）-15=66MHz，-12=83MHz，-10+=100MHz，-8x+=125MHz，-75+=133MHz，-7x+=143MHz，-65=150MHz，-6=167MHz，-55=183MHz，-5=200MHzDDR SDRAM（x4，x8，x16）时钟率 @ CL=2.5，-8+=125MHz，-75+=133MHz，-7+=143MHz

（B）、Rambus（时钟率）

-4D=400MHz 40ns，-4C=400MHz 45ns，-4B=400MHz 50ns，-3C=356MHz 45ns，-3B=356MHz 50ns，-3M=300MHz 53ns+的含义-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）、-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）

（C）、DDR SDRAM

-8支持PC200（CL2）-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=16*8MB=128MB，133MHz

（7）其它内存芯片编号

位和32位的芯片，则为两位，第2位双重含义，如1代表2个Bank和LVTTL，3代表4个Bank和LVTTL）；G5为TSOPII封装；-A80代表速度：在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2（80=8ns〔125MHz CL 3〕，10=10ns〔PC100 CL 3〕，10B=10ns较10慢，Tac为7，不完全符合PC100规范，12=12ns，70=[PC133]，75=[PC133]）；JF代表封装外型（NF=44-pinTSOP-II；JF=54-pin TSOPII；JH=86-pin TSOP-II）。

HITACHI的内存芯片编号例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的产品；52是SDRAM类型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4位、8位、16位）；5F表示是第几个版本的内核（现在至少已排到"F"了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT为TSOII封装；B60代表速度（75=7.5ns〔133MHz〕，80=8ns〔125MHz〕，A60=10ns〔PC-100 CL2或3〕，B60=10ns〔PC-100 CL3〕即100MHZ时CL是3）。

SIEMENS（西门子）内存芯片编号格式为：HYB39S ab cd0 e T f -gh 其中ab为容量，gh是速度（6=166MHz，7=143MHz，7.5=133MHz，8=125MHz，8B=100MHz〔CL3〕，10=100MHz〔PC66规格〕）。

TOSHIBA的内存芯片编号例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是东芝的产品；59代表SDRAM（其后的S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64Mb，M7=128Mb）；08表示数据位宽（04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；B表示内核的版本；FT为TSOPII封装（FT后如有字母L=低功耗，空白=普通）；80代表速度（75=7.5ns〔133MHz〕，80=8ns〔125MHz〕，10=10ns〔100MHz CL=3〕）。

IBM的内存芯片编号例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的产品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示内核的版本；10代表速度（68=6.8ns〔147MHz〕，75A=7.5NS〔133MHz〕， 260或222=10ns〔PC100 CL2或3〕，360或322=10ns〔PC100 CL3〕，B版的64Mbit芯片中，260和360在CL=3时的标定速度为：135MHZ，10=10NS〔100MHz〕。

结实的大米

2025-07-15 05:51:47

下面这也是我网上复制来的

慢慢看吧. 也算多长点知识

把你的编号问题都给解释了

内存作假主要是以低速内存冒充高速度的，以低容量内存冒充高容量的。要杜绝此类作假，就要学会识别内存规格和内存芯片编号，方法一般是看SPD芯片中的信息和内存芯片上的编号，前者是内存的技术规范，后者由于厂家的不同，其编号规则也不同。

从PC100标准开始内存条上带有SPD芯片，SPD芯片是内存条正面右侧的一块8管脚小芯片，里面保存着内存条的速度、工作频率、容量、工作电压、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。当开机时，支持SPD功能的主板BIOS就会读取SPD中的信息，按照读取的值来设置内存的存取时间。我们可以借助SPDinfo这类工具软件来查看SPD芯片中的信息，例如软件中显示的SDRAM PC133U-333-542就表示被测内存的技术规范。内存技术规范统一的标注格式，一般为PCx-xxx-xxx，但是不同的内存规范，其格式也有所不同。

1、PC66/100 SDRAM内存标注格式

（1）1.0---1.2版本

这类版本内存标注格式为：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示，一般为2；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示，一般为2；e表示最大的tAC（相对于时钟下沿的数据读取时间），一般为6（ns）或6.5，越短越好；f表示SPD版本号，所有的PC100内存条上都有EEPROM，用来记录此内存条的相关信息，符合Intel PC100规范的为1.2版本以上；g代表修订版本；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。

（2）1.2b+版本

2、PC133 SDRAM（版本为2.0）内存标注格式

3、PC1600/2100 DDR SDRAM（版本为1.0）内存标注格式

4、RDRAM 内存标注格式

5、各厂商内存芯片编号

由于韩国HY和SEC占据了世界内存产量的多半份额，它们产的内存芯片质量稳定，价格不高，另外市面上还流行LGS、Kingmax、金邦金条等内存，因此我们就先来看看它们的内存芯片编号。

（1）HYUNDAI（现代）

现代的SDRAM内存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它，其SDRAM芯片编号格式为：HY 5a b cde fg h i j k lm-no

其中HY代表现代的产品；5a表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；b代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；h代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；I代表接口（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口）；j代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）；k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）；no代表速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100 CL2或3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕）。

市面上HY常见的编号还有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10编号的SDRAM上133MHz相当困难；编号ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也不行；编号BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很稳定。一般来讲，编号最后两位是7K的代表该内存外频是PC100，75的是PC133的，但现代内存目前尾号为75的早已停产，改换为T-H这样的尾号，可市场上PC133的现代内存尾号为75的还有很多，这可能是以前的屯货，但可能性很小，假货的可能性较大，所以最好购买T-H尾号的PC133现代内存。

（2）LGS〔LG Semicon〕

LGs如今已被HY兼并，市面上LGs的内存芯片也很常见。LGS SDRAM内存芯片编号格式为：GM72V ab cd e 1 f g T hi

例如GM72V661641CT7K，表示LGs SDRAM，64Mbit，16位输出，4个Bank，7K速度即PC-100、CL=3。

（3）Kingmax(胜创)

Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种。其中PC150内存(下图)实际上是能上150外频且能稳定在CL=3（有些能上CL=2）的极品PC133内存条，该类型内存的REV1.2版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题，因此要好于REV1.1版本。购买Kingmax内存时，你要注意别买了打磨条，市面上JS常把原本是8ns的Kingmax PC100内存打磨成7ns的PC133或PC150内存，所以你最好用SISOFT SANDRA2001等软件测试一下内存的速度，注意观察内存上字迹是否清晰，是否有规则的刮痕，芯片表面是否发白等，看看芯片上的编号。

KINGMAX PC150内存采用了6纳秒的颗粒，这使它的速度得到了很大程度的提升，即使你用它工作在PC133，其速度也会比一般的PC133内存来的快；Kingmax的PC133内存芯片是-7的，例如编号KSV884T4A1A-07；而PC100内存芯片有两种情况：部分是-8的（例如编号KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如编号KSV884T4A0-07）。其中KINGMAX PC133与PC100的区别在于：PC100的内存有相当一部分可以超频到133，但不是全部；而PC133的内存却可以保证100%稳定工作在PC133外频下（CL=2）。

（4）Geil(金邦、原樵风金条)

金邦金条分为'金、红、绿、银、蓝'五种内存条，各种金邦金条的SPD均是确定的，对应不同的主板。其中红色金条是PC133内存；金色金条P针对PC133服务器系统，适合双处理器主板；绿色金条是PC100内存；蓝A色金条针对AMD750/760 K7系主板，面向超频玩家；蓝V色金条针对KX133主板；蓝T色金条针对KT-133主板；银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存。

金邦内存芯片编号例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32

FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μ BGA）；-7是存取时间（7=7ns（143MHz））；AMIR是内部标识号。以上编号表示金邦千禧条，128MB，TSOP（第二代）封装，0.2微米3.3V

Vdd CMOS制造工艺，7ns、143MHz速度。

（5）SEC（Samsung Electronics，三星）

三星EDO DRAM内存芯片编号例如KM416C254D表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（1=x1[以1的倍数为单位]、4=x4、8=x8、16=x16）；C代表电压（C=5V、V=3.3V）；254代表内存密度256Kbit（256[254] = 256Kx、512(514) = 512Kx、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 = 16Mx）；D代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代）即三星256Kbit*16=4Mb内存。

三星SDRAM内存芯片编号例如KM416S16230A-G10表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（4 = x4、8 = x8、16 = x16）；S代表SDRAM；16代表内存芯片密度16Mbit（1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；2代表刷新（0 = 4K、1 = 2K、2 = 8K）；3表示内存排数（2=2排、3=4排）；0代表内存接口（0=LVTTL、1=SSTL）；A代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代）；G代表电源供应（G=自动刷新、F=低电压自动刷新）；10代表最高频率（7 = 7ns[143MHz]、8 = 8ns[125 MHz]、10 = 10ns[100 MHz]、H = 100 MHz @ CAS值为2、L = 100 MHz @ CAS值为3 ）。三星的容量需要自己计算一下，方法是用'S'后的数字乘S前的数字，得到的结果即为容量，即三星16M*16=256Mbit SDRAM内存芯片，刷新为8K，内存Banks为3，内存接口LVTTL，第2代内存，自动刷新，速度是10ns(100 MHz)。

三星PC133标准SDRAM内存芯片格式如下：

Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA

Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA

三星DDR同步DRAM内存芯片编号例如KM416H4030T表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16表示内存芯片组成x16（4=x4、8=x8、16=x16、32=x32）；H代表内存电压（H=DDR SDRAM[3.3V]、L=DDR SDRAM[2.5V]）；4代表内存密度4Mbit（4 =4M、8 = 8M、16 = 16M、32 = 32M、64 = 64M、12 = 128M、25 = 256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G）；0代表刷新（0 = 64m/4K [15.6μs]、1 = 32m/2K [15.6μs]、2 = 128m/8K[15.6μs]、3 = 64m/8K[7.8μs]、4 = 128m/16K[7.8μs]）；3表示内存排数（3=4排、4=8排）；0代表接口电压（0=混合接口LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1=SSTL_2(2.5V)）；T表示封装类型（T=66针TSOP Ⅱ、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代表速度133MHz（5 = 5ns, 200MHz (400Mbps)、6 = 6ns, 166MHz (333Mbps)、Y = 6.7ns, 150MHz (300Mbps)、Z = 7.5ns, 133MHz (266Mbps)、8 = 8ns, 125MHz (250Mbps)、0 = 10ns, 100MHz (200Mbps)）。即三星4Mbit*16=64Mbit内存芯片，3.3V DDR SDRAM，刷新时间0 = 64m/4K (15.6μs)，内存芯片排数为4排（两面各两排），接口电压LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封装类型66针TSOP

Ⅱ，速度133MHZ。

三星RAMBUS DRAM内存芯片编号例如KM418RD8C表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；18代表内存芯片组成x18（16 = x16、18 = x18）；RD表示产品类型（RD=Direct RAMBUS DRAM）；8代表内存芯片密度8M（4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；C代表封装类型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆转CSP]、W = WL-CSP）；80代表速度（60 = 600Mbps、80 = 800Mbps）。即三星8M*18bit=144M，BGA封装，速度800Mbps。

（6）Micron（美光）

Micron公司是世界上知名内存生产商之一（如右图Micron PC143 SDRAM内存条），其SDRAM芯片编号格式为：MT48 ab cdMef Ag TG-hi j

其中MT代表Micron的产品；48代表产品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus）；ab代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS）；cdMef设备号码（深度*宽度），无字母=Bits，K=Kilobits（KB），M=Megabits（MB），G=Gigabits（GB）Mricron的容量=cd*ef；ef表示数据位宽(4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位)；Ag代表Write Recovery〔Twr〕(A2=Twr=2clk)；TG代表封装（TG=TSOPⅡ封装，DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，U=μ BGA）；j代表功耗（L=低耗，空白=普通）；hj代表速度，分成以下四类：

（A）DRAM

-4=40ns，-5=50ns，-6=60ns，-7=70ns

SDRAM，x32 DDR SDRAM（时钟率 @ CL3）

-15=66MHz，-12=83MHz，-10+=100MHz，-8x+=125MHz，-75+=133MHz，-7x+=143MHz，- 65=150MHz，-6=167MHz，-55=183MHz，-5=200MHz

DDR SDRAM（x4，x8，x16）时钟率 @ CL=2.5

-8+=125MHz，-75+=133MHz，-7+=143MHz

（B）Rambus（时钟率）

-4D=400MHz 40ns，-4C=400MHz 45ns，-4B=400MHz 50ns，-3C=356MHz 45ns，-3B=356MHz 50ns，-3M=300MHz 53ns

+的含义

-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）

-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）

-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）

-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）

（C）DDR SDRAM

-8支持PC200（CL2）

-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）

-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。

例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=16*8MB=128MB，133MHz

（7）其它内存芯片编号

NEC的内存芯片编号例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的产品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示数据位宽（4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位，当数据位宽为16位和32位时，使用两位）；4代表Bank数（3或4代表4个Bank，在16位和32位时代表2个Bank；2代表2个Bank）；1代表LVTTL（如为16位和32位的芯片，则为两位，第2位双重含义，如1代表2个Bank和LVTTL，3代表4个Bank和LVTTL）；G5为TSOPⅡ封装；-A80代表速度：在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2（80=8ns〔125MHz CL 3〕，10=10ns〔PC100 CL 3〕，10B=10ns较10慢，Tac为7，不完全符合PC100规范，12=12ns，70=[PC133]，75=[PC133]）；JF代表封装外型（NF=44-pinTSOP-Ⅱ；JF=54-pin TSOPⅡ；JH=86-pin TSOP-Ⅱ）。

HITACHI的内存芯片编号例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的产品；52是SDRAM类型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4位、8位、16位）；5F表示是第几个版本的内核（现在至少已排到'F'了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT为TSOⅡ封装；B60代表速度（75=7.5ns〔133MHz〕，80=8ns〔125MHz〕，A60=10ns〔PC-100 CL2或3〕，B60=10ns〔PC-100 CL3〕即100MHZ时CL是3）。

TOSHIBA的内存芯片编号例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是东芝的产品；59代表SDRAM（其后的S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64Mb，M7=128Mb）；08表示数据位宽（04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；B表示内核的版本；FT为TSOPⅡ封装（FT后如有字母L=低功耗，空白=普通）；80代表速度（75=7.5ns〔133MHz〕，80=8ns〔125MHz〕，10=10ns〔100MHz CL=3〕）。

粗暴的蜡烛

2025-07-15 05:51:47

表面活性剂常用英文缩略词

a-SAA0阴离子表面活性剂

AACG烷基两性羧基甘氨酸盐

AACP烷基两性丙氨酸盐

AAG 烷基两性甘氨酸盐

AAOA烷基酰胺丙基氧化胺

AAP 烷基丙氨酸盐

AAPB烷基酰胺丙基甜菜碱

AASB烷基酰胺丙磺基甜菜碱

ARS 支链烷基苯磺酸盐

AEO(n) 脂肪醇聚氧乙烯醚(n)

AEC 醇醚羧酸盐

AS00 烷基硫酸盐

AESS0 脂肪醇聚氧乙烯醚琥珀酸酯磺酸钠

AE 脂肪醇聚氧乙烯醚0

AES00 脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸盐

ABS00 硬性苯磺酸盐

AOS00 烯基磺酸盐

AG 烷基甘氨酸盐

AGS 烷基甘油醚磺酸盐

APG 非离子烷基糖苷

AIDA烷基亚氨基二乙酸盐

AIDP烷基亚氨基二丙酸盐

Ale(2)S 月桂醇醚(2)硫酸铵盐

ALs 月桂醇硫酸酯铵盐

Am/DIFAG乙酸甘油单、二酸酯

AMT 长链酰基-N-甲基牛磺酸钠(1gepon T)

AOS a -烯烃磺酸盐

APAC长链烷基低聚氨基酸，烷基聚胺羧酸盐

APG 烷基低聚糖苷

APES烷基酚聚氧乙烯醚硫酸盐

CAPG 阳离子烷基糖苷

CHSB 十六烷基羟基磺丙基甜菜碱

CAPB 椰油酰胺丙基甜菜碱0

CAB 椰油酰胺甜菜碱

CAMA 椰油基咪唑啉甜菜碱0

CAPO 椰油酰胺丙基氧化胺

CoACG椰油基两性羧基甘氨酸盐

c-SAA0 阳离子表面活性剂

CCACP椰油基两性羧基丙氨酸盐

CoAG 椰油基两性甘氨酸盐

CoAHSB 椰油酰胺丙基羟基磺基甜菜碱

CoAPN-椰油基-β-丙氨酸盐

CoAPB 椰油酰胺丙基甜菜碱

CoASB 椰油酰胺磺丙基甜菜碱

CoB 椰油基甜菜碱

CoDEA 椰油基二乙醇酰胺

CoIDP 椰油亚氨基二丙酸盐

CCMEA 椰油单乙醇酰胺

CoMT椰油酰基-N-甲基牛磺酸钠

CoNnAa 椰油基低聚丙基甘氨酸

CoSB椰油基磺丙基甜菜碱

CM/DFAG 柠檬酸甘油单、二酸酯

CPC 十六烷基氯化吡啶

CSB十六烷基磺基甜菜碱

CAPG 阳离子烷基糖苷

CMEA椰油酸单乙醇酰胺

CAPB 椰油酰胺丙基甜菜碱0

CAB 椰油酰胺甜菜碱

CAMA 椰油基咪唑啉甜菜碱

CTAB十六烷基三甲基溴化铵

CTAC十六烷基三甲基氯化铵

DAC5十二烷基两性羧基甘氨酸盐

DAES十二胺乙基磺酸钠

DAP N-十二烷基-β-丙氨酸盐

DAPB十二酰胺丙基甜菜碱

DAPSB 十二酰胺丙基磺基甜菜碱

DB 十二烷基甜菜碱

DDBAC 十二烷基二甲基苄基氯化铵

DDEAC 双十烷基双甲基氯化铵

DDG 十二烷基二(氨乙基)甘氨酸

DEACG 癸基两性羧基甘氨酸盐

DEAP N-十烷基-β-丙氨酸盐

DEB 十烷基甜菜碱

DEEO(n) 十烷基聚氧乙烯醚(n)

DEO(n) 十二醇聚氧乙烯醚(n)

DETAC 十烷基三甲基氯化铵

DG 十二烷基甘氨酸

DHSB十二烷基羟基磺丙基甜菜碱

DIC 十二烷基咪唑啉阳离子

DIDP十二烷基亚氨基二丙酸盐

DMBB十二烷基甲基苄基甜菜碱

DMG 十二烷基氨乙基甘氨酸

DMT 十二酰基-N-甲基牛磺酸钠

DOA 十二烷基二甲基氧化胺

DPB十二烷基二甲基丙基甜菜碱

DSAC 双硬脂基双甲基氯化铵

DSB十二烷基磺丙基甜菜碱

DTAC十二烷基三甲基氯化铵

ECH烷基醚醋酸盐

EFA脂肪酸聚氧乙烯酯

EGDS乙二醇双硬脂酸酯

EHRA氢化蓖麻油酸聚氧乙烯酯

FMEE 脂肪酸甲酯乙氧基化合物

FMEA 脂肪酸单乙醇酰胺

HEDTA 羟乙基乙二胺三乙酸盐

HEED羟乙基乙二胺

HSB羟基磺基甜菜碱

HTB氢化牛脂基甜菜碱

Igepon A 椰油酰基乙基磺酸钠

ISAAP异硬脂酸两性丙氨酸

K12 脂肪醇硫酸盐（钠）

LDEA 月桂基二乙醇酰胺

LAPB 月桂酰胺丙基甜菜碱

LAPO 月桂酰胺丙基氧化胺

LACG月桂基两性羧基甘氨酸盐

LAG月桂基两性甘氨酸盐

LAP月桂基氨基丙酸盐

LAS00直链烷基苯磺酸盐（软性苯磺酸盐）

LAPB月桂酰胺丙基甜菜碱

LB 月桂基甜菜碱

LDBC月桂基二甲基苄基氯化铵

LDEA月桂酸二乙醇酰胺

LDEA 月桂基二乙醇酰胺

LAPB 月桂酰胺丙基甜菜碱

LAPO 月桂酰胺丙基氧化胺

LEO 月桂醇聚氧乙烯醚

LIDA月桂基亚氨二乙酸盐

LIDPN-月桂基-β-亚氨基二丙酸盐

L／MAP N-月桂基／肉豆蔻基-β-丙氨酸盐

L／MB 月桂基／肉豆蔻基甜菜碱

DFAG乳酸甘油单、二酸酯

LMIPA 月桂基单异丙醇酰胺

LQA月桂基氧化胺

LPC月桂基氯化吡啶

LTAC月桂基三甲基氯化铵

M/DFAG 甘油单、二脂肪酸酯

MES α-磺基脂肪酸甲酯钠盐

MES00 脂肪酸甲酯磺酸盐0

MAP 单烷基磷酸酯0

MgLES 月桂醇醚硫酸酪镁盐

MgLs月桂醇硫酸镁

MLS 月桂醇硫酸酯单乙醇胺盐

n-SAA0 非离子表面活性剂

NPO壬基酚聚氧乙烯醚

OACG油酸基两性羧基甘氨酸盐

OAG 单羧基化辛基咪唑啉钠盐

OAP 辛胺丙酸盐

oAPS油酰基两性丙基磺酸盐

0B 油酸基甜菜碱

OCACG 辛基两性羧基甘氨酸盐

ODBAC 十八烷基二甲基苄基氯化铵

ODEA油酸二乙醇酰胺

OIDP辛基亚氨基二丙酸钠

ONnAa 油酸基低聚丙基甘氨酸

OPES辛基酚醚硫酸盐

OSB 辛基磺基甜菜碱

PAS 烷基磺酸盐

PC 卵磷脂

PDEA棕榈油酸二乙醇酰胺

PEG 聚乙二醇

PEG(3)DS三乙二醇双硬脂酸酯

PFA 丙二醇脂肪酸酯

RAPB 蓖麻油酰胺丙基甜菜碱

RNnAa 烷基低聚氨基酸

SAS00仲烷基硫酸盐

SAG酰基谷氨酸钠

SAA00表面活性剂

SAS仲烷基磺酸盐

SDEE(3)S十烷基醇醚(3)硫酸钠

SDES十烷基硫酸钠

SDS 十二烷基硫酸酯钠盐

SE (蔗)糖酯

SLAS 直链烷基苯磺酸钠

SLE(n)S 十二烷基醚(n)硫酸钠

SLS 月桂醇硫酸钠

SLS-2月桂醇-2-硫酸钠

SL／TE(3)S十二／十四醇醚(3)硫酸酯钠盐

Span缩水山梨醇脂肪酸酯

STAC硬脂基三甲基氯化铵

TB 十四烷基甜菜碱

TDBAC 十四烷基二甲基苄基氯化铵

TDHEB 牛脂基双羟乙基甜菜碱

THSB 十四烷基羟基磺基甜菜碱

TIDP N-牛脂基-β-亚氨基二丙酸盐

TLE(2)S 月桂醇醚(2)硫酸酯三乙醇胺盐

TLS月桂醇硫酸酯仪二醇胺盐

TNnAa 牛脂基低聚丙基甘氨酸

TOA十四烷基氧化胺

TSB十四烷基磺基甜菜碱

TTAC十四烷基三甲基氯化铵

Tween聚氧乙烯化缩水山梨醇脂肪酸酯

TX-10壬基酚聚氧乙烯醚(10)

6501 椰油酸二乙醇酰胺

英俊的香烟

2025-07-15 05:51:47

CAS登记号：CAS登记号是美国化学文摘社登记号。CAS是美国化学文摘社（Chemical Abstract Service）的英文缩写。登记号由三部分数字组成，各部分之间用短线联结。该号是用来判定检索有多个名称的化学物质信息的重要工具。

包容的大雁

2025-07-15 05:51:47

指内存所采用的内存类型，不同类型的内存传输类型各有差异，在传输率、工作频率、工作方式、工作电压等方面都有不同。目前市场中主要有的内存类型有SDRAM、DDR SDRAM和RDRAM三种，其中DDR SDRAM内存占据了市场的主流，而SDRAM内存规格已不再发展，处于被淘汰的行列。RDRAM则始终未成为市场的主流，只有部分芯片组支持，而这些芯片组也逐渐退出了市场，RDRAM前景并不被看好。SDRAM：SDRAM，即Synchronous DRAM（同步动态随机存储器），曾经是PC电脑上最为广泛应用的一种内存类型，即便在今天SDRAM仍旧还在市场占有一席之地。既然是“同步动态随机存储器”，那就代表着它的工作速度是与系统总线速度同步的。SDRAM内存又分为PC66、PC100、PC133等不同规格，而规格后面的数字就代表着该内存最大所能正常工作系统总线速度，比如PC100，那就说明此内存可以在系统总线为100MHz的电脑中同步工作。与系统总线速度同步，也就是与系统时钟同步，这样就避免了不必要的等待周期，减少数据存储时间。同步还使存储控制器知道在哪一个时钟脉冲期由数据请求使用，因此数据可在脉冲上升期便开始传输。SDRAM采用3.3伏工作电压，168Pin的DIMM接口，带宽为64位。SDRAM不仅应用在内存上，在显存上也较为常见。DDR SDRAM：严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据

疯狂的八宝粥

2025-07-15 05:51:47

现代内存。

一、识别Hyundai（现代）内存的模块和芯片编号

　内存模块编号即内存条的标识，芯片编号是单个内存集成块的标识。内存常有PC133

2-2-2的标识，其中2-2-2的含义分别是CAS（Column

Address Strobe，列地址控制器）

、CAS到RAS、RAS（Row Address Strobe，行地址控制器）的反应周期。

一、SDRAM内存

1、第一类SDRAM内存芯片（如左图）

例：HY XX X XX XX X X XX X X - XX

HY：现代内存

XX：产品组，57=SDRAM

X：处理工艺和电能供应，V=CMOS 3.3V

XX：密度和刷新，64=64M/4K刷新，65=64M/8K刷新，28=1284M/4K刷新，56=256M/8K刷新

XX：内存芯片组成，4=x4，8=x8，16=x16，32=x32

X：Bank，1=2 Bank，2=4 Bank

X：应用部分

XX：接口，0=LVTTL，1=SSTL-3

X：能源消耗，HEI（空白=第一代，A=第二代，B=第三代，C=第四代），HME（H=第一代

，HA=第二代， HB=第三代，HC=第四代）

X：封装，T=TSOP，Q=TQFP，I=BLP，L=CSP（LF-CSP）

XX：速度，5=200MHz，55=183MHz，6=166MHz，7=143MHz，K=PC133/CL2，H=PC133/CL3，

8=125MHz，P=PC100/CL2，S=PC100/CL3，10=100MHz

2、第二类SDRAM内存芯片

例：GM 72

X XX XX X X X X X - XXX

GM：LGS前辍

72：SDRAM

X：制造工艺和电源供应，V=CMOS 3.3V

XX：密度和刷新，16=16Mb/4K刷新，17=16Mb/2K刷新，28=128Mb/4K刷新，64=64Mb/16K

刷新，

65=16Mb/8K刷新，66=16Mb/4K刷新

XX：芯片组成，4=x4，8=x8，16=x16，32=x32

X：Bank，1=1

Bank，2=2 Bank，4=4 Bank，8=8 Bank，

X；输入/输出接口，1=LVTTL

X：修订版本号，空白=原始版，A=第一代，B=第二代，C=第三代，D=第四代，E=第五代

，F=第六代

X：功耗，无=标准，L=低功耗

X：封装，TSOP（正常），R=TSOP（反转型），I=BLP，S=STACK

XXX：速度，6=166MHz，65=153MHz，7=143MHz，75=133MHz，8=125MHz，7K=PC100/2-2-

2，　 7J=PC100/3-2-2，10K=PC66，10J=PC66，12=83MHz，15=66MHz

3、第三类SDRAM内存芯片

例：HY XX X XXX XX X X X XX XX - XX

HY：现代内存

XX：产品组，57=DRAM，5D=DDR SDRAM

X：制造工艺和能源供应，V=CMOS 3.3V，U=CMOS 2.5V

XXX：密度和刷新，4=4Mbit 1K刷新，16=16Mbit 4K刷新，64=64Mbit 8K刷新，65=64Mb

4K刷新，129=128Mbit 4K刷新，257=256Mbit 8K刷新

XX：数据宽度和特征，40=x4，80=x8，16=x16，32=x32

X：Bank，1=2 Bank，2=4 Bank

X：接口，0=LVTTL，1=SSTL，2=SSTL2

X：内核版本，空白=第一代，A=第二代，B=第三代，C=第四代，D=第五代

X：能源消耗，无=正常功耗，L=低功耗

XX：封装，TC=400mil TSOP 2，TQ=100针TQFPI

XX：速度，5=5ns（200MHz），55=5.5ns（183MHz），6=6ns（166MHz），7=7ns（143MH

z），　7.5=7.5ns（133MHz），8=8ns（125MHz），10P=10ns（100MHz）/CL2&3/PC

100，10S=10ns（100MHz）/CL3/PC100，10=10ns（100MHz）/PC66，12=12ns（83MHz），

15=15ns（66MHz）　

市上HY常见的编号还有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10编号的

SDRAM上133MHz相当困难；编号ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也不行；编号BTC或-7

、-10p的SDRAM上133MHz很稳定。一般来讲，编号最后两位是7K的代表该内存外频是PC1

00，75的是PC133的，但现代内存目前尾号为75的已停产，改换为T-H这样的尾号，最好

购买T-H尾号的PC133现代内存。

5、第一类SDRAM内存条

例：HYM X X XX X X X(X) X X X X X X X X - X(X)(X)

HUM：现代内存

X：产品组别，7=16/64Mb SDRAM

X：能源供应和接口，V=3.3V LVTTL，S=3.3V SSTL

XX：数据宽度，64/72=x64/x72（PC66），65/75=x64/x72（PC100），63/73=x64/x72（

PC133）

X：错误侦测方案，无=奇偶校验或没有错误侦测，A=ECC

X：DIMM类型，无=168针非缓冲DIMM，E/S/R/C/D=168针注册型DIMM

X(X)：内存深度，1=1M，2=2M，4=4M，8=8M，16=16M

X：刷新，0=1K，1=2K，2=4K，3=8K

X：内部bank组成，0=2 bank SDRAM，1=4 bank SDRAM

X：模块版本，空白=第一代，A=第二代，B=第三代，C=第四代，D=第五代

X：能源消耗，无=正常功耗，L=低功耗

X：封装类型，T=400mil TSOP 2

X：连接数据宽度和DIMM类型，K=x4基本非缓冲DIMM，F=x8基本非缓冲DIMM，R=x16基本

非缓冲DIMM，　H=x4基本168针注册DIMM，X=x8基本168针注册DIMM，P=x4基本SODIMM，

Q=x16基本SODIMM，　Z=x8基本SODIMM

X：针脚电镀金属，G=金

X：模块索引，空白、1、2、3=描述相同配置和操作模块的不同PCB和生产原料

X(X)(X)：速度，75=7.5ns（133MHz），8=8ns（125MHz），10P=10ns（PC100 CL2&3），

10S=10ns（PC100 CL3），10=10ns（100MHz）

6、第二类SDRAM内存条

例：HYM XX X XX X

X X X X X X X - XXX

HYM：现代内存模块

XX：成份组，71=128Mb SDRAM，72=256Mb

SDRAM，75=512Mb SDRAM，7G=1Gb SDRAM

X：能源供应和接口，V=3.3V LVTTL，S=3.3V SSTL

XX：数据宽度，64/72=x64/x72（PC66），65/75=x64/x72（PC100），63/73=x64/x72（

PC133）

X：DIMM类型，无=168针非缓冲DIMM，R=JEDEC类型168针注册DIMM w/PLL，E=英特尔类型

168针注册　w/o

PLLA，S=英特尔类型168针注册DIMM w/PLL，C=RCC类型168针注册DIM

M w/PLL，D=JEDEC类型200针注册DIMM

w/PLL，M=144针SODIMM

X：内存深度，8=8M，16=16M，28=128M，32=32M，64=64M，12=512M

X：刷新，0=1K，1=2K，2=4K，3=8K

X：内部bank组成，0=2 bank SDRAM，1=4 bank SDRAM

X：模块版本，空白=第一代，A=第二代，B=第三代，C=第四代，D=第五代

X：能源消耗，无=正常功耗，L=低功耗

X：封装类型，无=SOJ，T=TSOP，S=A型Stack pkg，K=B型Stack pkg

X：连接类型，N=x4基本型，H=x8基本型，X=x16基本型，HX=x8/x16基本型，XH=x16/x8

基本型（1 　Bank/2

Bank）

XXX：速度，75=7.5ns（133MHz），8=8ns（125MHz），10P=10ns（PC100 CL2&3），10S

=10ns（PC100 CL3），10=10ns（100MHz）

7、第三类SDRAM内存条（如左图）

例：GMM X 2

XX XX X X X X X XX - XXX

LGS：LGS内存模块，属现代集团旗下

X：产品组，无=LGS，S=Smart，T=Tanisys

2：能源供应和接口，2=SDRAM

XX：组成，64=x64，72=x72，73=x72/ECC

XX：内存深度，1=1M（16M SD），2=2M（16M

SD），4=4M（16M SD），5=4M（64M SD）

，6=4M（128M SD），8=8M（16M SD），9=8M（64M

SD），10=8M（128M SD），16=16M（

64M SD），17=17M（　128M SD），32=32M（64M

SD），33=33M（128M SD），64=64M（

64M SD），65=64M（128M SD）

X：刷新，0=1K，1=2K，2=4K，3=8K

X：I/O接口，1=LVTTL/1时钟周期，2=LVTTL/2时钟周期

X：组成模块，0=168针注册DIMM，1=200针注册DIMM，3=168针非缓冲DIMM，7=144针非缓

冲SODIMM（基本型），8=144针非缓冲SODIMM（低功耗型）

X：IC修订版本，空白=原始版，A=第一代，B=第二代，C=第三代，D=第四代，E=第五代

，F=第六代

X：模块修订版本，无=原始版，N=第一代，F=4层PCB，H=1.15英寸高（8M*64），P=加入

PLL

XX：封装和终结，T=TSOP焊接，TG=TSOP镀金，IC=BLP镀金，SG=Stack镀金

XXX：速度，75=133MHz，8=125MHz，7K=PC100 2-2-2，7J=PC100 3-2-2，10K=PC66，10

J=PC66，　12=83MHz，15=66MHz

8、第四类SDRAM内存条

例：HYM XX X XX X X X XX X X

X X - XX

HYM：现代内存条

XX：内存组成，76=64Mb SDRAM，71=128Mb SDRAM，72=256Mb

SDRAM，76=512Mb SDRAM，

76=1Gb 　SDRAM

X：能源供应和接口，V=CMOS 3.3V LVTTL，S=SSTL3

XX：内存深度，4=4M，8=8M，16=16M，32=32M，64=64M，12=512M，51=512M

X：DIMM类型，无=168针非缓冲DIMM，R=JEDEC类型168针注册DIMM w/PLL，E=英特尔类型

168针注册　w/o

PLLA，S=英特尔类型168针注册DIMM w/PLL，C=RCC类型168针注册DIM

M w/PLL，D=JEDEC类型200针注册DIMM

w/PLL，M=144针SODIMMX：数据宽度，64/72=x64

/x72（PC66），　65/75=x64/x72（PC100），63/73=x64/x72（PC133）

X：内部bank组成，1=4K/2 bank，2=8K/2 bank，3=16K/2 bank，5=4K/4 bank，6=8K/4

bank，7=16K/4 bank

XX：内核版本号，ICHON（无=第一代，A=第二代，B=第三代，C=第四代），Cheong-Ju（

H=第一代，　HA=第二代，HB=第三代，HC=第四代）

X：能源消耗，无=正常功耗，L=低功耗

X：封装类型，T=TSOP，S=A型Stack pkg，K=B型Stack pkg

X：组成配置，4=x4基本型，8=x8基本型，6=x16基本型

X：模块版本，无=原始型，M=第一代修订版，N=第二代修订版

XX：速度，K=PC133 CL2，H=PC133 CL3，P=PC133 CL2，S=PC133 CL3

二、DDR SDRAM

1、内存芯片

例：HY XX X XX XX X X X X X - XX

HY：现代内存

XX：产品组别，5D=DDR

SDRAM

X：制造工艺和能源供应，V=CMOS 3.3V，U=CMOS 2.5V

XX：芯片容量和刷新速率，64=64M

4K刷新，66=64M 2K刷新，28=128M 4K刷新，56=256

M 8K刷新

XX：芯片结构（数据宽度），4=x4，8=x8，16=x16，32=x32

X：BANK数量，1=2 Bank，2=4 Bank

X：I/O界面：1=SSTL_3，2=SSTL_2

X：芯片内核版本，空白=第一代，A=第二代，B=第三代，C=第四代

X：能量等级，无=正常功耗，L=低功耗

X：封装形式，T=TSOP，Q=TQFP，I=BLP，L=CSP

XX：速度，5=200MHz，55=183MHz，6=166MHz，7=143MHz，K=PC266A，H=PC266B，8=125

MHz，　L=PC200

2、内存模块

例：HYM XX X XX X X X XX X X X X - XX

HYM：现代内存模块

XX：产品组，D1=128Mb DDR SDRAM，D2=256Mb DDR SDRAM，D5=512Mb DDR

SDRAM，DG=1

Gb DDR SDRAM

X：能源供应和接口，无=CMOS 2.5V SSTL_2

XX：内存深度，8=8M，16=16M，32=32M，64=64M，12=128M，51=512M，1G=1G

X：模块类型，无=184针非缓冲DIMM，G=194针注册DIMM，M=SODIMM

X：数据宽度，64=x64，72=x72

X：刷新/SDRAM bank，1=4K刷新/2 bank，2=8K刷新/2 bank，3=16K刷新/2 bank，5=4K

刷新/4

bank，6=8K刷新/4 bank，7=16K刷新/4 bank

XX：内核版本，空白=第一代，A=第二代，B=第三代，C=第四代

X：能源消耗，无=标准，L=低功耗

X：封装，无=TSOP，Q=TQFP，S=A类型Stack，K=B类型Stack

X：成份配置，4=x4基本型，8=x8基本型，16=x16基本型

X：模板修订版，无=原始型，M=第一代修订，N=第二代修订

XX：速度，K=PC266A，H=PC266B，L=PC200

三、RDRAM

1、内存芯片

例1：R X XX X X - X

R：DRDRAM

X：处理工艺，无=COMOS 2.5V，W=COMOS 1.8V

XX：密度，72=72M

8K刷新，128=128M 8K刷新，144=144M 8K刷新

X：封装，E=边缘连结（74针），C=中央连结（62针），M=镜像

X：I/O频率，6=600MHz，7=711MHz，8=800MHz

XX：速度，40=40ns，45=45ns，50=50ns，53=53ns

例2：HY XX X XXX XX X X XX

HY：现代内存

XX：产品家族，5R=DRDRAM

X：制造工艺和能源供应，无=COMOS 2.5V，W=COMOS 1.8V

XXX：数据密度和刷新，64/72=64/72 Mbits

8K刷新，128/144=128/144bits 8K刷新，　

　256/288=256/288 8K刷新

XX：内核版本号，ICHON（无=第一代，A=第二代，B=第三代，C=第四代），Cheong-Ju（

H=第一代，　HA=第二代，HB=第三代，HC=第四代）

X：封装，E=边缘连结，C=中央连结，M=镜像

X：I/O频率，6=600MHz，7=711MHz，8=800MHz

XX：速度，40=40ns，45=45ns，50=50ns，53=53ns

2、内存模块

例1：RM XX XX X X X - X XX

RM：DRDRAM内存模块

XX：深度，16=16M（64M/72M基本型），32=32M（64M/72M基本型），33=32M（128M/144

M基本型），　48=48M（72M基本型），49=48M（128M/144M基本型），64=64M（64M/72M

基本型），65=64M（128M/144基本型），96=96M（128M/144M基本型），128=128M（

64M/72M基本型），129=128M（　128M/144M基本型），256=256M（128M/144M基本型）

XX：内存组成，16=x16（非ECC），18=x18（ECC）

X：电路版层修订版本，无=原始，1=第一代，2=第二代

X：IC修订本，A=第一代，B=第二代，C=第三代

X：MDL修订本，无=原始版，N=第一代，M=第二代

X：I/O频率，6=600MHz，7=711MHz，8=800MHz

XX：速度，40=40ns，45=45ns，50=50ns，53=53ns

例2：HYM XX X XXX X XX X X X XX

HYM：现代内存

XX：产品组别，R1=128/144Mb

DRDRAM，R2=256/288Mb DRDRAM，Rd3=516/576Mb DRDRAM

X：能源供应和接口，无=CMOS

2.5V，W=CMOS 1.8V

XXX：内存深度，32=32M，48=48M，64=64M，96=96M，128=128M，256=256M

X：模块类型，无=184针RIMM，M=SORIMM

XX：数据宽度，16=x16（非ECC），18=x18（ECC）

X：内核版本号，ICHON（无=第一代，A=第二代，B=第三代，C=第四代），Cheong-Ju（

H=第一代，HA=第二代，HB=第三代，HC=第四代）

X：，无=原始版，M=第一代，N=第二代

X：I/O频率，6=600MHz，7=711MHz，8=800MHz

XX：速度，40=40ns，45=45ns，50=50ns，53=53ns

娇气的百合

2025-07-15 05:51:47

以chemicalbook为例，其中的具体步骤如下：

1、电脑浏览器百度搜索chemicalbook，选择图示链接跳转。

2、这个时候打开新的页面，需要根据实际情况输入相关信息进行搜索。

3、下一步如果没问题，就继续确定点击对应产品。

4、这样一来会得到CAS.NO的结果，即可达到目的了。

舒心的钥匙

2025-07-15 05:51:47

3D RAM(3 DIMESION RAM)：三维视频处理器专用存储器

CDRAM(Cached DRAM)：高速缓存存储器

CVRAM(Cached VRAM)：高速缓存视频存储器

DRAM(Dynamic RAM)：动态存储器一种随机存取记忆体 (RAM)，记忆体不会一直保存记忆内容，会随着时间而将内容流失，技术上来说就是，记忆体必须不断的重新的加强 (REFRESHED) 电位差量，否则电位差将降低至无法有足够的能量表现每一个记忆单位处于何种状态。价格较静态记忆体 (SRAM) 便宜，但存取速度较慢，耗电量较大。

EDRAM (Enhanced DRAM)：增强型动态存储器

EDO RAM(Extended Date Out RAM)：扩展数据模式存储器

EDO SRAM(Extended Date Out SRAM)：扩展数据模式静态存储器

EDO VRAM(Extended Date Out VRAM)：扩展数据模式视频存储器

FPM RAM(Fast Page Mode)：快速页模式DRAM，当一个存取与前一次存取为同一记忆体页 (PAGE) 时，不用传输 ROW 地址以加快存取速度。由于以页为单位加速，又称为 PAGE MODE MEMORY，存取速度从 120 NS 到 60 NS。 FPM 技术在 EDO DRAM 技术出现之前是最常见的 DRAM 种类。

FRAM(Ferro electric RAM)：铁电体存储器

MDRAM(Multi Bank DRAM)：多槽动态存储器由 MOSYS 公司所发展的记忆体 (MEMORY) 架构，与传统架构不同的是 MDRAM 将 BANK 的容量缩小，并使每一个 BANK 使用独立的汇流排 (BUS) 输出入埠 (I/O PORT)，这样的结果是 MDRAM 能同时存取数个 BANK，使资料的读写速度加快，并且能够用较小的数量增加记忆体。

NVRAM(Non-Volatile Random Access Memory)：中断电源时仍能保存资料的随机存取记忆体 (RAM)。

SDRAM(Synchronous DRAM)：同步动态存储器:一种能够与处理器 (CPU) 汇流排 (BUS) 同步运作，时脉可达 66,100,133 MHZ 的 DRAM，并能够同时开启两个记忆体页 (PAGE)。

SGRAM(Signal RAM)：单口存储器

SRAM(Static RAM)：静态存储器:一种随机存取记忆体 (RAM)，存取速度比 PB SRRAM(Pipeline Burst SRAM):一种支援 PIPELINED 与冲刺模式 (BURST) 的DRAM 快，不像 DRAM 需要不停的 REFRESH，但制造成本较高，通常用来作为快取 (CACHE) 记忆体使用

SVRAM(Synchronous VRAM)：同步视频存储器

VRAM(Video RAM)：视频存储器:专为绘图影像卡 (VIDEO ADAPTER) 所设计的随机存取记忆体 (RAM)，与一般 RAM 不同的是，VRAM 能够使 RAMDAC 能够与影像处理器 (PROCESSOR) 同时存取资料，加速图像的显示。

WRAM(Windows RAM)：视频存储器(图形处理能力优于VRAM)有与 VRAM 类似的特性，但速度表现比 VRAM 更佳。

PC100 PC100内存条

按照Intel的定义

PC100 SDRAM规范包含：内存条上电路的各部分线长最大值与最小值；电路线宽与间距的精确规格；保证6层PCB板制作（分别为：信号层、电源层、信号层、基层、信号层），具备完整的电源层与地线层；具备每层电路板间距离的详细规格；精确符合发送、载入、终止等请求的时间；详细的EEPROM编程规格；详细的SDRAM组成规格；特殊的标记要求；电磁干扰抑制；可选镀金印刷电路板。

凡是时钟周期TCK≤10ns,存取时间TAC≤6ns，主板时钟频率设置在100MHz下，并且在BIOS中Chipset Features Setup选项里SDRAM CASLatency Time（CAS延迟时间）中，CAS可设为2或3并带SPD的SDRAM内存条都是PC100内存条。

从外观上来看，PC100内存条最典型的特征是正面右上角的8脚SOIC封装的小芯片，这就是SPD芯片，如果你没看到这个SPD芯片，板上只留了8个焊点，那么这就不是PC100，但并不是说此内存条无法稳定工作在100MHz.

PC100内存条编号

表示为：PCX-ABC-DEF的形式。

1、X代表工作频率，66MHz或100MHz等

2、A代表最小的CAS Latency数，时钟数一般为2或3

3、B代表最小的tRCD（RAS相对CAS的延时）时间，时钟数一般是2

4、C代表最小tRP（RAS预充电时间），时钟数一般是2

5、D代表最大tAC（Access time from CLK）时间，多为6ns、7ns等数值

6、E代表SPD的版本号V1.2

7、F是一个保留值为0。

PC133PC133 SDRAM

由台湾VIA威盛公司制定的。133MHz的工作环境下正常工作，在其系统时钟周期tCK(System clock cycle time)的数值的规格部分必须至少为7.5ns，tAC不超过5.4ns,工作频率为133MHz。对于PC133 SDRAM来说，在CAS Latency=3，能正常工作，但在CL=2，外频为133MHz的时并不能保证能正常工作。

PC133 SDRAM 的数据带宽 1.06 GB/s(64 bit/8 x 133 MHz)，比 Direct RAMBUS DRAM 的 1.6 GB/s 低，但PC133 SDRAM是PC100 SDRAM 的延伸。

SPD（串行存在检测）

SPD（串行存在检测）是许多SDRAM DIMM模块所具有的新功能，它使BIOS能够更容易地配置系统以适应SDRAM的性能参数。

，通常是1个8针的SOIC封装（3mm*4mm）型号多为24LC01B，位置一般处在内存条正面的右侧，里面记录了诸如内存的速度、容量、电压与行、列地址宽等信息。

SPD(Serial Presence Detect串行存在检测)设备是一个8脚的串行EEPROM芯片（Electrically Erasable Programmable ROM电可擦写存储器），其中存储着DIMM模块的容量、速度、电压以及行、列地址带宽等参数信息。BIOS在上电检测阶段读取这些参数，然后自动地调整CMOS有关选项，从而获得最高的性能和可靠性。

没有SPD，在使用EDO DIMM时不会有问题，由于SDRAM以EDO RAM两倍的速度工作,使用没有SPD的SDRAM DIMM时系统无法启动。

带有SPD的DIMM的正面靠右边的地方有一个8脚3mm*4mm的SOIC封装的256字节的EEPROM小芯片。型号以24LC01B居多。带有SPD的DIMM能够用于所有支持SDRAM的主板，有些主板要求SDRAM必须带有SPD。

内存芯片的标识

内存芯片的标识中通常包括：厂商代号、单片容量、芯片类型、工作速度、生产日期等，以及电压、容量系数和特殊标识。

以“??XXX64160AT-10”为例，“??”是厂商的标志代号。

1、厂商代号：

AAA NMB

BM IBM

HM Hitachi日立

HY Hyundai 现代电子

HYB Siemens 西门子

GM LG-Semicon

KM或M Samsung 三星

LH SHARP 夏普

M5M Hitsubishi

MB Fujitsu 富士通

MCM Motorola

MN Matsushita

MSM OKI

MT Micron 美凯龙

NN NPNX

TC或TD Toshiba东芝

TI TMS德州仪器

uPD NEC日电

2、xxx 厂商内部标识

3、64是指64Mbit的容量注意是bit[位]，而不是Byte[字节]

4、16表示每块小芯片的位数是16位，对于现在64位的总线系统，需4片这样的芯片才能构成可用的SIMM内存条:64Mbit/8*(64/16)=32MB，它就是32MB的内存。如果SIMM内存条上有8片这样的小芯片，当然就是8/4*32=128MB一条的内存。

5、0表示这是一条SDRAM；

6、“-”后的数字表示芯片的系统时钟周期或存取时间。通常在“-”前的第一个数字标示的是内存的类型标识，单数是EDO RAM，双数则是SDRAM。

位组(Byte):，一组二进位 (BINARY) 的位 (BIT) 集合。

通常称 8 个位为一个位组，但是这只是习惯，而大部分的系统也都定义 8 个位为一个位组，其它数目的位组定义也可以使用，只是可能会产生误解。

位组的计量单位有:

1。 KILOBYTE，KB，2 的 10 次方 : 1024 BYTE。

2。 MEGABYTE，MB，2 的 20 次方 : 1048576 BYTE，或 1024 KBYTE。

3。 GIGABYTE，GB，2 的 30 次方 : 1073741824 BYTE，或 1024 MEGABYTE。

4。 TERABYTE，TB，2 的 40 次方 : 1099511627776 BYTE，或 1024 GIGABYTE。

5。 PETABYTE，2 的 50 次方 : 1125899906842624 BYTE，或 1024 TERABYTE。

6。 EXABYTE，2 的 60 次方 : 1152921504606846976 BYTE，或 1024 PETABYTE。

7。 ZETTABYTE，2 的 70 次方 : 1024 EXABYTE。

8。 YOTTABYTE，2 的 80 次方 : 1024 ZETTABYTE。

内存(Memory):记忆体，储存资料的装置，主要分为为 RAM 或 ROM。

SIMM(Single In_Line Memory Module):一种将记忆体 (MEMORY) 芯片 (CHIP) 焊在表面的电路板模组，使记忆体的安装与拆除较直接安装芯片为容易。SIMM 的资料宽度为 32 位 (BIT)，而一种新技术称为 DIMM 的记忆体模组，资料宽度为 64 位

DIMM (Dual In-Line Memory Module):将数个记忆体 (MEMORY) 芯片 (CHIP) 装于一块电路板上的记忆体模组，DIMM 的资料信道宽度是 SIMM 的两倍，为 64 位 (BIT)。

ECC (Error-Correcting Code):一种含有特殊电路，能够自我检查错误及更正的记忆体 (MEMORY)。

时钟周期：它代表RAM所能运行的最大频率，这个数字越小说明所能运行的频率就越高。对于一片普通的PC-100 SDRAM来说，它芯片上的标识-10代表了它的运行时钟周期为10ns，即可以在100MHZ的外频下正常工作。

存取时间：代表读取数据所延迟的时间。目前大多数SDRAM芯片的存取时间为7、8或10ns。

CAS的延迟时间。这是纵向地址脉冲的反应时间,也是在一定频率下衡量支持不同规范的内存的重要标志之一。如PC133的SDRAM在外频为133MHz时，能运行在CAS Latency = 3，也就是说这时它们读取数据的延迟时间可以是三个时钟周期。