矽的化学成份cas编号是多少

矽 (xī) [silicon] 化学元素硅的旧名,现在只有在《矽肺》（xīfèi，由于长期吸入各种粉尘而引起肺广泛纤维化的一种疾病,以呼吸短促为主要症状。）

硅

CAS: 7440-21-3

分子式: Si

原子量: 28.09

中文名称: 硅

工业硅

结晶硅

多晶硅

英文名称: Silicon

elemental silicon

polyeristalline silicon powder

silicium

多晶硅

silicon, polycrystalline

分子式 Si 原子量 28.086

性质：具有灰色金属光泽的金属，比重2.32-2.34，熔点1410℃，沸点2355℃，溶于氢氟酸与硝酸的混酸中，不溶于水、氢氟酸。硬度介于锗和石英之间，在室温下质脆易碎，可塑性甚微，加热至800℃以上即可延长，加热至1300℃显出明显变形。高纯硅是优良的半导体，但微量的杂质即可大大影响其导电性。

用途：多晶硅为半导体材料，也是电子工业的基础材料，可用来制造单晶硅。

制法

三氯氢硅 将硅粉与干燥的氯化氢气体作用得三氯氢硅，再在1100℃下被氢气还原而得多晶硅。

包装 内衬塑料薄膜木箱包装，每批装一箱，每箱净重约20公斤左右。

储运注意事项：应储存在阴凉干燥清洁的库房中，不宜与酸、碱类产品共储混运。防震，轻装轻卸。

单晶硅

Silicon,mono-crystalline

分子式 Si原子量 28.086

性质 整个晶体的原子排列是有周期性的。其结晶方向一致，性脆易裂。熔点1410℃。沸点2477℃。晶格常数5.42A，原子距2.252A。

用途 单晶硅是制造半导体硅器件的原料。用作耐高压、工作温度较高的器件，如大功率整流器、大功率晶体管、齐纳二极管和开关器件等。广泛用于工农业、科学技术和国防等部门。

制法：

1、 悬浮区熔法。区熔用料需经切断，磨后用来制备单晶硅。

2、

3、 坩埚直拉法。坩埚直拉法用料需经破碎、去石墨，然后用来制备单晶硅。

4、

包装：塑料袋封口，附有检验报告，装木箱时，填垫满碎纸或软物，防止碰撞，木箱外贴有“防震”、“易碎”标志或字样。

储运注意事项：防震、防潮。存放于洁净、干燥环境处。

你好：

你所提到的“有机硅树脂”与“环氧树脂”、“酚醛树脂”等是一类化学品，即：危险化学品“第3类 易燃液体 第2项 中闪点液体”中的“含一级易燃溶剂的合成树脂[-18℃≤闪点＜23℃]”项。

其“危险货物编号”为：32197，UN号为：1866，CAS号为：67763-03-5，具体请查阅《国家安全生产监督管理局（国家煤矿安全监察局）公告2003年增刊》中收录的《危险化学品名录》。

多晶硅polycrystalline silicon 性质：灰色金属光泽。密度2.32~2.34。熔点1410℃。沸点2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间，室温下质脆，切割时易碎裂。加热至800℃以上即有延性，1300℃时显出明显变形。常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化，再经冷凝、精馏、还原而得。 多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面，两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。 多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。被称为“微电子大厦的基石”。 在太阳能利用上，单晶硅和多晶硅也发挥着巨大的作用。虽然从目前来讲，要使太阳能发电具有较大的市场，被广大的消费者接受，就必须提高太阳电池的光电转换效率，降低生产成本。从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。 从工业化发展来看，重心已由单晶向多晶方向发展，主要原因为；[1]可供应太阳电池的头尾料愈来愈少；[2] 对太阳电池来讲，方形基片更合算，通过浇铸法和直接凝固法所获得的多晶硅可直接获得方形材料；[3]多晶硅的生产工艺不断取得进展，全自动浇铸炉每生产周期（50小时）可生产200公斤以上的硅锭，晶粒的尺寸达到厘米级；[4]由于近十年单晶硅工艺的研究与发展很快，其中工艺也被应用于多晶硅电池的生产，例如选择腐蚀发射结、背表面场、腐蚀绒面、表面和体钝化、细金属栅电极，采用丝网印刷技术可使栅电极的宽度降低到50微米，高度达到15微米以上，快速热退火技术用于多晶硅的生产可大大缩短工艺时间，单片热工序时间可在一分钟之内完成，采用该工艺在100平方厘米的多晶硅片上作出的电池转换效率超过14％。据报道，目前在50～60微米多晶硅衬底上制作的电池效率超过16％。利用机械刻槽、丝网印刷技术在100平方厘米多晶上效率超过17％，无机械刻槽在同样面积上效率达到16％，采用埋栅结构，机械刻槽在130平方厘米的多晶上电池效率达到15.8％。 一、国际多晶硅产业概况 当前，晶体硅材料（包括多晶硅和单晶硅）是最主要的光伏材料，其市场占有率在90％以上,而且在今后相当长的一段时期也依然是太阳能电池的主流材料。多晶硅材料的生产技术长期以来掌握在美、日、德等3个国家7个公司的10家工厂手中，形成技术封锁、市场垄断的状况。 多晶硅的需求主要来自于半导体和太阳能电池。按纯度要求不同，分为电子级和太阳能级。其中，用于电子级多晶硅占55％左右，太阳能级多晶硅占45％，随着光伏产业的迅猛发展，太阳能电池对多晶硅需求量的增长速度高于半导体多晶硅的发展，预计到2008年太阳能多晶硅的需求量将超过电子级多晶硅。 1994年全世界太阳能电池的总产量只有69MW，而2004年就接近1200MW，在短短的10年里就增长了17倍。专家预测太阳能光伏产业在二十一世纪前半期将超过核电成为最重要的基础能源之一。 据悉，美国能源部计划到2010年累计安装容量4600MW，日本计划2010年达到5000MW，欧盟计划达到6900MW，预计2010年世界累计安装量至少18000MW。从上述的推测分析，至2010年太阳能电池用多晶硅至少在30000吨以上，表2给出了世界太阳能多晶硅工序的预测。据国外资料分析报道，世界多晶硅的产量2005年为28750吨，其中半导体级为20250吨，太阳能级为8500吨，半导体级需求量约为19000吨，略有过剩；太阳能级的需求量为15000吨，供不应求，从2006年开始太阳能级和半导体级多晶硅需求的均有缺口，其中太阳能级产能缺口更大。 据日本稀有金属杂志2005年11月24日报道，世界半导体与太阳能多晶硅需求紧张，主要是由于以欧洲为中心的太阳能市场迅速扩大，预计2006年，2007年多晶硅供应不平衡的局面将为愈演愈烈，多晶硅价格方面半导体级与太阳能级原有的差别将逐步减小甚至消除，2005年世界太阳能电池产量约1GW，如果以1MW用多晶硅12吨计算，共需多晶硅是1.2万吨，2005－2010年世界太阳能电池平均年增长率在25％，到2010年全世界半导体用于太阳能电池用多晶硅的年总的需求量将超过6.3万吨。 世界多晶硅主要生产企业有日本的Tokuyama、三菱、住友公司、美国的Hemlock、Asimi、SGS、MEMC公司，德国的Wacker公司等，其年产能绝大部分在1000吨以上，其中Tokuyama、Hemlock、Wacker三个公司生产规模最大，年生产能力均在3000－5000吨。 国际多晶硅主要技术特征有以下两点： （1）多种生产工艺路线并存，产业化技术封锁、垄断局面不会改变。由于各多晶硅生产工厂所用主辅原料不尽相同，因此生产工艺技术不同；进而对应的多晶硅产品技术经济指标、产品质量指标、用途、产品检测方法、过程安全等方面也存在差异，各有技术特点和技术秘密，总的来说，目前国际上多晶硅生产主要的传统工艺有：改良西门子法、硅烷法和流化床法。其中改良西门子工艺生产的多晶硅的产能约占世界总产能的80％，短期内产业化技术垄断封锁的局面不会改变。 （2）新一代低成本多晶硅工艺技术研究空前活跃。除了传统工艺（电子级和太阳能级兼容）及技术升级外，还涌现出了几种专门生产太阳能级多晶硅的新工艺技术，主要有：改良西门子法的低价格工艺；冶金法从金属硅中提取高纯度硅；高纯度SiO2直接制取；熔融析出法（VLD：Vaper to liquid deposition）；还原或热分解工艺；无氯工艺技术，Al－Si溶体低温制备太阳能级硅；熔盐电解法等。 二、国内多晶硅产业概况 江西赛维LDK太阳能高科技有限公司是世界规模最大的太阳能多晶硅片生产企业。工厂坐落于江西省新余市经济开发区，专注于太阳能多晶硅铸锭及多晶硅片研发、生产、销售为一体的高新技术光伏企业，拥有国际最先进的生产技术和设备。公司注册资金11095万美元，总投资近3亿美元。2006年4月份投产， 7月份产能达到100兆瓦，8月份入选“RED HERRING亚洲百强企业”，10月份产能达到200兆瓦，被国际专业人士称为“LDK速度奇迹”。荣获“2006年中国新材料产业最具成长性企业”称号。 目前公司正致力于发展成为一个“世界级光伏企业”。 2007年6月1日，赛维LDK成功在美国纽约证交所上市，成为中国企业历史上在美国单一发行最大的一次IPO；赛维LDK是江西省企业有史以来第一次在美国上市的企业，是中国新能源领域最大的一次IPO。 该公司1.5万吨硅料项目近日已在江西省新余市正式启动，该项目总固定资产投资120亿元以上，预计将成为目前全球太阳能领域单个投资额最多、产能设计规模最大的项目之一。 据悉，该项目计划首期在2008年底前建成投产，形成6000吨太阳能级硅料的年生产能力；2009年项目全部建成投产后，将形成1.5万吨产能，从而使该公司成为世界主要的太阳能多晶硅原料生产企业。

[编辑本段]多晶硅产业发展预测

高纯多晶硅是电子工业和太阳能光伏产业的基础原料，在未来的50年里，还不可能有其他材料能够替代硅材料而成为电子和光伏产业主要原材料。 随着信息技术和太阳能产业的飞速发展，全球对多晶硅的需求增长迅猛，市场供不应求。世界多晶硅的产量2005年为28750吨，其中半导体级为20250吨，太阳能级为8500吨。半导体级需求量约为19000吨，略有过剩；太阳能级的需求量为15600吨，供不应求。近年来，全球太阳能电池产量快速增加，直接拉动了多晶硅需求的迅猛增长。全球多晶硅由供过于求转向供不应求。受此影响，作为太阳能电池主要原料的多晶硅价格快速上涨。 中国多晶硅工业起步于20世纪50年代，60年代中期实现了产业化，到70年代，生产厂家曾经发展到20多家。但由于工艺技术落后，环境污染严重，消耗大，成本高等原因，绝大部分企业亏损而相继停产或转产。到目前为止，国内有多晶硅生产条件的单位有洛阳中硅高科技有限公司、峨嵋半导体材料厂（所）、四川新光硅业科技有限责任公司3家企业。 中国集成电路和太阳能电池对多晶硅的需求快速增长，2005年集成电路产业需要电子级多晶硅约1000吨，太阳能电池需要多晶硅约1400吨；到2010年，中国电子级多晶硅年需求量将达到约2000吨，光伏级多晶硅年需求量将达到约4200吨。而中国多晶硅的自主供货存在着严重的缺口，95%以上多晶硅材料需要进口，供应长期受制于人，再加上价格的暴涨，已经危及到多晶硅下游众多企业的发展，成为制约中国信息产业和光伏产业产业发展的瓶颈问题。 由于多晶硅需求量继续加大，在市场缺口加大、价格不断上扬的刺激下，国内涌现出一股搭上多晶硅项目的热潮。多晶硅项目的投资热潮，可以说是太阳能电池市场迅猛发展的必然结果，但中国硅材料产业一定要慎重发展，不能一哄而上；关键是要掌握核心技术，否则将难以摆脱受制于人的局面。 作为高科技产业，利用硅矿开发多晶硅，产业耗能大，电力需求高。目前电价已成为中国大多数硅矿企业亟待突破的瓶颈之一。因此中国大力发展多晶硅产业，亟需在条件成熟的地方制定电价优惠政策，降低成本。 由于需求增加快速，但供给成长有限，预估多晶硅料源的供应2007年将是最严重缺乏的一年，预计到2009年，全世界多晶硅的年需求量将达到6.5万吨。在未来的3至5年间，也就是在中国的“十一五”期间，将是中国多晶硅产业快速发展的黄金时期。

[编辑本段]多晶硅行业发展的主要问题

同国际先进水平相比，国内多晶硅生产企业在产业化方面的差距主要表现在以下几个方面： 1、产能低，供需矛盾突出。2005年中国太阳能用单晶硅企业开工率在20％－30％，半导体用单 晶硅企业开工率在80％－90％，无法实现满负荷生产，多晶硅技术和市场仍牢牢掌握在美、日、德国的少数几个生产厂商中，严重制约我国产业发展。 2、生产规模小、现在公认的最小经济规模为1000吨/年，最佳经济规模在2500吨/年，而我国现阶段多晶硅生产企业离此规模仍有较大的距离。 3、工艺设备落后，同类产品物料和电力消耗过大，三废问题多，与国际水平相比，国内多晶硅生产物耗能耗高出1倍以上，产品成本缺乏竞争力。 4、千吨级工艺和设备技术的可靠性、先进性、成熟性以及各子系统的相互匹配性都有待生产运行验证，并需要进一步完善和改进。 5、国内多晶硅生产企业技术创新能力不强，基础研究资金投入太少，尤其是非标设备的研发制造能力差。 6、地方政府和企业项目投资多晶硅项目，存在低水平重复建设的隐忧。 7·产生大量污染。

[编辑本段]多晶硅行业发展的对策与建议

1、发展壮大我国多晶硅产业的市场条件已经基本具备、时机已经成熟，国家相关部门加大对多晶硅产业技术研发，科技创新、工艺完善、项目建设的支持力度，抓住有利时机发展壮大我国的多晶硅产业。 2、支持最具条件的改良西门子法共性技术的实施，加快突破千吨级多晶硅产业化关键技术，形成从材料生产工艺、装备、自动控制、回收循环利用的多晶硅产业化生产线，材料性能接近国际同类产品指标；建成节能、低耗、环保、循环、经济的多晶硅材料生产体系，提高我们多晶硅在国际上的竞争力。 3、依托高校以及研究院所，加强新一代低成本工艺技术基础性及前瞻性研究，建立低成本太阳能及多晶硅研究开发的知识及技术创新体系，获得具有自主知识产权的生产工艺和技术。 4、政府主管部门加强宏观调控与行业管理，避免低水平项目的重复投资建设，保证产业的有序、可持续发展。

中文别名：硅单晶 英文名： Monocrystalline silicon 分子式： Si 分子量：28.086 CAS 号：7440-21-3 单晶硅是一种比较活泼的非金属元素，是晶体材料的重要组成部分，处于新材料发展的前沿。其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等。由于太阳能具有清洁、环保、方便等诸多优势，近三十年来，太阳能利用技术在研究开发、商业化生产、市场开拓方面都获得了长足发展，成为世界快速、稳定发展的新兴产业之一。

[编辑本段]发展现状

单晶硅建设项目具有巨大的市场和广阔的发展空间。在地壳中含量达25.8%的硅元素，为单晶硅的生产提供了取之不尽的源泉。 近年来，各种晶体材料，特别是以单晶硅为代表的高科技附加值材料及其相关高技术产业的发展，成为当代信息技术产业的支柱，并使信息产业成为全球经济发展中增长最快的先导产业。单晶硅作为一种极具潜能，亟待开发利用的高科技资源，正引起越来越多的关注和重视。 与此同时，鉴于常规能源供给的有限性和环保压力的增加，世界上许多国家正掀起开发利用太阳能的热潮并成为各国制定可持续发展战略斩重要内容。 在跨入21世纪门槛后，世界大多数国家踊跃参与以至在全球范围掀起了太阳能开发利用的“绿色能源热”，一个广泛的大规模的利用太阳能的时代正在来临，太阳能级单晶硅产品也将因此炙手可热。 此外，包括我国在内的各国政府也出台了一系列“阳光产业”的优惠政策，给予相关行业重点扶持，单晶硅产业呈现出美好的发展前景。

[编辑本段]半导体

非晶硅是一种直接能带半导体，它的结构内部有许多所谓的“悬键”，也就是没有和周围的硅原子成键的电子，这些电子在电场作用下就可以产生电流，并不需要声子的帮助，因而非晶硅可以做得很薄，还有制作成本低的优点．

[编辑本段]物理特性

硅是地球上储藏最丰富的材料之一，从19世纪科学家们发现了晶体硅的半导体特性后，它几乎改变了一切，甚至人类的思维。直到上世纪60年代开始，硅材料就取代了原有锗材料。硅材料――因其具有耐高温和抗辐射性能较好，特别适宜制作大功率器件的特性而成为应用最多的一种半导体材料，目前的集成电路半导体器件大多数是用硅材料制造的。 硅的单晶体。具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999％，甚至达到99.9999999％以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。 单晶硅熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。单晶硅具有准金属的物理性质，有较弱的导电性，其电导率随温度的升高而增加，有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体。在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成p型硅半导体；如掺入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高导电程度，形成n型硅半导体。单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。

[编辑本段]主要用途

单晶硅主要用于制作半导体元件。 用途： 是制造半导体硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等 现在，我们的生活中处处可见“硅”的身影和作用，晶体硅太阳能电池是近15年来形成产业化最快的。 熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。 单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。 单晶硅棒是生产单晶硅片的原材料，随着国内和国际市场对单晶硅片需求量的快速增加，单晶硅棒的市场需求也呈快速增长的趋势。 单晶硅圆片按其直径分为6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直径越大的圆片，所能刻制的集成电路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。单晶硅按晶体伸长方法的不同，分为直拉法（CZ）、区熔法（FZ）和外延法。直拉法、区熔法伸长单晶硅棒材，外延法伸长单晶硅薄膜。直拉法伸长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。目前晶体直径可控制在Φ3~8英寸。区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域，广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品。目前晶体直径可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成电路领域。 由于成本和性能的原因，直拉法（CZ）单晶硅材料应用最广。在IC工业中所用的材料主要是CZ抛光片和外延片。存储器电路通常使用CZ抛光片，因成本较低。逻辑电路一般使用价格较高的外延片，因其在IC制造中有更好的适用性并具有消除Latch－up的能力。 硅片直径越大，技术要求越高，越有市场前景，价值也就越高。

[编辑本段]研究趋势

日本、美国和德国是主要的硅材料生产国。中国硅材料工业与日本同时起步，但总体而言，生产技术水平仍然相对较低，而且大部分为2.5、3、4、5英寸硅锭和小直径硅片。中国消耗的大部分集成电路及其硅片仍然依赖进口。但我国科技人员正迎头赶上，于1998年成功地制造出了12英寸单晶硅，标志着我国单晶硅生产进入了新的发展时期。目前，全世界单晶硅的产能为1万吨/年，年消耗量约为6000吨～7000吨。未来几年中，世界单晶硅材料发展将呈现以下发展趋势：

1、微型化

随着半导体材料技术的发展，对硅片的规格和质量也提出更高的要求，适合微细加工的大直径硅片在市场中的需求比例将日益加大。目前，硅片主流产品是200mm，逐渐向300mm过渡，研制水平达到400mm～450mm。据统计，200mm硅片的全球用量占60%左右，150mm占20%左右，其余占20%左右。Gartner发布的对硅片需求的5年预测表明，全球300mm硅片将从2000年的1.3%增加到2006年的21.1%。日、美、韩等国家都已经在1999年开始逐步扩大300mm硅片产量。据不完全统计，全球目前已建、在建和计划建的300mm硅器件生产线约有40余条，主要分布在美国和我国台湾等，仅我国台湾就有20多条生产线，其次是日、韩、新及欧洲。%P 世界半导体设备及材料协会（SEMI）的调查显示，2004年和2005年，在所有的硅片生产设备中，投资在300mm生产线上的比例将分别为55%和62%，投资额也分别达到130.3亿美元和184.1亿美元，发展十分迅猛。而在1996年时，这一比重还仅仅是零。

2、国际化，集团化，集中化

研发及建厂成本的日渐增高，加上现有行销与品牌的优势，使得硅材料产业形成“大者恒大”的局面，少数集约化的大型集团公司垄断材料市场。上世纪90年代末，日本、德国和韩国（主要是日、德两国）资本控制的8大硅片公司的销量占世界硅片销量的90%以上。根据SEMI提供的2002年世界硅材料生产商的市场份额显示，Shinetsu、SUMCO、Wacker、MEMC、Komatsu等5家公司占市场总额的比重达到89%，垄断地位已经形成。

3、硅基材料

随着光电子和通信产业的发展，硅基材料成为硅材料工业发展的重要方向。硅基材料是在常规硅材料上制作的，是常规硅材料的发展和延续，其器件工艺与硅工艺相容。主要的硅基材料包括SOI（绝缘体上硅）、GeSi和应力硅。目前SOI技术已开始在世界上被广泛使用，SOI材料约占整个半导体材料市场的30%左右，预计到2010年将占到50%左右的市场。Soitec公司（世界最大的SOI生产商）的2000年～2010年SOI市场预测以及2005年各尺寸SOI硅片比重预测了产业的发展前景。

4、硅片制造技术进一步升级

半导体,芯片,集成电路,设计,版图,芯片,制造,工艺目前世界普遍采用先进的切、磨、抛和洁净封装工艺，使制片技术取得明显进展。在日本，Φ200mm硅片已有50%采用线切割机进行切片，不但能提高硅片质量，而且可使切割损失减少10%。日本大型半导体厂家已经向300mm硅片转型，并向0.13μm以下的微细化发展。另外，最新尖端技术的导入，SOI等高功能晶片的试制开发也进入批量生产阶段。对此，硅片生产厂家也增加了对300mm硅片的设备投资，针对设计规则的进一步微细化，还开发了高平坦度硅片和无缺陷硅片等，并对设备进行了改进。 硅是地壳中赋存最高的固态元素，其含量为地壳的四分之一，但在自然界不存在单体硅，多呈氧化物或硅酸盐状态。硅的原子价主要为4价，其次为2价；在常温下它的化学性质稳定，不溶于单一的强酸，易溶于碱；在高温下化学性质活泼，能与许多元素化合。 硅材料资源丰富，又是无毒的单质半导体材料，较易制作大直径无位错低微缺陷单晶。晶体力学性能优越，易于实现产业化，仍将成为半导体的主体材料。 多晶硅材料是以工业硅为原料经一系列的物理化学反应提纯后达到一定纯度的电子材料，是硅产品产业链中的一个极为重要的中间产品，是制造硅抛光片、太阳能电池及高纯硅制品的主要原料，是信息产业和新能源产业最基础的原材料。

[编辑本段]单晶硅市场发展概况

2007年，中国市场上有各类硅单晶生长设备1500余台，分布在70余家生产企业。2007年5月24日，国家“863”计划超大规模集成电路（IC）配套材料重大专项总体组在北京组织专家对西安理工大学和北京有色金属研究总院承担的“TDR-150型单晶炉（12英寸MCZ综合系统）”完成了验收。这标志着拥有自主知识产权的大尺寸集成电路与太阳能用硅单晶生长设备，在我国首次研制成功。这项产品使中国能够开发具有自主知识产权的关键制造技术与单晶炉生产设备，填补了国内空白，初步改变了在晶体生长设备领域研发制造受制于人的局面。 硅材料市场前景广阔，中国硅单晶的产量、销售收入近几年递增较快，以中小尺寸为主的硅片生产已成为国际公认的事实，为世界和中国集成电路、半导体分立器件和光伏太阳能电池产业的发展做出了较大的贡献。[1]

中文别名：硅单晶

英文名： Monocrystalline silicon

分子式： Si

分子量：28.086

CAS 号：7440-21-3

硅是地球上储藏最丰富的材料之一，从19世纪科学家们发现了晶体硅的半导体特性后，它几乎改变了一切，甚至人类的思维。直到上世纪60年代开始，硅材料就取代了原有锗材料。硅材料――因其具有耐高温和抗辐射性能较好，特别适宜制作大功率器件的特性而成为应用最多的一种半导体材料，目前的集成电路半导体器件大多数是用硅材料制造的。

硅的单晶体。具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999％，甚至达到99.9999999％以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。

单晶硅熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。单晶硅具有准金属的物理性质，有较弱的导电性，其电导率随温度的升高而增加，有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体。在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成p型硅半导体；如掺入微量的ⅤA族元素，如磷或砷也可提高导电程度，形成n型硅半导体。单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。

单晶硅主要用于制作半导体元件。

用途： 是制造半导体硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等

现在，我们的生活中处处可见“硅”的身影和作用，晶体硅太阳能电池是近15年来形成产业化最快的。

熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。

单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。

单晶硅棒是生产单晶硅片的原材料，随着国内和国际市场对单晶硅片需求量的快速增加，单晶硅棒的市场需求也呈快速增长的趋势。

单晶硅圆片按其直径分为6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直径越大的圆片，所能刻制的集成电路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。单晶硅按晶体伸长方法的不同，分为直拉法（CZ）、区熔法（FZ）和外延法。直拉法、区熔法伸长单晶硅棒材，外延法伸长单晶硅薄膜。直拉法伸长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。目前晶体直径可控制在Φ3~8英寸。区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域，广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品。目前晶体直径可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成电路领域。

由于成本和性能的原因，直拉法（CZ）单晶硅材料应用最广。在IC工业中所用的材料主要是CZ抛光片和外延片。存储器电路通常使用CZ抛光片，因成本较低。逻辑电路一般使用价格较高的外延片，因其在IC制造中有更好的适用性并具有消除Latch－up的能力。

硅片直径越大，技术要求越高，越有市场前景，价值也就越高。

日本、美国和德国是主要的硅材料生产国。中国硅材料工业与日本同时起步，但总体而言，生产技术水平仍然相对较低，而且大部分为2.5、3、4、5英寸硅锭和小直径硅片。中国消耗的大部分集成电路及其硅片仍然依赖进口。但我国科技人员正迎头赶上，于1998年成功地制造出了12英寸单晶硅，标志着我国单晶硅生产进入了新的发展时期。目前，全世界单晶硅的产能为1万吨/年，年消耗量约为6000吨～7000吨。未来几年中，世界单晶硅材料发展将呈现以下发展趋势：

1，单晶硅产品向300mm过渡，大直径化趋势明显：

随着半导体材料技术的发展，对硅片的规格和质量也提出更高的要求，适合微细加工的大直径硅片在市场中的需求比例将日益加大。目前，硅片主流产品是200mm，逐渐向300mm过渡，研制水平达到400mm～450mm。据统计，200mm硅片的全球用量占60%左右，150mm占20%左右，其余占20%左右。Gartner发布的对硅片需求的5年预测表明，全球300mm硅片将从2000年的1.3%增加到2006年的21.1%。日、美、韩等国家都已经在1999年开始逐步扩大300mm硅片产量。据不完全统计，全球目前已建、在建和计划建的300mm硅器件生产线约有40余条，主要分布在美国和我国台湾等，仅我国台湾就有20多条生产线，其次是日、韩、新及欧洲。%P

世界半导体设备及材料协会（SEMI）的调查显示，2004年和2005年，在所有的硅片生产设备中，投资在300mm生产线上的比例将分别为55%和62%，投资额也分别达到130.3亿美元和184.1亿美元，发展十分迅猛。而在1996年时，这一比重还仅仅是零。

2、硅材料工业发展日趋国际化，集团化，生产高度集中：

研发及建厂成本的日渐增高，加上现有行销与品牌的优势，使得硅材料产业形成“大者恒大”的局面，少数集约化的大型集团公司垄断材料市场。上世纪90年代末，日本、德国和韩国（主要是日、德两国）资本控制的8大硅片公司的销量占世界硅片销量的90%以上。根据SEMI提供的2002年世界硅材料生产商的市场份额显示，Shinetsu、SUMCO、Wacker、MEMC、Komatsu等5家公司占市场总额的比重达到89%，垄断地位已经形成。

3、硅基材料成为硅材料工业发展的重要方向：

随着光电子和通信产业的发展，硅基材料成为硅材料工业发展的重要方向。硅基材料是在常规硅材料上制作的，是常规硅材料的发展和延续，其器件工艺与硅工艺相容。主要的硅基材料包括SOI（绝缘体上硅）、GeSi和应力硅。目前SOI技术已开始在世界上被广泛使用，SOI材料约占整个半导体材料市场的30%左右，预计到2010年将占到50%左右的市场。Soitec公司（世界最大的SOI生产商）的2000年～2010年SOI市场预测以及2005年各尺寸SOI硅片比重预测了产业的发展前景。

4、硅片制造技术进一步升级：半导体,芯片,集成电路,设计,版图,芯片,制造,工艺目前世界普遍采用先进的切、磨、抛和洁净封装工艺，使制片技术取得明显进展。在日本，Φ200mm硅片已有50%采用线切割机进行切片，不但能提高硅片质量，而且可使切割损失减少10%。日本大型半导体厂家已经向300mm硅片转型，并向0.13μm以下的微细化发展。另外，最新尖端技术的导入，SOI等高功能晶片的试制开发也进入批量生产阶段。对此，硅片生产厂家也增加了对300mm硅片的设备投资，针对设计规则的进一步微细化，还开发了高平坦度硅片和无缺陷硅片等，并对设备进行了改进。

硅是地壳中赋存最高的固态元素，其含量为地壳的四分之一，但在自然界不存在单体硅，多呈氧化物或硅酸盐状态。硅的原子价主要为4价，其次为2价；在常温下它的化学性质稳定，不溶于单一的强酸，易溶于碱；在高温下化学性质活泼，能与许多元素化合。

硅材料资源丰富，又是无毒的单质半导体材料，较易制作大直径无位错低微缺陷单晶。晶体力学性能优越，易于实现产业化，仍将成为半导体的主体材料。

多晶硅材料是以工业硅为原料经一系列的物理化学反应提纯后达到一定纯度的电子材料，是硅产品产业链中的一个极为重要的中间产品，是制造硅抛光片、太阳能电池及高纯硅制品的主要原料，是信息产业和新能源产业最基础的原材料。

[编辑本段]单晶硅市场发展概况

2007年，中国市场上有各类硅单晶生长设备1500余台，分布在70余家生产企业。2007年5月24日，国家“863”计划超大规模集成电路（IC）配套材料重大专项总体组在北京组织专家对西安理工大学和北京有色金属研究总院承担的“TDR-150型单晶炉（12英寸MCZ综合系统）”完成了验收。这标志着拥有自主知识产权的大尺寸集成电路与太阳能用硅单晶生长设备，在我国首次研制成功。这项产品使中国能够开发具有自主知识产权的关键制造技术与单晶炉生产设备，填补了国内空白，初步改变了在晶体生长设备领域研发制造受制于人的局面。

硅材料市场前景广阔，中国硅单晶的产量、销售收入近几年递增较快，以中小尺寸为主的硅片生产已成为国际公认的事实，为世界和中国集成电路、半导体分立器件和光伏太阳能电池产业的发展做出了较大的贡献。

化学成份摘要编号

元素 符号 CAS编号 铝 Al 7429-90-5 锑三氧化物 Sb203 1309-64-4 溴 Br 10097-32-2 铜 Cu 7440-50-8 环氧 n/a n/a 金 Au 7440-57-5 铁 Fe 7439-89-6 铅 Pb 7439-92-1 镁 Mg 7439-95-4 镍 Ni 7440-02-0 磷 P 7723-14-0 树脂 n/a n/a 硅氧化物 Si02 14808-60-7 硅 Si 7440-21-3 银 Ag 7440-22-4 锡 Sn 7440-31-5 锌 Zn 7440-66-6

CAS编号详解

CAS: chemical abstract service Register number. 本文来自:博研联盟论坛

查询的网站有好多，一般使用google，输入物质名 和CAS就行了。 本文来自:博研联盟论坛

http://webbook.nist.gov/chemistry/cas-ser.html 本文来自:博研联盟论坛

http://ptcl.chem.ox.ac.uk/MSDS/ 本文来自:博研联盟论坛

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美国化学摘要服务社( Chemical Abstracts Service) 本文来自:博研联盟论坛

CAS 是一个由科学家组成的团队，它为科学研究和探索创造并提供最完整有效的数字信息环境。 本文来自:博研联盟论坛

如何利用化学命名/分子式/结构式来检索化学文献 本文来自:博研联盟论坛

(Searching Chemical Literature：by Chemical Name/Molecular Formula/Chemical Structure) 本文来自:博研联盟论坛

Abstracts 本文来自:博研联盟论坛

STN International is the online scientific and technical information network dedicated to meeting the information needs of scientists and information professionals throughout the world. The REGISTRY file of the STN database is a chemical dictionary and structure database that contains unique substance records identified by CAS. Records contain CAS Registry Numbers, chemical name, molecular formulas and structure diagrams, all of which are searchable. STN Express is an advanced front-end software package that works with your personal computer to provide streamlined searching of databases on STN. It will guide you through efficient online searches and enable you need more quickly and easily than ever before. 本文来自:博研联盟论坛

一、 前言 本文来自:博研联盟论坛

享有『世界化学文献之钥』美名的化学摘要，它是由美国化学摘要服务社( Chemical Abstracts Service, CAS)所出版的，其在化学化工文献上的贡献地位是不容忽视的。同时CAS也因应潮流所需，另外研发了一套STN线上检索系统，这套检索系统包括了200多种型型色色的数据库，在众多的数据库中，其最大的卖点在于它有一个独门的数据库—REGISTRY FILE，这个数据库的特色就在于它是一个强大的化学字典数据库，它可以利用化学命名、化学分子式和化学结构式来检索化学领域相关的资料，若再配合STN线上其它的数据库，则不论寻找参考文献、专利、化学物质物化性、化学物质注册或商情资料都能无往不利。 本文来自:博研联盟论坛

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二、 关于REGISTRY FILE 本文来自:博研联盟论坛

由CAS所研发出的STN线上检索系统中，REGISTRY FILE为其最独特的数据库，而其特色在于它具有化学字典功能的特性，为一含以化学物质来辨识进而收集资料的数据库。REGISTRY FILE收录了1,600万的化学物质，其中包含了2,000万以上的化学品名称，同时它可以以化学名称、化学分子式或结构式来检索资料，它更提供了一强有力的化学物质登录号(CAS Registry number, CAS RNs)，以做为查询复杂化学物质的独特且具权威的入门。先来介绍什么是CAS RNs，它对化学物质而言，好象是化学物质的身份证字号一样，为唯一且特定的一种编号，每一种化合物都可能有很多种不同的命名，以一般IUPAC命名的4,4’-sulfonyldianiline为例、它的商品名为Avlosulfon、而它的实验名为NSC 6091、进而CA索引命名为Benzenamine,4,4’-sulfonyl bis- 、至于其它的命名又如：1,1’-sulfonylbis［4-aminobenzene］等，在如此繁多的命名中，若以单一的命名来查询资料，势必会造成资料收集不全的困扰，但以这个例子来看，其化学物质登录号为【80-08-0】，以这唯一的信息来检索资料，可节省许多精力与时间，同时资料也会收集较齐全。而CAS RNs不仅只出现在由CAS出版的书籍或数据库中，至于其它的出版品或数据库，也都采用CAS RNs来标明化学物质，如Merck Index、Aldrich Catalog、Chem Sources、Dictionary of Organic/Inorganic Compounds和期刊Angewandte Chemie等。同时目前进出口海关化学物品时，也会要求要具备化学物质登录号的资料，由此可明显看出其重要性了。 本文来自:博研联盟论坛

让我们先来了解什么叫做CAS RNs—化学物质登录号，它是以最多九个数字并分三群来作编排，外面以【】表示，其数字的型式为【aaaabb-bb-b】，数字b的部份是固定存在的，也就是说最前面部份最少必须有二码、最多可高达六码。这里的数字大小可以看出一个化学物质被收录的新旧，原则上，RNs的数字愈大，表示这化学物质为新的化合物。这里也有一个方法可以用来检查CAS RNs的正确性： 本文来自:博研联盟论坛

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其中： 本文来自:博研联盟论坛

N:CAS RNs除了检查号码之外，其它数字由右至左输入。 本文来自:博研联盟论坛

R:为检查号码 本文来自:博研联盟论坛

例如：【7732-18-5】 本文来自:博研联盟论坛

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下面为REGISTRY FILE所提供资料之格式： 本文来自:博研联盟论坛

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三、 利用化学命名来检索资料 本文来自:博研联盟论坛

若有一完整的化合物名称，我们可以利用命名来检索资料，下面有个例子为寻找有关合成5-CHLOROBENZOTRIAZOLE化合物的专利文献： 本文来自:博研联盟论坛

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 FILE REGISTRY 本文来自:博研联盟论坛

 E 5-CHLOROBENZOTRIAZOLE/CN 本文来自:博研联盟论坛

E1 1 5-CHLOROBENZOTHIOPHENE-2-CARBOXALDEHYDE/CN 本文来自:博研联盟论坛

E2 1 5-CHLOROBENZOTHIOPHENE-2-METHANOL/CN 本文来自:博研联盟论坛

E3 1 -->5-CHLOROBENZOTRIAZOLE/CN 本文来自:博研联盟论坛

E4 1 5-CHLOROBENZOXAZOLE/CN 本文来自:博研联盟论坛

E5 1 5-CHLOROBENZOXAZOLE-2-CARBOXALDEHYDE/CN 本文来自:博研联盟论坛

E6 1 5-CHLOROBENZOXAZOLIDONE/CN 本文来自:博研联盟论坛

E7 1 5-CHLOROBENZOXAZOLONE/CN 本文来自:博研联盟论坛

E8 1 5-CHLOROBICYCLO(2.2.1)HEPT-2-ENE/CN 本文来自:博研联盟论坛

E9 1 5-CHLOROBICYCLO(2.2.1)HEPT-2-ENE POLYMER/CN 本文来自:博研联盟论坛

E10 1 5-CHLOROBICYCLO(3.2.0)HEPT-2-ENE/CN 本文来自:博研联盟论坛

E11 1 5-CHLOROBIS(1,5-CYCLOOCTADIENE)DIIRIDIUM/CN 本文来自:博研联盟论坛

E12 1 5-CHLOROCALICENE/CN 本文来自:博研联盟论坛

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=>S E3 本文来自:博研联盟论坛

L1 1 5-CHLOROBENZOTRIAZOLE/CN 本文来自:博研联盟论坛

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 FILE CAPLUS 本文来自:博研联盟论坛

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 S L1/P 本文来自:博研联盟论坛

L2 11 L1/P 本文来自:博研联盟论坛

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=>S L2 AND P/DT 本文来自:博研联盟论坛

2394686 P/DT 本文来自:博研联盟论坛

L3 5 L2 AND P/DT 本文来自:博研联盟论坛

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=>D L3 BIB ABS 1 本文来自:博研联盟论坛

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L3 ANSWER 1 OF 5 CAPLUS COPYRIGHT 1998 ACS 本文来自:博研联盟论坛

AN 1989:457739 CAPLUS 本文来自:博研联盟论坛

DN 111:57739 本文来自:博研联盟论坛

TI Preparation of benzotriazoles by catalytic dehydroxylation of 本文来自:博研联盟论坛

1-hydroxybenzotriazoles 本文来自:博研联盟论坛

IN Hayashi, HiroyasuMaekawa, Tsukasa 本文来自:博研联盟论坛

PA Otsuka Chemical Co., Ltd., Japan 本文来自:博研联盟论坛

SO Jpn. Kokai Tokkyo Koho, 6 pp. 本文来自:博研联盟论坛

CODEN: JKXXAF 本文来自:博研联盟论坛

PI JP 01019073 A2 19890123 Heisei 本文来自:博研联盟论坛

AI JP 87-175406 19870714 本文来自:博研联盟论坛

DT Patent 本文来自:博研联盟论坛

LA Japanese 本文来自:博研联盟论坛

AB Benzotriazoles I (R = HR1 - R4 = H, halo, stable group in reaction 本文来自:博研联盟论坛

solvents) (II) free of byproduct amines as colored matters, useful 本文来自:博研联盟论坛

as anticorrosives and stabilizers for polymers (no data) are prepd. 本文来自:博研联盟论坛

in high yields by treatment of 1-hydroxybenzotriazoles I (R = OH) 本文来自:博研联盟论坛

(III) or their salts with Pb (compds.) in acidic medium optionally 本文来自:博研联盟论坛

in the presence of metals, whose ionization tendency are larger than 本文来自:博研联盟论坛

Pb. A mixt. of 1-hydroxybenzotriazole, Pb, Al, and H2O was stirred 本文来自:博研联盟论坛

at 100.degree. under dropwise addn. of an aq. HCl soln. over 2 h, 本文来自:博研联盟论坛

the reaction mixt. was further stirred for 5 h to give 99% 本文来自:博研联盟论坛

benzotriazole, vs. 64% for a control without addn. of Pb. 本文来自:博研联盟论坛

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四、 利用化学分子式来检索资料 本文来自:博研联盟论坛

可以利用分子式来检索化合物资料的数据库并不多，但REGISRTY FILE可以以很简单的步骤来完成资料的收集。其中所检索的分子式排列需符合Hill System Order的要求，这里先来介绍Hill System Order的规则： 本文来自:博研联盟论坛

I. 针对单一化合物： 本文来自:博研联盟论坛

1. 若化合物不含C元素：各元素依其英文字母顺序来排列检索，如：H2SO4 →以H2O4S排列来检索。 本文来自:博研联盟论坛

2. 若化合物含C元素：先排C元素、再排H元素、其它元素则再依其英文字母顺序来排列检索，如：C9H8CL4N8O。 本文来自:博研联盟论坛

II. 针对多重组成化合物： 本文来自:博研联盟论坛

1. 组成物中一组成含C元素、另一组成不含C元素：将含C元素的组成先排列，再排列不含C元素的组成。而每组各元素的排列则同前I-1和I-2之规则来排列，如：C4H8N2O4.H2O。 本文来自:博研联盟论坛

2. 组成物中各组成均含C元素：先依各组中C元素的数目来决定，先排C元素多的组成，次之再排C元素少的组成；若各组成C元素的数目皆相同时，则依各组成的H元素来决定排列优先级；若各组的C、H元素也都相同时，再依各组的其它元素中第一个元素的字母顺序来决定排列优先级。而每组各元素的排列原则可依前I-1和I-2规则来排列，如：C2H4CL2.C2H4F2.C2CLF5.CHCLF2。 本文来自:博研联盟论坛

3. 多重组成物为高分子时：若为homopolymers时，元素排列先依I-1和I-2的规则来排列，再在其括符外加上X符号即可，如(C8H8)X；若为copolymers时，各组成的排列先依II-2的规则来排列，再在其括符外加上X符号即可，如(C4H6O2.C2H3CL.C2H3F)X。 本文来自:博研联盟论坛

4. 若为盐类时：为酸性盐类则其分子式中以H取代金属，再以分号把金属元素标示出，如：sodium acetate以C2H4O2.NA表示之；为胺盐类则其分子式中把胺盐中的H元素转移到阴离子上，使化合物以中性表示出，如：trimethylammonium chloride以C3H9N.CLH表示之。 本文来自:博研联盟论坛

在众多的化合物中，由于同分异构物的关系，会造成不同的化合物也会有相同分子式，所以以分子式来检索资料会得到非唯一的结果，这时必须配合化合物的命名来一同检索，以缩小检索结果。下面的例子是利用分子式来检索资料，得到三种不同的同分异构化合物，这时只有配合命名来缩小检索结果，这时的命名必须取所要的化合物中与众不同的独特片段名称才可以检索出唯一的化合物。若是利用一个分子式检索出的化合物结果太多时，就不适合再利用分子式检索资料，这时以化合物的结构式来做检索方法才合适。下面例子为利用分子式来查询有关2,5-DINITRO-3,4-DIBROMOTHIOPHENE化合物的资料： 本文来自:博研联盟论坛

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=>FILE REGISTRY 本文来自:博研联盟论坛

=>E C4BR2N2O4S/MF 本文来自:博研联盟论坛

E1 1 C4BR2N2/MF 本文来自:博研联盟论坛

E2 1 C4BR2N2O2/MF 本文来自:博研联盟论坛

E3 3 -->C4BR2N2O4S/MF 本文来自:博研联盟论坛

E4 2 C4BR2N2S/MF 本文来自:博研联盟论坛

E5 2 C4BR2N4NBO4/MF 本文来自:博研联盟论坛

E6 2 C4BR2N4NBS4/MF 本文来自:博研联盟论坛

E7 2 C4BR2N4PT/MF 本文来自:博研联盟论坛

E8 1 C4BR2N4PT.2CH5N3.XH2O.2H/MF 本文来自:博研联盟论坛

E9 2 C4BR2N4PT.2H/MF 本文来自:博研联盟论坛

E10 1 C4BR2N4PT.2H2O.2K/MF 本文来自:博研联盟论坛

E11 1 C4BR2N4PT.2H2O.2NA/MF 本文来自:博研联盟论坛

E12 2 C4BR2N4PT.2K/MF 本文来自:博研联盟论坛

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=>S E3 本文来自:博研联盟论坛

L1 3 C4BR2N2O4S/MF 本文来自:博研联盟论坛

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=>D SCAN 本文来自:博研联盟论坛

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L1 3 ANSWERS REGISTRY COPYRIGHT 1998 ACS 本文来自:博研联盟论坛

IN Thiophene, 2,5-dibromo-3,4-dinitro- (6CI, 7CI, 9CI) 本文来自:博研联盟论坛

MF ***C4 Br2 N2 O4 S*** 本文来自:博研联盟论坛

CI COM 本文来自:博研联盟论坛

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HOW MANY MORE ANSWERS DO YOU WISH TO SCAN? (1):1 本文来自:博研联盟论坛

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L1 3 ANSWERS REGISTRY COPYRIGHT 1998 ACS 本文来自:博研联盟论坛

IN Thiophene, 2,4-dibromo-3,5-dinitro- (7CI) 本文来自:博研联盟论坛

MF ***C4 Br2 N2 O4 S*** 本文来自:博研联盟论坛

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HOW MANY MORE ANSWERS DO YOU WISH TO SCAN? (1):1 本文来自:博研联盟论坛

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L1 3 ANSWERS REGISTRY COPYRIGHT 1998 ACS 本文来自:博研联盟论坛

IN Thiophene, 3,4-dibromo-2,5-dinitro- (6CI, 9CI) 本文来自:博研联盟论坛

MF ***C4 Br2 N2 O4 S*** 本文来自:博研联盟论坛

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ALL ANSWERS HAVE BEEN SCANNED 本文来自:博研联盟论坛

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=>S L1 AND 2,5-DIBROMO 本文来自:博研联盟论坛

357803 2,5 本文来自:博研联盟论坛

109536 DIBROMO 本文来自:博研联盟论坛

2724 2,5-DIBROMO 本文来自:博研联盟论坛

(2,5(W)DIBROMO) 本文来自:博研联盟论坛

L2 1 L1 AND 2,5-DIBROMO 本文来自:博研联盟论坛

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=>D L2 IDE 本文来自:博研联盟论坛

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L2 ANSWER 1 OF 1 REGISTRY COPYRIGHT 1998 ACS 本文来自:博研联盟论坛

RN 52431-30-8 REGISTRY 本文来自:博研联盟论坛

CN ***Thiophene, 2,5-dibromo-3,4-dinitro- (6CI, 7CI, 9CI)*** (CA 本文来自:博研联盟论坛

INDEX NAME) 本文来自:博研联盟论坛

OTHER NAMES: 本文来自:博研联盟论坛

CN ***2,5-Dibromo-3,4-dinitrothiophene*** 本文来自:博研联盟论坛

FS 3D CONCORD 本文来自:博研联盟论坛

MF ***C4 Br2 N2 O4 S*** 本文来自:博研联盟论坛

CI COM 本文来自:博研联盟论坛

LC STN Files: BEILSTEIN*, CA, CAOLD, CAPLUS, CHEMCATS, CHEMINFORMRX, 本文来自:博研联盟论坛

CSCHEM, IFICDB, IFIPAT, IFIUDB, SPECINFO, TOXLIT, USPATFULL 本文来自:博研联盟论坛

(*File contains numerically searchable property data) 本文来自:博研联盟论坛

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12 REFERENCES IN FILE CA (1967 TO DATE) 本文来自:博研联盟论坛

12 REFERENCES IN FILE CAPLUS (1967 TO DATE) 本文来自:博研联盟论坛

3 REFERENCES IN FILE CAOLD (PRIOR TO 1967) 本文来自:博研联盟论坛

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五、 利用化学结构式来检索资料 本文来自:博研联盟论坛

STN线上检索系统的软件—STN Express有强大的化学结构绘图功能，它可以在离线的状况下，先画化学结构式进而再上线来检索资料，其中的结构式可以有多样的变化来选择，下面将有讨论。它可以快速同时很准确的找出所要查询的化合物资料，这最适合用在查询新化合物的合成资料，若再配合Markush结构式的检索，则对新化合物合成的专利资料会有非常完整的收集，这是STN线上检索系统非常强大的功能，但所需的检索费用也比较昂贵，这也是检索资料所要考虑的因素。下图为STN Express软件的界面： 本文来自:博研联盟论坛

STN Express画化学结构式的软件有四种不同型式的检索选择，同时其费用如下表所示： 本文来自:博研联盟论坛

检索指令型态 检索出的结果范围 检索费用(美元) 本文来自:博研联盟论坛

EXACT 与所绘的结构完全符合，同时还包括其同位素、立体异构物、单体聚合物、自由基和带电化合物。 39.00 本文来自:博研联盟论坛

FAMILY 含EXACT以外，另包含了其盐类、混合物和其共聚物的化合物 44.50 本文来自:博研联盟论坛

SSS 除了含EXACT和FAMILY以外，还包含了所有其它不同官能基之取代及延伸相关的结构式。 113.50 本文来自:博研联盟论坛

由上表可得知，以化合物的结构式来检索资料的费用是比较昂贵，但它也有它独特的地方，除了特定的(EXACT)结构式的检索外，它还可以配合下面其它比较特殊的功能做进一步的检索： 本文来自:博研联盟论坛

1. 可变异的官能基(Variables)：选用此 功能键，可以以唯一的符号检索包含同类或同族的取代基；其中X表示所有卤素原子、A表示除了氢以外的所有原子、Q表示除了氢和碳以外的所有原子、M表示所有金属原子等、Cb表示碳环状化合物、Hy表示异碳环状化合物、Ak表示直键碳化合物等。 本文来自:博研联盟论坛

2. 不定官能基(G-group)：可以在同一位置上定义多种不同的取代基的检索，所以只要画一次结构即可检索同一主体上有不同的取代基。 本文来自:博研联盟论坛

3. 不定位的取代(Variable Point of Attachment)：对于环状化合物而言，若化合物可能同时有邻-、间-或对-位的取代时，则STN Express软件可在同一结构上找出不同位置的取代的化合物。 本文来自:博研联盟论坛

4. 重复取代基的定义(Defining a Repeating Group)：STN Express软件可定义有相同结构的某一原子或一群原子同时排列在一齐时，可利用其定义功能来检索，其中重复的取代基的数目可从0—20单位皆可。

不锈钢：SUS301 特性： SUS301(17Cr-7Ni)不锈钢经冷加工后可得到高强度。SUS301不锈钢用于铁路车辆、带式输送机、螺栓和螺母、弹簧等。

编辑本段化学成分

●化学成份： SUS301不锈钢

碳 C ：≤0.15 硅 Si：≤1.00 锰 Mn：≤2.00 硫 S ：≤0.030 磷 P ：≤0.035 铬 Cr：16.00～18.00 镍 Ni：6.00～8.00

力学性能

抗拉强度 σb (MPa)：≥520 屈服强度 σ0.2 (MPa)：≥205 伸长率 δ5 (％)：≥40 断面收缩率 ψ (％)：≥60 硬度 ：≤187HB≤90HRB≤200HV

CAS 号码不清楚要不你参考下官方网站：http://www.cas.org/ 不过全是英文的．

（硅36）si-69

硅烷偶联剂KH-845-4/ Si-69 国外相应 牌 号 Si-69（德国德固赛公司), A-1289 (美国GE/OSi公司) 化 学 名 双-（γ-三乙氧基硅基丙基）四硫化物英 文 名 bis-(γ-triethoxysilylpropyl)-tetrasulfide CAS 编号 40372-72-3 分 子 式 C18H42O6Si2S4 结 构 式 分 子 量 539.0 物化性质 本品为略带乙醇气味的黄色至褐色透明液体，密度ρ201.08g/㎝3，折光率n D201.49。溶于低级醇、酮、苯、甲苯、卤代烃等，不溶于水。用 途 本产品是一种在橡塑料行业中得到成功使用的多功能硅烷偶联剂，其应用使橡胶的物理与机械性能得到改善，拉伸强度、抗撕裂强度、耐磨性能等均可以得到明显提高，永久变型得以降低，同时还可以降低胶料粘度、提高加工性能。特别适用于以白炭黑或硅酸盐等为补强剂的硫化橡胶体系，其适用的填料包括白炭黑、滑石粉、粘土、云母粉、陶土等，适用的聚合物包括NR、IR、SBR、BR、NBR、EPDM等。包 装 成品用塑料桶包装，每桶净重25kg、200kg或1000kgIBC，或根据客户要求包装。贮 存 低温、通风、干燥室内避光密封保存。

从材料主要成分上分析应该是：65Mn，因为材质报告是按炉批号成份提供的是确定成份数据，不是范围数据。以下是65Mn国标成份范围供参考：

化学成份

碳 C ：0.62～0.70

硅 Si：0.17～0.37

锰 Mn：0.90～1.20

硫 S ：≤0.035

磷 P ：≤0.035

铬 Cr：≤0.25

镍 Ni：≤0.30

铜 Cu：≤0.25

力学性能

抗拉强度 σb (MPa)：≥980(100)

屈服强度 σs (MPa)：≥784(80)

伸长率 δ10 (％)：≥8

断面收缩率 ψ (％)：≥30

硬度 ：热轧,≤302HB冷拉+热处理,≤321HB

65Mn俗称弹簧钢： 锰提高淬透性，φ12mm的钢材油中可以淬透，表面脱碳倾向比硅钢小，经热处理后的综合力学性能优于碳钢，但有过热敏感性和回火脆性。用作小尺寸各种扁、圆弹簧、座垫弹簧、弹簧发条，也可制作弹簧环、气门簧、离合器簧片、刹车弹簧及冷拔钢丝冷卷螺旋弹簧。 有优良的综合性能，如力学性能(特别是弹性极限、强度极限、屈强比)、抗弹减性能(即抗弹性减退性能，又称抗松弛性能)、疲劳性能、淬透性、物理化学性能(耐热、耐低温、抗氧化、耐腐蚀等)。为了满足上述性能要求，弹簧钢具有优良的冶金质量(高的纯洁度和均匀性)、良好的表面质量(严格控制表面缺陷和脱碳)、精确的外形和尺寸。

35CrMnSi合金钢

35CrMnSi简介：

35CrMnSi钢是低合金超高强度钢，热处理后有好的综合力学性能，高强度，足够的韧性，淬透性，焊接性，加工成型性均较好，但耐蚀性和抗氧化性能低，是低温回火或等温淬火后使用。

35CrMnSi钢是淬透性较好的材质，经适当的热处理后可得到强度、硬度、韧性和疲劳强度较好的综合力学性能，能适应采煤生产较复杂的工况条件。

35CrMnSi化学成分：

碳 C ：0.32～0.39

硅 Si：1.10～1.40

锰 Mn：0.80～1.10

硫 S ：允许残余含量≤0.025

磷 P ：允许残余含量≤0.025

铬 Cr：1.10～1.40

镍 Ni：允许残余含量≤0.030

铜 Cu：允许残余含量≤0.025

35CrMnSi力学性能：

抗拉强度 σb (MPa)：≥1620(165)

屈服强度 σs (MPa)：≥1275(130)

伸长率 δ5 (%)：≥9

断面收缩率 ψ (%)：≥40

冲击功 Akv (J)：≥31

冲击韧性值 αkv (J/cm2)：≥39(4)

35CrMnSi热处理规范：

1)淬火:第一次950℃,第二次890℃,油冷回火230℃,空冷、油冷2)880℃于280～310℃等温淬火

35CrMnSi交货状态：

以热处理（正火、退火或高温回火）或不热处理状态交货，交货状态应在合同中注明。

35CrMnSi用途：

用作在震动负荷下工作的焊接和铆接结构件，如高压鼓风机叶片、阀板及高速高负荷的轴、齿轮、链轮、离合器、轴套、螺栓、螺母等。