2016内存为什么涨价

　内存行业观察者DRAMeXchange集邦科技最新统计结果显示，DRAM协议价已经突破了最近18个月的新高点。进入2017年仅过了一个月，4Gb DDR4内存颗粒的协议价已经从2.837美元上升到3.347美元，涨幅达到了18%！而这仅仅是上游厂商的颗粒原料价，中间的内存控制器、PCB板以及组装成本都在逐渐上涨，可想而知到一条内存成品诞生，其零售价的涨幅会非常的大。

DRAM颗粒严重缺货

涨价，总是离不开市场的供需关系。显然，内存这次涨价，这是主因，DRAM颗粒为什么会缺货呢？

由于内存市场不景气，更新换代迟缓，市场需求不旺盛，目前主要DRAM内存大厂都没有增产计划，而且将主要产能转移生产3D NAND闪存，造成DRAM内存供需短缺。

更新换代 致产能不足

DDR3内存自从2007年服役以来，至今已经走过了8个年头。相比Intel的更新换代步伐来说，内存发展可谓相当缓慢。DDR4在2015年小规模面世，真正大规模铺向市场是2016年。相比于DDR3，DDR4内存大不同，电压、时序、频率都相应变化，连金手指也不同，工厂由DDR3转DDR4内存生产，这势必造成一时产能的压力。

人民币汇率持续走低

内存的DRAM，闪存的NAND都是非常依赖进口，人民币汇率持续走低，以美元为结算的货币体系下，涨价是必然的结果。不光是SSD、内存，几乎全部的数码电子产品今年都一定程度涨价。在DIY领域，包括主板、机箱、显卡等近期都有涨价的趋势或已经开始涨价。

猜想，还有一只无形的手

全球的DRAM内存颗粒市场上，三星、SK海力士、美光已经呈现三分天下的架势，其中三星无论工艺、产能还是占有率都有绝对优势。2014年第一个量产20nm DRAM工艺之后，如今三星再次领跑，已经量产了18nm DRAM。据韩国媒体报道，三星去年已经将70％的DRAM产能转换到20nm，如今又进入了18nm时代，领先优势进一步扩大。相比之下，SK海力士明年初才会量产18nm DRAM，而美光还停留在前往20nm的路上。

内存条上的内存颗粒是由圆晶制成的，而产业链上游圆晶生产厂商将部分圆晶产额转到了手机内存方面，总体产量没有大幅增加而被分走。

所以导致电脑内存条产额下降，进而电脑内存涨价。

内存条：

是CPU可通过总线寻址，并进行读写操作的电脑部件。内存条在个人电脑历史上曾经是主内存的扩展。随着电脑软、硬件技术不断更新的要求，内存条已成为读写内存的整体。我们通常所说电脑内存（RAM）的大小，即是指内存条的总容量。

内存条类型：

FPM内存、EDO内存、SDRAM、DDR SDRAM、RDRAM

内存条涨价短期原因主要有：

半导体产业正经历一场技术升级，闪存需要从2D过度到3D，从而没有钱在DRAM产线投资。

手机产业RAM需求增大，原来都是1G，2G。现在动辄4G，6G。

半导体周期。很多半导体产业呈现强周期性，一阵升，一阵猛降。和国内著名的“猪周期”比较像。现在是上升期。

长期原因就是垄断了，整个市场都被三星、海力士和美光这几家巨头垄断，三家合计市场占有率超过95%！市场垄断必然带来价格垄断。

短期原因过一阵就可以缓解，长期原因就要看中国半导体产业的崛起了。

半导体领域有个著名的“反周期定律”。典型的例子就是三星，它充分利用了存储器行业的强周期特点，依靠政府的输血，在价格下跌、生产过剩、其他企业削减投资的时候，逆势疯狂扩产，通过大规模生产进一步下杀产品价格，从而逼竞争对手退出市场甚至直接破产，从而在价格上升时大赚特赚。三星依靠韩国政府，在很多领域都这样玩，例如LCD，闪存和内存。他们这对搭档这么玩，玩死了很多美国和日本公司。

中国动员能力更强，紫光有发改委背书，目前似乎正在玩“反周期定律”2.0，即更大的投资，更快的崛起。相信很快就能在DRAM占据一席之地，到那时候才是DRAM真正价格下跌的时候。

主要因素包括

1、中高端智能手机以高分辨率为主流，加上双镜头功能，增加内存容量至4-6GB，旗舰机有望配备8GB；

2、服务器市场，需求持续强劲。高端笔记本新机标配从8GB起跳、超薄笔记本及电竞机型需求逆势成长。

3、DIY行业的萧条与移动设备的崛起、

4、火灾和垄断，特别是三星和海事力的转移成本。

内存的涨价最主要的原因是

（1）全球金融危机,欧洲最大的内存制造商qimonda（奇曼达）年初刚破产，全球产量锐减

（2）各大厂商停产ddr2生产线，开始生产ddr3，产量被压缩

（3）大陆海关严打走私～国内供货不足

（4）内存销售商伺机囤积内存～拉高价格～

总结：

供给减少，需求不变（或上升），价格上升

除非内存产量扩大,价格才会下跌~

降价近段时间不太可能，三星把大部分生产链转移到手机及相关产业上了，要等三星的手机行业度过了这次爆炸危机之后才会降价，预计在明年春季左右，夏季之前