光伏电池片车间生产过程中使用的配料对身体有什么危害吗印刷车间应该如何防护

生产过程中产生四氯化硅等有害气体，生产中使用到氢氟酸。氢氧化钠，盐酸等腐蚀性液体。正规的大型生产厂家都会通过技术措施回收废气，但小型硅片厂商就地排放了。

生产每吨硅片可是产生4吨有害物质（这里指完全不采取回收措施）

所以说污染很大

光伏企业生产产品为环保产品（电池片、组件等）所以是环保型企业。

光伏技术在提高电池的转换效率和扩大消费需求方面都出现了明显的进展，从而比以前有了更多的产品选择和应用。新的晶硅光伏电池的替代品已经出现，包括用铸造硅片来代替普通硅棒的切割方法以及薄膜电池（CdTe，CIGS，非晶硅和微晶硅），聚光型光伏电池，镀银电池和连续印制电池等。但是光伏技术方面的进步同样在制造和研发的过程中引发了大量新的化学和物理危害，需要有适当的工程，管理和个人控制防护措施来减小对员工们的潜在危害。 光伏电池的制造和研发，在生产和维修过程中会产生各种各样的与化学品相关的危害人体安全的因素：如接触各种自燃，易燃或有毒气体，包括有硅烷，磷，联氨，氢气，氨水和砷化氢，因为它们的作用是在反应腔体中进行淀积，掺杂，以及进行其他的相关工艺。工人们暴露于化学品中及收到化学品伤害在存储，装卸和运输这些气体的过程中是普遍存在的。由于这些化学品本身的危害性和潜在的灾难性与它们的释放或暴露相关，因此在工程设计阶段必须包括详细的工艺危害分析（PHA）。在美国，储存在设备中的化学物品的类型和数量可能会触及职业安全与卫生署（OSHA）的工艺安全管理标准或者美国环境保护局（USEPA）联邦事故预防（ FedARP ）所要求的规范。工人在用沉积金属(如:砷，镉，铜，铟，镓，硒)切割和在太阳能电池片上划线的过程中可能会吸入该工艺所产生的金属粉尘与空气的混合物。如果没有通过工艺围栏或者通风，适当地加以保护控制，空气中的金属粉尘可能会落在仪器、工件表面及地板上，引起像工人摄入危害物的潜在的交叉污染问题。控制切割及划线过程中粉尘的排放都要求对于工艺有适当的评估，安装围栏及通风控制（如果有需要的话），这样才能确保工人的接触量低于合理的规定值。纳米粒子应用于光伏制造业中，如悬浮在墨水，纳米线及镀银电池里的那些量子点，它是由各种化学品如镉，硅，碲化镉和硒化镉组成。处理原始形式的纳米粒子会导致吸入性和/或肌肤性危害。这些纳米级的粒子可能与同种材料但较大的粒子在属性方面有显著的差异，包括在人体内的流动性，在某些器官内的生物蓄积性和毒理学的反应。在生产制造中，过去常常使用各种腐蚀性化学品来蚀刻和清洁太阳能光伏组件，包括盐酸，氢氟酸，磷酸，和氢氧化钠。适当的通风控制，员工培训，并使用个人防护设备（如手套，护目镜，面罩等）是必要的，以避免吸入气体和/或皮肤接触。在CIS和CIGS （铜，铟，镓，硒）薄膜太阳能电池的生产中，常常采用人工来清洁反应腔体和其他生产设备，导致了暴露于反应腔体内的沉积物和反应残留物的可能性。因此，接触控制，如排气通风管、高效吸尘器的使用及防毒面具是有必要的，以此来尽量减少工人吸入性接触。在光伏的制造和研发的过程中使用了大量的化学物质，其中一些是在有限的毒理性数据下可用或者并没有规定在空气中接触的限值。由于暂时缺乏足够的毒理学数据和职业接触物建议性限值，光伏制造商应采用工程控制，行政惯例和个人防护设备的强有力的结合，以减少工人在生产过程和相关的维护中有害物质的接触量。物理危害的总结除了与化学品相关的危害人体安全的因素外，光伏制造和研发在生产和维护中也存在着大量物理安全因素：维护，清洁，调整和/或设备的修理时会出现暴露于各种危险能源的可能性---电力，液压，机械等等。因此要严格执行有害能源的操作规范和进行良好的培训是至关重要的，以避免潜在的电击，截肢，或压碎受伤。在传送带或其他生产装置上的接触带，轮毂，以及其他旋转设备需要有适当的防范措施，防止生产和维修工人意外接触。必须正确使用手提式电动工具来加工零件和进行预防性维护等等，以避免伤害。人工物料输送及装卸设备等，可能导致严重的扭伤，拉伤和其他肌肉骨骼损伤。可以使用输送系统，起重机和提升设备，托盘推车，推车等，以尽量减少这些伤害。运输工具如铲车，托盘推车，以及其它装卸设备可能会导致撞击性伤害。所以培训操作员，遵守重工业车辆标准和良好的培训是很有必要的。在人行道和常规的工作区域内不能凌乱或者堆放材料物品，往往会导致工人滑倒和受伤，要保持通道的整洁，这也是很容易做到的太阳能光伏技术已经引进了许多新的生产和研发工艺，但也出现了一系列的化学和物理危害，这就需要小心谨慎，使用环境安全及健康的设计办法，做好前期规划，建立一个强有力的设备安装及安全签收的过程，主动地管理重点在发展和支持一个强有力的环境与人的安全的文化，以确保适当地控制在生产工艺和维护过程中出现的化学和物理危害。将环境与人的安全综合纳入企业从设计到产品回收的过程中，将有助于改善员工的士气和忠诚度，减少事故发生，也能为最少的财政开支做出贡献。

（1）三氯甲硅烷中含有Si、H、Cl三种元素属于化合物；

（2）蒸馏可把液体混合物分离，原理是利用混合物各成分的沸点不同；

（3）SiHCl3（粗）和氢气反应，生成高纯硅和氯化氢气体的反应物是SiHCl3（粗）和氢气，生成物是硅和氯化氢，反应条件是1084℃，所以方程式是：

SiHCl3+H2

1084℃  .

Si+3HCl；

（4）上述生产流程中由粗硅到三氯甲硅烷和由三氯甲硅烷到高纯硅是两个相反的过程，因此，这些过程中，H2、HCl可以循环使用；

（5）SiO2是非金属氧化物，而Al2O3是金属氧化物能与酸反应，利用稀盐酸可以将Al2O3反应除去，反应物是盐酸和氧化铝，生成物是氯化铝和水，用观察法配平即可．

故答案是：（1）化合物；（2）沸点；（3）SiHCl3+H2

1084℃  .

Si+3HCl；（4）H2、HCl；（5）Al2O3+6HCl=2AlCl3+3H2O．

光伏刻蚀工序出现污染现象，其污染过程主要集中在电池片和硅片（太阳能电池片的主要原料，泛指多晶和单晶生产）的生产环节，由于对铸锭，硅块切片这块不是很熟，所以只能说下电池片生产这块：目前生产多晶光伏电池片共有5道工序：制绒，扩散，湿法刻蚀，PECVD，印刷烧结测试和分选。每道工序差不多能实现全自动化，只是上片和卸片还需要人工操作。制作过程除了测试和分选，可以说是全有化学反应参与在里面，涉及的化学品大致为：硝酸，氢氟酸，盐酸，硫酸，三氯氧磷，氨气，硅烷，印刷浆料里的有机溶剂，大部分为高危化学品，但由于设备自动化程度较高，无需长时间直接接触，对人员危害并不大，而对环境污染这块，主要的来源是生产过程中产生的废酸和废气的处理，本人比较倾向于按时间来区分。

这个要先科普一下：

一、多晶硅（polycrystalline silicon）有灰色金属光泽，密度2.32~2.34g/cm3。熔点1410℃。沸点2355℃。溶于氢氟酸和硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和盐酸。硬度介于锗和石英之间，室温下质脆，切割时易碎裂。加热至800℃以上即有延性，1300℃时显出明显变形。常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。具有半导体性质，是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业中广泛用于制造半导体收音机、录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化，再经冷凝、精馏、还原而得。

多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面，两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。

多晶硅的生产技术主要为改良西门子法和硅烷法。西门子法通过气相沉积的方式生产柱状多晶硅，为了提高原料利用率和环境友好，在前者的基础上采用了闭环式生产工艺即改良西门子法。该工艺将工业硅粉与HCl反应，加工成SiHCl3 ，再让SiHCl3在H2气氛的还原炉中还原沉积得到多晶硅。还原炉排出的尾气H2、SiHCl3、SiCl4、SiH2Cl2 和HCl经过分离后再循环利用。硅烷法是将硅烷通入以多晶硅晶种作为流化颗粒的流化床中，使硅烷裂解并在晶种上沉积，从而得到颗粒状多晶硅。改良西门子法和硅烷法主要生产电子级晶体硅，也可以生产太阳能级多晶硅。

二、多晶硅是高污染的项目，中国多数多晶硅企业环保不完全达标。生产多晶硅的副产品——四氯化硅是高毒物质。用于倾倒或掩埋四氯化硅的土地将变成不毛之地，草和树都不会在这里生长。它具有潜在的极大危险，不仅有毒，还污染环境，回收成本巨大。

这样解释应该算明白了吧，望采纳。

不反应。

楼上说的不全对，在常温下Si仅和氟气、HF、NaOH等少数物质反映，但在高温下却能和一些非金属和金属反应，就像C在常温下稳定，高温时显还原性相似。典型的例子就是和C反应生成SiC，即金刚砂。

硅太阳电池在生产过程中经历清洗制绒扩散镀膜做电极等过程，除了湿化学和扩散有有害气体其他地方都没有，清洗会用到盐酸和氢氟酸，扩散会用到三氯氧磷这些是有害的，多晶会用到硝酸也是有害的，其他都没有了！