三价砷是什么

食物中的砷是几价,很难回答这个问题,因为这与食物污染时候接触污染源有关.如果从食物本身富集的砷来说,有无机砷化合物和有机砷化合物（动物食品污染物）.无机砷如As2O3易产生急性中毒,长期持续摄入低剂量的砷化合物，尤其是吸入砷化合物粉尘者（食品或化妆品），经过数月乃至数年，十几年的砷蓄积面发生疾病。慢性砷中毒常常被忽略（不被人发觉）。有机砷化合物常表现-3价（与胺类化合物结构类似）。无机砷：AsCl3，NaAsO2，Na2HAsO4，H3AsO4，As2O5，As2O3，这些砷化合物都可能污染食品，只是量很少很少而已。来源：《环境毒理学》中国环境科学出版社。

被镉污染的食物中毒主要是鱼类、贝类等水生生物，鱼和贝类可从周围的水体中富集隔。镉是重金属元素，它会与动物体内的蛋白质结合，常常是+2的Cd，水和土壤中的镉主要来自电镀，电解和蓄电池等含镉工业所排出的废水（通过不同途径到食品中），+2价镉也在正常状态下稳定存在的。镉主要通过对水源的直接污染以及通过食物链的生物富集作用对人类的健康造成危害。来源：《食品毒理学》中国轻工业出版社

砷的化合物名称，三氧化二砷被称为砒霜。

砷，俗称砒，元素符号As，一种非金属元素  ，在化学元素周期表中位于第4周期、第VA族，原子序数33，单质以灰砷、黑砷和黄砷这三种同素异形体的形式存在。

砷元素广泛地存在于自然界，共有数百种的砷矿物已被发现。砷与其化合物被运用在农药、除草剂、杀虫剂，与许多种的合金中。

扩展资料

砷在化学元素周期表的位置正好位于磷的下方，正是由于两者化学习性相近，所以砷很容易被细胞吸收导致中毒。

砷可区分为有机砷及无机砷，有机砷化合物绝大多数有毒，有些还有剧毒。另外有机砷及无机砷中又分别分为三价砷(As2O3)及五价砷(NaAsO3) ，在生物体内砷价数可互相转变。

砷与汞类似，被吸收后容易跟硫化氢根(sulfhydryl)或双硫根(disulfide)结合而影响细胞呼吸及酵素作用；甚至使染色体发生断裂。

最常见的化合物为砷的氢化物或称胂、五氧化二砷和三氧化二砷，及其对应的水化物-砷酸和亚砷酸。

砒霜分子式是As2O3是三价砷，亚砷的氧化物。一些重要的生物砷化合物：一甲基胂，二甲基胂，三甲基胂，甲基胂酸，二甲基次胂酸。

参考资料：百度百科-砷

1、四氧化锇

四氧化锇，化学式OsO₄，白色或淡黄色结晶，有类似氯的气味。微溶于水，溶于氨水，溶于乙醇、乙醚、四氯化碳等有机溶剂。稳定；剧毒品；主要用于催化剂、氧化剂、化学试剂，还用于医药和制造白热气灯的纱罩等,挥发性极高。

剧毒。蒸气对眼睛有强刺激作用，即使在低浓度时也会引起流泪和结膜炎。较长时间接触可发生角膜损伤，甚至双目失明。也可引起消化系统功能障碍以及损伤肾和肺。皮肤接触可使皮肤发绿或变黑，引起皮炎和形成溃疡。

2、砷化物

砷化物是指金属与砷生成的化合物。自然界中存在砷铜矿Cu3As、斜方砷铁矿FeAs2、砷钴矿CoAS2 等砷化物。碱金属和碱土金属的砷化物及砷化锌Zn3As2 等是离子型化合物，易被水或酸分解而产生砷化氢。

三价砷与五价砷或无机砷与有机砷在体内的相互转换和代谢决定着砷的毒性作用，三价砷与无机砷的毒性较大，五价砷和有机砷相对毒性较低。

三价砷是最主要的毒性形式，其中三氧化二砷，即砒霜，中毒剂量10～50mg，致死量60mg。急性砷中毒人体可出现发热、食欲减退、肝肿大、黑色素沉着，心率不齐、直至死亡。

3、 五氧化二钒

五氧化二钒广泛用于冶金、化工等行业，主要用于冶炼钒铁。用作合金添加剂，占五氧化二钒总消耗量的80%以上，其次是用作有机化工的催化剂，即触媒，约占总量的10%，另处用作无机化学品、化学试剂、搪瓷和磁性材料等约占总量的10%。

长期接触可引起慢性支气管炎、肾损害、视力障碍等。

4、 二氧化氮

二氧化氮是指高温下棕红色有毒气体。在常温下(0~21.5℃)二氧化氮与四氧化二氮混合而共存。有毒、有刺激性。溶于浓硝酸中而生成发烟硝酸。能叠合成四氧化二氮。与水作用生成硝酸和一氧化氮。与碱作用生成硝酸盐。能与许多有机化合物起激烈反应。

氮氧化物主要损害呼吸道。吸入初期仅有轻微的眼及上呼吸道刺激症状，如咽部不适、干咳等。常数小时至十几小时或更长时间潜伏期后发生迟发性肺水肿、成人呼吸窘迫综合征，出现胸闷、呼吸窘迫、咳嗽、咯泡沫痰、紫绀等。

可并发气胸及纵隔气肿。肺水肿消退后两周左右可出现迟发性阻塞性细支气管炎。

5、三氟化硼

三氟化硼英文名称为Boron trifluoride。又称之为氟化硼。CAS号7637-07-2，分子量67.81。为无机化合物，无色气体，有窒息性，在空气中遇湿气立即水解。分解时生成剧毒的氟化物烟雾。氟硼酸根离子是非配位阴离子，且实验室中常以液态的三氟化硼乙醚合物作为三氟化硼的来源。

急性中毒：主要症状有干咳、气急、胸闷、胸部紧迫感；部分患者出现恶心、食欲减退、流涎；吸入量多时，有震颤及抽搐，亦可引起肺炎。皮肤接触可致灼伤。

参考资料来源：百度百科-四氧化锇

参考资料来源：百度百科-砷化物

参考资料来源：百度百科-五氧化二钒

参考资料来源：百度百科-二氧化氮

参考资料来源：百度百科-三氟化硼

中文名称：砷化铟[1]英文名称：indium arsenide英文别名：Indium arsenideIndiam arsenideIndium arsenide (InAs)Indium monoarsenidearsanylidyneindiumarsenic(-3) anionindium(+3) cation

砷化铟

CAS号：1303-11-3EINECS号：215-115-3分子式：AsIn分子量：189.7396砷化铟是由铟和砷构成的Ⅲ一V族化合物半导体材料。常温呈银灰色固体，具有闪锌矿型的晶体结构，晶格常数为0.6058nm，密度为5.66g/cm(固态)、5.90g/cm(熔点时液态)。能带结构为直接跃迁，禁带宽度(300K)0.45eV。InAs相图如图所示。[2]InAs在熔点(942℃)时砷的离解压只有0.033MPa，可在常压下由熔体生长单晶。常用的有HB和LEC方法，单晶直径达φ50mm。InAs是一种难于纯化的半导体材料。非掺In．As单晶的剩余载流子浓度高于l×10/cm，室温电子迁移率3.3×10cm/(V·s)，空穴迁移率460cm/(V·s)。硫在In．As中的有效分凝系数接近1，故用作n型掺杂剂，以提高纵向载流子浓度分布的均匀性。工业用的InAs(s)单晶，n≥1×10/cm3，μ≤2.0×10cm/(V·s)，EPD≤5×10/cm。InAs晶体具有较高的电子迁移率和迁移率比值(μe/μh=70)，低的磁阻效应和小的电阻温度系数，是制造霍耳器件和磁阻器件的理想材料。InAs的发射波长3.34μm，在InAs衬底上能生长晶格匹配的In—GaAsSb、InAsPSb和InAsSb多元外延材料，可制造2～4μm波段的光纤通信用的激光器和探测器。

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