3M公司的HFE-7100清洗剂为神马这么贵，HFT3400我看性质也差不多啊，为什么差别这么大呢？？
您好！很高兴为您解答，
3M的Novec 7100与FHT-3400相比，具有以下优势：
首先性能方面，Novec 7100的表面张力更低，渗透性更强，与金属、塑料、橡胶等兼容性更好；
安全方面，Novec 7100的TWA（8小时加权平均阈限值）为750ppm，而FHT-3400的TWA仅仅只有50ppm，此值越高表明溶剂越安全，工人若使用FHT-3400，很容易受到损害，产生中枢神经中毒等危险。FHT-3400的TWA与正己烷近似，之前在电子厂发生过正己烷中毒事件。
环境保护方面，Novec 7100的GWP（全球变暖潜能值）更低，不容易产生温室效应。
希望以上答复令您满意！如仍有疑问，欢迎向企业知道提问。
也称乙酸钯，为红棕色粉末，不溶于水，溶于醋酸，甲苯。在乙醇溶液中会缓慢分解。
英文别名:hexakis(acetato)tripalladiumbis(acetato)palladiumPalladiumacetatemingoldbrownxtlAcetic acid palladium(II) saltPalladium(II)acetatPalladousacetatepalladium - acetic acid (1:2)acetate, palladium(2+) salt (1:1)
纯度:Pd≥47.4%
CAS号:3375-31-3
分子式:Pd(C2H3O2)2
分子量:224.49
物理参数
熔点:205-016℃
技术条件:原料纯度>99.95杂质含量合格
等级:分析纯
储存条件:常温下密封干燥储存
外观:黄棕色或红棕色均匀粉末
熔点(℃):205
溶解性:空气中稳定，溶于醋酸、甲苯、氯仿、二氯甲烷、丙酮、乙腈和乙醚，不溶于水。
结构
醋酸钯是三聚体，三个Pd呈等边三角形分布，每一个钯都以蝴蝶型连接两个乙酸基团。每一个金属原子都近似是平面正方形的结构。
用途
1. 催化剂，有效催化烯烃芳香化(Heck reaction)
2. 交叉耦合反应催化
3.催化剂，合成多种钯化合物和催化剂的原料，大量用来配制钯镀槽液
存储方式
常温干燥密封储存。
主要应用
1. 烯烃芳香化( Heck reaction)
2. 交叉耦合反应
3.Suzuki偶联反应
根据研究，建筑物内的泥尘85%以上是由户外的泥尘所致，再又因为移动而将这些泥尘带到室内各个角落。选用入口3M地垫系统来保持门面的整洁，是非常理想的选择！
3M朗美地垫系统能有效地在入口处刮除泥尘和水份，保持室内整洁舒适的整体效果。之所以称为系统，因为它不仅仅是单一的一张地垫，朗美地垫系统由不同种类的地垫组合而成，每种地垫都发挥其独特的功能，确保室内干爽洁净。
3M专家提示：6米长的门口地垫6步距离能有效阻挡86%沾附于鞋底的泥尘进入室内；9米长的门口地垫几乎可以100%地阻挡泥尘进入室内。
它的特点:
a、绿色环保材料制造，不含重金属，不含有害挥发物。
b、流畅型圈丝结构，易清洗，阻燃，不褪色。
c、特有吸盘式底背防止移动。
d、3M独有专利，圈丝植入底背技术。
e、颜色有红、灰、绿、蓝、黄、黑。
类型分为：
1、圈丝型地垫：
—3M朗美地垫6050型—3M朗美地垫6850型—3M朗美地垫7150型
—3M朗美地垫7100型—3M朗美地垫8200型—3M朗美地垫6050型
2、地毯型地垫：
—3M朗美地垫1000型— 3M朗美地垫4000型—3M朗美地垫8850型
3、拼块组合型地垫——3M朗美地垫9300型
4、铝合金地垫9900型
Intel 酷睿i3 7100是一款主流的中低端性能的CPU，LGA 1151，3.9GHz，3M三级缓存，对于一般家用和普通游戏复的需要基本上都是可以满足的。
Intel 酷睿i3 7100是酷睿i3 7代系列的产品之一，适用于台式电脑，制作工艺为14纳米。Intel 酷睿i3 7100支持最大内存为64GB，内存类型为DDR4 2133/2400MHz，DDR3L 1333/1600MHz，最大内存通道数为2，不支持ECC内存。Intel 酷睿i3 7100不支持睿频加速技术支持，支持超线程技术，虚拟化技术为Intel VT-x，指令集为SSE4.1/4.2，AVX 2.0，64bit，为64位处理器，支持增强型SpeedStep技术。
空闲状态，温度监视技术，身份保护技术，AES新指令，安全密钥，英特尔Software Guard Extensions，内存保护扩展，操作系统守护，执行禁用位，具备引导保护功能的英特尔设备保护技术。
金属表面的氧化层对焊接金属有着不利影响,而焊药中NH4Cl的作用就是消除这层氧化膜．在焊接时,焊药中NH4Cl受热分解生成NH3和HCl．NH3中氮元素处于最低价态有还原性,与金属氧化物发生氧化还原反应,生成N2和金属单质,此反应可表示为：4MO+2NH4Cl===N2+4H2O+MCl2+3M(加热） 其中MO代表金属活动性较小的金属氧化物． 另外,NH4Cl分解生成的HCl可与金属氧化物起复分解反应生成金属氯化物．这些金属氯化物沸点均较低,易气化挥发或受热分解等,如SnCl4沸点为114.1摄氏度,AlCl3,178摄氏度升华,FeCl3沸点为315摄氏度且分解等．反应方程式为：MO+2NH4Cl===MCl2+2NH3+H2O(加热) 所以在焊接金属时用NH4Cl除去金属表层的氧化物．
适用类型： 台式机
CPU系列： 酷睿i3 7代系列
CPU主频： 3.9GHz
三级缓存： 3MB
插槽类型： LGA 1151
封装大小： 37.5×37.5mm
核心数量： 双核心
线程数： 四线程
单核心性能差距几乎差不多
1、Intel 酷睿i3 7100是一款主流的中低端性能的CPU，LGA 1151，3.9GHz，3M三级缓存，对于一般家用和普通游戏的需要基本上都是可以满足的。
2、适用类型： 台式机
3、CPU系列： 酷睿i3 7代系列
4、CPU主频： 3.9GHz
5、三级缓存： 3MB
6、插槽类型： LGA 1151
7、封装大小： 37.5×37.5mm
8、线程数： 四线程
9、CPU频率，外频 200MHz，倍频 8倍
10、总线类型 FSB总线，总线频率 800MHz
11、CPU插槽，插槽类型 PBGA479，针脚数目 479pin
12、CPU内核，线程数 双线程，制作工艺 65 纳米，热设计功耗(TDP) 17W，内核电压 0.975-1.062V
