BOE刻蚀溶液配制几份氢氟酸

1、BOE是京东方科技集团股份有限公司

京东方科技集团股份有限公司（BOE）创立于1993年4月，是一家为信息交互和人类健康提供智慧端口产品和专业服务的物联网公司。京东方的核心事业包括端口器件、智慧物联、智慧医工。端口器件产品广泛应用于手机、平板电脑、笔记本电脑、显示器、电视、车载、可穿戴设备等领域。

2、BOE是桶油当量

油当量是按标准油的热值计算各种能源量的换算指标 。中国又称标准油。1千克油当量的热值 ，联合国按42．62兆焦（MJ）计算。1吨标准油相当于1．454285吨标准煤。

3、BOE是Bind once Equiped的简写

BOE是魔兽游戏术语。

4、BOE是缓冲氧化物刻蚀液

OE（Buffered Oxide Etch），缓冲氧化物刻蚀液。由氢氟酸（49％）与水或氟化铵与水混合而成。

Buffered Oxide Etch，BOE就是buffer oxide etch， B．O．E 缓冲蚀刻液 BOE是HF与NH4F依不同比例混合而成。6：1 BOE蚀刻即表示49％HF水溶液：40％NH4F水溶液＝1：6（体积比）的成分混合而成。

扩展资料：

1、2018年，BOE（京东方）新增专利申请量9585件，其中发明专利超90％，累计可使用专利超7万件，覆盖美国、欧洲、日本、韩国等国家和地区。美国商业专利数据显示，2018年BOE（京东方）美国专利授权量全球排名第17位。

世界知识产权组织（WIPO）发布2018年全球国际专利申请（PCT）情况，BOE（京东方）以1813件PCT申请位列全球第七。

BOE（京东方）在北京、合肥、成都、重庆、福州、绵阳、武汉、昆明、苏州、鄂尔多斯、固安等地拥有多个制造基地，子公司遍布美国、德国、英国、法国、瑞士、日本、韩国、新加坡、印度、俄罗斯、巴西、阿联酋等19个国家和地区，服务体系覆盖欧、美、亚、非等全球主要地区。

2、BOE是指一桶油的油当量。桶是国际原油数量单位。一般来说，欧佩克和英美等西方国家原油数量单位通常用桶（bbl）来表示，而中国及俄罗斯等国则常用吨（t）作为原油数量单位。

原油在开采与运输过程中都是用铁桶装的，因此国际上也以此来进行计量；一桶原油（one barrel of crude oil）为42美加仑或35英加仑，即158．9升。

参考资料来源：百度百科-京东方科技集团股份有限公司

1、boe是缓冲氧化物刻蚀液，由氢氟酸与水混合而成。

2、130比1的boe就是130的水和1的氢氟酸混合比例调成的缓冲氧化物刻蚀液。

以前我在的是蚀刻区！半导体制蚀刻(Etching)

(三)蚀刻(Etching)

蚀刻的机制，按发生顺序可概分为「反应物接近表面」、「表面氧化」、「表面反应」、「生成物离开表面」等过程。所以整个蚀刻，包含反应物接近、生成物离开的扩散效应，以及化学反应两部份。整个蚀刻的时间，等于是扩散与化学反应两部份所费时间的总和。二者之中孰者费时较长，整个蚀刻之快慢也卡在该者，故有所谓「reaction limited」与「diffusion limited」两类蚀刻之分。

1、湿蚀刻

最普遍、也是设备成本最低的蚀刻方法，其设备如图2-10所示。其影响被蚀刻物之蚀刻速率 (etching rate) 的因素有三：蚀刻液浓度、蚀刻液温度、及搅拌 (stirring) 之有无。定性而言，增加蚀刻温度与加入搅拌，均能有效提高蚀刻速率；但浓度之影响则较不明确。举例来说，以49%的HF蚀刻SiO2，当然比BOE (Buffered-Oxide- Etch；HF：NH4F =1：6) 快的多；但40%的KOH蚀刻Si的速率却比20%KOH慢！ 湿蚀刻的配方选用是一项化学的专业，对于一般不是这方面的研究人员，必须向该化学专业的同侪请教。一个选用湿蚀刻配方的重要观念是「选择性」(selectivity)，意指进行蚀刻时，对被蚀物去除速度与连带对其他材质 (如蚀刻掩膜；etching mask， 或承载被加工薄膜之基板；substrate ) 的腐蚀速度之比值。一个具有高选择性的蚀刻系统，应该只对被加工薄膜有腐蚀作用，而不伤及一旁之蚀刻掩膜或其下的基板材料。

(1)等向性蚀刻 (isotropic etching)

大部份的湿蚀刻液均是等向性，换言之，对蚀刻接触点之任何方向腐蚀速度并无明显差异。故一旦定义好蚀刻掩膜的图案，暴露出来的区域，便是往下腐蚀的所在；只要蚀刻配方具高选择性，便应当止于所该止之深度。

然而有鉴于任何被蚀薄膜皆有其厚度，当其被蚀出某深度时，蚀刻掩膜图案边缘的部位渐与蚀刻液接触，故蚀刻液也开始对蚀刻掩膜图案边缘的底部，进行蚀掏，这就是所谓的下切或侧向侵蚀现象 (undercut)。该现象造成的图案侧向误差与被蚀薄膜厚度同数量级，换言之，湿蚀刻技术因之而无法应用在类似「次微米」线宽的精密制程技术！

(2)非等向性蚀刻 (anisotropic etching)

先前题到之湿蚀刻「选择性」观念，是以不同材料之受蚀快慢程度来说明。然而自1970年代起，在诸如Journal of Electro-Chemical Society等期刊中，发表了许多有关碱性或有机溶液腐蚀单晶硅的文章，其特点是不同的硅晶面腐蚀速率相差极大，尤其是<111>方向，足足比<100>或是<110>方向的腐蚀速率小一到两个数量级！因此，腐蚀速率最慢的晶面，往往便是腐蚀后留下的特定面。

这部份将在体型微细加工时再详述。

2、干蚀刻

干蚀刻是一类较新型，但迅速为半导体工业所采用的技术。其利用电浆 (plasma) 来进行半导体薄膜材料的蚀刻加工。其中电浆必须在真空度约10至0.001 Torr 的环境下，才有可能被激发出来；而干蚀刻采用的气体，或轰击质量颇巨，或化学活性极高，均能达成蚀刻的目的。

干蚀刻基本上包括「离子轰击」(ion-bombardment)与「化学反应」(chemical reaction) 两部份蚀刻机制。偏「离子轰击」效应者使用氩气(argon)，加工出来之边缘侧向侵蚀现象极微。而偏「化学反应」效应者则采氟系或氯系气体(如四氟化碳CF4)，经激发出来的电浆，即带有氟或氯之离子团，可快速与芯片表面材质反应。

干蚀刻法可直接利用光阻作蚀刻之阻绝遮幕，不必另行成长阻绝遮幕之半导体材料。而其最重要的优点，能兼顾边缘侧向侵蚀现象极微与高蚀刻率两种优点，换言之，本技术中所谓「活性离子蚀刻」(reactive ion etch；RIE) 已足敷「次微米」线宽制程技术的要求，而正被大量使用中。

不是的,最高浓度是级别PPB

达到99%以上,

估计每道工序用到的HF的浓度可能不一样，所以统一采购高浓度的然后自己配，节约成本

市售浓HF一般为49%，通过自己兑入DIW稀释成自己所要的浓度，大大节约了成本！

HF酸有99%这么高的浓度吗？HCl酸最高也就37%了！

成本？运费？毕竟水很便宜

不意思,是我弄错了,是采购的49%浓度.

我们这采购的是森田化学的,

99%，吓我一跳！还以为我化学白学了呢，49%的氢氟酸我们使用的是苏州晶瑞的，江阴化学试剂厂的也有。

有的时候用BOE来替代稀释好的HF

HF的最大浓度为49％左右，超过了这个浓度，溶液会发烟雾的；

半导体中的HF主要用来作为刻蚀液，或与其他酸液配比成混合刻蚀液，均用的是49％HF；仅在少数需要用到BOE的工艺中，才将其稀释。

且HF酸的稀释，不似浓硫酸，也比较方便。

你们采购这些这么高浓度1、成本

2、使用化学品要通过监察部门批准，能浓度高点，少采购点是有好处的

3、高浓度的在工厂里可以任意调节浓度，你不可能只用一种浓度，如湿法硅腐蚀液，一半直接用高浓度＋HNO3，不添加水的！！！

新人学习中~~·

1. 要稀的就是花钱买纯水。而大部分工厂都自有纯水装置的，纯水质量也有保障。

2. 设备也是要投资的。要看规模效应够不够，投资是否有意义。

一般都是安装纯水设备生产纯水，然后自己稀释

成本控制一切。听运行人员说价格问题，而且不同比例的买起来也很不方便

不是，主流的英特尔处理器会有20亿个晶体管，高端产品可以达到60亿个，采用光刻蚀技术；光刻蚀过程就是使用一定波长的光在感光层中刻出相应的刻痕，由此改变该处材料的化学特性。

扩展资料

工艺分类

刻蚀还可分为湿法刻蚀和干法刻蚀。

刻蚀的机制，按发生顺序可概分为「反应物接近表面」、「表面氧化」、「表面反应」、「生成物离开表面」等过程。所以整个刻蚀，包含反应物接近、生成物离开的扩散效应，以及化学反应两部份。

整个刻蚀的时间，等于是扩散与化学反应两部份所费时间的总和。二者之中孰者费时较长，整个刻蚀之快慢也卡在该者，故有所谓「reaction limited」与「diffusion limited」两类刻蚀之分。

湿刻蚀

最普遍、也是设备成本最低的刻蚀方法。其影响被刻蚀物之刻蚀速率 (etching rate) 的因素有三：刻蚀液浓度、刻蚀液温度、及搅拌 (stirring) 之有无。

定性而言，增加刻蚀温度与加入搅拌，均能有效提高刻蚀速率；但浓度之影响则较不明确。举例来说，以49%的HF刻蚀SiO2，当然比BOE (Buffered-Oxide- Etch；HF：NH4F =1：6) 快的多。

但40%的KOH刻蚀Si的速率却比20%KOH慢！ 湿刻蚀的配方选用是一项化学的专业，对于一般不是这方面的研究人员，必须向该化学专业的同侪请教。

一个选用湿刻蚀配方的重要观念是「选择性」(selectivity)，意指进行刻蚀时，对被蚀物去除速度与连带对其他材质 (如刻蚀掩膜；etching mask， 或承载被加工薄膜之基板；substrate ) 的腐蚀速度之比值。

参考资料：百度百科-刻蚀技术