电抗器设计计算

计算建议：

1）频率10K不算很高，铁氧体一般用在100K以上场合用

2）boost工作在连续模式下，10K纹波电流含量不大，所以也没啥损耗

3） 铁氧体磁饱和密度低，所以体积会比较大

4）DVR为短时工况，所以损耗不会产生巨大影响

另一个选择就是铁粉芯，铁粉芯理论上是可以的，其原理是材料中加入了均压分布的气泡，但实际用发现抗饱和能力不行。所以我很担心目前50A APF的交流滤波电抗器，不过两者工作情况不一样，一个存在很大直流分量，一个纯交流，显然第一种情况更容易饱和。所以我目前得出结论就是铁粉芯更适合做交流滤波电抗器而不适合做储能电抗器。

这里我引入了储能电抗器的概念，就是该电抗器设计目的是实现储能，那boost电抗器当然就是储能电抗器了，电抗器能量W=0.5*L*I^2，由此可见能量大小主要由电流决定，但电抗器电流大了就容易饱和，所以为了增加电流只能开气隙，尤其像boost电抗这种带有直流偏置的，其工作在磁化特性曲线的上半部，对抗饱和能力要求更高。

还有一种选择是铁硅铝，这种材料抗饱和能力超强，不用开气隙，可惜磁导率太低，估计绕上1000圈也达不到要求。结果我们的选择就回到了最传统的材料硅钢片。

硅钢片唯一缺点就是高频损耗，尤其当boost工作在断续时，损耗会增加，但对于DVR这又算什么呢。最终刘渊正做了一个体积很小，电感值也很小的，开气隙的硅钢片电抗器。实验发现，其抗饱和能力可以满足要求，且boost工作在电流断续模式下，峰值要比连续高一些。

结论：看了老于推荐的那本书才恍然大悟，也找到了最佳方案，就是使用硅钢片开气隙，且把电抗值将下来，使boost电路工作在断续模式。开气隙保证了抗饱和能力，这样就不怕冲击电流了，吧电抗值降下来就可以少绕线，就减小了体积。此时断续唯一缺点就是损耗了，但工作3S，损耗也无所谓了。