屏蔽罩的设计注意事项

屏蔽罩的作用是屏蔽外界电磁波对内部电路的影响和内部产生的电磁波向外辐射。

为了防止外界电场、磁场或电磁场对内部设备的干扰或为了避免设备的电磁场对外界的影响，将设备放在一个封闭或近似封闭的金属壳或金属网罩中，这种金属壳或网罩称为屏蔽罩。

屏蔽罩由支腿及罩体组成，支腿与罩体为活动连接，罩体呈球冠状，采用0.2mm厚的不锈钢和洋白铜为材料，其中洋白铜是一种容易上锡的金属屏蔽材料。采用SMT贴片时应考虑吸盘的设计。

屏蔽原理

1、当电磁波到达屏蔽体表面时，由于空气与金属的交界面上阻抗的不连续，对入射波产生的反射。这种反射不要求屏蔽材料必须有一定的厚度，只要求交界面上的不连续；

2、未被表面反射掉而进入屏蔽体的能量，在体内向前传播的过程中，被屏蔽材料所衰减。也就是所谓的吸收；

3、在屏蔽体内尚未衰减掉的剩余能量，传到材料的另一表面时，遇到金属－空气阻抗不连续的交界面，会形成再次反射，并重新返回屏蔽体内。这种反射在两个金属的交界面上可能有多次的反射。总之，电磁屏蔽体对电磁的衰减主要是基于电磁波的反射和电磁波的吸收。

参考资料来源：百度百科-屏蔽罩

参考资料来源：百度百科-电磁屏蔽

华为麦芒5是麦芒系列第五代产品，于2016年7月14日在广州正式发布。售价为2399元和2599元。

华为麦芒5分为全网通高配（香槟金/玫瑰金）、全网通标配（香槟金/月光银）两个版本。上市两天的预约量突破200万台。

麦芒5采用了金属机身，钻石切边以及带弧度后盖的设计风格。正面覆盖一块2.5D弧面玻璃，同时中框采用了对称式设计。屏幕方面则是选用了一块5.5英寸1080P分辨率的负向液晶显示屏，整体的显示效果颇为出色。此外，华为还采用了屏蔽罩设计、铝合金材料以及21个温度检测点在内的三大全方位智能散热系统，在保证外观同时还能保证好手机的散热能力。

作为一款麦芒系列的手机产品，华为麦芒5配备了2.0GHz的八核处理器骁龙625，作为高通骁龙的一款14nm工艺处理器，骁龙625的整体表现足够应付日常需求。此外，华为麦芒5配备的3GBRAM+32GB ROM/4GBRAM+64GBROM两种内存组合，800万像素前置摄像头+1600万像素主摄像头也已经足够应对年轻人生活的场景了。

· EMC问题来源

· 金属屏蔽效率

· EMI抑制策略

· 屏蔽设计难点

· 衬垫及附件

· 结论

电磁兼容性(EMC)是指“一种器件、设备或系统的性能，它可以使其在自身环境下正常工作并且同时不会对此环境中任何其它设备产生强烈电磁干扰(IEEE C63.12-1987)。”对于无线收发设备来说，采用非连续频谱可部份实现EMC性能，但是很多有关的例子也表明EMC并不总是能够做到。例如在笔记本计算机和测试设备之间、打印机和台式计算机之间以及行动电话和医疗仪器之间等都具有高频干扰，我们把这种干扰称为电磁干扰(EMI)。

EMC问题来源

所有电器和电子设备工作时都会有间歇或连续性电压电流变化，有时变化速率还相当快，这样会导致在不同频率内或一个频带间产生电磁能量，而相应的电路则会将这种能量发射到周围的环境中。

EMI有两条途径离开或进入一个电路：辐射和传导。信号辐射是藉由外壳的缝、槽、开孔或其它缺口泄漏出去；而信号传导则藉由耦合到电源、信号和控制线上离开外壳，在开放的空间中自由辐射，从而产生干扰。

很多EMI抑制都采用外壳屏蔽和缝隙屏蔽结合的方式来实现，大多数时候下面这些简单原则可以有助于实现EMI屏蔽：从源头处降低干扰；藉由屏蔽、过滤或接地将干扰产生电路隔离以及增强敏感电路的抗干扰能力等。EMI抑制性、隔离性和低敏感性应该作为所有电路设计人员的目标，这些性能在设计阶段的早期就应完成。

对设计工程师而言，采用屏蔽材料是一种有效降低EMI的方法。如今已有多种外壳屏蔽材料得到广泛使用，从金属罐、薄金属片和箔带到在导电织物或卷带上喷射涂层及镀层(如导电漆及锌线喷涂等)。无论是金属还是涂有导电层的塑料，一旦设计人员确定作为外壳材料之后，就可着手开始选择衬垫。

金属屏蔽效率

可用屏蔽效率(SE)对屏蔽罩的适用性进行评估，其单位是分贝，计算公式为

SEdB=A+R+B

其中 A：吸收损耗(dB) R：反射损耗(dB) B：校正因子(dB)(适用于薄屏蔽罩内存在多个反射的情况)

一个简单的屏蔽罩会使所产生的电磁场强度降至最初的十分之一，即SE等于20dB；而有些场合可能会要求将场强降至为最初的十万分之一，即SE要等于100dB。

吸收损耗是指电磁波穿过屏蔽罩时能量损耗的数量，吸收损耗计算式为

AdB=1.314(f×σ×μ)1/2×t

其中 f：频率(MHz) μ：铜的导磁率 σ：铜的导电率 t：屏蔽罩厚度

反射损耗(近场)的大小取决于电磁波产生源的性质以及与波源的距离。对于杆状或直线形发射天线而言，离波源越近波阻越高，然后随着与波源距离的增加而下降，但平面波阻则无变化(恒为377)。

相反，如果波源是一个小型线圈，则此时将以磁场为主，离波源越近波阻越低。波阻随着与波源距离的增加而增加，但当距离超过波长的六分之一时，波阻不再变化，恒定在377处。

反射损耗随波阻与屏蔽阻抗的比率变化，因此它不仅取决于波的类型，而且取决于屏蔽罩与波源之间的距离。这种情况适用于小型带屏蔽的设备。

近场反射损耗可按下式计算

R(电)dB=321.8-(20×lg r)-(30×lg f)-[10×lg(μ/σ)] R(磁)dB=14.6+(20×lg r)+(10×lg f)+[10×lg(μ/σ)]

其中 r：波源与屏蔽之间的距离。

SE算式最后一项是校正因子B，其计算公式为

B=20lg[-exp(-2t/σ)]

此式仅适用于近磁场环境并且吸收损耗小于10dB的情况。由于屏蔽物吸收效率不高，其内部的再反射会使穿过屏蔽层另一面的能量增加，所以校正因子是个负数，表示屏蔽效率的下降情况。

EMI抑制策略

只有如金属和铁之类导磁率高的材料才能在极低频率下达到较高屏蔽效率。这些材料的导磁率会随着频率增加而降低，另外如果初始磁场较强也会使导磁率降低，还有就是采用机械方法将屏蔽罩作成规定形状同样会降低导磁率。综上所述，选择用于屏蔽的高导磁性材料非常复杂，通常要向EMI屏蔽材料供货商以及有关咨询机构寻求解决方案。

在高频电场下，采用薄层金属作为外壳或内衬材料可达到良好的屏蔽效果，但条件是屏蔽必须连续，并将敏感部份完全遮盖住，没有缺口或缝隙(形成一个法拉第笼)。然而在实际中要制造一个无接缝及缺口的屏蔽罩是不可能的，由于屏蔽罩要分成多个部份进行制作，因此就会有缝隙需要接合，另外通常还得在屏蔽罩上打孔以便黏着与附加卡或装配组件的联机。

设计屏蔽罩的困难在于制造过程中不可避免会产生孔隙，而且设备运行过程中还会需要用到这些孔隙。制造、面板联机、通风口、外部监测窗口以及面板黏着组件等都需要在屏蔽罩上打孔，从而大大降低了屏蔽性能。尽管沟槽和缝隙不可避免，但在屏蔽设计中对与电路工作频率波长有关的沟槽长度作仔细考虑是很有好处的。

任一频率电磁波的波长为: 波长(λ)=光速(C)/频率(Hz)

当缝隙长度为波长(截止频率)的一半时,RF波开始以20dB/10倍频(1/10截止频率)或6dB/8倍频(1/2截止频率)的速率衰减。通常RF发射频率越高衰减越严重，因为它的波长越短。当涉及到最高频率时，必须要考虑可能会出现的任何谐波，不过实际上只需考虑一次及二次谐波即可。

一旦知道了屏蔽罩内RF辐射的频率及强度，就可计算出屏蔽罩的最大允许缝隙和沟槽。例如如果需要对1GHz(波长为300mm)的辐射衰减26dB,则150mm的缝隙将会开始产生衰减，因此当存在小于150mm的缝隙时，1GHz辐射就会被衰减。所以对1GHz频率来讲，若需要衰减20dB，则缝隙应小于15 mm(150mm的1/10)，需要衰减26dB时，缝隙应小于7.5 mm(15mm的1/2以上)，需要衰减32dB时，缝隙应小于3.75 mm(7.5mm的1/2以上)。

可采用合适的导电衬垫使缝隙大小限定在规定尺寸内，从而实现这种衰减效果。

屏蔽设计难点

由于接缝会导致屏蔽罩导通率下降，因此屏蔽效率也会降低。要注意低于截止频率的辐射其衰减只取决于缝隙的长度直径比，例如长度直径比为3时可获得100dB的衰减。在需要穿孔时，可利用厚屏蔽罩上面小孔的波导特性；另一种实现较高长度直径比的方法是附加一个小型金属屏蔽物，如一个大小合适的衬垫。上述原理及其在多缝情况下的推广构成多孔屏蔽罩设计基础。

多孔薄型屏蔽层：多孔的例子很多，比如薄金属片上的通风孔等等，当各孔间距较近时设计上必须要仔细考虑。下面是此类情况下屏蔽效率计算公式

SE=[20lg (fc/o/σ)]-10lg n 其中 fc/o：截止频率 n：孔洞数目

注意此公式仅适用于孔间距小于孔直径的情况，也可用于计算金属编织网的相关屏蔽效率。

接缝和接点：电焊、铜焊或锡焊是薄片之间进行永久性固定的常用方式，接合部位金属表面必须清理干净，以使接合处能完全用导电的金属填满。不建议用螺钉或铆钉进行固定，因为紧固件之间接合处的低阻接触状态不容易长久保持。

导电衬垫的作用是减少接缝或接合处的槽、孔或缝隙，使RF辐射不会散发出去。EMI衬垫是一种导电介质，用于填补屏蔽罩内的空隙并提供连续低阻抗接点。通常EMI衬垫可在两个导体之间提供一种灵活的连接，使一个导体上的电流传至另一导体。

封孔EMI衬垫的选用可参照以下性能参数： ‧特定频率范围的屏蔽效率 ‧黏着方法和密封强度 ‧与外罩电流兼容性以及对外部环境的抗腐蚀能力。 ‧工作温度范围 ‧成本

大多数商用衬垫都具有足够的屏蔽性能以使设备满足EMC标准，关键是在屏蔽罩内正确地对垫片进行设计。

垫片系统：一个需要考虑的重要因素是压缩，压缩能在衬垫和垫片之间产生较高导电率。衬垫和垫片之间导电性太差会降低屏蔽效率，另外接合处如果少了一块则会出现细缝而形成槽状天线，其辐射波长比缝隙长度小约4倍。

确保导通性首先要保证垫片表面平滑、干净并藉由必要处理以具有良好导电性，这些表面在接合之前必须先遮住；另外屏蔽衬垫材料对这种垫片具有持续良好的黏合性也非常重要。导电衬垫的可压缩特性可以弥补垫片的任何不规则情况。

所有衬垫都有一个有效工作最小接触电阻，设计人员可以加大对衬垫的压缩力度以降低多个衬垫的接触电阻，当然这将增加密封强度，会使屏蔽罩变得更为弯曲。大多数衬垫在压缩到原来厚度的30%至70%时效果比较好。因此在建议的最小接触面范围内，两个相向凹点之间的压力应足以确保衬垫和垫片之间具有良好的导电性。

另一方面，对衬垫的压力不应大到使衬垫处于非正常压缩状态，因为此时会导致衬垫接触失效，并可能产生电磁泄漏。与垫片分离的要求对于将衬垫压缩控制在制造商建议范围非常重要，这种设计需要确保垫片具有足够的硬度，以免在垫片紧固件之间产生较大弯曲。在某些情况下，可能需要另外一些紧固件以防止外壳结构弯曲。

压缩性也是转动接合处的一个重要特性，如在门或插板等位置。若衬垫易于压缩，那么屏蔽性能会随着门的每次转动而下降，此时衬垫需要更高的压缩力才能达到与新衬垫相同的屏蔽性能。在大多数情况下这不太可能做得到，因此需要一个长期EMI解决方案。

如果屏蔽罩或垫片由涂有导电层的塑料制成，则添加一个EMI衬垫不会产生太多问题，但是设计人员必须考虑很多衬垫在导电表面上都会有磨损，通常金属衬垫的镀层表面更易磨损。随着时间成长这种磨损会降低衬垫接合处的屏蔽效率，并给后面的制造商带来麻烦。

如果屏蔽罩或垫片结构是金属的，那么在喷涂抛光材料之前可加一个衬垫把垫片表面包住，只需用导电膜和卷带即可。若在接合垫片的两边都使用卷带，则可用机械固件对EMI衬垫进行紧固，例如带有塑料铆钉或压敏黏结剂(PSA)的“C型”衬垫。衬垫黏着在垫片的一边，以完成对EMI的屏蔽。

衬垫及附件

目前可用的屏蔽和衬垫产品非常多，包括铍-铜接头、金属网线(带弹性内芯或不带)、嵌入橡胶中的金属网和定向线、导电橡胶以及具有金属镀层的聚氨酯泡沫衬垫等。大多数屏蔽材料制造商都可提供各种衬垫能达到的SE估计值，但要记住SE是个相对数值，还取决于孔隙、衬垫尺寸、衬垫压缩比以及材料成分等。衬垫有多种形状，可用于各种特定应用，包括有磨损、滑动以及带铰链的场合。目前许多衬垫带有黏胶或在衬垫上面就有固定装置，如挤压插入、管脚插入或倒钩装置等。

各类衬垫中，涂层泡沫衬垫是最新也是市面上用途最广的产品之一。这类衬垫可做成多种形状，厚度大于0.5mm，也可减少厚度以满足UL燃烧及环境密封标准。还有另一种新型衬垫即环境/EMI混合衬垫，有了它就可以无需再使用单独的密封材料，从而降低屏蔽罩成本和复杂程度。这些衬垫的外部覆层对紫外线稳定，可防潮、防风、防清洗溶剂，内部涂层则进行金属化处理并具有较高导电性。最近的另外一项革新是在EMI衬垫上装了一个塑料夹，同传统压制型金属衬垫相比，它的重量较轻，装配时间短，而且成本更低，因此更具市场吸引力。

结论

设备一般都需要进行屏蔽，这是因为结构本身存在一些槽和缝隙。所需屏蔽可藉由一些基本原则确定，但是理论与现实之间还是有差别。例如在计算某个频率下衬垫的大小和间距时还必须考虑信号的强度，如同在一个设备中使用了多个处理器时的情形。表面处理及垫片设计是保持长期屏蔽以实现EMC性能的关键因素。

电磁波吸收材料系利用软磁铁氧体在高频下损耗增大的现象来达到吸收电磁波的目的。在工程上的实际应用中，除要求材料在很宽（从RF到微波）的频率范围内有高的电磁波能量吸收率外，尚要求材料机械强度好、涂层薄、重量轻、耐温耐湿、抗辐射和抗腐蚀。目前实用的材料有Ni—Zn铁氧体和六角晶系铁氧体等。在工程应用上，为提高对电磁波的吸收率和扩展吸收频率范围，多制成掺有金属短纤维和有机高分子材料的复合物。此外，为克服早期吸收材料寄生于雷达目标表面从而增加了重量之不足，近来国外还研制出一种用吸收材料与工程塑料复合而成的新型结构型载荷体吸收材料，可用于飞机发动机的整流罩，已在美国F—111战斗机上运行数万小时。北美罗克未尔公司也为喷气发动机进气口研制成一种复杂的蜂窝式结构型吸收体，有很高的吸收率及机械强度。 吸收材料的形状 尖劈形。微波暗室采用的吸收体常做成尖劈形，它是在泡沫塑料中掺入碳精粉然后再在外面包上一层高强度型泡沫塑料做保护层，这样吸收体即使受到外界碰撞也不致损坏。但频率降低（波长增长），吸收体长度也大为增加，普通尖劈形吸收体有近似关系式L／λ≈1，所以在100MHz时，尖劈长度达3cm；在60MHz时，尖劈长度达5cm，这不但工艺上难以实现，而且微波暗室有效可用空间也大为减少。 单层平板形。国外最早研制成的吸收体就是单层平板形，后来制成的吸收体都是直接贴在金属屏蔽层上，其厚度薄、重量轻，但工作频率范围较窄。 双层或多层平板形。该种吸收体可在很宽的工作频率范围内工作，且可做成任意形状。如日本NEC公司将铁氧体和金属短纤维均匀分散在合适的有机高分子树脂中做成的复合材料，工作频带可宽达40—50％左右。其缺点是厚度大、工艺复杂、成本较高。 涂层形。在飞行器表面只能用涂层形吸收材料，为展宽频率带，一般都采用复合材料的涂层。如锂镉铁氧体涂层厚2.5—5m m时，在厘米波段可衰减8.5dB；尖晶石铁氧体涂层厚2.5m m时，在9GHz可衰减24dB；铁氧体加氯丁橡胶涂层厚1.7—2.5m m时，在5—10GHz衰减达30dB左右。 结构形。将吸收材料掺入工程塑料使其既具有吸收特性，又具有载荷能力，这是吸收材料发展的一个方向。 近年来，为进一步提高吸收材料的性能，国外还发展了由几种形状组合的复杂形吸收体。如日本采用该类吸收体做成的微波暗室，其性能为：136MHz，25dB；300MHz，30dB；500MHz，40dB；1—40GHz，45dB。 吸收材料的工程应用 在日益重要的隐身和电磁兼容（EMC）技术中，电磁波吸收材料的作用和地位十分突出，已成为现代军事中电子对抗的法宝和“秘密武器”。其工程应用主要有： 隐身技术。在飞机、导弹、坦克、舰艇、仓库等各种装备和军事设施上面涂敷吸收材料，就可以吸收掉侦察电波、衰减反射信号，从而突破敌方雷达的防区，这是反雷达侦察的一种有力手段，减少武器系统遭受红外制导导弹和激光武器袭击的一种方法。此外，电磁波吸收材料还可用来隐蔽着落灯等机场导航设备及其它地面设备、舰船桅杆、甲板、潜艇的潜望镜支架和通气管道等设备。 改善整机性能。飞机机身对电磁波反射产生的假信号，可能导致高灵敏机载雷达假截获或假跟踪；一驾飞机或一艘舰船上的几部雷达同时工作时，雷达收发天线间的串扰有时十分严重，机上或舰上自带的干扰机也会干扰自带的雷达或通讯设备……。为减少诸如此类的干扰，国外常应用吸收材料优良的磁屏蔽来提高雷达或通讯设备的性能。如在雷达或通讯设备机身、天线和周围一切干扰物上涂敷吸收材料，则可使它们更灵敏、更准确地发现敌方目标；在雷达抛物线天线开口的四周壁上涂敷吸收材料，可减少副瓣对主瓣的干扰和增大发射天线的作用距离，对接收天线则起到降低假目标反射的干扰作用；在卫星通信系统中应用吸收材料，将避免通信线路间的干扰，改善星载通讯机和地面站的灵敏度，从而提高通讯质量。 安全防护。由于高功率雷达、通讯机、微波加热等设备的应用，防止电磁辐射或泄漏、保护操作人员的身体健康是一个全新而复杂的课题，吸收材料就可达到这一目的。另外，目前的家用电器普遍存在电磁辐射问题，通过合理使用吸收材料及其元器件也可以有效地加以抑制。 微波暗室。由吸收体装饰的壁面构成的空间称为微波暗室。在暗室内可形成等效无反射的自由空间（无噪音区），从四周反射回来的电磁波要比直射电磁能量小得多，并可忽略不计。微波暗室主要用于雷达或通讯天线、导弹、飞机、飞船、卫星等特性阻抗和耦合度的测量、宇航员用背肩式天线方向图的测量以及宇宙飞船的安装、测试和调整等，这既可消除外界杂波干扰和提高测量精度与效率（室内可全天候工作），还可保守秘密。

2、真空灭弧室，又名真空开关管，是中高压电力开关的核心部件，其主要作用是，通过管内真空优良的绝缘性使中高压电路切断电源后能迅速熄弧并抑制电流，避免事故和意外的发生，主要应用于电力的输配电控制系统，还应用于冶金、矿山、石油、化工、铁路、广播、通讯、工业高频加热等配电系统。具有节能、节材、防火、防爆、体积小、寿命长、维护费用低、运行可靠和无污染等特点。真空灭弧室从用途上又分为断路器用灭弧室和负荷开关用灭弧室，断路器灭弧室主要用于电力部门中的变电站和电网设施，负荷开关用灭弧室主要用于电网的终端用户。

3、屏蔽框一般采用Cu-C7521-H【通用料】,Cu-C7521-OH【软料，拉深用】（镍白铜、洋白铜(Copper-Nickel-Zinc Alloy),Nickel Silver），t=0.2，0，3mm；屏蔽罩一般采用不锈钢SUS304R-1/2H【折弯加工】，SUS304R-1/4H【拉深用】，t=0.15，0.2mm，镀锡钢带(马口铁皮)等；用于焊接在PCB上的可采用洋白铜、马口铁皮，并建议采用洋白铜，这主要是因为洋白铜在焊接、散热和蒸气方面上比较好。

《真空镀膜设备》详细介绍了真空镀膜设备的设计方法与镀膜设备各机构元件的设计计算、设计参数的选择，其中重点、系统地介绍了磁控溅射靶的设计计算和溅射镀膜的膜厚均匀性设计。全书共分13章，主要讲解真空镀膜室结构、镀膜室工件架、真空镀膜机的加热与测温装置、真空镀膜机的抽气系统、真空室电和运动的导入结构、溅射镀膜设备的充布气系统、蒸发源、磁控溅射靶、溅射镀膜的膜厚均匀性等方面的设计与计算。

《真空镀膜设备》有很强的实用性，适合真空镀膜设备的设计制造、真空镀膜设备的应用等与真空镀膜技术有关的行业从事设计、设备操作与维护的技术人员使用，还可用作高等院校相关专业师生的教材及参考书。 1 真空镀膜设备设计概述

2 真空镀膜室结构设计计算

2.1 基本设计原则

2.1 2镀膜室的材料选择与焊接要求

2.2.1 材料选择

2.2.2 焊接要求

2.3 镀膜室壁厚的计算

2.3.1 镀膜室的计算壁厚

2.3.2 镀膜室的实际壁厚与壁厚附加量

2.3.3 镀膜室的最小壁厚

2.4 圆筒形镀膜室壳体的设计计算

2.4.1 圆筒形镀膜室基本设计参数

2.4.2 圆筒形镀膜室的强度(壁厚)计算

2.4.3 外压圆筒加强圈的设计

2.4.4 简体加工允许偏差

2.4.5 镀膜室封头的壁厚计算

2.5 圆锥形壳体的设计

2.6 盒形壳体设计

2.7 压力试验

2.8 真空镀膜室门设计

2.9 真空镀膜室的冷却

3 镀膜室升降机构的设计

3.1 立式镀膜机真空室的升降机构

3.1.1 机械升降机构

3.1.2 液压升降机构

3.1.3 气动液压相结合的升降机构

3.2 真空室的复位

4 镀膜室工件架的设计

4.1 常用工件架

4.1.1 球面行星传动工件架

4.1.2 摩擦传动工件架

4.1.3 齿轮传动工件架

4.1.4 拨杆传动工件架

4.2 工件架的转速

5 真空镀膜机的加热与测温装置

5.1 加热方式及其装置

5.2 测温方式与装置

5.3 真空室内引线设计

6 真空镀膜机的挡板机构

7 真空镀膜机的抽气系统设计

7.1 镀膜设备用真空系统

7.1.1 普通镀膜设备用典型高真空系统

7.1.2 超高真空系统

7.2 真空镀膜机抽气系统的设计

7.2.1 真空镀膜设备对抽气系统的要求

7.2.2 镀膜机抽气系统的放气量计算

7.2.3 真空泵的选择

8 真空室内电和运动的导人导出结构设计

8.1 电导人导出结构设计

8.1.1 电导入导出结构设计要求

8.1.2 电导入导出部件的结构形式

8.2 运动导入导出结构设计

8.2.1 常规转轴动密封导入导出结构

8.2.2 磁流体动密封运动导入导出结构

8.2.3 金属波纹管密封柔性运动导入导出结构

8.2.4 磁力驱动动密封运动导入导出结构

9 充布气系统设计

9.1 充布气系统设计原则

9.2 充布气系统结构设计

9.2.1 充布气系统类型及结构

9.2.2 布气管路结构形式

9.2.3 充布气管路分析计算

9.3 充气控制方式设计

9.3.1 封闭式气压稳定充气控制

9.3.2 质量流量控制器充气控制

9.4 真空室内充大气时间计算

10 电磁屏蔽结构设计

10.1 真空镀膜设备屏蔽概述

10.2 电磁辐射屏蔽设计

11 蒸发源的设计计算

11.1 电阻加热式蒸发源的热计算

11.2 e型枪蒸发源的设计计算

11.2.1 灯丝参数计算

11.2.2 磁偏转线圈及灯丝位置的确定

11.2.3 膜材蒸发时所需热量

11.2.4 e型枪蒸发源的水冷却

11.2.5 e型枪蒸发源的电源

11.2.6 多枪蒸发源的设计安装

11.3 感应加热式蒸发源的结构设计

11.3.1 坩埚设计

11.3.2 电源及其频率的选择

11.4 蒸发源的蒸发特性及膜厚分布

11.4.1 点蒸发源的膜厚分布

11.4.2 小平面蒸发源膜厚分布

11.4.3 环形蒸发源

11.4.4 矩形平面蒸发源

11.4.5 蒸发源与基片的相对位置

12 磁控溅射靶的设计

12.1 靶磁场的设计原则

12.1.1 磁场强度的选择

12.1.2 磁场均匀性：

12.1.3 矩形靶弯道磁场设计

12.1.4 磁场设计改进方法

12.2 磁控靶的磁场设计计算

12.2.1 三维直角坐标系中的靶磁场

12.2.2 矩形平面磁控溅射靶的磁场

12.2.3 圆形平面磁控溅射靶的磁场计算

12.2.4 同轴圆柱磁环溅射靶的磁场计算

12.2.5 同轴圆柱条形磁体溅射靶的磁场计算

12.2.6 S枪溅射靶的磁场计算

12.3 平面磁控靶结构改进

12.3.1 运动磁场的靶结构

12.3.2 双环组合磁极靶结构

12.3.3 组合磁场靶结构

12.3.4 磁场分流靶结构

12.3.5 其他磁体形式的靶结构

12.4 永磁体及导磁片设计

12.4.1 永磁体材料

12.4.2 导磁垫片

12.5 阳极与屏蔽罩的设计

12.5.1 阳极设计

12.5.2 屏蔽罩设计

12.6 溅射靶水冷系统的设计与计算

12.6.1 冷却水流速率的计算

12.6.2 冷却水管内径的计算

12.6.3 冷却水管长度

12.7 靶材的设计选择

12.7.1 靶材的种类

12.7.2 靶材的选用原则

12.7.3 对靶材的技术要求

12.7.4 靶材与阴极背板的连接

12.7.5 常用靶材

12.8 磁控溅射靶设计方法

12.8.1 靶设计分析方法

12.8.2 磁控靶设计程序

13 溅射镀膜的膜厚均匀性设计

13.1 溅射镀膜不均匀性的原因及影响因素

……