晶体管放大电路设计

换成PNP三极管后的电路。结构变了，输出逻辑与β的关系也会变。

既能让信号电流沿一个方向流动，又能阻止信号电流朝相反方向流动。在第二次世界大战爆发前夕，贝尔实验室在寻找比早期使用的方铅矿晶体性能更好的检波材料时，发现掺有某种极微量杂质的锗晶体的性能不仅优于矿石晶体，而且在某些方面比电子管整流器还要好。

扩展资料：

三端子晶体管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET，单极性）。晶体管有三个极（端子）；双极性晶体管的三个极（端子），分别是由N型、P型半导体组成的发射极（Emitter）、基极(Base) 和集电极（Collector）。

场效应晶体管的三个极（端子），分别是源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。

为了克服电子管的局限性，第二次世界大战结束后，贝尔实验室加紧了对固体电子器件的基础研究。肖克莱等人决定集中研究硅、锗等半导体材料，探讨用半导体材料制作放大器件的可能性。

参考资料来源：百度百科-晶体管

三极管基极输入时，发射极就是同相输出端，集电极就是反相输出端；

如果发射极、集电极电阻值不变时，基极偏置电压低（即是向GND靠近）时，发射极电压也会跟随着降低，其实就是集电极电流减小了，也因此集电极电压会升高的，直至靠近电源端；

这样说，你是不是可以明白了；

它是三极管放大能力的量度。

至于分为4档，只是一个特定的选型或管理、销售办法，就像把产品分为1、2、3、4等品一样。

所谓“过渡频率”（fT）应该是标准称谓“特征频率”的一种译法。它指的是三极管β值（约等于前述HFE值）降低到1时的注入信号频率。在物理意义上，它是三极管理论上能工作的最高频率。

场效应管属于电压放大型器件，靠电场效应控制电流，所以场效应管只需要维持电场效应的电压即可，和多级晶体管比阻抗高的不是一个数量级。因为一个靠维持电压控制导通电流，一个靠维持电流控制导通电流。相对于多级晶体管，场效应管输入阻抗肯定高。