浅槽如何掌握上升流、水平

洗煤厂洗煤先是配煤，将各种原煤按一定比例，为使最终产品符合精煤客户要求而相互掺配。

再是筛分，用带孔的筛面把颗粒大小不同的混合物料分成各种粒级的作业叫筛分。筛分所用的机器叫筛分机或者筛子。在选煤厂中，筛分作业广泛地用于原煤准备和处理上。

按照筛分方式不同，分为干法筛分和湿法筛分。最后是破碎，把大块物料粉碎成小颗粒的过程叫做破碎，用于破碎的机器叫做破碎机。

我国选煤厂中采用的最广泛的选煤方法是跳汰选，其次是重介质选和浮选，其他方法均用的很少。这里介绍的是重介质浅槽分选。工作原理是将悬浮液通过两个部位给入分选槽体内，从下部给入的为上升流，作用是保持悬浮液均匀稳定，同时有分散物料的作用。

工作总结就是把一个时间段的工作进行一次全面系统的总检查、总评价、总分析、总研究，并分析成绩的不足，从而得出引以为戒的经验。下面是我整理的机电车间年度工作总结，希望对大家有帮助！

xx年，本人在厂领导的关怀和同事们的协作帮助下，较好的完成了各项工作任务。现总结如下：

一、个人思想学习和素质提升

xx年上半年在煤炭形势紧俏和全国经济形势下滑的大环境下，我们每个人的经济收入和职业期望都不同程度的受到影响；下半年煤炭形势骤然好转，生产和工作压力急剧增加，这样的起伏对我们每个扎根在煤海的年轻人来说是一种很好考验。面对这样的考验，我不断地调整自己的心态，学习先进的思想理论，学习知名企业海尔集团、华为等企业和企业人在低谷中拼搏奋起的历程，树立踏实稳定，与企业共成长的信念。

工作中严格要求自己，坚持学习，灵活创新，总是向着领导和同事最需要地方靠拢。参加了集团公司组织的职工经济技术创新培训、兼职教师素质提升培训、参加中心举办的专兼职培训教师教学大赛等，不断提高自身的业务和技能，立足生产现场，带着思考和创新工作。

二、主要工作完成情况

（一）培训工作

1、及时完成上级部门和领导安排的各项工作，同时根据厂年度二级培训计划，全年共组织开班23次，其中安全类7项（主要结合风险与控管理体系，培训内容涵盖了体系贯标、生产安全 综合应急预案、专项应急预案、应急救援常识、危险源辨识、风险预控知识、职业健康知识、消防安全知识、事故案例分析和警示教育、安全生产法律法规等）；其他工艺技术类5项，电气技术类5项；机械技术类5项，技能提升专题培训1项。

2、由主管领导指导，具体负责分厂各项培训工作的联络、实施、安排，主要包括二级培训、员工外出培训、班前会培训、班组培训等工作，定期更新员工培训档案、各类员工证件台账。灵活采用各种培训方法，积极利用微信群、微信平台等网络自媒体方式，组织开展标准化作业流程等培训工作，使我厂培训工作得到了员工的支持和领导的肯定。

3、积极参加集团和中心举办的各类活动，为员工做好带头工作，并在中心举办的选配煤中心第一届专兼职培训教师教学大赛上取得了三等奖的成绩。

（一）机电工作

1、负责机电方面与上级主管部门的衔接工作，每月定期上报月度检修计划、设备三率报表、大部件和备用设备报表、各类维修申请等，为领导安排工作和员工现场检修做好联络工作。

2、努力做好机电基础工作，在主管领导的指导下更新了生产设备台账、备用设备（大型部件）台账，重新核对了厂维修人员及设备数量并制定了各类主附设备统计简表，设计建立了厂轴承（密封件）台账。规范了钳工班组日常工作中的设备巡检记录、设备计划检修记录、溜槽检查记录、压力容器检查记录、设备润滑记录、班组材料使用记录。重新整理了主要机电设备技术档案。

2、关于生产关键环节独子咽喉设备，重新梳理生产系统独子咽喉设备及其大部件备用情况，和主管领导、钳工班长共同协作规范库房大型物资存放、保管。对机电设备库、维修车间、设备存放场地（或临时存放场地）进行集中清理，按种类划分不同区域集中码放标示。

3、针对厂重点设备检修计划，编制并落实相应安全技术措施，配合钳工检修人员完成了308浅槽分选机的刮板、链条、滑道、底板水平介质管更换；101、343胶带输送机胶带更换；307脱泥筛电机侧激振器更换；312合介桶篦子更换。225-230、826-831给煤机胶带更换；301原煤胶带输送机减速器更换等检修项目。

4、技改创新工作中积极与领导和同事们商议改造方案、测绘加工图纸、协调改造材料，参与完成了末煤场转载小皮带溜槽下料口和受煤斗篦子的改造，330/331高频筛筛前溜槽改造，块煤场矸石破碎系统除铁器卸铁方式优化，块煤产品胶带输送机驱动部改造，806胶带输送机落料点改造，852末煤装车仓放料翻板支撑简化改造，344、345扫地泵管路改造，煤泥水加药方式改造等。

5、8-10月份参与完成选配煤中心材料定额标准编制工作，完成了厂20**年材料费用全面预算工作，另外每季度排查整理材料计划、库存盘点，掌握生产检修材料的储备情况，定期分析编制分厂材料定额数据表。

三、存在的不足与改进

1、个人专业水平和工作经验还有很大的提升空间，必须不断的坚持学习行业新旧知识、 向领导和前辈学习经验、在生产现场学习实践经验。

2、工作中面对客观因素，缺乏主动克服、改变的信心，今后要多向优秀的党员们学习。

3、工作中缺乏与领导的沟通交流，今后要多加改进。

四、努力方向

1、继续完善主要设备技术资料档案等各类机电基础资料。

2、学习excel等办公工具高级功能，挖据高效的内业资料处理方法，解放时间，更多的投入到现场检修和技改工作中，积极思考，提出更多有效的合理化建议。

4、协助领导安排好各项计划性检修项目的实施；

5、做好员工培训相关具体工作的联络、安排、实施，并集思广益，创新培训方式方法，将我厂培训工作做得更好！

在公司的正确领导下，梓山湖12个项目有条不紊地进行，本年度设计、机电安装方面作如下工作总结。

一、工程概况及XX设计完成工作量情况：

1、本年度工程概况：

正在启动的项目：1、5#、6#地，2、购物中心，3、梓山湖大酒店地块，4、电缆入地。

正在施工的项目：1、梓湖湾住宅，2、主题购物区，3、会所，4、团山路，5、环湖路，6、街坊路。

正在扫尾的项目：佳宁娜广常

2、本年度设计及配合施工设计情况：

备注：正在进行施工的建筑面积为325496.18㎡；道路施工的总长度为5145.28m；正在进行设计的建筑面积为1648576.57㎡。

本年度梓山湖设计(部门)管理设计内容：

在张总的总策划、范经理统筹组织下，主要工作以下内容：

1、完成梓山湖总规及5、6#地详规设计管理，报建基本通过，6#地可进行下一步设计。

1、完成梓山湖控规设计管理，用于规划局报建。

3、完成梓山湖排污干管的初步方案，用于以后总图控规，它将成为其经过地块的主排水管。

4、完成a-2#及8#地的总规设计管理，年前报规划局。

5、完成购物中心规划设计及其施工图的方案、扩初设计管理，年后完成施工图设计。

6、完成主题购物区的'设计方案修改及施工图变更管理。

5、完成新增5亩地规划设计，并完成施工图设计管理。

6、完成会所精装修设计，并对施工图设计进行修改管理。

7、完成西边道路的设计管理。

8、完成环湖路规划设计，并基本完成施工图设计管理。

9、完成生态公园总规初步方案设计管理。

10、 完成110kv高压线入地设计管理。

11、 完成2#地供电线路设计管理。

二、规划及其设计前期工作方面：

1、管理相关单位完成测绘放线，主要内容如下：环湖路的放线、定测、控制放点；西边道路放线、控制放点、现状土方测绘；团山路控制放点；梓湖湾控制放点，验线、室外交接土方测绘，增加项目(新增别墅、中心车库、t17等)控制放点；购物大道控制放点，验线；购物中心测绘、放线、及其等。

2、管理相关单位完成地质勘探，如：环湖路初勘及详勘、t17的补勘等。

三、设计现场配合方面：

1、指挥安排工地现场变更，如：梓湖湾住宅、三条道路、购物大道、广场雕塑等。

2、组织管理启动施工项目的技术交底，如：中心车库、购物大道、团山路等。

3、审核施工项目技术方案及其深化设计，如：住宅门窗大样深化、住宅智能弱电等。

4、现场设计及技术指导，如：样板间及其大堂。

四、与各部门配合方面：

1、直接参与以及安排人员与战略发展部配合报建，如：购物大道的审图、购物中心专家评审、梓湖湾消防报批资料、5亩地规划报建等。

2、直接参与以及安排人员与营销策划部配合销售，如：购物大道面积测绘、各设计规划及设计要求的沟通、购物大道商铺一层21装修方案等。

3、与公司其他部门配合，如：配合人力资源部对工程部人员甑癣招聘，物业用房及配套设施、合约有关工程方面招投标技术答疑等。

五、在建项目安装方面：

梓湖湾现场安装以黄工为主，针对安装技术方面疑点、难点、重点进行把关。

1、拟定、完善、审核设备招投标技术标，如：2#地供电设备、会所空调设备、游泳池设备等。

2、对设备合同的技术审核，如：电梯等。

3、现场技术指导，如：梓湖湾智能户控箱位置及其布线、现场排水管问题、购物中心临建水电方面等。

六、内部组织管理方面：

1、制定设计管理制度。

2、工作中培训刚参加工作员工。

3、加强团队建设，开展集体活动。

XX年主要需完成的以下几方面工作：

1、配合项目针对梓湖湾住宅、购物大道、购物中心、三条道路、电缆入地、6#地一期施工进行设计配合，现场安装技术指导及其相关工作。

2、完成a-2#及8#地块规划设计及其8#地施工图设计、生态公园规划及其基本完成主要施工图设计。

3、完善并实施设计管理制度，对设计进行进度、质量、投资全面管理。

4、加强梓山湖工程(设计)技术人员后备力量的培养。

对以后须调整、改进的工作及其建议：

1、我方发出邮件按以往是发邮件个人垫邮资后，拿发票后，再到财务报账。随着项目的扩展，往来邮件比较多，这样多次报账，不能有效的工作，建议：邮件流转流动资金XX元，由文员统筹定期报账管理。

2、为进一步完善设计管理，进行进度、质量、投资全面管理，目前进度由我方直接管理，审图中心对规范进行质量审图。本年度对设计投资的控制管理力度不够(合约对设计投资控制，属于事后控制)，随着以后的项目扩大，建议：对设计质量、投资另找设计咨询机构，我方对此进行审定。

3、目前对于测绘、勘探施工单位有一总包单位，一方面，我方减少了许多签合同等重复劳动，增加了工作的有效性，另一方面，其进度、质量有一定制约(对方认为吃独食)，建议：另增加测绘、勘探总包施工单位，这样增加我方的主动性。另外，对于设计的深化，施工方又不能完成的，由设计咨询机构完成。

4、按今年的设计联系情况，为减少不同项目对同一设计院的联系，以及按强矩阵的管理模式，建议：设计增加人员(已报人力资源部)，尤其安装技术全方位，有甲方专业管理经验人员越来越重要。

5、目前，公司的机电安装各方面都比较滞后，建议：①增加有水电现场管理经验的甲方管理人员；②建立机电设备安装管理制度；③制定机电设备安装设备材料计划及其采购计划。

测试种类覆盖7 大类别26分类，包括“二极管类”“三极管类（如BJT、MOSFET、IGBT）”“保护类器件”“稳压集成类”“继电器类”“光耦类”“传感监测类”等品类的繁多的电子元器件。

高压源标配1400V（选配2KV），高流源标配100A（选配40A,200A,500A）

控制极/栅极电压40V，栅极电流10mA

分辨率最高至1mV / 1nA，精度最高可至0.5%

DCT2000晶体管参数测试仪系统适用于晶体管测试还可测试“结电容”，支持“脉冲式一键加热”和“分选机连接”

第一部分：规格&环境

1.1、 产品信息

产品型号：DCT2000

产品名称：晶体管参数测试仪系统

1.2、 物理规格

主机尺寸：深660*宽430*高210(mm)

主机重量：＜35kg

1.3、 电气环境

主机功耗：＜300W

海拔高度：海拔不超过4000m；

环境要求：-20℃～60℃（储存）、5℃～50℃（工作）；

相对湿度：20%RH～75%RH (无凝露，湿球温度计温度 45℃以下)；

大气压力：86Kpa～106Kpa；

防护条件：无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等；

电网要求：AC220V、±10%、50Hz±1Hz；

工作时间：连续；

第二部分：应用场景和产品特点

一、应用场景

1、 测试分析 （功率器件研发设计阶段的初始测试，主要功能为曲线追踪仪）

2、 失效分析 （对失效器件进行测试分析，查找失效机理。以便于对电子整机的整体设计和使用过程提出改善方案）

3、 选型配对 （在器件焊接至电路板之前进行全部测试，将测试数据比较一致的器件进行分类配对）

4、 来料检验 （研究所及电子厂的质量部（IQC）对入厂器件进行抽检/全检，把控器件的良品率）

5、 量产测试 （可连接机械手、扫码枪、分选机等各类辅助机械设备，实现规模化、自动化测试）

6、 替代进口 （DCT2000晶体管参数测试仪系统可替代同级别进口产品）

二、产品特点

1、程控高压源10~1400V，提供2000V选配；

2、程控高流源1uA~100A，提供40A,200A,500A选配；

3、驱动电压10mV~40V

4、控制极电流10uA~10mA；

5、16位ADC，100K/S采样速率；

6、自动识别器件极性NPN/PNP

7、曲线追踪仪，四线开尔文连接保证加载测量的准确

8、通过RS232 接口连接校准数字表，对系统进行校验

9、不同的封装形式提供对应的夹具和适配器（如TO220、SOP-8、DIP、SOT-23等等）

10、晶体管参数测试仪系统能测很多电子元器件（如二极管、三极管、MOSFET、IGBT、可控硅、光耦、继电器等等）；

11、晶体管参数测试仪系统能实现曲线追踪仪（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on) ）

12、结电容参数也可以测试，诸如Cka，Ciss，Crss，Coss；

13、脉冲电流自动加热功能，方便高温测试，无需外挂升温装置；

14、Prober 接口、Handler 接口可选（16Bin），连接分选机最高效率1h/9000个；

15、晶体管参数测试仪系统在各大电子厂的IQC、实验室有着广泛的应用；

第三部分：产品介绍

3.1、产品介绍

DCT2000晶体管参数测试仪系统是由我公司技术团队结合晶体管参数测试仪系统的多年经验，以及众多国内外测试系统产品的熟悉了解后，完全自主开发设计的全新一代“晶体管参数测试仪系统”。软件及硬件均由团队自主完成。这就决定了这款产品的功能性和可靠性能够得到持续完善和不断的提升。

晶体管参数测试仪系统脉冲信号源输出方面，高压源标配1400V（选配2KV），高流源标配100A（选配40A,200A,500A）栅极电压40V，栅极电流10mA，分辨率最高至1mV / 30pA，精度最高可至0.5%。程控软件基于Lab VIEW平台编写，填充式菜单界面。采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降，保证测试结果准确可靠。产品可测试 Si, SiC, GaN 材料的 IGBTs, DIODEs, MOSFETs, BJTs, SCRs 等7大类26分类的电子元器件。涵盖电子产品中几乎所有的常见器件。无论电压电流源还是功能配置都有着极强的扩展性。

产品为桌面放置的台式机结构，由测试主机和程控电脑两大部分组成。外挂各类夹具和适配器，还能够通过Prober 接口、Handler 接口可选（16Bin）连接分选机和机械手建立工作站，实现快速批量化测试。通过软件设置可依照被测器件的参数等级进行自动分类存放。能够极好的应对“来料检验”“失效分析”“选型配对”“量产测试”等不同场景。

晶体管参数测试仪系统产品的可靠性和测试数据的重复性以及测试效率都有着非常优秀的表现。创新的“点控式夹具”让操作人员在夹具上实现一点即测。操作更简单效率更高。测试数据可保存为EXCEL文本，方便快捷的完成曲线追踪仪。

3.2、人机界面（DCT2000晶体管参数测试仪系统）

第四部分：功能配置

4.1、 配置选项

DCT2000晶体管参数测试仪系统的功能配置如下

4.2、 适配器选型

DCT2000晶体管参数测试仪系统的适配器有如下

4.3、 测试种类及参数

DCT2000晶体管参数测试仪系统的测试种类和参数如下

(1)二极管类：二极管  Diode

Kelvin，Vrrm，Irrm，Vf，△Vf，△Vrrm，Cka，Tr（选配）；

(2)二极管类：稳压二极管  ZD（Zener Diode）

Kelvin，Vz，lr，Vf，△Vf，△Vz，Roz，lzm，Cka；

(3)二极管类：稳压二极管  ZD（Zener Diode）

Kelvin、Vz、lr、Vf、△Vf、△Vz、Roz、lzm、Cka；

(4)二极管类：三端肖特基二极管SBD（SchottkyBarrierDiode）

Kelvin 、Type_ident 、Pin_test 、Vrrm、Irrm、Vf、△Vf、V_Vrrm、I_Irrm、△Vrrm、Cka、Tr（选配）；

(5)二极管类：瞬态二极管  TVS

Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka ；

(6)二极管类：整流桥堆

Kelvin 、Vrrm、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka；

(7)二极管类：三相整流桥堆

Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm、Cka；

(8)三极管类：三极管

Kelvin 、Type_ident、Pin_chk 、V(br)cbo 、V(br)ceo 、V(br)ebo 、Icbo、lceo、Iebo、Hfe、Vce(sat)、Vbe(sat)、△Vsat、△Bvceo 、△Bvcbo 、Vbe、lcm、Vsd 、Ccbo 、Cces、Heater、Tr （选配）、Ts（选配）、Value_process；

(9) 三极管类：双向可控硅

Kelvin、Type_ident、Qs_chk、Pin_test、Igt、Vgt、Vtm、Vdrm、Vrrm、Vdrm rrm、Irrm、 Idrm、Irrm_drm、Ih、IL、C_vtm、△Vdrm、△Vrrm、△Vtm；

(10)三极管类：单向可控硅

Kelvin、 Type_ident、 Qs_chk、 Pin test、 lgt、 Vgt、 Vtm、 Vdrm Vrrm、 IH、IL、△Vdrm△Vrrm、Vtm；

(11)三极管类：MOSFET

Kelvin 、Type_ident、Pin_test、VGS(th) 、V(BR)Dss 、Rds(on) 、Bvds_rz、△Bvds、Gfs、Igss、ldss 、Idss zero 、Vds(on)、 Vsd、Ciss、Coss、Crss、Bvgs 、ld_lim 、Heater、Value_proces、△Rds(on) ；

(12)三极管类：双MOSFET

Kelvin、 Pin_chk、Ic_fx_chk、 Type_ident、 Vgs1(th)、 VGs2(th)、 VBR)Dss1、 VBR)Dss2、 Rds1(on)、 Rds2(on)、 Bvds1 rz、 Bvds2_rz、 Gfs1、Gfs2、lgss1、lgss2、Idss1、Idss2、Vsd1、Vsd2、Ciss、Coss、Crss；

(13)三极管类：JFET

Kelvin、VGS(off )、V(BR)Dss、Rds(on)、Bvds_rz、Gfs、lgss、 Idss(off)、 Idss(on)、 vds(on)、 Vsd、Ciss、Crss、Coss；

(14)三极管类：IGBT

Kelvin、VGE(th)、V(BR)CES、Vce(on)、Gfe、lges、 lces、Vf、Ciss、Coss、Crss；

(15)三极管类：三端开关功率驱动器

Kelvin、Vbb(AZ)、 Von(CL)、 Rson、Ibb(off)、Il(lim)、Coss、Fun_pin_volt；

(16)三极管类：七端半桥驱动器

Kelvin、lvs(off)、lvs(on)、Rson_h、Rson_l、lin、Iinh、ls_Volt、Sr_volt；

(17)三极管类：高边功率开关

Kelvin、Vbb(AZ)、Von(CL)、Rson、Ibb(off)、ll(Iim)、Coss、Fun_pin_volt；

(18)保护类：压敏电阻

Kelvin、Vrrm、 Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、 △Vr

(19)保护类：单组电压保护器

Kelvin 、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr；

(20)保护类：双组电压保护器

Kelvin、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr；

(21)稳压集成类：三端稳压器

Kelvin 、Type_ident 、Treg_ix_chk 、Vout 、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△IB、VD、ISC、Max_lo、Ro、Ext _Sw、Ic_fx_chk；

(22)稳压集成类：基准IC（TL431）

Kelvin、Vref、△Vref、lref、Imin、loff、Zka、Vka；

(23)稳压集成类：四端稳压

Kelvin、Type_ident、Treg_ix_chk、Vout、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△lB、VD、Isc、Max_lo、Ro、Ext_Sw、Ic_fx_chk；

(24)稳压集成类：开关稳压集成器

选配；

(25)继电器类：4脚单刀单组、5脚单刀双组、8脚双组双刀、8脚双组四刀、固态继电器

Kelvin、Pin_chk、Dip6_type_ident、Vf、Ir、Vl、Il、Ift、Ron、Ton（选配）、Toff（选配）；

(26)光耦类：4脚光耦、6脚光耦、8脚光耦、16脚光耦

Kelvin、Pin_chk、Vf、Ir、Bvceo、Bveco、Iceo、Ctr、Vce(sat)、Tr、Tf；

(27)传感监测类：

电流传感器（ACS712XX系列、CSNR_15XX系列）（选配）；

霍尔器件（MT44XX系列、A12XX系列）（选配）；

电压监控器（选配）；

电压复位IC（选配）；

曲线追踪仪

第五部分：性能指标

DCT2000晶体管参数测试仪系统的性能指标如下

5. 1 、 电流/电压源 （ VIS ） 自带VI测量单元

（1）加压(FV)

量程±40V分辨率19.5mV精度±1% 设定值±10mV

量程±20V分辨率10mV精度±1% 设定值±5mV

量程±10V分辨率5mV精度±1% 设定值±3mV

量程±5V分辨率2mV精度±1% 设定值±2mV

量程±2V分辨率1mV精度±1% 设定值±2mV

（2）加流(FI)

量程±40A 分辨率19.5mA精度±2% 设定值±20mA

量程±4A 分辨率1.95mA精度±1% 设定值±2mA

量程±400mA分辨率1195uA精度±1% 设定值±200uA

量程±40mA分辨率119.5uA精度±1% 设定值±20uA

量程±4mA分辨率195nA精度±1% 设定值±200nA

量程±400uA分辨率19.5nA精度±1% 设定值±20nA

量程±40uA分辨率1.95nA精度±1% 设定值±2nA

说明：电流大于1.5A自动转为脉冲方式输出，脉宽范围：300us-1000us可调

（3）电流测量(MI)

量程±40A分辨率1.22mA精度±1% 读数值±20mA

量程±4A分辨率122uA精度±0.5% 读数值±2mA

量程±400mA分辨率12.2uA精度±0.5% 读数值±200uA

量程±40mA分辨率1.22uA精度±0.5% 读数值±20uA

量程±4mA分辨率122nA精度±0.5% 读数值±2uA

量程±400uA分辨率12.2nA精度±0.5% 读数值±200nA

量程±40uA分辨率1.22nA精度±1% 读数值±20nA

（4）电压测量(MV)

量程±40V分辨率1.22mV精度±1% 读数值±20mV

量程±20V分辨率122uV 精度±0.5% 读数值±2mV

量程±10V分辨率12.2uV 精度±0.5% 读数值±200uV

量程±5V分辨率1.22uV 精度±0.5% 读数值±20uV

5. 2 、 数据采集部分 （ VM ）

16位ADC，100K/S采样速率

（1）电压测量(MV)

量程±2000V分辨率30.5mV精度±0.5%读数值±200mV

量程±1000V分辨率15.3mV精度±0.2%读数值±20mV

量程±100V分辨率1.53mV精度±0.1%读数值±10mV

量程±10V分辨率153uV精度±0.1%读数值±5mV

量程±1V分辨率15.3uV精度±0.1%读数值±2mV

量程±0.1V分辨率1.53uV精度±0.2%读数值±2mV

（2）漏电流测量(MI)

量程±100mA分辨率30uA精度±0.2%读数值±100uA

量程±10mA分辨率3uA精度±0.1%读数值±3uA

量程±1mA分辨率300nA精度±0.1%读数值±300nA

量程±100uA分辨率30nA精度±0.1%读数值±100nA

量程±10uA分辨率3nA精度±0.1%读数值±20nA

量程±1uA 分辨率300pA精度±0.5%读数值±5nA

量程±100nA分辨率30pA精度±0.5%读数值±0.5nA

（3）电容容量测量(MC)

量程6nF分辨率10PF精度±5%读数值±50PF

量程60nF分辨率100PF精度±5%读数值±100PF

5. 3 、 高压源 （ HVS ） (基本)12位DAC

（1）加压(FV)

量程2000V/10mA分辨率30.5mV精度±0.5%设定值±500mV

量程200V/10mA分辨率30.5mV精度±0.2%设定值±50mV

量程40V/50mA分辨率30.5mV精度±0.1%设定值±5mV

（2）加流(FI)：

量程10mA分辨率3.81uA 精度±0.5%设定值±10uA

量程2mA分辨率381nA精度±0.5%设定值±2uA

量程200uA分辨率38.1nA精度±0.5%设定值±200nA

量程20uA分辨率3.81nA精度±0.5%设定值±20nA

量程2uA分辨率381pA精度±0.5%设定值±20nA

DCT2000 晶体管参数测试仪系统 能测很多电子元器件 （ 如二极管、三极管、MOSFET、IGBT、可控硅、光耦、继电器等等 ） 产品广泛的应用在院所高校、封测厂、电子厂.....

一、原煤准备

新庄矿主井提升原煤首先进入箕斗仓，经棒条筛后，-100MM到博后筛进行二次筛分，+100MM大块经过手选后破碎到块煤皮带。博后筛把原煤分成+13MM块原煤和-13MM末原煤两个粒级。块煤和末煤到主洗全部通过脱泥筛后，再次分开。末原煤进入末煤重介系统，块原煤进入浅槽分选系统。当末煤重介系统或浅槽系统出现故障，无法洗煤时，可以入缓冲仓，用跳汰系统洗选。当然，也可以全部入原煤仓或落地。

二、块煤浅槽分选

块煤经W12F54浅槽分选成块精煤和矸石两种产品，块精煤经过固定筛和直线脱介筛脱介后，经皮带运输至产品仓。矸石经筛子脱介脱水后直接由厂房三层运出厂房外到矸石山。块精经固定筛预先脱介，筛下分为两部分，一部分为合格介质，另一部分去分流，直线脱介筛筛下前1/3段为合格介质段，后2/3段为稀介段；矸石经直线脱介筛脱介后筛下均为稀介；稀介均自流到磁选机回收精矿，精、矸磁选精矿进入到块煤合格介质桶中，尾矿进入块煤磁尾桶，作为喷水用。

三、末煤重介系统

末原煤脱泥后经垂直斗提进入DWNXZ1150/800无压三产品旋流器中，分选出精煤、中煤和矸石三个产品。精，中，矸分别经过各自弧形筛和直线振动脱介筛脱介后，矸石直接运至矸仓山，中煤经离心机脱水后作为最终产品，运至中煤储煤厂。精煤经过弧形筛和直线振动筛脱介脱水，最后经过离心机脱水后作为末精煤产品，经过精煤线皮带进精煤仓。精，中，矸弧形筛下均为合格介质，且精煤弧形筛筛下设有分流系统。精煤直线振动脱介筛筛下除分级段筛下物料外均为稀介，稀介自流进入精煤磁选机回收精矿，尾矿进入精煤泥桶。中，矸经直线振动脱介筛脱介后筛下均为稀介，中矸稀介自流进入各自磁选机回收精矿，尾矿均进入中矸煤泥桶。精，中，矸磁选精矿均进入合格介质桶。

四、粗煤泥回收

2301筛下流入到原生煤泥桶中，然后经泵打入到新增的两组分级旋流器中，旋流器底流和末精煤分级旋流器底流都进入到螺旋入料混料桶中，经混料槽再自流到两组螺旋分选机的给料分配器中。螺旋精煤进入到螺旋精煤泥桶，然后由泵打入到德瑞克细筛中脱水脱泥，再经过离心机脱水，出末精煤产品。螺旋尾矿进入末煤重介系统的中矸磁尾桶，然后经泵打入分级旋流器组，底流依次经中煤振动弧形筛，煤泥离心机回收末中煤，分级旋流器组溢流、振动弧形筛筛下水均进入浓缩机。

五、煤泥水处理

浮选采用浓缩浮选的方式，一段浓缩机的底流一部分打入到矿浆预处理器中（另一部分进入离心机），经调浆后到浮选床中进行浮选，浮选精矿进入缓冲池经泵打入到加压过滤机脱水后掺入到末精煤中。进入二段浓缩机的入料经加絮凝剂和凝聚剂后，浓缩底流到尾煤压滤机压滤，出煤泥产品，溢流作为循环水使用，实现洗水闭路循环。

改造后的煤泥水系统工艺，严格控制了进入一段浓缩和二段浓缩的入料来源，从根源上解决了煤泥水出现的种种问题，优化了煤泥水的处理，保证末精煤的灰分。

产品运输

末精煤通过精煤皮带运至精煤仓或落地；块煤分级后，分别运至中块仓、小块仓、粒煤仓；中煤通过皮带运至中煤场地；矸石直接运出厂房外到矸石山；二段底流压滤的煤泥运至煤泥场地。

测试种类覆盖7 大类别26分类，包括“二极管类”“三极管类（如BJT、MOSFET、IGBT）”“保护类器件”“稳压集成类”“继电器类”“光耦类”“传感监测类”等品类的繁多的电子元器件。

高压源标配1400V（选配2KV），高流源标配100A（选配40A,200A,500A）

控制极/栅极电压40V，栅极电流10mA

分辨率最高至1mV / 1nA，精度最高可至0.5%

DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统适用于功率器件测试还可测试“结电容”，支持“脉冲式一键加热”和“分选机连接”

第一部分：规格&环境

1.1、 产品信息

产品型号：DCT2000

产品名称：半导体功率器件静态参数测试仪系统

1.2、 物理规格

主机尺寸：深660*宽430*高210(mm)

主机重量：＜35kg

1.3、 电气环境

主机功耗：＜300W

海拔高度：海拔不超过4000m；

环境要求：-20℃～60℃（储存）、5℃～50℃（工作）；

相对湿度：20%RH～75%RH (无凝露，湿球温度计温度 45℃以下)；

大气压力：86Kpa～106Kpa；

防护条件：无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等；

电网要求：AC220V、±10%、50Hz±1Hz；

工作时间：连续；

第二部分：应用场景和产品特点

一、应用场景

1、 测试分析 （功率器件研发设计阶段的初始测试，主要功能为曲线追踪仪）

2、 失效分析 （对失效器件进行测试分析，查找失效机理。以便于对电子整机的整体设计和使用过程提出改善方案）

3、 选型配对 （在器件焊接至电路板之前进行全部测试，将测试数据比较一致的器件进行分类配对）

4、 来料检验 （研究所及电子厂的质量部（IQC）对入厂器件进行抽检/全检，把控器件的良品率）

5、 量产测试 （可连接机械手、扫码枪、分选机等各类辅助机械设备，实现规模化、自动化测试）

6、 替代进口 （DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统可替代同级别进口产品）

二、产品特点

1、程控高压源10~1400V，提供2000V选配；

2、程控高流源1uA~100A，提供40A,200A,500A选配；

3、驱动电压10mV~40V

4、控制极电流10uA~10mA；

5、16位ADC，100K/S采样速率；

6、自动识别器件极性NPN/PNP

7、曲线追踪仪，四线开尔文连接保证加载测量的准确

8、通过RS232 接口连接校准数字表，对系统进行校验

9、不同的封装形式提供对应的夹具和适配器（如TO220、SOP-8、DIP、SOT-23等等）

10、半导体功率器件静态参数测试仪系统能测很多电子元器件（如二极管、三极管、MOSFET、IGBT、可控硅、光耦、继电器等等）；

11、半导体功率器件静态参数测试仪系统能实现曲线追踪仪（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on) ）

12、结电容参数也可以测试，诸如Cka，Ciss，Crss，Coss；

13、脉冲电流自动加热功能，方便高温测试，无需外挂升温装置；

14、Prober 接口、Handler 接口可选（16Bin），连接分选机最高效率1h/9000个；

15、半导体功率器件静态参数测试仪系统在各大电子厂的IQC、实验室有着广泛的应用；

第三部分：产品介绍

3.1、产品介绍

DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统是由我公司技术团队结合半导体功率器件静态参数测试仪系统的多年经验，以及众多国内外测试系统产品的熟悉了解后，完全自主开发设计的全新一代“半导体功率器件静态参数测试仪系统”。软件及硬件均由团队自主完成。这就决定了这款产品的功能性和可靠性能够得到持续完善和不断的提升。

半导体功率器件静态参数测试仪系统脉冲信号源输出方面，高压源标配1400V（选配2KV），高流源标配100A（选配40A,200A,500A）栅极电压40V，栅极电流10mA，分辨率最高至1mV / 30pA，精度最高可至0.5%。程控软件基于Lab VIEW平台编写，填充式菜单界面。采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降，保证测试结果准确可靠。产品可测试 Si, SiC, GaN 材料的 IGBTs, DIODEs, MOSFETs, BJTs, SCRs 等7大类26分类的电子元器件。涵盖电子产品中几乎所有的常见器件。无论电压电流源还是功能配置都有着极强的扩展性。

产品为桌面放置的台式机结构，由测试主机和程控电脑两大部分组成。外挂各类夹具和适配器，还能够通过Prober 接口、Handler 接口可选（16Bin）连接分选机和机械手建立工作站，实现快速批量化测试。通过软件设置可依照被测器件的参数等级进行自动分类存放。能够极好的应对“来料检验”“失效分析”“选型配对”“量产测试”等不同场景。

半导体功率器件静态参数测试仪系统产品的可靠性和测试数据的重复性以及测试效率都有着非常优秀的表现。创新的“点控式夹具”让操作人员在夹具上实现一点即测。操作更简单效率更高。测试数据可保存为EXCEL文本，方便快捷的完成曲线追踪仪。

3.2、人机界面（DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统）

第四部分：功能配置

4.1、 配置选项

DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统的功能配置如下

4.2、 适配器选型

DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统的适配器有如下

4.3、 测试种类及参数

DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统的测试种类和参数如下

(1)二极管类：二极管  Diode

Kelvin，Vrrm，Irrm，Vf，△Vf，△Vrrm，Cka，Tr（选配）；

(2)二极管类：稳压二极管  ZD（Zener Diode）

Kelvin，Vz，lr，Vf，△Vf，△Vz，Roz，lzm，Cka；

(3)二极管类：稳压二极管  ZD（Zener Diode）

Kelvin、Vz、lr、Vf、△Vf、△Vz、Roz、lzm、Cka；

(4)二极管类：三端肖特基二极管SBD（SchottkyBarrierDiode）

Kelvin 、Type_ident 、Pin_test 、Vrrm、Irrm、Vf、△Vf、V_Vrrm、I_Irrm、△Vrrm、Cka、Tr（选配）；

(5)二极管类：瞬态二极管  TVS

Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka ；

(6)二极管类：整流桥堆

Kelvin 、Vrrm、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka；

(7)二极管类：三相整流桥堆

Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm、Cka；

(8)三极管类：三极管

Kelvin 、Type_ident、Pin_chk 、V(br)cbo 、V(br)ceo 、V(br)ebo 、Icbo、lceo、Iebo、Hfe、Vce(sat)、Vbe(sat)、△Vsat、△Bvceo 、△Bvcbo 、Vbe、lcm、Vsd 、Ccbo 、Cces、Heater、Tr （选配）、Ts（选配）、Value_process；

(9) 三极管类：双向可控硅

Kelvin、Type_ident、Qs_chk、Pin_test、Igt、Vgt、Vtm、Vdrm、Vrrm、Vdrm rrm、Irrm、 Idrm、Irrm_drm、Ih、IL、C_vtm、△Vdrm、△Vrrm、△Vtm；

(10)三极管类：单向可控硅

Kelvin、 Type_ident、 Qs_chk、 Pin test、 lgt、 Vgt、 Vtm、 Vdrm Vrrm、 IH、IL、△Vdrm△Vrrm、Vtm；

(11)三极管类：MOSFET

Kelvin 、Type_ident、Pin_test、VGS(th) 、V(BR)Dss 、Rds(on) 、Bvds_rz、△Bvds、Gfs、Igss、ldss 、Idss zero 、Vds(on)、 Vsd、Ciss、Coss、Crss、Bvgs 、ld_lim 、Heater、Value_proces、△Rds(on) ；

(12)三极管类：双MOSFET

Kelvin、 Pin_chk、Ic_fx_chk、 Type_ident、 Vgs1(th)、 VGs2(th)、 VBR)Dss1、 VBR)Dss2、 Rds1(on)、 Rds2(on)、 Bvds1 rz、 Bvds2_rz、 Gfs1、Gfs2、lgss1、lgss2、Idss1、Idss2、Vsd1、Vsd2、Ciss、Coss、Crss；

(13)三极管类：JFET

Kelvin、VGS(off )、V(BR)Dss、Rds(on)、Bvds_rz、Gfs、lgss、 Idss(off)、 Idss(on)、 vds(on)、 Vsd、Ciss、Crss、Coss；

(14)三极管类：IGBT

Kelvin、VGE(th)、V(BR)CES、Vce(on)、Gfe、lges、 lces、Vf、Ciss、Coss、Crss；

(15)三极管类：三端开关功率驱动器

Kelvin、Vbb(AZ)、 Von(CL)、 Rson、Ibb(off)、Il(lim)、Coss、Fun_pin_volt；

(16)三极管类：七端半桥驱动器

Kelvin、lvs(off)、lvs(on)、Rson_h、Rson_l、lin、Iinh、ls_Volt、Sr_volt；

(17)三极管类：高边功率开关

Kelvin、Vbb(AZ)、Von(CL)、Rson、Ibb(off)、ll(Iim)、Coss、Fun_pin_volt；

(18)保护类：压敏电阻

Kelvin、Vrrm、 Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、 △Vr

(19)保护类：单组电压保护器

Kelvin 、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr；

(20)保护类：双组电压保护器

Kelvin、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr；

(21)稳压集成类：三端稳压器

Kelvin 、Type_ident 、Treg_ix_chk 、Vout 、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△IB、VD、ISC、Max_lo、Ro、Ext _Sw、Ic_fx_chk；

(22)稳压集成类：基准IC（TL431）

Kelvin、Vref、△Vref、lref、Imin、loff、Zka、Vka；

(23)稳压集成类：四端稳压

Kelvin、Type_ident、Treg_ix_chk、Vout、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△lB、VD、Isc、Max_lo、Ro、Ext_Sw、Ic_fx_chk；

(24)稳压集成类：开关稳压集成器

选配；

(25)继电器类：4脚单刀单组、5脚单刀双组、8脚双组双刀、8脚双组四刀、固态继电器

Kelvin、Pin_chk、Dip6_type_ident、Vf、Ir、Vl、Il、Ift、Ron、Ton（选配）、Toff（选配）；

(26)光耦类：4脚光耦、6脚光耦、8脚光耦、16脚光耦

Kelvin、Pin_chk、Vf、Ir、Bvceo、Bveco、Iceo、Ctr、Vce(sat)、Tr、Tf；

(27)传感监测类：

电流传感器（ACS712XX系列、CSNR_15XX系列）（选配）；

霍尔器件（MT44XX系列、A12XX系列）（选配）；

电压监控器（选配）；

电压复位IC（选配）；

曲线追踪仪

第五部分：性能指标

DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统的性能指标如下

5. 1 、 电流/电压源 （ VIS ） 自带VI测量单元

（1）加压(FV)

量程±40V分辨率19.5mV精度±1% 设定值±10mV

量程±20V分辨率10mV精度±1% 设定值±5mV

量程±10V分辨率5mV精度±1% 设定值±3mV

量程±5V分辨率2mV精度±1% 设定值±2mV

量程±2V分辨率1mV精度±1% 设定值±2mV

（2）加流(FI)

量程±40A 分辨率19.5mA精度±2% 设定值±20mA

量程±4A 分辨率1.95mA精度±1% 设定值±2mA

量程±400mA分辨率1195uA精度±1% 设定值±200uA

量程±40mA分辨率119.5uA精度±1% 设定值±20uA

量程±4mA分辨率195nA精度±1% 设定值±200nA

量程±400uA分辨率19.5nA精度±1% 设定值±20nA

量程±40uA分辨率1.95nA精度±1% 设定值±2nA

说明：电流大于1.5A自动转为脉冲方式输出，脉宽范围：300us-1000us可调

（3）电流测量(MI)

量程±40A分辨率1.22mA精度±1% 读数值±20mA

量程±4A分辨率122uA精度±0.5% 读数值±2mA

量程±400mA分辨率12.2uA精度±0.5% 读数值±200uA

量程±40mA分辨率1.22uA精度±0.5% 读数值±20uA

量程±4mA分辨率122nA精度±0.5% 读数值±2uA

量程±400uA分辨率12.2nA精度±0.5% 读数值±200nA

量程±40uA分辨率1.22nA精度±1% 读数值±20nA

（4）电压测量(MV)

量程±40V分辨率1.22mV精度±1% 读数值±20mV

量程±20V分辨率122uV 精度±0.5% 读数值±2mV

量程±10V分辨率12.2uV 精度±0.5% 读数值±200uV

量程±5V分辨率1.22uV 精度±0.5% 读数值±20uV

5. 2 、 数据采集部分 （ VM ）

16位ADC，100K/S采样速率

（1）电压测量(MV)

量程±2000V分辨率30.5mV精度±0.5%读数值±200mV

量程±1000V分辨率15.3mV精度±0.2%读数值±20mV

量程±100V分辨率1.53mV精度±0.1%读数值±10mV

量程±10V分辨率153uV精度±0.1%读数值±5mV

量程±1V分辨率15.3uV精度±0.1%读数值±2mV

量程±0.1V分辨率1.53uV精度±0.2%读数值±2mV

（2）漏电流测量(MI)

量程±100mA分辨率30uA精度±0.2%读数值±100uA

量程±10mA分辨率3uA精度±0.1%读数值±3uA

量程±1mA分辨率300nA精度±0.1%读数值±300nA

量程±100uA分辨率30nA精度±0.1%读数值±100nA

量程±10uA分辨率3nA精度±0.1%读数值±20nA

量程±1uA 分辨率300pA精度±0.5%读数值±5nA

量程±100nA分辨率30pA精度±0.5%读数值±0.5nA

（3）电容容量测量(MC)

量程6nF分辨率10PF精度±5%读数值±50PF

量程60nF分辨率100PF精度±5%读数值±100PF

5. 3 、 高压源 （ HVS ） (基本)12位DAC

（1）加压(FV)

量程2000V/10mA分辨率30.5mV精度±0.5%设定值±500mV

量程200V/10mA分辨率30.5mV精度±0.2%设定值±50mV

量程40V/50mA分辨率30.5mV精度±0.1%设定值±5mV

（2）加流(FI)：

量程10mA分辨率3.81uA 精度±0.5%设定值±10uA

量程2mA分辨率381nA精度±0.5%设定值±2uA

量程200uA分辨率38.1nA精度±0.5%设定值±200nA

量程20uA分辨率3.81nA精度±0.5%设定值±20nA

量程2uA分辨率381pA精度±0.5%设定值±20nA

DCT2000 半导体功率器件静态参数测试仪系统 能测很多电子元器件 （ 如二极管、三极管、MOSFET、IGBT、可控硅、光耦、继电器等等 ） 产品广泛的应用在院所高校、封测厂、电子厂.....

发光强度IV： 发光二极体的发光强度通常是指法线（对圆柱形发光管是指其轴线）方向上的发光强度。若在该方向上辐射强度为（1/683）W/sr时，则发光1坎德拉（符号为cd）。由于一般LED的发光二极管强度小，所以发光强度常用烛光(坎德拉, mcd)作单位。 LED的发光角度： -90°- +90° 光谱半宽度Δλ: 它表示发光管的光谱纯度。 半值角θ1/2和视角： θ1/2是指发光强度值为轴向强度值一半的方向与发光轴向（法向）的夹角。 全形： 根据LED发光立体角换算出的角度，也叫平面角。 视角： 指LED发光的最大角度，根据视角不同，应用也不同，也叫光强角。 半形： 法向0°与最大发光强度值/2之间的夹角。严格上来说，是最大发光强度值与最大发光强度值/2所对应的夹角。LED的封装技术导致最大发光角度并不是法向0°的光强值，引入偏差角，指得是最大发光强度对应的角度与法向0°之间的夹角。 最大正向直流电流IFm： 允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极体。 允许功耗Pm: 允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值，LED发热、损坏LED芯片及器件的分选测试

LED的分选有两种方法：一是以芯片为基础的测试分选，二是对封装好的LED进行测试分选。

(1)芯片的测试分选

LED芯片分选难度很大，主要原因是LED芯片尺寸一般都很小，从9mil到14mil(0.22-0.35微米)。这样小的芯片需要微探针才能够完成测试，分选过程需要精确的机械和图像识别系统，这使得设备的造价变得很高，而且测试速度受到限制。如果按照每月25天计算，每一台分选机的产能为每月5KK。

从根本上解决芯片测试分选瓶颈问题的关键是改善外延片均匀性。如果一片外延片波长分布在2nm之内，亮度的变化在+15%之内，则可以将这个片子上的所有芯片归为一档(Bin)，只要通过测试把不合格的芯片去除即可，将大大增加芯片的产能和降低芯片的成本。在均匀性不是很好的情况下，也可以用测试并把"不合格产品较多"的芯片区域用喷墨涂抹的方式处理掉，从而快速地得到想要的"合格"芯片，但这样做的成本太高，会把很多符合其他客房要求的芯片都做为不合格证的废品处理，最后核算出的芯片成本可能是市场无法接受的水平。

(2)LED的测试分选

封装后的LED可以按照波长、发光强度、发光角度以及工作电压等进行测试分选。其结果是把LED分成很多档(Bin)和类别，然后测试分选机会自动地根据设定的测试标准把LED分装在不同的Bin盒内。由于人们对于LED的要求越来越高，早期的分选机是32Bin，后来增加到64Bin，分Bin的LED技术指标仍然无法满足生产和市场的需求。

LED测试分选机是在一个特定的工作台电流下(如20mA)，对LED进行测试，一般还会做一个反向电压值的测试。如果按照每月25天，每天20小时的工作时间计算，每一台分选机的产能为每月9KK。

大型显示屏或其他高档应用客户，对LED的质量要求较高。特别是在波长与亮度一致性的要求上很严格。假如LED封装厂在芯片采购时没有提出严格的要求，则这些封装厂在大量的封装后会发现，封装好的LED中只有很少数量的产品能满足某一客户的要求，其余大部分将变成仓库里的存货。这种情形迫使LED封装厂在采购LED芯片时提出严格的要求，特别是波长、亮度和工作台电压的指标比如，过去对波长要求

是+2nm，已提出+0.5nm的要求。这样对于芯片厂就产生了巨大的压力，在芯片销售前必须进行严格的分选。

从以上关于LED与LED芯片分选取的分析中可以看出，比较经济的做法是对LED进行测试分选。但是由于LED的种类繁多，有不同的形式，不现的形状，不同的尺寸，不同的发光角度，不同的客户要求，不同的应用要求，这使用权得完全通过LED测试分选取进行产品的分选变得很难操作。所以问题的关键又回到MOCVD的外延工艺过程，如何生长出所需波长及亮度的LED外延片是降低成本的关键点，这个问题不解决，LED的产能及成本仍将得不到完全解决。但在外延片的均匀度得到控制以前，比较行之有效的方法是解决快速低成本的芯片分选问题。