碳化硅陶瓷散热片有哪些优点
碳化硅陶瓷以SiC为主要成分的陶瓷。碳化硅陶瓷制品为绿色环保材料,它属于微孔洞结构，在同单位面积下可多出30%的孔隙率,
极大地增加了与空气接触的散热面积，增强其散热效果。同时其热容量较小，本身蓄热量较小，其热量能更快速地向外界传递，产品主要的特色：环保、绝缘抗高压、高效散热,避免滋生EMI问题。
陶瓷制品主要应用于网络通讯产品、平板电视、驱动电源及相关电子行业，可有效解决电子及家电行业导热及散热问题，同时其特别适用于中小瓦数功耗，设计空间讲究轻、薄、短、小的产品，其可为电子产品的创新与发展提供技术上的支持与应用。
碳化硅陶瓷基片产品说明：
材料:SiC
颜色:浅绿色
特点:
1、高散热能力，高热导系数，与高绝缘能力
2、耐高温工作环境及抗腐蚀环境
3、优秀的电子绝缘与避免滋生EMI问题
4、重量轻，高表面积
5、易于安装，无长期保存之品质问题
6、为环保材质与环保制程产品，对环境友善。
用途：
零组件:集成电路、芯片、CPU、MOS、南大桥
LED: 背光模组，一般(商用)照明
TV:薄型LCD电视
网络设备: AP、路由器、ADSL、modern，S / W，机顶盒
信息技术: M/B, NB, Video, Card
内存: DDR3-DIMM, SO-DIMM, SSD
电源: Power module, power transistor
LN碳化硅有黑碳化硅和绿碳化硅两个常用的基本品种，都属α-SiC。①黑碳化硅含SiC约95%，其韧性高于绿碳化硅，大多用于加工抗张强度低的材料，如玻璃、陶瓷、石材、耐火材料、铸铁和有色金属等。②绿碳化硅含SiC约97%以上，自锐性好，大多用于加工硬质合金、钛合金和光学玻璃，也用于珩磨汽缸套和精磨高速钢刀具。此外还有立方碳化硅，它是以特殊工艺制取的黄绿色晶体，用以制作的磨具适于轴承的超精加工，可使表面粗糙度从Ra32～0.16微米一次加工到Ra0.04～0.02微米。
LN陶瓷散热片优势
1、陶瓷热容量小，本身不蓄热，直接散热，不会像金属散热片一样形成“热 阶梯”，影响散热；
2、最大的特色，就是陶瓷本身微孔洞的结构，极大地增加了与空气接触的散热面积，大大增强了散热效果，同比条件，在自然对流状态下，散热效果比超铜、铝，密闭环境下，主动辐射散热能力8.8倍与金属材料，散热优势更加明显。
3、陶瓷本身绝缘、耐高温、抗氧化、耐酸碱、耐冷热冲击、热膨胀系数低，保证了在高低温环境或者其他恶劣环境下陶瓷散热片的稳定性；
4、陶瓷可耐大电流、可打高压、可防漏电击穿，没有噪音，不会与MOS等功率管产生耦合寄生电容，并因此简化滤波过程；所需的爬电距离比金属体要求的短，进一步节省了板空间，更利于工程师的设计和电气认证的通过；
5、陶瓷可有效防干扰、抗静电影响，并吸潮、防尘，不影响其效果；
6、陶瓷散热的多向性，更适合于多向性散热的IC的封装方式；
7、陶瓷体积小、重量轻，不占空间，节省用料，节省运费，更有利于产品设计的合理布局；
8、陶瓷属于无机材料，更符合环保；
9、陶瓷适用于IC、MOS、三极管、肖特基、IGBT等等需要散热的热源！
10、特别适用于低瓦数功耗、散热要求高、设计空间讲究轻、薄、短、小的使用。
如：超薄型LCD/LED 液晶电视/液晶显示器、LED-NB、微型投影仪、掌上型MP4/MP5、ADSL数据机、路由器等；
路由器电路板上的芯片加装散热片，有效地减少了路由器因夏天环境温度过高，散热不好造成死机，所引起的断网故障。简介如下：
1、拧下底壳固定螺丝，掀开机盖，电路板上那块最大芯片即为路由器的核心。
2、准备一块10x15mm的铝质散热片。使用导热性能好的硅胶粘合剂少许，将散热片粘到芯片表面即可。没有硅胶，用502代替也可。粘好后的样子如下图：
3、图中散热片是从其他废弃设备上取之，经手工锯锉加工修整为合适形状的。若找不到合适的散热片，可用厚度适当的铜、铝片加工成┗━┛形状粘到芯片上。
4、网上还有人将路由器上盖弄个大洞，安个小风扇来降温，也是异曲同工。
碳化硅(SiC)是共价键很强的化合物，其Si--C键的离子型仅12%左右，因此，它也具有优良的力学性能、优良的抗氧化性、高的抗磨损性以及低的摩擦系数等。碳化硅的最大特点是高温强度高，普通陶瓷材料在1200~1400摄氏度时强度将显著降低，而碳化硅在1400摄氏度时抗弯强度仍保持在500~600MPa的较高水平，因此其工作温度可达1600~1700摄氏度。再加上碳化硅陶瓷的热传导能力也较高，在陶瓷中仅次于氧化铍陶瓷，因此碳化硅已经广泛应用于高温轴承、防弹板、喷嘴、高温耐蚀部件以及高温和高频范围的电子设备零部件等领域。
稀土氧化物如Y2O，同样可以作为碳化硅陶瓷的烧结助剂，通过液相烧结的途径获得致密的碳化硅。由于其液相烧结是通过玻璃相的形成来降低孔隙率，提高致密度的，因此，玻璃相的特性对烧结所得微观结构影响很大。
碳化硅主要有两种晶体结构，即立方晶系的β-SiC和六方晶系的-SiC。碳化硅晶体的基本结构单元是相互穿插的SiC和CSi四面体。四面体共边形成平面层，并以顶点与下一叠层四面体相连形成三维结构。由于四面体堆积次序的不同可以形成不同的结构，已发现数百种变体。一般采用字母C(立方)、H(六方)、R(菱方)米表示其晶格类型，并用单位晶胞中所含的层数以示区别，例如nH表示沿c轴有n层重复周期的六方晶系结构，而mR则表示沿c轴有m层重复周期的菱面体结构。
其它物理性能如下：
密度：3.2克/厘米3
莫氏硬度：9.5
比 热：0.17千卡/公斤·度
线膨胀系数：5×10-6(m/℃)
化学性质：
有良好的化学稳定性，抗酸能力强。在高温条件下碱性物质对其有侵蚀作用。
在1000℃以上长期使用能与氧气和水蒸气发生如下作用：
①SiC+2O2→Sio2+CO2 ②SiC+4H2O＝Sio2+4H2+CO2
致使元件中SiO2含量逐渐增多，电阻随之缓慢增加，为之老化。如水蒸气过多，会促进SiC氧化，由②式反应产生的H2与空气中的O2给合H2O再反应产生恶性循环，降低寿命。氢气(H2)能使元件机械强度降低。氮气(N2)在1200℃以下能防止SiC氧化1350℃以上与Si发生反应，使SiC分解。氯气(Cl2)能使Sic完全分解。
