普通雕铣机能加工氮化铝陶瓷吗

氮化铝陶瓷具有高热导率、高强度、高电阻率、密度小、低介电常数、无毒、以及与Si相匹配的热膨胀系数等优异性能，将逐步取代传统大功率LED基板材料，成为今后最具发展前途的一种陶瓷基板材料。一般来说，LED发光效率和使用寿命会随结温的增加而下降，当结温达到125℃以上时，LED甚至会出现失效。为使LED结温保持在较低温度下，必须采用高热导率、低热阻的散热基板材料和合理的封装工艺，以降低LED总体的封装热阻。

氮化铝陶瓷综合性能优良，理论热导率为320W/（m），具有优良的热传导性，可靠的电绝缘性，低介电常数和损耗，无毒以及与硅相匹配的热膨胀系数。

利用AIN陶瓷耐热耐熔体侵蚀和热震性，可制作GaAs晶体坩埚、Al蒸发皿、磁流体发电装置及高温透平机耐蚀部件，利用其光学性能可作红外线窗口。氮化铝薄膜可制成高频压电元件、超大规模集成电路基片等。氮化铝耐热、耐熔融金属的侵蚀，对酸稳定，但在碱性溶液中易被侵蚀。AIN新生表面暴露在湿空气中会反应生成极薄的氧化膜。利用此特性，可用作铝、铜、银、铅等金属熔炼的坩埚和烧铸模具材料。AIN陶瓷的金属化性能较好，可替代有毒性的氧化铍瓷在电子工业中广泛应用。

所以平时对于不同产品使用一定要多跟专业技术人员沟通，这样能够掌握更多正确的使用方法，多跟别人学习沟通，需要注意以下几个方面。

1.沟通时舍弃你的自尊心.

无谓的自尊和自傲只会成为沟通的绊脚石，因此，至少应当在沟通的时候舍弃自己所谓的自尊心。不要说出“我的自尊心不允许我……”这样的话，这只会让沟通无法进行下去。

2.与沟通对象坦诚相待.

沟通的过程中与沟通对象坦诚相待非常重要，不要有隐瞒，坦诚是你们通过沟通加深合作关系的重要台阶。首先可以通过自己的坦诚，让对方相信自己，进而带动对方对你坦诚，进而促进沟通的顺利愉 快进行。

3.清晰地陈述理由.

无论是什么问题，为什么、怎么做、理由是什么之类的一定要充分地向对方解释，即使没什么理由的行动，也一定要告知对方自己的考虑和想法，得到对方的理解和行动上的支持对于沟通的发展和接下 来事态的发展都有良好的帮助。

一，导热性能不同，氮化铝陶瓷基板有更高的导热率

氮化硅陶瓷基板的导热率一般75-80W/(m·K），氮化铝陶瓷基板的导热率最高可以去掉170W/(m·K），可见氮化铝陶瓷基板有这 更高的导热性能。

二，机械强度不同，氮化硅陶瓷具有比氮化铝陶瓷更高的强度

机械强度这方面，氮化铝陶瓷基板比起氮化硅陶瓷基板更加容易碎。氮化铝陶瓷基板的机械折弯强度达450mpa，氮化硅陶瓷基板的折弯强度是800mpa，可见高强度高导热氮化硅陶瓷基板有这较好的弯曲强度，可以提高氮化硅陶瓷覆铜板强度和抗冲击能力，焊接更厚的无氧铜而不会产生瓷裂现象，提高了基板的可靠性。

三，应用范围不同，氮化硅陶瓷基板是可靠性模组封装的基板材料。

氮化铝陶瓷基板和氮化硅陶瓷基板在LED，半导体以及大功率光电领域方面广范应用，用于导热性能要求比较高的领域。氮化硅

陶瓷基板具有高强度、高导热、高可靠的特点，可用湿法刻蚀工艺在表面制作电路，经表面镀覆后制得的一种用于高可靠性电子基板模块封装的基板材料，是新型电动汽车用 1681 功率控制模块的首选基板材料。此外，陶瓷基板产业还涉及 LED、精细陶瓷制备、薄膜金属化、黄光微影、激光成型、电化学镀、光学模拟、微电子焊接等多领域技术，产品在功率型发射器、光伏器件，IGBT 模块，功率型晶闸管、谐振器基座、半导体封装载板等大功率光电及半导体器件领域有广泛用途。

综上可以看出，氮化硅陶瓷基板和氮化铝陶瓷基板虽然同属于高导热性能基板，然而因其机械强度和导热性能不同，应用领域也所侧重。更多陶瓷基板的问题可以咨询金瑞欣特种电路。

根据地壳里各元素的含量由多到少的顺序排列依次是氧，硅，铝，铁，铝在地壳中的含量居所有元素的第3位；

根据氮化铝陶瓷可断定其不属于金属材料，所以氮化铝陶瓷属于无机非金属材料；

（2）由题意知反应的化学方程式为3Mg+N2

故答案为：（1）Al2O3+N2+3C

（2）3Mg+N2

拼音:danhualv

英文名称：alumin(i)um nitride

分子式:AlN

分子量:40.99

密度:3.235g/cm3

说明:AlN属类金刚石氮化物，最高可稳定到2200℃。室温强度高，且强度随温度的升高下降较慢。导热性好，热膨胀系数小，是良好的耐热冲击材料。抗熔融金属侵蚀的能力强，是熔铸纯铁、铝或铝合金理想的坩埚材料。氮化铝还是电绝缘体，介电性能良好，用作电器元件也很有希望。砷化镓表面的氮化铝涂层，能保护它在退火时免受离子的注入。氮化铝还是由六方氮化硼转变为立方氮化硼的催化剂。室温下与水缓慢反应.可由铝粉在氨或氮气氛中800~1000℃合成，产物为白色到灰蓝色粉末。或由Al2O3-C-N2体系在1600~1750℃反应合成，产物为灰白色粉末。或氯化铝与氨经气相反应制得.涂层可由AlCl3-NH3体系通过气相沉积法合成。

1.氮化铝粉末纯度高，粒径小，活性大，是制造高导热氮化铝陶瓷基片的主要原料。

2.氮化铝陶瓷基片，热导率高，膨胀系数低，强度高，耐高温，耐化学腐蚀，电阻率高，介电损耗小，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。

工艺路线：氮化铝粉末采用碳热还原氮化法；高导热氮化铝陶瓷基片采用氛常压烧结法。

（2）对于Al2O3、N2和C，可将N2、C归为同类物质，因为N2、C都是一种元素组成的纯净物，所以属于单质．而Al2O3是两种元素组成的纯净物，属于化合物．．

（3）根据质量守恒定律，X一定含有碳氧元素，由于是气体，所以可能是CO或者是CO2．为检验气体X是CO还是CO2，可将X通入澄清石灰水．若石灰水变浑浊，则X是 CO2．检验时，发生反应的化学方程式为 CO2+Ca（OH）2═CaCO3↓+H2O．

故答案为：（1）物理；（2）单质；（3）CO2；CO2+Ca（OH）2═CaCO3↓+H2O．