瓷片电容一般哪里坏

一、在电荷的状态下，电源陶瓷电容的击穿破坏遵循弱点击穿理论，而局部放电是产生弱点破坏的根源

除因温度冷热变化产生热应力导致开裂外，对于环氧包封型高压电源陶瓷电容，无论是留边型还是满银型电容都存在着电极边缘电场集中和陶瓷-环氧的结合界面等比较薄弱的环节

环氧包封电源陶瓷电容由于环氧树脂固化冷却过程体积收缩，产生的内应力以残余应力的形式保留在包封层中，并作用于陶瓷-环氧界面，劣化界面的粘结

在电荷的状态下，组成高压电源陶瓷电容体的钙钛矿型SrTiO3铁类瓷片会发生电机械应力，产生电致应变

当环氧包封层的残余应力较大时，二者联合作用极可能造成包封与陶瓷体之间脱壳，产生气隙，从而降低电压水平

二、陶瓷电容应力裂纹的因素：陶瓷电容是属于脆性高的产品，在转换的过程中陈生了应力效果导致裂纹，导致耐压降低

常见的应力源有：工艺过程电路板流转操作；流转过程中的人、设备、螺丝安装，重力等因素；电路测试；元件接插操作；电路板安装；单板分割；电路板定位铆接等

三、还有一种是包装里加入氧原子材料的因素：包装的密度越厚，而包装表面破坏所需的外力越高

在同样电场力和残余应力的作用下，陶瓷基体和环氧界面的脱粘产生气隙较为困难

另外固化温度的影响，随着固化温度的提高，电源陶瓷电容的击穿电压会越高，因为高温固化时可以较快并有效地减少残余应力

随着整体模块灌胶后固化的高温持续，当达到或超过电源陶瓷电容外包封层环氧树脂的玻璃转化温度，达到了粘流态，陶瓷基体和环氧界面的脱粘产生了气隙，此时的形变就很难恢复，这种气隙会降低电源陶瓷电容的耐压水平.

您好，多层陶瓷电容具由陶瓷介质、端电极、金属电极三种材料构成，失效样式为金属电极和陶介之间层错，电气表现为受外力和温度冲击时电容时好时坏。陶瓷电容失效的类型和表现主要有三种：1、热击失效2、扭曲破裂失效3、原材失效。

1、陶瓷电容热击失效模式：

热击失效的机理是：在生产多层陶瓷电容时，运用各类兼容材料会导致内部出现张力的不同热膨胀系数及导热率。当温度转变率过大时就容易出现因热击而破裂的现象，这类破裂往往从构造弱及机器构造集成时发生，通常是在接近外露端接和陶瓷端接的界面处、产生机器张力的地方。

2、陶瓷电容扭曲破裂失效

导致的破裂失效：当进行零件的取放尤其是零件取放时，取放的定中爪由于磨损、对位不准确，倾斜等造成的。由定中爪集成起来的压力，会造成较大的压力或切断率，继而呈现破裂点。这些破裂现象通常为可见的表面裂缝，或2至3个电极间的内部破裂；表面破裂通常会沿着强的压力线及陶瓷位移的方向。真空检拾头导致的损坏或破裂﹐通常会在芯片的表面呈现一个圆形或半月形的压痕面积﹐并带有不圆滑的边缘。此外﹐这个半月形或圆形的裂缝直经也和吸头相吻合。另一个由吸头所造成的损环﹐因拉力而造成的破裂﹐裂缝会由组件的一边伸展到另一边﹐这些裂缝可能会蔓延至组件的另一面﹐并且其粗糙的裂痕可能会令电容具的底部破损。

以后制造阶段导致的破裂失效：电路板切割﹑测试﹑背面组件和连接器安装﹑及后面组装时，若焊锡组件受到扭曲或在焊锡经过后把电路板拉直，都有可能造成‘扭曲破裂’这项的损坏。在机器力效果下板材弯曲变形时，陶瓷的活动范畴受端位及焊点限控，破裂就会在陶瓷的端接界面处呈现，这类破裂会从呈现的位置开始，从45°角向端接蔓延开来。

3、陶瓷电容原材失效

1）电极间失效及结合线破裂主要由陶瓷的高空隙，或电介质层与相对电极间存在的空隙引起，使电极间是电介质层裂开，成为潜伏性的漏电危机。

2）燃烧破裂的特性与电极垂直，且通常源自电极边缘或终端。假如显示出破裂是垂直的话，则它们应是由燃烧所引起。

以上就是陶瓷电容器失效的类型和表现，希望能帮到您哦，台湾智旭JEC也有生产陶瓷电容，具有各种国际认证，可以去看看哦。

根据我的教学和维修经验，瓷片电容器漏电的原因有一下几种可能:（1）瓷片介质的高频特性变差，导致高频电路里的电容器漏电。（2）设备通风和散热差导致瓷片表面灰尘、油垢覆盖发黑导致大功率瓷片电容器漏电。（3）因高温烘烤导致瓷片电容器开裂漏电。（4）因电路板污损导致电容器两个电极焊点间漏电，使电容器不能正常工作。其实这不是电容器分身的问题。以上解答希望能帮到你，祝你开心快乐！

首先考虑瓷片电容本身质量问题，未达标生产即次品；

瓷片电容达到寿命极限，即是否已经老化；

如不存在1.2问题，电容爆裂一般跟电压有关，即是否远远超出标称值或者超出最大耐压值。

分析陶瓷电容器，可能会出现以下的失效形式：

1.潮湿对电参数恶化的影响

空气中湿度过高时，水膜凝聚在电容器外壳表面，可使电容器的表面绝缘电阻下降。此外，对于半密封结构电容器来说，水分还可渗透到电容器介质内部，使电容器介质的绝缘电阻绝缘能力下降。因此，高温、高湿环境对电容器参数恶化的影响极为显著。经烘干去湿后电容器的电性能可获改善，但是水分子电解的后果是无法根除的。例如，电容器的工作于高温条件下，水分子在电场作用下电解为氢离子（H+）和氢氧根离子（OH-），引线根部产生电化学腐蚀。即使烘干去湿，也不可能使引线复原。

2.银离子迁移的后果

无机介质电容器多半采用银电极，半密封电容器在高温条件下工作时，渗入电容器内部的水分子产生电解。在阳极产生氧化反应，银离子与氢氧根离子结合生产氢氧化银；在阴极产生还原反应，氢氧化银与氢离子反应生成银和水。由于电极反应，阳极的银离子不断向阴极还原成不连续金属银粒，靠水膜连接成树状向阳极延伸。银离子迁移不仅发生在无机介质表面，还能扩散到无机介质内部，引起漏电流增大，严重时可使用两个银电极之间完全短路，导致电容器击穿。

3.高温条件下陶瓷电容器击穿机理

半密封陶瓷电容器在高湿度环境条件下工作时，发生击穿失效是比较普遍的严重问题。所发生的击穿现象大约可以分为介质击穿和表面极间飞弧击穿两类。介质击穿按发生时间的早晚又可分为早期击穿与老化击穿两种，早期击穿暴露了电容介质材料与生产工艺方面存在的缺陷，这些缺陷导致陶瓷介质介电强度显著降低，以至于在高湿度环境的电场作用下，电容器在耐压试验过程中或工作初期，就产生电击穿。老化击穿大多属于电化学击穿范畴。由于陶瓷电容器银的迁移，陶瓷电容器的电解老化击穿已成为相当普遍的问题。银迁移形成的导电树枝状物，使漏电流局部增大，可引起热击穿，使电容器断裂或烧毁。热击穿现象多发生在管形或圆片形的小型瓷介质电容器中，因为击穿时局部发热严重，较薄的管壁或较小的瓷体容易烧毁或断裂。

4.电极材料的改进

陶瓷电容器一直使用银电极。银离子迁移和由此而引起含钛陶瓷介质的加速老化是导致陶瓷电容器失效的主要原因。有的厂家生产陶瓷电容器已不用银电极，而改用镍电极，在陶瓷基片上采用化学镀镍工艺。由于镍的化学稳定性比银好，电迁移率低，提高了陶瓷电容器的性能和可靠性。

又如，以银做电极的独石低频瓷介质电容器，由于银电极和瓷料在900℃下一次烧结时瓷料欠烧不能获得致密的陶瓷介质，存在较大的气孔率；此外银电极常用的助溶剂氧化钡会渗透到瓷体内部，在高温下依靠氧化钡和银之间良好的浸润“互熔”能力，使电极及介质内部出现热扩散现象，即宏观上看到的“瓷吸银”现象。银伴随着氧化钡进入瓷体中后，大大减薄了介质的有效厚度，引起产品绝缘电阻的减少和可靠性的降低。为了提高独石电容器的可靠性，改用银-钯电极代替通常含有氧化钡的电极，并且在材料配方中添加了1%的5#玻璃粉。消除了在高温下一次烧结时金属电极向瓷介质层的热扩散现象，能促使瓷料烧结致密化，使得产品的性能和可靠性有较大提高，与原工艺和介质材料相比较，电容器的可靠性提高了1~2个数量级。

5.叠片陶瓷电容器的断裂

叠片陶瓷电容器最常见的失效是断裂，这是叠片陶瓷电容器自身介质的脆性决定的。由于叠片陶瓷电容器直接焊接在电路板上，直接承受来自电路板的各种机械应力，而引线式陶瓷电容器则可以通过引脚吸收来自电路板的机械应力。因此，对于叠片陶瓷电容器来说，由于热膨胀系数不同或电路板弯曲所造成的机械应力将是叠片陶瓷电容器断裂的最主要因素。

6.叠片陶瓷电容器的断裂分析

叠片陶瓷电容器机械断裂后，断裂处的电极绝缘间距将低于击穿电压，会导致两个或多个电极之间的电弧放电而彻底损坏叠片陶瓷电容器。

叠片陶瓷电容器机械断裂的防止方法主要有：尽可能地减少电路板的弯曲，减小陶瓷贴片电容在电路板上的应力，减小叠片陶瓷电容器与电路板的热膨胀系数的差异而引起的机械应力。

如何减小叠片陶瓷电容器在电路板上的应力将在下面另有叙述，这里不再赘述。减小叠片陶瓷电容器与电路板的热膨胀系数的差异而引起的机械应力，可以通过选择封装尺寸小的电容器来减缓，如铝基电路板应尽可能用1810以下的封装，如果电容量不够可以采用多只并联的方法或采用叠片的方法解决，也可以采用带有引脚的封装形式的陶瓷电容器解决。

7.叠片陶瓷电容器电极端头被熔淋

在波峰焊焊接叠片陶瓷电容器时可能会出现电极端头被焊锡熔掉了。其原因主要是波峰焊叠片陶瓷电容器接触高温焊锡的时间过长。现在在市场上的叠片陶瓷电容器分为适用于回流焊工艺的和适用于波峰焊工艺的，如果将适用于回流焊工艺的叠片陶瓷电容器用于波峰焊，很可能发生叠片陶瓷电容器电极端头的熔淋现象。关于不同焊接工艺下叠片陶瓷电容器电极端头可以承受的高温焊锡的时间特性，在后面的叠片陶瓷电容器的适用注意事项中有详尽叙述，这里不在赘述。

消除的办法很简单，就是在使用波峰焊工艺时，尽可能地使用符合波峰焊工艺的叠片陶瓷电容器；或者尽可能不采用波峰焊工艺。

贴片陶瓷电容最主要的失效模式断裂。贴片陶瓷电容器作常见的失效是断裂,这是贴片陶瓷电容器自身介质的脆性决定的.由于贴片陶瓷电容器直接焊接在电路板上,直接承受来自于电路板的各种机械应力,而引线式陶瓷电容器则可以通过引脚吸收来自电路板的机械应力.因此,对于贴片陶瓷电容器来说,由于热膨胀系数不同或电路板弯曲所造成的机械应力将是贴片陶瓷电容器断裂的最主要因素。陶瓷贴片电容器机械断裂后,断裂处的电极绝缘间距将低于击穿电压,会导致两个或多个电极之间的电弧放电而彻底损坏陶瓷贴片电容器。尽可能的减少电路板的弯曲、减小陶瓷贴片电容器在电路板上的应力、减小陶瓷贴片电容器与电路板的热膨胀系数的差异而引起的机械应力。减小陶瓷贴片电容器与电路板的热膨胀系数的差异而引起的机械应力可以通过选择封装尺寸小的电容器来减缓,如铝基电路板应尽可能用1810以下的封装,如果电容量不够可以采用多只并联的方法或采用叠片的方法解决.也可以采用带有引脚的封装形式的陶瓷电容器解决。引起机械裂纹的主要原因有两种。第一种是挤压裂纹，它产生在元件拾放在PCB板上的操作过程。第二种是由于PCB板弯曲或扭曲引起的变形裂纹。挤压裂纹主要是由不正确的拾放机器参数设置引起的，而弯曲裂纹主要由元件焊接上PCB板后板的过度弯曲引起的。

一：直接原因：陶瓷-环氧界面存在间隙，导致其耐压水平降低。

二：间接原因：二次包封模块固化过程中产生了环氧材料应力收缩，致使陶瓷-环氧界面劣化，形成了弱点放电的路径。

三：二次包封模块固化后，样品放置时间过短，其内部界面应力未完全释放出来，在陶瓷-环氧界面存在微裂纹，导致耐压水平降低。瓷片电容厂家比较全的有智旭电子，专业让人省心，提供优质的瓷片电容解决方案服务。

将万用表拨到R×l0k挡，不必进行欧姆调零，插上制作的HFE测试座，并在座上NPN或PNP的一侧插一只完好的放大倍数较大的90系列三极管，要求硅管、漏电小。然后将被测小容量瓷片电容器放电后插入相应的NPN或PNP的一侧带Cx的插座内，同时观察万用表指针的偏转情况，若指针向右偏转一定角度后又返回无穷大处，且指针偏转的最大幅度与电容器的容量相对应（多做几次、凭经验），则说明电容器质量是好的；若指针向右偏转一定角度后不能返回无穷大处，而是停留在中间某处，甚至是0欧姆处，则说明电容器漏电：若指针一点都不偏转，则表明电容器断路或容量降为0。

用该方法判别小容量瓷片电容器的质量好坏，可将判别的下限降到10pF左右，而直接用万用表的R×10k挡判别，最多只能判别到5000pF。这样就可以做到不用数字万用表也能判别小容量瓷片电容器的好坏。