瓷片电容471K 1KV

瓷片电容耐压值是多少，需先了解下瓷片电容的耐压值及电容的标识方法常用的就是直标法，也就是说，如果数字是0.001，那它代表的是0.001uF＝1nF，如果是10n，那么就是10nF，同样100p就是100pF

当然，还有不标单位的直接表示法，采用的是1~4位数字表示，容量单位为pF，如350为350pF，3为3pF，0.5为0.5pF

其次还有色码表示法

沿电容引线方向，用不同的颜色表示不同的数字，第一，二种环表示电容量，第三种颜色表示有效数字后零的个数（单位为pF）颜色意义：黑=0、棕=1、红==3、黄=4、绿=5、蓝=6、紫=7、灰=8、白=9

瓷片电容有高压瓷片电容和普通瓷片电容器，普通瓷片电容器耐压过去标准是50V，高压瓷片电容器有几百伏的，有几千伏的，一般在容值下面标出XXKV

1J代表6.3×10=63V；2F代表3.15×100=315V；3A代表1.0×1000=1000V；1K代表8.0×10=80V

数字最大为4，如4Z代表90000V

瓷片电容耐压值是多少？通常是用测量仪器，耐压机来检测瓷片电容的耐压

检测耐压值是额定电压的2倍

额定电压瓷片电容产品上都有标识

瓷片电容的耐压一般在25V到50V之间。

瓷片电容：是电子元器件，主要由陶瓷的材料做成的隔离介子，属于绝缘体。大量用于中大型电子设备和微小型单片机。

耐压值：是一个设计标称值，表明这种类型的电容器能够在此电压以下长期工作。进行检验耐压值是在该电容器两端施加超过这个数值的电压。比如：标称耐压200V的电容器施加500V一分钟或几分钟没有发生放电或炸裂等现象，则说明其在200V电压下能够长期工作，以上举例只是假设数值，为了能够形象了解耐压参数，具体的施加电压要看制造厂的标准，也有可能不是逐个检验，只是抽样检验。

参考资料

卢本.设计与分析.天津：天津大学出版社，2003

高压陶瓷 1.不需要认证 2.超高压可以达到7KV 在高就罕见了，3.打印方式和Y电容比不用把各国认证打在产品表面，5 电压最低可以到16V 6，耐压最高2.5倍 一般生产是1.5倍的标准测

·高压陶瓷电容和高压瓷片电容的特点对比：

高压陶瓷电容的特点

1.不需要认证

2.超高压可以达到7KV 在高就罕见了，

3.打印方式和Y电容比不用把各国认证打在产品表面，

4 电压最低可以到16V

5，耐压最高2.5倍 一般生产是1.5倍的标准测

A型材料的交流击穿电压特性 外面用环氧树脂模压包封的陶瓷电容器的击穿电压厂。与间隙长G(圆片半径与电极半径之差)的关系。电容器的直径为18mm,材料介电常数为1460‘以下简称A材),电极为银电极。试验条件为25℃,施加50Hz交流电压,电压上升率为ZkV/s

高压瓷片电容特点：

常用于高压场合。

陶瓷有I类瓷，II类瓷，III类瓷之分，

I类瓷，NP0，温度特性，频率特性和电压特性佳，因介电常数不高，所以容量做不大；

II类瓷，X7R次之，温度特性和电压特性较好；

III类瓷，介电常数高，所以容量可以做很大，但温度特性和电压特性不太好。

瓷片电容器一般体积不大。

另外，再强调一个重要特点：

瓷介电容器击穿后，往往呈短路状态。（这是它的弱点）

而薄膜电容器失效后，一般呈开路状态。

高压瓷片电容和高压陶瓷电容功能基本上是一样的，一些细节会有些不同。所以在使用的时候也要注意到性能方面。

一、直插的高压陶瓷电容器，俗称DIP类的，这类产品从16VDC到100KV都有生产，但是主要是指直流的，而且是引线型的。

二、直插型的陶瓷电容器有另类，就是交流陶瓷电容器，一般指250VAC的Y2安规电容器，以及400VAC的Y1交流安规电容器。从名称上显而易见，这类电容的电压是指交流电压，而且是有十个左右的国家的安全认证的。陶安规电容器之外，别的引线型陶瓷电容器所说的电压一般是指直流而言。

三、贴片陶瓷电容，俗称SMD类的，这种电容的规格一般以0201，0402，0603，0805，1206，1210等表示。。贴片电容英文简写是MLCC，电压从6.3VDC到2KV以上都有，当然，电压越高，价格也越不菲。

四，螺栓型高压陶瓷电容器。这类电容器一般耐超高电压，在电力系统中往往是指交流电压。如40KV102K，40KV103K，40KV153K等，型号很多种，但是里边的电压并不是直流。因为我们家里，或工厂企业所用的电都是交流电啊！这类电容器的技术含量是相当高的，往往是很多企业能做出这种形状，却始终没办法做出客人要求的品质，原因是：首先这类产品要求较高的交流电压，而大多数厂所标的是直流电压，所以，在送样阶段就被淘汰了；其次，这类高压陶瓷电容器要求超低的局放，局部放电量越大，电容的实际耐压值就越低，因此，局放是衡量一颗电容的质量的最好标准；再次，超高的工频，一般的引线型的电容也要以做到袍高的工频，而这种螺栓型的就更高要求。最后，这类电容对材质要求很严格，因为不同材质的损耗和温度系数，介电系数不一样。 高压发生器要用到很多高压陶瓷电容器和大容量高压电容器。传统使用，客人们一般都使用高压薄膜类的电容器，但是随着陶瓷电容的优势不断体现，将来，薄膜电容器将越来越少的出现在高压发生器中。

高压薄膜类电容器与高压陶瓷电容器的各自优劣，主要是以下几点：

1.高压陶瓷电容的使用寿命更长。薄膜电容的寿命也就是三两年，电好的产品也不会超出5年。而高压陶瓷电容器则不同，比方说帝科电容就公开承诺：按20年设计，至少保证使用10年。

2.高压陶瓷电容的内阻更小。这是由各自的构造特点决定的。高压陶瓷电容器的内阻很小，而薄膜电容器由于是采取卷绕方式，这样就造成内阻偏大。而这种偏大的内阻带来的另一负面影响就是，电容在反复充放电的过程中，内阻会继续变大，并且会在一定时候使电容在电路中失效。

3.相对而言高压陶瓷电容器的电压更高。薄膜电容器的电容相对来讲，工作电压是不如陶瓷电容的高，这是共识；

4.有优点也会有缺点，陶瓷电容的容量较小。 高压陶瓷电容器的可靠性测试，也叫老化测试，寿命测试，包括很多方面的测试内容：

1，串联电阻测试，绝缘电阻测试；

2，拉力测试，即引线与芯片焊接的牢固度；

3，正负温变化率测试，即-40度到+60度状况下，电容的变化率；

4，老化测试，高压陶瓷电容在模拟工作环境状态下运作30~60天，测试其衰减其各项参数的变化；

5，耐压实验，包括额定工作电压24小时工作测试；也包括击穿耐压，即破坏性测试，电容被击穿前的那一个临界电压就是击穿电压。

6，局放测试，即局部放电测试；

7，寿命测试，即在老化测试的基础上，再对电容进行高频冲电流下快速充放电测试，得到的充放电次数就是充放电寿命，注意，这个寿命的得出是在长时间的老化之后得出的。 高温烧结，是高压陶瓷电容的最重要的工序之一。经过一百吨的冲压铸造，以及一千多度的高温烧结，高压陶瓷电容的芯片内部，各分子之间的构造成晶体结构。接下来的6小时的高温烘烤，和7小时的保温，彻底打乱了晶体的内部构造。

那么，要想恢复芯片的构造，稳固芯片的特性，高压陶瓷电容需要时间恢复。自然恢复（常温存放）以60天以上的时间为佳。而且，存放一年与存放两年的产品，以时间长为表现优异。所以，恢复期长，对电容器的性能是有很大帮助的，没有恢复期的电容，其耐压及耐电流性能是较差的。经试验发现，存放时间长的高压陶瓷电容器，其损耗角值会变得更小，高频特性也会更好。 ·电容的基本单位是：F（法），此外还有μF（微法）、pF（皮法），另外还有一个用的比较少的单位，那就是：nF，由于电容F的容量非常大，所以我们看到的一般都是μF、nF、pF的单位，而不是F的单位。他们之间的具体换算如下：

1F=1000000μF

1μF=1000nF=1000000pF

·电容的符号：

电容的符号同样分为国内标表示法和国际电子符号表示法，但电容符号在国内和国际表示都差不多，唯一的区别就是在有极性电容上，国内的是一个空筐下面一根横线，而国际的就是普通电容加一个“+”符号代表正极。 1.工作电压

在交流电路或纹波电流电路中使用直流额定电压电容器时,请务必将外加电压的Vp-p值或包含直流偏置电压的Vo-p值维持在额定电压范围内.

若向电路施加电压,开始或停止时可能会因谐振或切换产生暂时的异常电压.请务必使用额定电压范围包含这些异常电压的电容器.

2.工作温度和自生热

(适用于B/E/F特性)

电容器的表面温度应保持在其额定工作温度范围的上限以下.务必考虑到电容器的自生热.电容器在高频电流,冲激电流等中使用时可能会因介电损耗发出自生热.外加电压应使自生热等负荷在25℃周围温度条件下不超过20℃范围.测量时应使用0.1mm小热容量的(K)的热电偶,而且电容器不应受到其它元件的散热或周围温度波动影响.

过热可能会导致电容器特性及可靠性下降.(切勿在冷却风扇运转时进行测量.否则无法确保测量数据的精确性)

3.耐电压的测试条件

(1)测试设备

交流耐电压的测试设备应具有能够产生类似于50/60Hz正弦波的性能.

如果施加变形的正弦波或超过规定电压值的过载电压,则可能会导致故障.

(2)电压外加方法

施加耐电压时,电容器的引线或端子应与耐电压测试设备的输出端连接牢固然后再将电压从近零增加到测试电压.

如果测试电压不从近零逐渐提高而是直接施加在电容器上,则施加时应包含过零点*.测试结束时,测试电压应降到近零然后再将电容器引线或端子从耐电压测试设备的输出端取下.

如果测试电压不从近零逐渐提高而是直接施加在电容器上,则可能会出现浪涌电压,从而导致故障.0V电压正弦波

*过零点是指电压正弦通过0V的位置.

4.失效安全性

当电容器损坏时,失效可能会导致短路.为了避免在短路时引起触电,冒烟,火灾等危险情况,请在电路中使用熔丝等元件来设置自动防故障功能.

使用本产品时如忽略上述警告事项,则在严重情况下可能导致短路,并引起冒烟或局部离散。

可以的，不过建议从实际情况下代替，电压是不是真的非要达到3KV要求？如是直接用Y5P-221K/3KV,如不需要达到3KV电压1KV电压可以正常使用的话就不用替代，回为3KV的成本比1KV高出。

102是容量，K是属性级别，1KV是电压，具体规格是Y5P-102K/KV 常规的脚距和脚长是5*25，1KV产品分为蓝色和土黄色两种颜色，一般都是以蓝色为主色。

瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。

低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

扩展资料：

瓷片电容的识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉(F)表示，其它单位还有：毫法(mF)、微法 (μF)/mju:/、纳法(nF)、皮法(pF)。其中：1法拉=1000毫法(mF)，1毫法=1000微法(μF)，1微法=1000纳法 (nF)，1纳法=1000皮法(pF)

容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 μF/16V

容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示

字母表示法：1m=1000 μF 1P2=1.2PF 1n=1000PF

数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字，第三位数字表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。

参考资料来源：百度百科-瓷片电容

不同的电容有不同的特性，今天我们就来探讨下瓷片电容、独石电容和贴片电容的区别在哪里吧。

瓷片电容：

瓷片电容(ceramiccapacitor)是一种用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜，再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器。瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

优点：稳定，绝缘性好，耐高压

缺点：容量比较小

独石电容：

独石电容是多层陶瓷电容器的别称，英文名称monolithic ceramic capacitor或multi-layer ceramic capacitor, 简称MLCC，根据所使用的材料，可分为三类。

一类为温度补偿类NPO电介质这种电容器电气性能最稳定，基本上不随温度、电压、时间的改变，属超稳定型、低损耗电容材料类型，适用在对稳定性、可靠性要求较高的高频、特高频、甚高频电路中。

二类为高介电常数类X7R电介质由于X7R是一种强电介质，因而能制造出容量比NPO介质更大的电容器。这种电容器性能较稳定，随温度、电压时间的改变，其特有的性能变化并不显著，属稳定电容材料类型，使用在隔直、耦合、傍路、滤波电路及可靠性要求较高的中高频电路中。

三类为半导体类Y5V电介质这种电容器具有较高的介电常数，常用于生产比容较大、标称容量较高的大容量电容器产品。但其容量稳定性较X7R差，容量、损耗对温度、电压等测试条件较敏感，主要用在电子整机中的振荡、耦合、滤波及旁路电路中。

特点：温度特性好，频率特性好。一般电容随着频率的上升,电容量呈现下降的规律，独石电容下降比较少，容量比较稳定。

陶瓷电容：

陶瓷电容用用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。

选择合适的电容，会大大提升产品性能哟