100nf是多少瓷片电容

100nf=0.1uf 。

电容（Capacitance）亦称作“电容量”，是指在给定电位差下的电荷储藏量，记为C，国际单位是法拉（F）。一般来说，电荷在电场中会受力而移动，当导体之间有了介质，则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上，造成电荷的累积储存，储存的电荷量则称为电容。

因电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，所以广泛应用于隔直、耦合、旁路、滤波、调谐回路、能量转换、控制电路等方面。

主要特点：

在电路学里，在一定电势差（1U）下，电容器的存电荷的能力，称为电容（capacitance），标记为C。采用国际单位制，电容的单位是法拉（farad），简称法；标记为F。

电容的符号是C。

C=εS/d=εS/4πkd（真空）=Q/U。

在国际单位制里，电容的单位是法拉，简称法，符号是F，由于法拉这个单位太大，所以常用的电容单位有毫法（mF）、微法（μF）、纳法（nF）和皮法（pF）等，换算关系是：

1法拉（F）= 1000毫法（mF）=1000000微法（μF）。

1微法（μF）= 1000纳法（nF）= 1000000皮法（pF）。

电容与电池容量的关系：

1伏安时=1瓦时=3600焦耳。

∮w=∮0.5cuu。

瓷片102是指1纳法，104是指100纳法。

电容的标注一般采用数学计数法，数学计数法一般是三位数字，第一位和第二位数字为有效数字，第三位数字为倍数，单位一般默认为皮法。标值102，容量就是：10x10^2=1000pf，即1纳法。如果标值104，即为10x10^4=100000pf，即100纳法（后面的2、3，都表示10的多少次方）。

扩展资料

大多数电容的大小为0.1至0.01μF左右

1法拉(F)= 1000毫法(mF)=1000000微法(μF)

1微法(μF)= 1000纳法(nF)= 1000000皮法(pF)。

除了数学计数法，容量标注还有：

1．直标法

用数字和单位符号直接标出。如1uF表示1微法，有些电容用“R”表示小数点，如R56表示0.56微法。

2．文字符号法

用数字和文字符号有规律的组合来表示容量。如p10表示0.1pF、1p0表示1pF、6P8表示6.8pF、2u2表示2.2uF.

3．色标法

用色环或色点表示电容器的主要参数。电容器的色标法与电阻相同。

参考资料百度百科-电容器

n=10^-9 所以100nf=10^-7f；100n是0.1μf电容，可用105表示，在进一位，就是1f电容了。

电容是表征电容器容纳电荷的本领的物理量。我们把电容器的两极板间的电势差增加1伏所需的电量，叫做电容器的电容。

电容的符号是C。在国际单位制里，电容的单位是法拉，简称法，符号是F。一个电容器，如果带1库的电量时两级间的电势差是1伏，这个电容器的电容就是1法。

一 电容器容量表示法：  用二位数字表示有效数字，再用一个字母表示数值的量级。如：1p2表示1.2pF, 220n表示0.22uF，3u3表示3.3uF, 2m2表示2200uF。

另一种表示法，是用三位数字表示电容量，最后用一个字母表示误差。三位数字中的前两位表示有效值，第三位表示10的n次方，n一般为1—8。特殊情况是：当n=9时，不表示10的9次方，而表示为10的 -1次方。

电容器的单位以F，uF, mF, nF, pF表示。它们之间的关系是：1F=1000mF=1000000uF，1F=1000nF=1000000pF。

国际电工委员会规定表示法为：m代表1/1000，u代表1/1000000，n代表1/1000000000，p代表1/1000000000000。

一 电容器容量表示法：

用二位数字表示有效数字，再用一个字母表示数值的量级。如：1p2表示1.2pF, 220n表示0.22uF，3u3表示3.3uF, 2m2表示2200uF。

另一种表示法，是用三位数字表示电容量，最后用一个字母表示误差。三位数字中的前两位表示有效值，第三位表示10的n次方，n一般为1—8。特殊情况是：当n=9时，不表示10的9次方，而表示为10的 -1次方。

例如：

100nf=0.1uf。

pF就是皮法，nF就是纳法。电容的单位有法拉，毫法，微法，纳法，皮法，具体单位换算如下：

1法拉(F)= 1000毫法(mF)

1毫法(mF)=1000微法(μF)

1微法(μF)=1000纳法(nF)

1纳法(nF)=1000皮法(pF)

扩展资料：

电容的作用

1、旁路

旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。就像小型可充电电池一样，旁路电容能够被充电，并向器件进行放电。为尽量减少阻抗，旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。

2、去耦

去耦，又称解耦。从电路来说， 总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大， 驱动电路要把电容充电、放电， 才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候， 电流比较大， 这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感）会产生反弹，这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作，这就是所谓的“耦合”。

去耦电容就是起到一个“电池”的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰，在电路中进一步减小电源与参考地之间的高频干扰阻抗。

3、滤波

从理论上（即假设电容为纯电容）说，电容越大，阻抗越小，通过的频率也越高。但实际上超过1μF 的电容大多为电解电容，有很大的电感成份，所以频率高后反而阻抗会增大。有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容，这时大电容滤低频，小电容滤高频。

电容的作用就是通交流隔直流，通高频阻低频。电容越大高频越容易通过。具体用在滤波中，大电容（1000μF）滤低频，小电容（20pF）滤高频。

4、储能

储能型电容器通过整流器收集电荷，并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。电压额定值为40～450VDC、电容值在220～150 000μF 之间的铝电解电容器是较为常用的。根据不同的电源要求，器件有时会采用串联、并联或其组合的形式， 对于功率级超过10KW 的电源，通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器。

参考资料来源：百度百科-电容