瓷片电容103z什麼意思

一般我们可以把瓷片电容的常规特性等级分为2个等级，每个等级都有着自己的特性和作用，通常NP0，SL0，COG是1个等级的，

X7

R，X5R，Y5U，Y5V是另一个等级的，

前者等级的容量稳定性很好，基本不随温度，电压，时间等变化而变化，但是一般容量都很小。而后者等级的瓷介电容容量稳定性很差，随着温度，电压，时间变化幅度较大，所以一般用在对容量稳定性要求不高的场合。

瓷片电容通常不使用在于脉冲电路中，因为这种电容比较容易被脉冲电压挤坏，虽然比较容易被脉冲电压挤坏，但是他的稳定性相对其它电容来说还是高的，并且瓷片电容还具有很强的耐高温性质和绝缘性质。瓷片电容优点很多，但是缺点还是有的，那就是容量不能做的很大，这在当下大家都追求高容量的情况下是一个很大的缺点，但是已经有很多改进的方法来让陶瓷电容也能做到比较大的容量同时体积比较小。

瓷片电容是一种用陶瓷作为介质的电容器，它和其它的金属电容相比具有高度的稳定性，特别是在震荡回路中这种稳定性甚为明显。瓷片电容分两种，一种具有高频瓷介，一种就是低频瓷介的。高频瓷介的电容器一般是用于工作频率较高的状态，低频瓷介则相反应用于频率较低的环境，用作对稳定性不高的场合。

332M为3300pF=3.3nF=0.0033μF，M——III级精度——误差±20%。

331为330pF=0.33nF=0.00033μF

68为68pF

682为6800pF=6.8nF=0.0068μF

5为5pF

附：小瓷片、涤纶电容的标识含义（给你学习）

1F（法）=1000000 μF（微法），即106μF（微法）

1μF（微法）=1000 nF (纳法)，即103nF（纳法）=1000,000 pF (皮法)

1nF (纳法) =1000 pF (皮法) ，即103pF（皮法）

104表示为：10,0000 pF(皮法)=100 nF (纳法)=0.1μF（微法）；

223表示为：22,000 pF(皮法)=22 nF (纳法)=0.022μF（微法）；

684表示为：68,0000 pF(皮法)=680 nF (纳法) =0.68μF（微法）；

105表示为：10,00000 pF(皮法)=1000 nF (纳法)=1μF（微法）。

1、电容耐压、误差标识意义

I类、II类电容的耐压代号：

A:：1.0V G： 4.0V B:：1.25V W:：4.5V C:：1.6V H:：5.0V D： 2.0V

J:：6.3V E:：2.5V K:：8.0V F:：3.15V Z:：9.0V

以上字母前面的数字表示10的多少次幂，如2A就表示耐压为1.0×10^2=100V； 2J就表示耐压为6.3×10^2=630V。

2、电容器精度等级表示方法

常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示：

D——0.05级——±0.5%；

F——0.1级——±1%；

G——0.2级——±2%；

J—— I 级——±5%；

K—— II 级——±10%；

M—— III 级——±20%。

是代表电容的上限和下限叫允差，又叫精度，也叫档级，下面是常用的电容档级表

Z ：+80% -20%

M ：±20%

K ：±10%

J ：±5%

G ：±2%

F ：±1%

D ：±0.5

C ：±0.25

电容器的容量误差通常用字符表示：

第一种，绝对误差，通常以电容量的值的绝对误差表示，以PF为单位，即：B代表±0.1PF、C代表±0.25PF、D代表±0.5PF，Y代表±1PF，A代表±1.5PF,V代表±5PF。这种表达方式通常用于小容量电容器。

一般通用的是

B----0.1%

C----0.25%

D----0.5%

F----1%

J----5%

K----10%

M----20%

Z电容----十20%一80%

贴片电阻阻值误差精度有±1%、±2%、±5%、±10%精度，常规用的最多的是±1%和±5%

±5%精度的常规是用三位数来表示例 例512，前面两位是有效数字，第三位数2表示有多少个零，基本单位是Ω,这样就是5100欧

1000Ω=1KΩ,1000000Ω=1MΩ。

为了区分±5%，±1%的电阻，于是±1%的电阻常规多数用4位数来表示。

这样前三位是表示有效数字，第四位表示有多少个零4531也就是4530Ω，也就等于4.53KΩ。

扩展资料：

贴片电阻如果是比如 "203"就代表是20K电阻。他 的误差是5%。如果是2002就代表是20K的精密电阻他 的误差是1%。

在批量生产贴片电阻的时候，很难会具有完全一样的电阻值。所以，就有了允许误差。允许误差是指电阻最大允许误差值与电阻标称值的百分比。例如，一个允许误差为10%的1000Ω电阻，其实际的电阻值为900Ω到1100Ω之间。

允许偏差及代码电阻器的允许偏差是指标称阻值与实际阻值之间偏差的允许范围，用来表示电阻器的精度。贴片电阻器的阻值允许偏差范围，通常在产品包装上用代码来标注。

电阻器的实际阻值对于标称值的最大允许偏差范围称为允许误差。

参考资料来源：百度百科——贴片电阻

在瓷片电容上，我们经常会看到电容上有101、102、104这样的标识。那么，这样的电容阻值是多少呢，如何计算其电容值，他们的耐压值是多大，让我们一起看看。

电容器阻值计算方法：

电容器常用数码标记阻值，通常使用三位数标法，其具体含义是：

电容上标识的前两位是有效数字，第三位是前面数字的位率(即10的多少次方)。

电容数码标法的单位是pF(皮法=10^(-12)法)。

下面举例说明，比如：

104 标识 10 x 10^4 = 100000pF，又等于 0.1uF

又如：100 是 10 x 10^0 = 10pF

105 是 10 x 10^5 = 1000000pF = 1uF

跟普通电阻一样，电容器阻值的单位也是“欧”。

瓷片电容(器)的分类：

瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

MLCC(1类)—微型化，高频化、超低损耗、低ESR、高稳定、高耐压、高绝缘、高可靠、无极性、低容值、低成本、耐高温，主要应用于高频电路中。

MLCC(2类)—微型化，高比容、中高压、无极性、高可靠、耐高温、低ESR、低成本。主要应用于中低频电路中作隔直、耦合、旁路和滤波等电容器使用。

(瓷片)电容、涤纶电容耐压值的判别方法：

1J代表 6.3X10=63V

2F代表 3.15X100=315V

3A代表 1.0x1000=1000V

1K代表 8.0x10=80V

数字最大为4，如4Z代表90000V。

电容器耐压的标注也有两种常见方法，一种是把耐压值直接印在电容器上，另一种是采用一个数字和一个字母组合而成。数字表示10的幂指数，字母表示数值，单位是V(伏)。

还有，阿拉伯字母 A /B / C / D / E / F / G / H / J / K /Z

相对应的耐压值为

检测电容容值的公差为±20%。

检测电容容值方法：

测前先将电容两端的引线相碰一下，先行放电；再根据电容大小，选择万用表的电阻档量电阻，看电容器是否有充电过程，及最后表针的停留位置，表示漏电电阻的大小。

对于小容量的电容器，如涤纶、云母……在几百PF的，用万用表的R×10K档也不易看到表针的摆动(充电过程)，只能检查是否有击穿、漏电现象，即表针最后有偏移，即应剔除。

大容量的电容，测量时可以看到明显的充电过程：电阻是逐渐增大的，最后指向∞。对于几百μF的电容，就要放在R×1K或R×100档来量了，否则充电过程太长，要等待长的时间表针才停止下来。铝电解电容漏电电阻较小，测量时表针一般不会指到∞。

瓷片电容/50是指瓷片电容最大工作电压50，电容容量为pF或者10nF（就是10*10的三次方pF,就是pF,pF=1nF,所以容量就是10nF）。电容是由两个金属极，中间夹有绝缘材料（介质）构成的。由于绝缘材料的不同，所构成的电容器的种类也有所不同 按结构分：固定电容，可变电容，微调电容； 介质材料分：按介质材料可分为：气体介质电容，液体介质电容，无机固体介质电容，有机固体介质电容。 按极性分为：有极性电容和无极性电容。 电容作用：电容在电路中具有隔断直流电，通过交流电的作用，因此常用于级间耦合、滤波、去耦、旁路及调谐等。硬之城上面应该有这个型号，可以去看看有没有教程之类的，不行的话就请教下客服最直接了一对一解决问题。

瓷片电容的识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉(F)表示，其它单位还有：毫法(mF)、微法 (μF)/mju:/、纳法(nF)、皮法(pF)。其中：1法拉=1000毫法(mF)，1毫法=1000微法(μF)，1微法=1000纳法 (nF)，1纳法=1000皮法(pF)

容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 μF/16V

容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示

字母表示法：1m=1000 μF 1P2=1.2PF 1n=1000PF

数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字，第三位数字表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。

如：102表示标称容量为1000pF。

221表示标称容量为220pF。

224表示标称容量为22x10(4)pF。

在这种表示法中有一个特殊情况，就是当第三位数字用"9"表示时，是用有效数字乘上10的-1次方来表示容量大小。

如：229表示标称容量为22x(10-1)pF=2.2pF。

允许误差 ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20%

如：一瓷片电容为104J表示容量为0.1 μF、误差为±5%

瓷片电容技术的发展历程：1900年意大利L.隆巴迪发明陶瓷介质电容；30年代末人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长，因而制造出较便宜的瓷介质电容；1940年前后人们发现了现在的瓷片电容技术参数的主要原材料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性后，开始将瓷片电容技术参数使用于对既小型、精度要求又极高的军事用电子设备当中

1960年左右陶瓷叠片电容作为商品开始开发

1970年，随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来，瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件，而其中技术参数也是学者们研究的重点

现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容市场的70%左右

因为陶瓷介质电容的绝缘体材料主要使用陶瓷，其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠

陶瓷材料有几个种类

自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后，高介电系数的PB（铅）退出瓷片电容技术参数领域，现在主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等

和其它的电容相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点

由于原材料丰富，结构简单，价格低廉，而且电容量范围较宽（一般有几个PF到上百μF），损耗较小，电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整

瓷片电容技术参数品种繁多，外形尺寸相差甚大从0402（约1×0.5mm）封装的贴片电容到大型的功率瓷片电容

按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体瓷片电容；按无功功率大小可分为低功率、高功率瓷片电容；按工作电压可分为低压和高压瓷片电容；按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等

瓷片电容的分类：瓷片电容技术参数从介质类型主要可以分为两类，即Ⅰ类瓷片电容技术参数和Ⅱ类瓷片电容技术参数

Ⅰ类瓷片电容技术参数（ClassⅠceramiccapacitor），过去称高频瓷片电容技术参数（High-freqencyceramiccapacitor），是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容

它特别适用于谐振回路，以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路，或用于温度补偿

Ⅱ类瓷片电容技术参数（ClassⅡceramiccapacitor）过去称为为低频瓷片电容技术参数（Lowfrequencycermiccapacitor），指用铁电陶瓷作介质的电容，因此也称铁电瓷片电容技术参数

这类电容的比电容大，电容量随温度呈非线性变化，损耗较大，常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中

常见的Ⅱ类瓷片电容技术参数有：X7R、X5R、Y5V、Z5U其中：X7R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字7位最高工作温度+125℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；X5R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；Y5V表示为：第一位Y为最低工作温度-30℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%，-82%±15%

Z5U表示为：第一位Z为最低工作温度+10℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%，-56%