瓷片电容技术参数有哪些？
瓷片电容技术的发展历程：1900年意大利L.隆巴迪发明陶瓷介质电容；30年代末人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长，因而制造出较便宜的瓷介质电容；1940年前后人们发现了现在的瓷片电容技术参数的主要原材料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性后，开始将瓷片电容技术参数使用于对既小型、精度要求又极高的军事用电子设备当中
1960年左右陶瓷叠片电容作为商品开始开发
1970年，随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来，瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件，而其中技术参数也是学者们研究的重点
现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容市场的70%左右
因为陶瓷介质电容的绝缘体材料主要使用陶瓷，其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠
陶瓷材料有几个种类
自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后，高介电系数的PB（铅）退出瓷片电容技术参数领域，现在主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等
和其它的电容相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点
由于原材料丰富，结构简单，价格低廉，而且电容量范围较宽（一般有几个PF到上百μF），损耗较小，电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整
瓷片电容技术参数品种繁多，外形尺寸相差甚大从0402（约1×0.5mm）封装的贴片电容到大型的功率瓷片电容
按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体瓷片电容；按无功功率大小可分为低功率、高功率瓷片电容；按工作电压可分为低压和高压瓷片电容；按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等
瓷片电容的分类：瓷片电容技术参数从介质类型主要可以分为两类，即Ⅰ类瓷片电容技术参数和Ⅱ类瓷片电容技术参数
Ⅰ类瓷片电容技术参数（ClassⅠceramiccapacitor），过去称高频瓷片电容技术参数（High-freqencyceramiccapacitor），是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容
它特别适用于谐振回路，以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路，或用于温度补偿
Ⅱ类瓷片电容技术参数（ClassⅡceramiccapacitor）过去称为为低频瓷片电容技术参数（Lowfrequencycermiccapacitor），指用铁电陶瓷作介质的电容，因此也称铁电瓷片电容技术参数
这类电容的比电容大，电容量随温度呈非线性变化，损耗较大，常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中
常见的Ⅱ类瓷片电容技术参数有：X7R、X5R、Y5V、Z5U其中：X7R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字7位最高工作温度+125℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；X5R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；Y5V表示为：第一位Y为最低工作温度-30℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%，-82%±15%
Z5U表示为：第一位Z为最低工作温度+10℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%，-56%
该型号是风华高科生产的一款直插式压敏电阻器，具体型号编码含义如下：
F：风华高科代号
NR：非线性电阻
14：瓷片直径14mm
K：误差为10%
102：压敏电压=1000V
详见风华高科氧化锌压敏器规格书。
瓷片电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。
电容的基本单位用法拉(F)表示，其它单位还有：毫法(mF)、微法 (μF)/mju:/、纳法(nF)、皮法(pF)。其中：1法拉=1000毫法(mF)，1毫法=1000微法(μF)，1微法=1000纳法 (nF)，1纳法=1000皮法(pF)
1、容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 μF/16V；
2、容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示；
字母表示法：
1m=1000μF
1P=1pF（如470P=470pF）
1P2=1.2PF
1n=1000PF；
数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字，第三位数字表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。
如：
102表示标称容量为10×10²pF=1000pF；
104表示标称容量为10×(10^4)pF=100000pF；
470表示标称容量为47pF；
223表示标称容量为(22×(10^3))pF（即22000pF）。
在这种表示法中有一个特殊情况，就是当第三位数字用"9"表示时，是用有效数字乘上10的-1次方来表示容量大小。
如：229表示标称容量为22x10^(-1)pF=2.2pF。
容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 μF/16V
容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示
字母表示法：1m=1000 μF 1P2=1.2PF 1n=1000PF
数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字，第三位数字表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。
如：102表示标称容量为1000pF。
221表示标称容量为220pF。
224表示标称容量为22x10(4)pF。
在这种表示法中有一个特殊情况，就是当第三位数字用"9"表示时，是用有效数字乘上10的-1次方来表示容量大小。
如：229表示标称容量为22x(10-1)pF=2.2pF。
允许误差 ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20%
如：一瓷片电容为104J表示容量为0.1 μF、误差为±5%
芯片为14D圆形芯片,压敏电压为470V(正负10%)。
一般地说，压敏电阻器常常与被保护器件或装置并联使用，在正常情况下，压敏电阻器两端的直流或交流电压应低于标称电压，即使在电源波动情况最坏时，也不应高于额定值中选择的最大连续工作电压。
该最大连续工作电压值所对应的标称电压值即为选用值。对于过压保护方面的应用，压敏电压值应大于实际电路的电压值。
扩展资料：
压敏电阻的选用及注意事项：
选用压敏电阻器前，应先了解以下相关技术参数：标称电压是指在规定的温度和直流电流下，压敏电阻器两端的电压值。漏电流是指在25℃条件下，当施加最大连续直流电压时，压敏电阻器中流过的电流值。等级电压是指压敏电阻中通过8/20等级电流脉冲时在其两端呈现的电压峰值。
通流量是表示施加规定的脉冲电流（8/20μs）波形时的峰值电流。浪涌环境参数包括最大浪涌电流Ipm（或最大浪涌电压Vpm和浪涌源阻抗Zo）、浪涌脉冲宽度Tt、相邻两次浪涌的最小时间间隔Tm以及在压敏电阻器的预定工作寿命期内，浪涌脉冲的总次数N等。
参考资料来源：百度百科-压敏电阻
而瓷片电容是一种用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜，再经高温烧结后作为电极而成的电容器，主要作用是在低频电路中作隔直，耦合，旁路和滤波等电容器使用
一般在电路板上压敏电阻位置标，有：VSR,VDR,RV等字样的是压敏电阻，而瓷片电容是用“C”标识
压敏电阻它的外观颜色一般为蓝色大小一般有5D7D10D14D20D25D等，它的表面刻字都是以XD为开头然后下面接着10XK2XXK18XK等印子，那些印子表示压敏电阻的耐压，例如印有10D471K那么表示这是压敏电阻，然后直径为10mm，耐压为470V误差范围为百分之十
而瓷片电容外观颜色也是蓝色，外观和压敏电阻很像，但是没有用D来作为大小之分，一般印字都是直接印与10X1KV22X1KV等例如印有102M400V，表示这款瓷片电容容量为102耐压为400V误差范围百分之二十
大部分情况下我们都可以通过印字标识来识别到底是瓷片电容还是压敏电阻，但是可能会存在印字错误、印字不清晰、没有印字等情况，这个时候我们就要用仪器去测量才能商机用了，这样才能有保障
不同的电容有不同的特性，今天我们就来探讨下瓷片电容、独石电容和贴片电容的区别在哪里吧。
瓷片电容：
瓷片电容(ceramiccapacitor)是一种用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜，再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器。瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。
优点：稳定，绝缘性好，耐高压
缺点：容量比较小
独石电容：
独石电容是多层陶瓷电容器的别称，英文名称monolithic ceramic capacitor或multi-layer ceramic capacitor, 简称MLCC，根据所使用的材料，可分为三类。
一类为温度补偿类NPO电介质这种电容器电气性能最稳定，基本上不随温度、电压、时间的改变，属超稳定型、低损耗电容材料类型，适用在对稳定性、可靠性要求较高的高频、特高频、甚高频电路中。
二类为高介电常数类X7R电介质由于X7R是一种强电介质，因而能制造出容量比NPO介质更大的电容器。这种电容器性能较稳定，随温度、电压时间的改变，其特有的性能变化并不显著，属稳定电容材料类型，使用在隔直、耦合、傍路、滤波电路及可靠性要求较高的中高频电路中。
三类为半导体类Y5V电介质这种电容器具有较高的介电常数，常用于生产比容较大、标称容量较高的大容量电容器产品。但其容量稳定性较X7R差，容量、损耗对温度、电压等测试条件较敏感，主要用在电子整机中的振荡、耦合、滤波及旁路电路中。
特点：温度特性好，频率特性好。一般电容随着频率的上升,电容量呈现下降的规律，独石电容下降比较少，容量比较稳定。
陶瓷电容：
陶瓷电容用用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。
选择合适的电容，会大大提升产品性能哟
这个产品的参数是 CNR 是厂家标志,20D 表示 产品的头部芯片直径尺寸是20MM , 102表示压敏电压是1000V ,K 表示压敏电压的公差是10%.
我们是专门生产压敏电阻的厂家,希望能够给你带来帮助!
limingz_100@yahoo.com.cn
首先，类似海尔L32R1液晶彩电这种开关电源板都有强电部分，处理及调试过程，都应注意电气安全。其次，既然能提及瓷片电容，那说明你有一定的电子电路基础了，电子爱好者大多有较强的动手能力，解决问题大多仅需要对照合适的原理图、线路图进行指导即可。下面附带一个该型电路图(该图引用自http://www.go-gddq.com/upload/2011-10/11102810453700.jpg)。
上图中，被圈出的有两个瓷片电容分别，一个C35（容量1000pF耐压1KV，元件标识102/1KV高压瓷片电容），另一个就是C55（容量0.1μF耐压仅63V，元件标识104/1J普通瓷片电容），实物线路上烧焦的瓷片电容是和一个线路板标记为D13的MUR4100E的元件并联在一起，结合电路图你会发现，这个瓷片实际上是C35，但两者靠太近，所以当它的线路板标记因烧焦而缺失，仅剩下旁边的标记是C55时，就容易误判此烧焦的瓷片状元件为C55。
如果我们熟悉开关电源的设计思路及常识，就能知道这个二极管以及C37、R54、R56组成吸收回路，并接在电源变压器主绕组上，用来保护V2，也就是起主开关作用的N沟道功率MOS管，但实际上这类功率开关管本身无需吸收回路也能正常工作，只是在早期被它取代的功率双极型晶体管（俗称三极管）设计成需要这种复杂的吸收回路，当然仍旧加入这种设计是为了提高可靠性，在主开关管性能劣化后仍能可靠工作。
因此，我们可以拆去烧焦的瓷片，并对烧黑的线路基板稍作清理，刮去导电的碳化部分，检查其它器件无误后重新上机通电测试，当然楼主已经实践过，拆去后可以正常工作了。
再回头来讲这D13，MUR4100E是4A1000V的高压快速恢复二极管，在这个电路中高频率开关工作时，会存在通断损耗，所以本身也需要并联一套阻容网络，但此处只并联了C35电容，我们知道电容是储能元件，虽然理论上电容没有内阻，也没有功率消耗，但实际上我们的电容内部都有一定电阻，而电阻是耗能元件，而瓷片额定功耗技术指标并不是常用设计参数，所以允许C35它本身能消耗多大的功率，我们不得而知，但是想要吸收掉这种开关电路中高频通断时产生的尖峰波动时充放电的能量，可以进行阻容结合，把一部分电能分担消耗在电阻上，这样才能减轻其上的开关损耗和发热温升，所以，我们可以进一步对其改进，串入一个1W以上的4.7欧姆的电阻到C35上，两者串接后再并联到D13上，这样就能解决C35额定功耗过小的不足。
PS：电容工作时，电子在有一定电阻的极板上聚集和消散的往复流动过程，会产生热能损耗，如果使用了不是高质量浸银工艺的瓷片电容，这种损耗往往会导致热量积累至超过瓷片电容元件本身散热面积所能承受的极限，因而出现烧损，这也正说明，当我国将来普遍开始使用精确参数的高质量可靠器件后，就也可以把设备装备体积大大缩小，否则就需要进行额外的保护元件，而这就会导致设备装备体积庞大，这就是我们暂时落后于西方强国，也是我们需要重点学习消化的地方。
