瓷片电容技术参数有哪些？
瓷片电容技术的发展历程：1900年意大利L.隆巴迪发明陶瓷介质电容；30年代末人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长，因而制造出较便宜的瓷介质电容；1940年前后人们发现了现在的瓷片电容技术参数的主要原材料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性后，开始将瓷片电容技术参数使用于对既小型、精度要求又极高的军事用电子设备当中
1960年左右陶瓷叠片电容作为商品开始开发
1970年，随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来，瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件，而其中技术参数也是学者们研究的重点
现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容市场的70%左右
因为陶瓷介质电容的绝缘体材料主要使用陶瓷，其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠
陶瓷材料有几个种类
自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后，高介电系数的PB（铅）退出瓷片电容技术参数领域，现在主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等
和其它的电容相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点
由于原材料丰富，结构简单，价格低廉，而且电容量范围较宽（一般有几个PF到上百μF），损耗较小，电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整
瓷片电容技术参数品种繁多，外形尺寸相差甚大从0402（约1×0.5mm）封装的贴片电容到大型的功率瓷片电容
按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体瓷片电容；按无功功率大小可分为低功率、高功率瓷片电容；按工作电压可分为低压和高压瓷片电容；按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等
瓷片电容的分类：瓷片电容技术参数从介质类型主要可以分为两类，即Ⅰ类瓷片电容技术参数和Ⅱ类瓷片电容技术参数
Ⅰ类瓷片电容技术参数（ClassⅠceramiccapacitor），过去称高频瓷片电容技术参数（High-freqencyceramiccapacitor），是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容
它特别适用于谐振回路，以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路，或用于温度补偿
Ⅱ类瓷片电容技术参数（ClassⅡceramiccapacitor）过去称为为低频瓷片电容技术参数（Lowfrequencycermiccapacitor），指用铁电陶瓷作介质的电容，因此也称铁电瓷片电容技术参数
这类电容的比电容大，电容量随温度呈非线性变化，损耗较大，常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中
常见的Ⅱ类瓷片电容技术参数有：X7R、X5R、Y5V、Z5U其中：X7R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字7位最高工作温度+125℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；X5R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；Y5V表示为：第一位Y为最低工作温度-30℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%，-82%±15%
Z5U表示为：第一位Z为最低工作温度+10℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%，-56%
我来说吧：铝电解，漏电较大（我的意思是还可以，半个月好的铝电解可以保持90%的电量）温度：-40~85、105容量范围0.1~100000，耐压还蛮高的最高也有几百伏
钽电容：比铝电解好很多，主要是不怕热，-40~150，但是容量不大，成本高。因为钽粉很贵啊。容量0.01~2000μF左右
陶瓷电容：其实就是瓷片电容，它温度不限（不过一般达不到的很恶劣。呵呵）容量是：0.1μF~1pF
涤纶电容统称为聚合物薄膜电容（质量好的聚合物电容：MKP、MKT）容量在22μF~1000pF左右。温度不要超过150。焊接的时间不可以太长
贴片电容，不同的厂家有不同的制造方法，焊接的时间也不可以太长。温度在80以下。容量最大不会超过1μF。个别除外
还有补充：
超级电容：容量大。但是现在不支持大电流放电。不然会损坏的。点击时采用碳电极，原理像充电电池。应为碳电极的表面面积大。容量也大大约在1F~2000F。呵呵不可思议吧，但是耐压小12~36V最小的我看到的有1.2V
还有独石电容。没有温度系数。很稳定。容量想聚合物薄膜电容差不多的
哎呀~~~手都打酸了。呵呵呵
详情可以看百科的电容词条。有很详细的解释的，上面是我的经验，我已经内化了。呵呵~~~希望可以帮到你。不同材质的电容有不同的通途哦~~~~~
一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是倍率。
如：102表示10×10的2次方PF=1000PF 224表示22×10的4次方PF=0.22 uF
331为330pF=0.33nF=0.00033μF
68为68pF
682为6800pF=6.8nF=0.0068μF
5为5pF
附：小瓷片、涤纶电容的标识含义（给你学习）
1F（法）=1000000 μF（微法），即106μF（微法）
1μF（微法）=1000 nF (纳法)，即103nF（纳法）=1000,000 pF (皮法)
1nF (纳法) =1000 pF (皮法) ，即103pF（皮法）
104表示为：10,0000 pF(皮法)=100 nF (纳法)=0.1μF（微法）；
223表示为：22,000 pF(皮法)=22 nF (纳法)=0.022μF（微法）；
684表示为：68,0000 pF(皮法)=680 nF (纳法) =0.68μF（微法）；
105表示为：10,00000 pF(皮法)=1000 nF (纳法)=1μF（微法）。
1、电容耐压、误差标识意义
I类、II类电容的耐压代号：
A:：1.0V G： 4.0V B:：1.25V W:：4.5V C:：1.6V H:：5.0V D： 2.0V
J:：6.3V E:：2.5V K:：8.0V F:：3.15V Z:：9.0V
以上字母前面的数字表示10的多少次幂，如2A就表示耐压为1.0×10^2=100V； 2J就表示耐压为6.3×10^2=630V。
2、电容器精度等级表示方法
常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示：
D——0.05级——±0.5%；
F——0.1级——±1%；
G——0.2级——±2%；
J—— I 级——±5%；
K—— II 级——±10%；
M—— III 级——±20%。
瓷片电容的耐压一般在25V到50V之间。
瓷片电容：是电子元器件，主要由陶瓷的材料做成的隔离介子，属于绝缘体。大量用于中大型电子设备和微小型单片机。
耐压值：是一个设计标称值，表明这种类型的电容器能够在此电压以下长期工作。进行检验耐压值是在该电容器两端施加超过这个数值的电压。比如：标称耐压200V的电容器施加500V一分钟或几分钟没有发生放电或炸裂等现象，则说明其在200V电压下能够长期工作，以上举例只是假设数值，为了能够形象了解耐压参数，具体的施加电压要看制造厂的标准，也有可能不是逐个检验，只是抽样检验。
参考资料
卢本.设计与分析.天津：天津大学出版社，2003
X7
R，X5R，Y5U，Y5V是另一个等级的，
前者等级的容量稳定性很好，基本不随温度，电压，时间等变化而变化，但是一般容量都很小。而后者等级的瓷介电容容量稳定性很差，随着温度，电压，时间变化幅度较大，所以一般用在对容量稳定性要求不高的场合。
瓷片电容通常不使用在于脉冲电路中，因为这种电容比较容易被脉冲电压挤坏，虽然比较容易被脉冲电压挤坏，但是他的稳定性相对其它电容来说还是高的，并且瓷片电容还具有很强的耐高温性质和绝缘性质。瓷片电容优点很多，但是缺点还是有的，那就是容量不能做的很大，这在当下大家都追求高容量的情况下是一个很大的缺点，但是已经有很多改进的方法来让陶瓷电容也能做到比较大的容量同时体积比较小。
瓷片电容是一种用陶瓷作为介质的电容器，它和其它的金属电容相比具有高度的稳定性，特别是在震荡回路中这种稳定性甚为明显。瓷片电容分两种，一种具有高频瓷介，一种就是低频瓷介的。高频瓷介的电容器一般是用于工作频率较高的状态，低频瓷介则相反应用于频率较低的环境，用作对稳定性不高的场合。
4n7是4.7nF
223是22nF，J表示精度±5%
104是100nF
109是10000μF
224是220nF，K表示精度±10%
68表示68pF
当然，还有不标单位的直接表示法，采用的是1~4位数字表示，容量单位为pF，如350为350pF，3为3pF，0.5为0.5pF
其次还有色码表示法
沿电容引线方向，用不同的颜色表示不同的数字，第一，二种环表示电容量，第三种颜色表示有效数字后零的个数（单位为pF）颜色意义：黑=0、棕=1、红==3、黄=4、绿=5、蓝=6、紫=7、灰=8、白=9
瓷片电容有高压瓷片电容和普通瓷片电容器，普通瓷片电容器耐压过去标准是50V，高压瓷片电容器有几百伏的，有几千伏的，一般在容值下面标出XXKV
1J代表6.3×10=63V；2F代表3.15×100=315V；3A代表1.0×1000=1000V；1K代表8.0×10=80V
数字最大为4，如4Z代表90000V
瓷片电容耐压值是多少？通常是用测量仪器，耐压机来检测瓷片电容的耐压
检测耐压值是额定电压的2倍
额定电压瓷片电容产品上都有标识
