瓷片电容技术参数有哪些?
瓷片电容技术的发展历程:1900年意大利L.隆巴迪发明陶瓷介质电容;30年代末人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长,因而制造出较便宜的瓷介质电容;1940年前后人们发现了现在的瓷片电容技术参数的主要原材料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性后,开始将瓷片电容技术参数使用于对既小型、精度要求又极高的军事用电子设备当中
1960年左右陶瓷叠片电容作为商品开始开发
1970年,随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来,瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件,而其中技术参数也是学者们研究的重点
现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容市场的70%左右
因为陶瓷介质电容的绝缘体材料主要使用陶瓷,其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠
陶瓷材料有几个种类
自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后,高介电系数的PB(铅)退出瓷片电容技术参数领域,现在主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等
和其它的电容相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点
由于原材料丰富,结构简单,价格低廉,而且电容量范围较宽(一般有几个PF到上百μF),损耗较小,电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整
瓷片电容技术参数品种繁多,外形尺寸相差甚大从0402(约1×0.5mm)封装的贴片电容到大型的功率瓷片电容
按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体瓷片电容;按无功功率大小可分为低功率、高功率瓷片电容;按工作电压可分为低压和高压瓷片电容;按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等
瓷片电容的分类:瓷片电容技术参数从介质类型主要可以分为两类,即Ⅰ类瓷片电容技术参数和Ⅱ类瓷片电容技术参数
Ⅰ类瓷片电容技术参数(ClassⅠceramiccapacitor),过去称高频瓷片电容技术参数(High-freqencyceramiccapacitor),是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容
它特别适用于谐振回路,以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路,或用于温度补偿
Ⅱ类瓷片电容技术参数(ClassⅡceramiccapacitor)过去称为为低频瓷片电容技术参数(Lowfrequencycermiccapacitor),指用铁电陶瓷作介质的电容,因此也称铁电瓷片电容技术参数
这类电容的比电容大,电容量随温度呈非线性变化,损耗较大,常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中
常见的Ⅱ类瓷片电容技术参数有:X7R、X5R、Y5V、Z5U其中:X7R表示为:第一位X为最低工作温度-55℃,第二位的数字7位最高工作温度+125℃,第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%;X5R表示为:第一位X为最低工作温度-55℃,第二位的数字5位最高工作温度+85℃,第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%;Y5V表示为:第一位Y为最低工作温度-30℃,第二位的数字5位最高工作温度+85℃,第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%,-82%±15%
Z5U表示为:第一位Z为最低工作温度+10℃,第二位的数字5位最高工作温度+85℃,第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%,-56%
电阻的主要特性参数有两个:电压和电流
电阻是描述导体导电性能的物理量,用R表示。电阻由导体两端的电压U与通过导体的电流I的比值来定义,即R=U/I。电阻的大小可以用来衡量导体对电流阻碍作用的强弱,即导电性能的好坏。电阻的量值与导体的材料、形状、体积以及周围环境等因素有关。
扩展资料:
注意事项
电阻在使用前要进行检查,检查其性能好坏就是测量实际阻值与标称值是否相符,误差是否在允许范围之内。方法就是用万用表的电阻档进行测量。
测量时要注意两点
1、要根据被测电阻值确定量程,使指针指示在刻度线的中间一段,这样便于观察。
2、确定电阻档量程后,要进行调零,方法是两表笔短路(直接相 碰),调节“调零”电
参考资料:百度百科-电阻
标称阻值:电阻器上面所标示的阻值。
允许误差:标称阻值与实际阻值的差值跟标称阻值之比的百分数称阻值偏差,它表示电阻器的精度。允许误差与精度等级对应关系如下:±0.5%-0.05、±1%-0.1(或00)、±2%-0.2(或0)、±5%-Ⅰ级、±10%-Ⅱ级、±20%-Ⅲ级。
额定功率:在正常的大气压力90-106.6KPa及环境温度为-55℃~+70℃的条件下,电阻器长期工作所允许耗散的最大功率。非线绕电阻器额定功率系列为(W):1/20、1/8、1/4、1/2、1、2、5、10、25、50、100。
额定电压:由阻值和额定功率换算出的电压。
最高工作电压:允许的最大连续工作电压。在低气压工作时,最高工作电压较低。
温度系数:温度每变化1℃所引起的电阻值的相对变化。温度系数越小,电阻的稳定性越好。阻值随温度升高而增大的为正温度系数,反之为负温度系数。
老化系数:电阻器在额定功率长期负荷下,阻值相对变化的百分数,它是表示电阻器寿命长短的参数。
电压系数:在规定的电压范围内,电压每变化1伏,电阻器的相对变化量。
噪声:产生于电阻器中的一种不规则的电压起伏,包括热噪声和电流噪声两部分,热噪声是由于导体内部不规则的电子自由运动,使导体任意两点的电压不规则变化。
电阻器的主要参数有标称阻值(简称阻值)、额定功率和允许偏差;
1、标称阻值:标称阻值通常是指电阻器上标注的电阻值。电阻值的基本单位是欧姆(简称欧)用"Ω"表示。在实际应用中,还常用千欧(kΩ)和兆欧(MΩ)来表示。 兆欧(MΩ)、千欧(kΩ)与欧姆(Ω)之间的换算关系是: 1MΩ=1000kΩ 1kΩ=1000Ω ;
2、额定功率:额定功率是指电阻器在交流或直流电路中,在特定条件下(在一定大气压下和产品标准所规定的温度下)长期工作时所能承受的最大功率(即最高电压和最大电流和乘积)。 电阻器的额定功率值也有标称值,一般分为1/8W、1/4W、1/2W、1W、2W、3W、4W、5W、10W等;
3、允许偏差:一只电阻器的实际阻值不可能与标称阻值绝对相等,两者之间会存在一定的偏差,我们将该偏差允许范围称为电阻器的允许偏差。允许偏差小的电阻器,其阻值精度就越高,稳定性也好,但其生产成本相对较高,价格也贵。
通常,普通电阻器的允许偏差为±5%、±10%、±20%,而高精度电阻器的允许偏差则为±1%、±0.5%。
扩展资料:
电阻元件的电阻值大小一般与温度有关,还与导体长度、横截面积、材料有关。多数(金属)的电阻随温度的升高而升高,一些半导体却相反。
如:玻璃,碳在温度一定的情况下,有公式R=ρl/s其中的ρ就是电阻率,l为材料的长度,单位为m,s为面积,单位为平方米。可以看出,材料的电阻大小正比于材料的长度,而反比于其面积。
不同导体的电阻按其性质的不同还可分为两种类型。一类称为线性电阻或欧姆电阻,满足欧姆定律另一类称为非线性电阻,不满足欧姆定律。
电阻的倒数1/R称为电导,也是描述导体导电性能的物理量,用G表示。电阻的单位在国际单位制中是欧姆(Ω),简称欧。而电导的国际单位制(SI)单位是西门子(S),简称西。电阻还常用kΩ和MΩ作单位,它们之间的关系是:1MΩ=1000kΩ=1000000Ω
电阻率描述导体导电性能的参数。对于由某种材料制成的柱形均匀导体,其电阻R与长度L成正比,与横截面积S成反比,即:
式中ρ为比例系数,由导体的材料和周围温度所决定,称为电阻率。它的国际单位制(SI)是欧姆·米 (Ω·m)。常温下一般金属的电阻率与温度的关系为:ρ=ρ0(1+αt)
式中ρ0为0℃时的电阻率α为电阻的温度系数温度t的单位为摄氏温度。半导体和绝缘体的电阻率与金属不同,它们与温度之间不是按线性规律变化的。当温度升高时,它们的电阻率会急剧地减小。呈现出非线性变化的性质。
参考资料:百度百科——电阻
电阻器一般设置2个参数,功率和阻值,阻止就是电阻的大小,功率就是电阻正常工作消耗的功率,这样电流,电压都可以求出来了,电阻阻值越大,允许的电流越小,所以功率越大的电阻,一般电流越大
2.在布线的时候要跨线,可以加一个0R的电阻。
3.可做跳线用,一般产品不要出现跳线和拨码开关。为了减少维护费用,可用0R电阻代替跳线等焊在板子上。空置跳线在高频时相当于天线,用贴片电阻效果好。
4.在高频信号下,它可充当电感或贴片电容,能解决EMC(电磁兼容性)的问题。
5.单点接地(指保护接地、工作接地、直流接地,在设备上相互分开,各自成为独立系统。)
6.0R电阻相当于很窄的电流通路,能够有效的限制环路电流抑制噪声,使噪声得到抑制。电阻在所有频带上都有衰减的作用,0R电阻也有阻抗,这点比贴片磁珠强。有需要可以看下立创哦