比较薄的淡黄色的瓷板电容 上面是331 请问用哪种型号的代替
331的意思就是表示这个电容的容量是330pF 。
这种普通的瓷片电容只要容量合适,一般都可以代换。
当然,如果你知道电路上的工作电压的话,就要保证电容的耐压要有余量才行。
可以。
221k的容量为220pF误差10%。331k容量为330pF误差10%。前面两位数字是容量的有效数字,最后的尾数表示添加几个0。
瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合,包括高频在内。这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿。
471K与331K,在类型,材质,电压,误差,相同的情况下,就只有容量不同。471K容量为 423PF-517PF;331K容量为 297PF-363PF。
331为330pF=0.33nF=0.00033μF
68为68pF
682为6800pF=6.8nF=0.0068μF
5为5pF
附:小瓷片、涤纶电容的标识含义(给你学习)
1F(法)=1000000 μF(微法),即106μF(微法)
1μF(微法)=1000 nF (纳法),即103nF(纳法)=1000,000 pF (皮法)
1nF (纳法) =1000 pF (皮法) ,即103pF(皮法)
104表示为:10,0000 pF(皮法)=100 nF (纳法)=0.1μF(微法);
223表示为:22,000 pF(皮法)=22 nF (纳法)=0.022μF(微法);
684表示为:68,0000 pF(皮法)=680 nF (纳法) =0.68μF(微法);
105表示为:10,00000 pF(皮法)=1000 nF (纳法)=1μF(微法)。
1、电容耐压、误差标识意义
I类、II类电容的耐压代号:
A::1.0V G: 4.0V B::1.25V W::4.5V C::1.6V H::5.0V D: 2.0V
J::6.3V E::2.5V K::8.0V F::3.15V Z::9.0V
以上字母前面的数字表示10的多少次幂,如2A就表示耐压为1.0×10^2=100V; 2J就表示耐压为6.3×10^2=630V。
2、电容器精度等级表示方法
常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示:
D——0.05级——±0.5%;
F——0.1级——±1%;
G——0.2级——±2%;
J—— I 级——±5%;
K—— II 级——±10%;
M—— III 级——±20%。
建议你用682代替的,应该是瞎扯。虽然不知道你说的这个电容用在什么地方,但容值相差一倍多,系统工况肯定是不好的。
字母 A BCD E F GH J K Z
耐压值 1.0 1.25 1.6 2.0 2.5 3.15 4.0 5.0 6.3 8.0 9.0
例如:
1J代表 6.3*10=63V
2G代表 4.0*100=400V
3A代表 1.0*1000=1000V
1K代表 8.0*10=80V
数字最大为4,如4Z代表90000V。
331j=63*331=20853
2、瓷片电容(ceramiccapacitor)是一种用陶瓷材料作介质,在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中,作为回路、旁路电容器及垫整电容器。
3、瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿。
瓷片电容又称圆片瓷介电容,分为高压瓷片电容和低压瓷片电容
瓷片电容的优点主要有耐温,用时持久,价格便宜
应用领域比较广泛,大量用于中大型电子设备和微小型单片机
瓷片电容121K1KV,首先是要看用在什么设备上,还需了解电压是多少
要求不高的话同容量普通无极电容都行
容量是120pf,没相同容量的话可以找相近的容量代替
例如:瓷片电容121K1KV可用瓷片电容101K1KV或瓷片电容151K1KV代替,这二款与瓷片电容121K1KV容量相近
在实际应用中,具体确定用在什么产品上,确认工作的电压在设定范围内,没有特殊要求,需相关工程人员测试确认后,方可代替的
331为330pF=0.33nF=0.00033μF
68为68pF
682为6800pF=6.8nF=0.0068μF
5为5pF
附:小瓷片、涤纶电容的标识含义(给你学习)
1F(法)=1000000 μF(微法),即106μF(微法)
1μF(微法)=1000 nF (纳法),即103nF(纳法)=1000,000 pF (皮法)
1nF (纳法) =1000 pF (皮法) ,即103pF(皮法)
104表示为:10,0000 pF(皮法)=100 nF (纳法)=0.1μF(微法);
223表示为:22,000 pF(皮法)=22 nF (纳法)=0.022μF(微法);
684表示为:68,0000 pF(皮法)=680 nF (纳法) =0.68μF(微法);
105表示为:10,00000 pF(皮法)=1000 nF (纳法)=1μF(微法)。
1、电容耐压、误差标识意义
I类、II类电容的耐压代号:
A::1.0V G: 4.0V B::1.25V W::4.5V C::1.6V H::5.0V D: 2.0V
J::6.3V E::2.5V K::8.0V F::3.15V Z::9.0V
以上字母前面的数字表示10的多少次幂,如2A就表示耐压为1.0×10^2=100V; 2J就表示耐压为6.3×10^2=630V。
2、电容器精度等级表示方法
常用的电容器其精度等级和电阻器的表示方法相同。用字母表示:
D——0.05级——±0.5%;
F——0.1级——±1%;
G——0.2级——±2%;
J—— I 级——±5%;
K—— II 级——±10%;
M—— III 级——±20%。