一般陶瓷电容能抵受温度是多少

多层陶瓷电容器（MLCC）一般没有什么耐温的说法，只要注意到使用温度就可以了，一类瓷和二类瓷的使用温度在-55~+125度；

您的MLCC出现破裂，我认为是温度冲击造成的，就是升温或降温太快引起的，建议在焊接前进行预热。

按结构形式分类，又可分为圆片状电容器、管状电容器、矩形电容器、片状电容器、穿心电容器等多种

根据美国标准EIA-198-D，在用字母或数字表示陶瓷电容器的温度性质有三部分：一部分为低工作温度；二位部分数字为高工作温度；第三部分为随温度变化的容差

常见的Ⅱ类陶瓷电容器有：X7R、X5R、X8R、Y5V、Z5UX7R表示为：一位X为低工作温度-55℃，二位的数字7位高工作温度+125℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差正负百分之十五

X5R表示为：一位X为低工作温度-55℃，二位的数字5位高工作温度+85℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差正负百分之十五

X8R表示为：一位X为低工作温度-55℃，二位的数字5位高工作温度+150℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差正负百分之十五

Y5V表示为：一位Y为低工作温度-30℃，二位的数字5位高工作温度+85℃，第三位字母V为随温度变化的容值偏差正百分之二十二，负百分之八十二，正负百分之十五

Z5U表示为：一位Z为低工作温度+10℃，二位的数字5位高工作温度+85℃，第三位字母U为随温度变化的容值偏差正百分之二十二，负百分之五十六

如您还有其它技术上的疑问可联系我们，我们竭力为您解决

东莞市瓷谷电子制造安规电容，高压陶瓷电容，独石电容，压敏电阻，薄膜电容，更多品质电容尽在CG

可以免费提供样品测试，期待您的莅临

以上资讯来自东莞市瓷谷电子有限公司研发部提供，更多资讯请大家移步至网站中瓷谷资讯中获取

   本文由陶瓷电容器厂家瓷谷电子科技为您整理分享了解更多，可登陆http://www.gdcigu.com/

瓷片电容又分高压瓷片电容及低压瓷片电容

要了解超过超过瓷片电容工作温度范围使用，会怎么样，需先了解下瓷片电容的工作温度范围是多少

瓷片电容中，有分三种特性，Y5P；Y5U；Y5V，特性不同，对应的工作温度也会不同

详见下图

瓷片电容用Y5U及Y5P特性的，变化率为+22%-65%

用Y5V特性的，变化率为+30%-80%

-25℃~+85℃是瓷片电容的工作温度，意思就是瓷片电容可以在两种极端的温度下工作

不受影响

超过瓷片电容工作温度范围使用，就是超过-40℃~+85℃这个温度会怎样呢？如果超过，使用寿命会缩短

工作温度过高或过低时，如果瓷片电容容量下降过多，就会影响性能，造成失效

电容器通常并不会坏，而是出现失效状况，没法工作

建议是在相对常温环境下使用

陶瓷电容是用以陶瓷为介质，涂敷金属薄膜(通常为银)经高温烧结而形成电极，再在电极上焊上引出线，外表涂以保护磁漆，或用环氧树脂包封而成

外形是圆片形，蓝色居多，也有黄色

陶瓷材料配方不同，它的电性能也不同

利用这一点，就可以制造出各种不同介电常数和不同温度系数的电容器，以满足不同的使用要求

陶瓷电容器其实也想交流电容一样对其工作的电压环境及工作环境的温度有一定的要求的

在交流电路或纹波电流电路中使用直流额定电压电容器时，如果你有使用到高压陶瓷电容请务必将外加电压的Vp-p值或包含直流偏置电压的Vo-p值维持在额定电压范围内

若向电路施加电压，开始或停止时可能会因谐振或切换产生暂时的异常电压师请务必使用额定电压范围包含这些异常电压的高压陶瓷电容

陶瓷电容的表面温度应保持在其额定工作温度范围的上限以下

务必考虑到陶瓷电容的自生热，陶瓷电容在高频电流、冲激电流等中使用时可能会因介电损耗发出自生热

而外加电压应使自生热等负荷在25℃周围温度条件下不超过20℃范围

如果测量陶瓷电容的工作温度应使用0.1mm小热容量的(K)的热电偶,而且电容器不应受到其它元件的散热或周围温度波动影响

这里要注意一点过热的陶瓷电容可能会导致陶瓷电容特性及可靠性下降，当然测量的时候切勿在冷却风扇运转时进行测量，否则无法确保测量数据的精确性

1960年左右陶瓷叠片电容作为商品开始开发

1970年，随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来，瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件，而其中技术参数也是学者们研究的重点

现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容市场的70%左右

因为陶瓷介质电容的绝缘体材料主要使用陶瓷，其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠

陶瓷材料有几个种类

自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后，高介电系数的PB（铅）退出瓷片电容技术参数领域，现在主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等

和其它的电容相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点

由于原材料丰富，结构简单，价格低廉，而且电容量范围较宽（一般有几个PF到上百μF），损耗较小，电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整

瓷片电容技术参数品种繁多，外形尺寸相差甚大从0402（约1×0.5mm）封装的贴片电容到大型的功率瓷片电容

按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体瓷片电容；按无功功率大小可分为低功率、高功率瓷片电容；按工作电压可分为低压和高压瓷片电容；按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等

瓷片电容的分类：瓷片电容技术参数从介质类型主要可以分为两类，即Ⅰ类瓷片电容技术参数和Ⅱ类瓷片电容技术参数

Ⅰ类瓷片电容技术参数（ClassⅠceramiccapacitor），过去称高频瓷片电容技术参数（High-freqencyceramiccapacitor），是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容

它特别适用于谐振回路，以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路，或用于温度补偿

Ⅱ类瓷片电容技术参数（ClassⅡceramiccapacitor）过去称为为低频瓷片电容技术参数（Lowfrequencycermiccapacitor），指用铁电陶瓷作介质的电容，因此也称铁电瓷片电容技术参数

这类电容的比电容大，电容量随温度呈非线性变化，损耗较大，常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中

常见的Ⅱ类瓷片电容技术参数有：X7R、X5R、Y5V、Z5U其中：X7R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字7位最高工作温度+125℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；X5R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；Y5V表示为：第一位Y为最低工作温度-30℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%，-82%±15%

Z5U表示为：第一位Z为最低工作温度+10℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%，-56%

外壳是陶瓷的，用来绝缘

高压瓷片电容器一个主要的特点就是耐压高，电压一般大于1KV的电压

高压瓷片电容器常规有2KV、3KV、4KV电压

常用于高压场合

最高的可达30KV的电压

高压瓷片电容中，有分几种特性，Y5P；Y5U；Y5V，X7R，特性不同对应的工作温度也会不同

详见下图

特性为Y5P；Y5U；Y5V的，其工作温度为-25℃~+85℃，特性为X7R的，其工作温度为-55℃~+125℃

那么，高压瓷片电容没有工作温度105℃的呢？高压瓷片电容中用X7R材质的，工作温度可以达到125℃，125℃中包含了105℃

高压瓷片电容作用具有耐磨直流高压的特点，适用于高压旁路和耦合电路中，其中的低耗损高压圆片具有较低的介质损耗，特别适合在电视接收机和扫描等电路中使用

“E”和“F”是表示材质，两者温度特性不同。E是2E4的材质，也叫做Y5U；F是2F4的材质，也叫做Y5V。其中，Y表示最低工作温度为 -30℃，5表示最高工作温度为+85℃。V的温度容量变化特性 +22% -82% ，U的温度容量变化特性 +22% -56%。

103M表示为电容值为10nF，精度为 +/- 20% ，222M表示为电容值为2.2nF，精度为+/-20% 。

瓷片电容的识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字，第三位数字表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。例如：102表示标称容量为1000pF。