高压瓷片电容能否用在交流场合?
高压瓷片电容是瓷片电容的一种,区别于普通的瓷片电容它是用在高压的瓷片电容,一般在电力系统的计量,储能,分压等产品中,都会用到高压瓷片电容
是用高介电常数的电容器陶瓷(钛酸钡一氧化钛)挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质,并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极,就可以制成高压瓷片电容了
那么高压瓷片电容能否用在交流场合?其实高压瓷片电容是能用在交流的,用在直流的话会没作用的,这是电容的隔直流通交流特性决定的,并且它具有容量损耗随温度频率具高稳定性、特殊的串联结构适合于高电压极长期工作可靠性、高电流爬升速率并适用于大电流回路无感型结构等优点
需要注意的是,因为电力系统交流电压高,高频,处于室外环境中雷击电压/电流大,等等各种因素,造成了高压瓷片电容器在研发和生产中一直有严格的要求,要求它要具有较强的稳定性
同时计量,储能,分压等产品要求高精度,这对处于这种环境下的高压瓷片电容的局部放电量要为零
因此要选择可靠厂家生产的高质量高压瓷片电容,不然因使用劣质电容产生的后果不堪设想
0.1微法。一般瓷片电容0.1微法。电容(Capacitance)是“电容量”的简称,用于表征电子元件在给定电势差下的储电能力,常用字母C表示。电容的国际标准单位为法拉(F)。电荷在电场作用下会移动;当导体之间填充介质时,介质会阻碍电荷移动,并使得电荷在导体上积累和储存,这种储存的电荷量被称为“电容”,而相应存储电荷的电子元件被称为“电容器”。
1、瓷片电容是一种用陶瓷材料作为介质,在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,再经高温烧结后作为电极而成的电容器。
2、槽路电容(调谐电容),连接于谐振电路或振荡电路线圈两端的电容。
这两种电容从不同的角度看是有一定的差别,接下来我要分析的是这两者的区别
大家可以根据优势选择合适的电容
瓷片电容采用的是薄瓷片两面渡金属膜银而成
其优点就是体积小,耐压高,价格低,频率高(有一种是高频电容),相对来说,有利必有弊,而瓷片电容的弊端就是易碎!容量低
经常被应用在高频震荡、谐振、退耦、音响中
瓷片电容用陶瓷粉模压成型,然后烧结而成
(陶瓷又分I类瓷、II类瓷、III类瓷)单片瓷单层结构,一般纽扣大小带两根引脚
正因为单层结构,瓷片电容器一般容量不大但电压高
MLCC电容多层结构,往往一个MLCC内部多达几十层甚至更多
其中每一单层都相当于一个电容,几十层就相当于几十个电容器并联
所以MLCC容量做很大,但电压不高
一般都是表面贴封装
独石电容则体积比CBB更小,其他同CBB,有感经常会用于模拟、数字电路信号旁路、滤波、音响中
独石电容完全是MLCC的一个变种,在MLCC上焊接两根引线用环氧树脂封装
瓷片电容体积小,温度系数范围广,介质损耗小,漏电小,耐潮湿
缺点:容量小,机械强度差
独石电容容量大,适于低频
瓷片电容适于高频
可以取代
以上的内容就是多角度看待瓷片电容和独石电容
通过这两者的对比,是否有了解到哪种电容更具有优势呢
在选用任何一款电容都好做好功课,就不会在选用上浪费时间
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由于单位F(法拉)的容量太大,所以我们看到的一般都是μF、nF、pF的单位
1F=1000毫法=1000,000μF微法1μF=1,000nF=1000,000pF电容:104为0.1uF103为0.01uF474为470000pF或470nF或0.47uF473为47000pF或47nF或0.047UF其中4表示后面有4个0单位pF3就是后面有3个0单位pF
1000pF=1nF1000nF=1uF470P是471470n是4741000PF是1022200PF是222101是100pF222是2200pF104意味着10后面加上4个“零”皮法就是100000pF也就是0.1uF101就是100PF还可以表示为0.1nf或0.0001UF151---150PF---0.15nf---0.00015UF682---6800PF--6n2----0.0062UF103---10000PF---10n---0.01UF104---100000PF---100n---0.1UF105---1000000PF---1000n---1UF525---5200000PF---5200n---5.2U小于100pF的电容,只写两个数字,如“18”就是18pF“2.2”就是2.2pF有时候在数字的下面会有一个横线,那是为了防止将6或者9这类的数字弄混淆而特意标注的,横线都是画在数字的下面
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检测方法
1、检测10pF以下的小电容——因10pF以下的固定电容器容量太小,用万用表进行测量,只能定性的检查其是否有漏电,内部短路或击穿现象。
测量时,可选用万用表10k挡,用两表笔分别任意接电容的两个引脚,阻值应为无穷大。若测出阻值(指针向右摆动)为零,则说明电容漏电损坏或内部击穿。
2、检测10PF~0 01μF固定电容器是否有充电现象,进而判断其好坏。万用表选用1k挡。两只三极管的β值均为100以上,且穿透电流要小。
可选用3DG6等型号硅三极管组成复合管。万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接。由于复合三极管的放大作用,把被测电容的充放电过程予以放大,使万用表指针摆幅度加大,从而便于观察。
3、对于0 01μF以上的固定电容,可用万用表的10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电,并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量。
4、应注意的是:在测试操作时,特别是在测较小容量的电容时,要反复调换被测电容引脚接触A、B两点,才能明显地看到万用表指针的摆动。
扩展资料
瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。
低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿。
1.MLCC(1类)—微型化,高频化,超低损耗,低ESR,高稳定,高耐压,高绝缘,高可靠,无极性,低容值,低成本,耐高温,主要应用于高频电路中。
2.MLCC(2类)—微型化,高比容,中高压,无极性,高可靠,耐高温,低ESR,低成本,主要应用于中,低频电路中作隔直,耦合,旁路和滤波等电容器使用。
参考资料来源:百度百科- 瓷片电容
参考资料来源:中国电工考试网-用数字万用表测电容好坏