0.05uf等于多少pf

瓷片电容技术的发展历程：1900年意大利L.隆巴迪发明陶瓷介质电容；30年代末人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长，因而制造出较便宜的瓷介质电容；1940年前后人们发现了现在的瓷片电容技术参数的主要原材料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性后，开始将瓷片电容技术参数使用于对既小型、精度要求又极高的军事用电子设备当中

1960年左右陶瓷叠片电容作为商品开始开发

1970年，随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来，瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件，而其中技术参数也是学者们研究的重点

现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容市场的70%左右

因为陶瓷介质电容的绝缘体材料主要使用陶瓷，其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠

陶瓷材料有几个种类

自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后，高介电系数的PB（铅）退出瓷片电容技术参数领域，现在主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等

和其它的电容相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点

由于原材料丰富，结构简单，价格低廉，而且电容量范围较宽（一般有几个PF到上百μF），损耗较小，电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整

瓷片电容技术参数品种繁多，外形尺寸相差甚大从0402（约1×0.5mm）封装的贴片电容到大型的功率瓷片电容

按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体瓷片电容；按无功功率大小可分为低功率、高功率瓷片电容；按工作电压可分为低压和高压瓷片电容；按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等

瓷片电容的分类：瓷片电容技术参数从介质类型主要可以分为两类，即Ⅰ类瓷片电容技术参数和Ⅱ类瓷片电容技术参数

Ⅰ类瓷片电容技术参数（ClassⅠceramiccapacitor），过去称高频瓷片电容技术参数（High-freqencyceramiccapacitor），是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容

它特别适用于谐振回路，以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路，或用于温度补偿

Ⅱ类瓷片电容技术参数（ClassⅡceramiccapacitor）过去称为为低频瓷片电容技术参数（Lowfrequencycermiccapacitor），指用铁电陶瓷作介质的电容，因此也称铁电瓷片电容技术参数

这类电容的比电容大，电容量随温度呈非线性变化，损耗较大，常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中

常见的Ⅱ类瓷片电容技术参数有：X7R、X5R、Y5V、Z5U其中：X7R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字7位最高工作温度+125℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；X5R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；Y5V表示为：第一位Y为最低工作温度-30℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%，-82%±15%

Z5U表示为：第一位Z为最低工作温度+10℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%，-56%

106即为电容量，瓷片电容上标有106表示该电容的电容量为106uf。

uf是实际工作中常用的电容量单位，电容量之间的换算关系为：1法拉(F)=1000毫法(mF)；1毫法(mF)=1000微法(μF)；1微法(μF)=1000纳法（nF）；1纳法（nF）=1000皮法(pF)；即：1F=1000000μF；1μF=1000000pF。

扩展资料：

电容的其他参数：

1、额定电压，为在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压。如果工作电压超过电容器的耐压，电容器将被击穿，造成损坏。在实际中，随着温度的升高，耐压值将会变低。

2、绝缘电阻。直流电压加在电容上，产生漏电电流，两者之比称为绝缘电阻。当电容较小时，其值主要取决于电容的表面状态；容量大于0.1时，其值主要取决于介质。通常情况，绝缘电阻越大越好。

3、损耗。电容在电场作用下，在单位时间内因发热所消耗的能量称做损耗。损耗与频率范围、介质、电导、电容金属部分的电阻等有关。

4、频率特性。随着频率的上升，一般电容器的电容量呈现下降的规律。当电容工作在谐振频率以下时，表现为容性；当超过其谐振频率时，表现为感性，此时就不是一个电容而是一个电感了。所以一定要避免电容工作于谐振频率以上。

参考资料来源：百度百科-电容器

容抗XC=1/2πf c (f表示交流的频率，C表示电容容量)机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。

识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉（F）表示，其它单位还有：毫法（mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF）。其中：1法拉=毫法=微法=纳法=皮法

容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 uF/16

容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示

我们常用的电容有：

1、 电解电容：多数在1μF以上，直接用数字表示。如：4.7μF、μF、μF等等。这种电容的两极有正负之分，长脚是正极。

2、 瓷片电容：多数在1μF以下，直接用数字表示。如：10、22、0.、0.1等等，这里要注意的是单位。凡用整数表示的，单位默认pF；凡用小数表示的，单位默认μF。如以上例子中，分别是10P、22P、0.μF、μF等。

现在国际上流行另一种类似色环电阻的表示方法（单位默认pF）：

如： “”即pF=0.μF

“”即pF=0.01μF等等，

“XXX”第一、二个数字是有效数字，第三个数字代表后面添加0的个数。这种表示法已经相当普遍。

1、直标法 用数字和单位符直接标出。如01uF表示0.01微法，有些电容用“R”表示小数点，如R56表示0.56微法。

2、文字符法 用数字和文字符有规律的组合来表示容量。如p10表示0.1pF,1p0表示1pF,6P8表示6.8pF, 2u2表示2.2uF.

3、色标法 用色环或色点表示电容器的主要参数。电容器的色标法与电阻相同。

电容器偏差标志符：+%-0--H、+%-10%--R、+50%-10%--T、+30%-10%--、+50%-20%--S、+80%-20%--Z。

电容器容量的基本单位是“法拉”（F），1法拉的1/（百万分之一）是1微法（μF），1微法的1/是1pF（1微微法，或1皮法）。它们之间的关系是百万（或称10的6次方）进位关系。我们常用的电容有：



电解电容多数在1μF以上，直接用数字表示。如：4.7μF、μF、μF等等。这种电容的两极有正负之分，长脚是正极。



瓷片电容：多数在1μF以下，直接用数字表示。如：10、22、0.、0.1等等，这里要注意的是单位。凡用整数表示的，单位默认pF；凡用小数表示的，单位默认μF。如以上例子中，分别是10P、22P、0.μF、0.1μF等。



把“色环表示法”用到电容上来：这又是一种巧妙的演绎！我们在一些瓷片电容上往往看到这样的标记：“”，“”，“”等，这里，第三个数字（个位数字）并非通常理解的个位数，它和四色环电阻的第三环一样，告诉人们前两位数字后面“添加零的个数”；这样，就是，就是，就是，单位默认pF。换算一下，＝0.01uF,＝0.1uF，＝0.uF。

这真的很难一下子说明白最好上硬之城看看吧。

104为0.1uF的瓷片电容。瓷片电容读法：104=10*10的4次方pF=0.1uF，相同的型号有103、102、224、223、222、474、473、472等。

瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。

电容的容量标识的几种方法。

第一就是直接标识，如其电解电容，容量47uf，电容耐压25v。其次则是使用单位nf：如涤纶电容，标称4n7，即4.7nf，转换为pf即为4700pf。还有的例如：10n，即0.01uf33n，即0.033uf。后面的63是指电容耐压63v。

此外还有就是数学计数法。如瓷片电容，标值103，容量就是：10x1000pf=0.01uf.如果标值473，即为47X1000pf=0.047uf。(后面的4、3，都表示10的多少次方)。

又如：332=33X100pf=3300pf。电容的使用，都应该在指定的耐压下工作。现在的好多质量不高的产品，就因为使用了耐压不足的电容而引起故障(常见电容爆裂)。

0.047uF标注是473，474是0.47uF

1uF------105

0.22uF-------224

0.047uF-----473

0.027uF-----273

0.1uF--------104

51pF---------瓷片电容一般直接标51

NP------------无极性电容

Tant----------钽电容

电容器，通常简称其容纳电荷的本领为电容，用字母C表示。定义1：电容器，顾名思义，是‘装电的容器’，是一种容纳电荷的器件。英文名称：capacitor。电容器是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于电路中的隔直通交，耦合，旁路，滤波，调谐回路， 能量转换，控制等方面。定义2：电容器，任何两个彼此绝缘且相隔很近的导体（包括导线）间都构成一个电容器。

电容与电容器不同。电容为基本物理量，符号C，单位为F（法拉）。

通用公式C=Q/U平行板电容器专用公式：板间电场强度E=U/d ，电容器电容决定式 C=εS/4πkd

随着电子信息技术的日新月异，数码电子产品的更新换代速度越来越快，以平板电视（LCD和PDP）、笔记本电脑、数码相机等产品为主的消费类电子产品产销量持续增长，带动了电容器产业增长。

μF是电容常用的单位之一，表示的是电容的容量。中文名称为微法。

电容的计量单位是法拉，用英文字母F来表示，由于法拉的单位过大，所以常见的计量单位是微法，也就是法拉的一百万分之一，用字母μF来表示，他的下面还有微微法，也叫皮法，用P来表示，1uF等于一百万pF。

电容有存储电能、泄放电能的作用，在供电条件一定的情况下，电容容量越大，充满电的所需时间越长，放电时间也会长。

扩展资料

电容器主要参数

1、标称电容量。

标称电容量，为标志在电容器上的电容量。但电容器实际电容量与标称电容量是有偏差的，精度等级与允许误差有对应关系。一般电容器常用I、Ⅱ、Ⅲ级，电解电容器用Ⅳ、V、Ⅵ级表示容量精度，根据用途选取。电容量的单位为F（法）。

2、额定电压。

额定电压为在最低环境温度和额定环境温度下，可连续加在电容器的最高直流电压。如果工作电压超过电容器的耐压，电容器将被击穿，造成损坏。在实际中，随着温度的升高，耐压值将会变低。

3、绝缘电阻。

直流电压加在电容上，产生漏电电流，两者之比称为绝缘电阻。当电容较小时，其值主要取决于电容的表面状态；容量大于0.1μF时，其值主要取决于介质。通常情况，绝缘电阻越大越好。

4、损耗。

电容在电场作用下，在单位时间内因发热所消耗的能量称做损耗。损耗与频率范围、介质、电导、电容金属部分的电阻等有关。

5、频率特性。

随着频率的上升，一般电容器的电容量呈现下降的规律。当电容工作在谐振频率以下时，表现为容性；当超过其谐振频率时，表现为感性，此时就不是一个电容而是一个电感了。所以一定要避免电容工作于谐振频率以上。

型号命名

1、名称，用字母表示，电容器用C。

2、材料，用字母表示。A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介。

3、分类，一般用数字表示，个别用字母表示。

数字：

字母：T-电铁、W-微调、J-金属化、X-小型、S-独石、D-低压、M-密封。

4、序号，用数字或字母表示。包括品种、尺寸代号、温度特性、直流工作电压、标称值、允许误差、标准代号。

容量标示

1、直标法

用数字和单位符号直接标出。如1表示1微法，有些电容用“R”表示小数点，如R56表示0.56微法。

2、文字符号法

用数字和文字符号有规律的组合来表示容量。如p10表示0.1pF、1p0表示1pF、6P8表示6.8pF、2u2表示2.2uF。

3、色标法

用色环或色点表示电容器的主要参数。电容器的色标法与电阻相同。

扩展资料

固定电容器的检测方法：

检测10pF以下的小电容：因10pF以下的固定电容器容量太小，用万用表进行测量，只能定性的检查其是否有漏电，内部短路或击穿现象。

测量时，可选用万用表R×10k挡，用两表笔分别任意接电容的两个引脚，阻值应为无穷大。若测出阻值(指针向右摆动)为零，则说明电容漏电损坏或内部击穿。

检测10PF～001μF固定电容器：通过判断是否有充电现象，进而判断其好坏。万用表选用R×1k挡。两只三极管的β值均为100以上，且穿透电流要小。

可选用3DG6等型号硅三极管组成复合管。万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接。由于复合三极管的放大作用，把被测电容的充放电过程予以放大，使万用表指针摆幅度加大，从而便于观察。

应注意的是：在测试操作时，特别是在测较小容量的电容时，要反复调换被测电容引脚接触A、B两点，才能明显地看到万用表指针的摆动。

对于001μF以上的固定电容，可用万用表的R×10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电，并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量。

参考资料来源：百度百科—电容器