高频电容和瓷片电容的区别?
一般来说瓷片电容和高频电容是极为相似的两种电容器,事实上高频电容和瓷片电容是有区别的
高频电容是陶瓷电容器的一种
陶瓷电容器用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质,并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成
它又分高频瓷介和低频瓷介两种
陶瓷电容器具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器
低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉
这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿
高频瓷介电容器由一种浓度适于喷涂的特殊混合物喷涂成薄膜而成,介质再以银层电极经烧结而成“独石”结构
高频瓷介电容器适用于高频电路云母电容器
就结构而言,可分为箔片式及被银式
被银式电极为直接在云母片上用真空蒸发法或烧渗法镀上银层而成,由于消除了空气间隙,温度系数大为下降,电容稳定性也比箔片式高
瓷片电容主要针对于高频,高压瓷片电容取决于使用在什么场合,典型作用可以消除高频干扰
瓷片电容的优点:1、容量损耗随温度频率具高稳定性
2、特殊的串联结构适合于高电压极长期工作可靠性
3、高电流爬升速率并适用于大电流回路无感型结构
高频电容频率特性好,Q值高,温度系数小;不能做成大的容量;广泛应用在高频电器中,并可用作标准电容器玻璃釉电容器
性能可与云母电容器媲美,能耐受各种气候环境,一般可在200℃或更高温度下工作,额定工作电压可达500V,损耗tgδ0.0005~0.008
一、瓷片电容主要针对于高频,高压瓷片电容取决于使用在什么场合,典型作用可以消除高频干扰。
优点:1、容量损耗随温度频率具高稳定性。2、特殊的串联结构适合于高电压极长期工作可靠性。3、高电流爬升速率并适用于大电流回路无感型结构。
二、Y2电容属于安规电容的范涛,是指用于这样的场合,即电容器失效后,不会导致电击,不危及人身安全。
三、普通瓷片电容按国标测试是1.5倍额定电压+500V,而Y2电容的额定电压是250V,其测试耐压需要达到2500Vac.
什么是瓷片电容?瓷片电容是一种用陶瓷材料作介质,在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,再经高温烧结后作为电极而成的电容器
通常用于高稳定振荡回路中,作为回路、旁路的电容器及垫整电容器,按容量分为可调堦的可变电容器及和容量固定的固定电容器
瓷片电容按频率分为高频瓷片电容和低频瓷片电容
高频瓷片电容体积小、稳定性高、高频特性好、损耗小(tgδ瓷片电容有什么特点呢?高频电容,容量小;频率高;损耗小;工作稳定
低频电容,体积小;容量大;耐电压高;价格低
瓷片电容的作用瓷片电容MLCC(1类)微型化,高频化,超低损耗,低ESR,高稳定,高耐压,高绝缘,高可靠,无极性,低容值,低成本,耐高温,主要应用于高频电路中
瓷片电容MLCC(2类)微型化,高比容,中高压,无极性,高可靠,耐高温,低ESR,低成本
主要应用于中,低频电路中作隔直,耦合,旁路和滤波等电容器使用
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R,X5R,Y5U,Y5V是另一个等级的,
前者等级的容量稳定性很好,基本不随温度,电压,时间等变化而变化,但是一般容量都很小。而后者等级的瓷介电容容量稳定性很差,随着温度,电压,时间变化幅度较大,所以一般用在对容量稳定性要求不高的场合。
瓷片电容通常不使用在于脉冲电路中,因为这种电容比较容易被脉冲电压挤坏,虽然比较容易被脉冲电压挤坏,但是他的稳定性相对其它电容来说还是高的,并且瓷片电容还具有很强的耐高温性质和绝缘性质。瓷片电容优点很多,但是缺点还是有的,那就是容量不能做的很大,这在当下大家都追求高容量的情况下是一个很大的缺点,但是已经有很多改进的方法来让陶瓷电容也能做到比较大的容量同时体积比较小。
瓷片电容是一种用陶瓷作为介质的电容器,它和其它的金属电容相比具有高度的稳定性,特别是在震荡回路中这种稳定性甚为明显。瓷片电容分两种,一种具有高频瓷介,一种就是低频瓷介的。高频瓷介的电容器一般是用于工作频率较高的状态,低频瓷介则相反应用于频率较低的环境,用作对稳定性不高的场合。
交流也有高频和低频之分,简单地讲频率是每秒电流或电压极性的变化次数(周期)。直流与频率无关。
它又分高频瓷介和低频瓷介两种
具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器
低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉
这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿
二者联系和区别:瓷片电容的高频特性好,但电容值最大只能做到0.1uF
瓷片电容也属于陶瓷电容的一种
瓷片电容的在识别上与电阻的识别方法基本相同,分直标法、色标法和数标法3种
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