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陶瓷电容怎么检测

健壮的棒球
文艺的海燕
2022-12-29 09:57:05

陶瓷电容怎么检测?

最佳答案
明理的蛋挞
乐观的招牌
2026-02-13 14:10:55

测试工具:容量测试仪、绝缘电阻测试仪。

陶瓷电容分(NPO、X7R、Y5V、Y5P、Z5U X5R)材质。

#NPO 为高频电容:容量测试频率:1MHZ 电压:1V

#X7R Y5V Y5P Z5U 容量测试频率:1KHZ 电压:1V或0.3V

#X5R 容量测试频率:100HZ 电压:0.3V

可以百度下载陶瓷电容规格书,各工厂做出的电容测试标准是一致的,你可以参照规格书上面的要求去测试,每家公司有详细说明。

最新回答
机智的水杯
土豪的网络
2026-02-13 14:10:55

压电陶瓷的等效电路中有静态电容和动态电容用HP4192量测,频率设定1KHz时,得到的电容值是2.8nF;估计只计算了静态电容再用一般电容表量测,得到的电容值是3.1nF。估计是两者之和

迷路的鼠标
魁梧的芝麻
2026-02-13 14:10:55
高压陶瓷电容器,就是使用在电力系统中的高压陶瓷电容器,一般像电力系统的计量,储能,分压等产品中,都会用到它

高压陶瓷电容是用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质,并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成的

高压陶瓷电容器出厂前都是要经过测试的,今天我们就一起来探讨一下高压电容器有那些测试项目,这些项目又是如何测量的

高压陶瓷电容器出厂前进行的测试是为了更好地检验它是否合格,是否符合客户的要求,是否能保障使用的寿命

高压陶瓷电容的主要测试项目有以下七项:1、串联电阻测试,绝缘电阻测试

2、耐压实验,包括额定工作电压24小时工作测试;也包括击穿耐压,即破坏性测试,电容被击穿前的那一个临界电压就是击穿电压(标定电压的二倍高压下不击穿)

3、拉力测试,即引线与芯片焊接的牢固度

4、老化测试,高压陶瓷电容在模拟工作环境状态下运作30~60天,测试其衰减其各项参数的变化

5、正负温变化率测试,即-40度到+60度状况下,电容的变化率

6、寿命测试,即在老化测试的基础上,再对电容进行高频冲电流下快速充放电测试,得到的充放电次数就是充放电寿命,注意,这个寿命的得出是在长时间的老化之后得出的

7、局放测试,即局部放电测试

以上就是高压陶瓷电容如何测量的方法,如果大家对此还有疑问的话,可以到一些合格生产电容的厂家去观察他们是如何测量高压陶瓷电容的

大胆的战斗机
勤奋的酸奶
2026-02-13 14:10:55

检测方法

1、检测10pF以下的小电容——因10pF以下的固定电容器容量太小,用万用表进行测量,只能定性的检查其是否有漏电,内部短路或击穿现象。

测量时,可选用万用表10k挡,用两表笔分别任意接电容的两个引脚,阻值应为无穷大。若测出阻值(指针向右摆动)为零,则说明电容漏电损坏或内部击穿。

2、检测10PF~001μF固定电容器是否有充电现象,进而判断其好坏。万用表选用1k挡。两只三极管的β值均为100以上,且穿透电流要小。

可选用3DG6等型号硅三极管组成复合管。万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接。由于复合三极管的放大作用,把被测电容的充放电过程予以放大,使万用表指针摆幅度加大,从而便于观察。

3、对于001μF以上的固定电容,可用万用表的10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电,并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量。

4、应注意的是:在测试操作时,特别是在测较小容量的电容时,要反复调换被测电容引脚接触A、B两点,才能明显地看到万用表指针的摆动。

扩展资料

瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。

低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿。

1.MLCC(1类)—微型化,高频化,超低损耗,低ESR,高稳定,高耐压,高绝缘,高可靠,无极性,低容值,低成本,耐高温,主要应用于高频电路中。

2.MLCC(2类)—微型化,高比容,中高压,无极性,高可靠,耐高温,低ESR,低成本,主要应用于中,低频电路中作隔直,耦合,旁路和滤波等电容器使用。

参考资料来源:百度百科-瓷片电容

参考资料来源:中国电工考试网-用数字万用表测电容好坏

活泼的砖头
无聊的猎豹
2026-02-13 14:10:55
通常,电容器采用的介质材料主要包括:空气(介电常数K几乎与真空相同,定义为1);天然介质:如云母,介电常数(K)为4~8;合成材料:如陶瓷,K值范围由9~1500。 电容器所用陶瓷介质是以钛酸盐为主要成份,可以通过配方调整制成具有极高介电常数和其他适当电特性的介质材料。这是陶瓷电容器,尤其是片式多层陶瓷电容器(MLCC)技术的基础。MLCC制造过程中的所有工艺和其它材料的确定原则都趋向于实现其介电性能的最优化