如何测量瓷片电容器的耐压值

1.利用电容器放电测电容实验原理

电容器充电后，所带电量Q与两极板间电压U和电容C之间满足Q＝CU的关系。U可由直流电压表测出，Q可由电容器放电测量。使电容器通过高电阻放电，放电电流随电容器两极板间的电压下降而减少，通过测出不同时刻的放电电流值，直至I＝0，作出放电电流I随时间变化的曲线，曲线下的面积即等于电容器所带电量。由C＝Q／U可求出电容器的电容值。

2.利用放电时间比率来测电容

其测量原理是把被测电容和基准电容连接到同一电阻上，构成RC网络。通过测量两个电容放电时间的比率，就可以求出被测电容的电容值。测量范围从pF（10-12F）到几十个nF（10-9F），并且在寄生电容的抑制和温度稳定性方面具有极很大的优势。

3.利用单片机测脉冲来测时间常数RC再计算电容

其测量原理是把被测电容和电阻串联，构成RC网络，然后可利用这个时间常数去弄个振荡器，调好振荡信号的波形然后开始计数脉冲值，可能的周期为T=A0&TImesRC，A0为一个常

用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

陶瓷电容压力传感器的材料，以三氧化二铝为主要原料的陶瓷构成；其它电容式压力传感器由弹性金属片和绝缘材料构成。陶瓷式传感器具有优异的弹性特质，目前已成为电容式压力传感器应用的主流。

电容式压力传感器感受压力后，两导电极板间距离发生变化，引起电容量发生变化。通过振荡电路、充放电电路等方法，可以将这个电容变化转换为频率或者电压信号，再经过频率测量（或AD转换）电路，就可以测量出电容量也就是压力大小。

对于特定的液体（比如水），它的液下固定点的压力与液面高度成正比例关系。所以，测量出安装在液体中固定位置的电容式压力传感器的压力，就可以准确知道液面距传感器的高度。

上述知识的详细介绍，互联网上有大量资料可以参考。

如果有经验值，多大的电容指针指到哪，就知道容量。如果没有经验值，用同容量的好电容，试一下看指针到那，然后进行对比即可。检查容量，根据容量不同选择量程，470微法以上用x1欧档，0.0几的用x1K档，100P左右用10K档。几p的就应串里合适的电压了。测试时用两个表笔搭接电容的两个脚，表针有一定的数值，然后回到无穷大位，调换表笔再试一次，这次指针摆动大小略有偏差，再回到无穷大，说明电容是好的，如不能回无穷大，说明漏电，如指针没有摆动，说明内部断路或没容量了。然后用同规格好电容进行比较，看容量是否减小。

高压陶瓷电容是用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成的

高压陶瓷电容器出厂前都是要经过测试的，今天我们就一起来探讨一下高压电容器有那些测试项目，这些项目又是如何测量的

高压陶瓷电容器出厂前进行的测试是为了更好地检验它是否合格，是否符合客户的要求，是否能保障使用的寿命

高压陶瓷电容的主要测试项目有以下七项：1、串联电阻测试，绝缘电阻测试

2、耐压实验，包括额定工作电压24小时工作测试；也包括击穿耐压，即破坏性测试，电容被击穿前的那一个临界电压就是击穿电压（标定电压的二倍高压下不击穿）

3、拉力测试，即引线与芯片焊接的牢固度

4、老化测试，高压陶瓷电容在模拟工作环境状态下运作30~60天，测试其衰减其各项参数的变化

5、正负温变化率测试，即-40度到+60度状况下，电容的变化率

6、寿命测试，即在老化测试的基础上，再对电容进行高频冲电流下快速充放电测试，得到的充放电次数就是充放电寿命，注意，这个寿命的得出是在长时间的老化之后得出的

7、局放测试，即局部放电测试

以上就是高压陶瓷电容如何测量的方法，如果大家对此还有疑问的话，可以到一些合格生产电容的厂家去观察他们是如何测量高压陶瓷电容的

随着材料、电极和制造技术的进步，高压陶瓷电容器的发展有长足的进展，

并取得广泛应用。陶瓷电容器已成为大功率高压电子产品不可缺少的元件之一。

而陶瓷电容质量做的好的选择-智旭电子的是不错的选择!建议实地考察。

检测方法

1、检测10pF以下的小电容——因10pF以下的固定电容器容量太小，用万用表进行测量，只能定性的检查其是否有漏电，内部短路或击穿现象。

测量时，可选用万用表10k挡，用两表笔分别任意接电容的两个引脚，阻值应为无穷大。若测出阻值（指针向右摆动）为零，则说明电容漏电损坏或内部击穿。

2、检测10PF～0 01μF固定电容器是否有充电现象，进而判断其好坏。万用表选用1k挡。两只三极管的β值均为100以上，且穿透电流要小。

可选用3DG6等型号硅三极管组成复合管。万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接。由于复合三极管的放大作用，把被测电容的充放电过程予以放大，使万用表指针摆幅度加大，从而便于观察。

3、对于0 01μF以上的固定电容，可用万用表的10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电，并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量。

4、应注意的是：在测试操作时，特别是在测较小容量的电容时，要反复调换被测电容引脚接触A、B两点，才能明显地看到万用表指针的摆动。

扩展资料

瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。

低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

1.MLCC(1类)—微型化，高频化，超低损耗，低ESR，高稳定，高耐压，高绝缘，高可靠，无极性，低容值，低成本，耐高温，主要应用于高频电路中。

2.MLCC(2类)—微型化，高比容，中高压，无极性，高可靠，耐高温，低ESR，低成本，主要应用于中,低频电路中作隔直，耦合，旁路和滤波等电容器使用。

参考资料来源：百度百科- 瓷片电容

参考资料来源：中国电工考试网-用数字万用表测电容好坏