如何回收国巨贴片电容0201 105 225 电容散料包料
而我是专业收这些贴片电容散料统料原包料《MBS1689》村田，国巨，太阳诱电，TDK，华新 七、电容的测量及好坏判断1、电容测量 将万用表打到蜂鸣二极管档，把表笔放在两引脚上，应当看到数值在为断变大，当达到无穷大时，将两表笔反接，此时数值应当从负数迅速变为无穷大。这个过程是电容的充放电过程。 2、好坏判断 电解电容损坏后外观上表现为鼓包、漏液、变形等。用万表测量没有放电过程或放电过程很短，跳变动做比较缓慢甚至不能跳变到无穷大，则表明电容漏液或性能不良；如果万用表读数一直为零，则表示电容短路。对于贴片电容，在主板上测量很难判断好坏，只能摘下来测量，测量时电容两站应为无穷大。 漏电的贴片电容会比周围的电容颜色略深一些；电容坏会引起计算机进入系统蓝屏、死机、运行大程序死机，漏电会引起计算机重启六、电容的代换原则 1、正负极不能接反。 2、耐压值要大于或等于原值。 3、容量可比原值相差+/-20%。 4、贴片电容只要颜色大小一样就可以代换。 5、晶振两引脚上的稳频电容要原值(原位置)代换（可找另一块主板上的相同位置的电容代换）。 这是我随便转载百度一篇文章，网上这种东西太多了。 电容的第一种标称方法为直标法： 如果标称为整数且无单位则读作“pF”；如标称为小数且无单位读作“uF”；如标称三位数且无单位，第一二位为有效数字“AB”，第三位为倍率“10C”；进口电容有“47uFD”，它就是“47uF”；电容标称“3R3”，“R”为小数点，表示“3.3pF”；标称为“0.47k、2.2J”，表示“0.47uF、2.2uF”，“k、J”是误 差值；第二种为色标法，与电阻的色标法相同。第三种特殊标称：“109J、219k、379k”等，带9的“*10-1”。五、电容的特性：通高频，阻低频；通交流，阻直流 (参照容抗)六、电容的作用：滤波、耦合、储能 1、滤波电容： 并接在电路正负极之间，利用电容通交隔直的特性，将电路中的交流电流滤除。有极性的电容通常是负极接地。 2、耦合电容： 连接于信号源和信号处理电路或两极放大器之间，用以隔断直流电，让交流或脉动信号通过，使相邻的放大器直流工作点互不景响。 3、退耦电容： 并接于电路正负极之间，可防止电路通过电源形成的正反馈通路而引起的寄生振荡。 4、旁路电容： 并接在电阻两端，为交直流信号中的交流设置一条能路，避免交流成分在通过电阻时产生压降。 5、自举升压电容： 利用礤储能来提升电路某点的电位，使其电位值高于为该点供电的电源电压。 6、稳频电容： 在振荡电路中用来稳定振荡频率。 7、定时电容： 在RC定时电路中与电阻R串联共同决定时间长短。 8、软启动电容： 通常接在电源开关管的基极，防止开机时加在开关管基极的浪涌电据 了解更多 村田MURATA在生产高端贴片电容是为了世界更好智能。而收这些散料统料《MBS1689》 是为了测试 其中功能 是否可以达到高值 价值等原因1:瓷介电容（CT），廉价，容量小，主要用于低频电路。2：涤纶电容（CL），特点用途同上。3：独石电容（CC），很贵，容量小，性质稳定。一般用于高频电路。4：电解电容（CD），容量大，有正负极之分。主要用于电源电路，脉动电路。5：云母电容（CY），耐压（250v-450v），容量小，很贵，体积大。用于通讯机重要部位。还有钽电容（CA），铌电容（CN），薄膜电容等等。 2、容抗： 电容对交流电呈现出的一各特殊的阻碍作用为容抗，频率与容抗成反比，频率越高容抗越小，因此电容具有通高频阴低频的特性。当频率一定时，容量与容抗成反比，容量越大容抗越小，容量越小容抗越大。当频率为0时，即直流电容容抗为无穷大。 四、 电容标称方法： 电容的第一种标称方法为直标法： 如果标称为整数且无单位则读作“pF”；如标称为小数且无单位读作“uF”；如标称三位数且无单位，第一二位为有效数字“AB”，第三位为倍率“10C”；进口电容有“47uFD”，它就是“47uF”；电容标称“3R3”，“R”为小数点，表示“3.3pF”；标称为“0.47k、2.2J”，表示“0.47uF、2.2uF”，“k、J”是误 差值；第二种为色标法，与电阻的色标法相同。第三种特殊标称：“109J、219k、379k”等，带9的“*10-1”。五、电容的特性：通高频，阻低频；通交流，阻直流 (参照容抗)六、电容的作用：滤波、耦合、储能 1、滤波电容： 并接在电路正负极之间，利用电容通交隔直的特性，将电路中的交流电流滤除。有极性的电容通常是负极接地。 2、耦合电容： 连接于信号源和信号处理电路或两极放大器之间，用以隔断直流电，让交流或脉动信号通过，使相邻的放大器直流工作点互不景响。 3、退耦电容： 并接于电路正负极之间，可防止电路通过电源形成的正反馈通路而引起的寄生振荡。 4、旁路电容： 并接在电阻两端，为交直流信号中的交流设置一条能路，避免交流成分在通过电阻时产生压降。 5、自举升压电容： 利用礤储能来提升电路某点的电位，使其电位值高于为该点供电的电源电压。 6、稳频电容： 在振荡电路中用来稳定振荡频率。 7、定时电容： 在RC定时电路中与电阻R串联共同决定时间长短。 8、软启动电容： 通常接在电源开关管的基极，防止开机时加在开关管基极的浪涌电流或电压太大而损坏的开关管。七、电容的测量及好坏判断1、电容测量 将万用表打到蜂鸣二极管档，把表笔放在两引脚上，应当看到数值在为断变大，当达到无穷大时，将两表笔反接，此时数值应当从负数迅速变为无穷大。这个过程是电容的充放电过程。 2、好坏判断 电解电容损坏后外观上表现为鼓包、漏液、变形等。用万表测量没有放电过程或放电过程很短，跳变动做比较缓慢甚至不能跳变到无穷大，则表明电容漏液或性能不良；如果万用表读数一直为零，则表示电容短路。对于贴片电容，在主板上测量很难判断好坏，只能摘下来测量，测量时电容两站应为无穷大。容量：0.1PF - 100000000PF 1UF=1000NF=1000000PF 3位数的容量数值表示法：比如104最后一位的数字4代表前面两位数10后面有4个0，104=100000PF 470=47PF 225=2200000PF 107=100000000PF 体积：0201 0402 0603 0805 1206 1210 1812 2220误差：±0.1PF(B档)±0.25PF(C档) ±0.5PF(D档) ±1%(F档) ±5%(J档) ±10%(K档) ±20%(M档) +80%-20%(Z档)B、C、D级误差适用于容量≤10pF的产品 材质：COG (NPO) X5R X7R Y5V Z5U 等等电压：4V 6.3V 10V 16V 25V 50V 63V 100V 200V 250V 400V 500V 630V 1000V 2000V 3000V 5000V 品牌：TDK muRata村田 FH风华 SAMSUNG三星 YAGEO国巨 WALSIN华新 HEC禾伸堂 AVX&Kyocera京瓷 TAIYO太诱 CCT辰远 UTC等等 应用于LED恒流电源LED电源专用高电压和高容量陶瓷贴片电容：1206 102/222/332/472/103 1KV X7R（替代插件瓷片电容）1206 105 50V X7R（替代插件铝电解电容）1206 225 50V X7R（替代插件铝电解电容）1206 475 50V X7R（替代插件铝电解电容）1206 106 25V X7R（替代插件铝电解电容或钽电容）1206 106 50V X7R（替代插件铝电解电容或钽电容）1206 226 25V X5R（替代插件铝电解电容）1210 106 50V X7R （替代插件铝电解电容或钽电容） 1210 226 25V X5R （替代插件铝电解电容或钽电容）1812 104/224/334/474/564/684/824 450V（替代插件CBB电容阻容降压）1812 105 250V X7R(替代插件铝电解或CBB电容)1812 225 100V X7R(替代插件铝电解或CBB电容）2220 105/225 450V X7T(替代插件铝电解或CBB电容） 2220 475 250V X7T(替代插件铝电解或CBB电容）450V 104 X7T 1812封装 450V 224 X7T 1812封装450V 334 X7T 1812封装 450V 474 X7T 1812封装450V 564 X7T 1812封装450V 684 X7T 1812封装450V 824 X7T 1812封装250V 105 X7R 1812封装 250V 475 X7T 2220封装450V 105 X7T 2220封装 450V 225 X7T 2220封装以上都为陶瓷X7T材质，耐温-55-125度。损耗（DF）小于2。5%LED电源EMI滤波专用高压贴片电容主要规格有1206 333630V1210 3331KV1206 473400V或450V或 630V-1210 104400V或500V或630V1210 224400V或450V以上都为陶瓷X7R材质，耐温-55-125度。损耗（DF）小于2。5%大功率路灯电源专用中高压陶瓷贴片电容C4532X7R2A225KT-1812 100V 2.2UF+-10%C4532X7R2E105KT-1812 250V 1UF+-10%以上都为陶瓷X7R材质，耐温-55-125度。损耗（DF）小于2。5%高压高频贴片电容-高频无极灯专用(代替CBB) 耐压；125度。1KV NP0 101 221 331 471 102。。1206尺寸3KV 100P NP0 1808/1812尺寸3KV 22I NP0 1808或1812尺寸3KV 471 NP0 1812尺寸2KV 821 NP0 1812尺寸2KV 102 NP0 1812尺寸100V 474 X7R 1206尺寸100V 684K X7R 1206尺寸HID安定器 常用高压贴片电容和大容量贴片电容1KV 100p 1206封装1KV 221 1206封装1KV 102 1206封装1KV 222 1206封装1KV 472 1206封装1KV 103 1206封装630V 104 1812封装10U/25V 1210封装10U/50V 1210封装以上都为陶瓷X7R材质，耐温-55-125度。损耗（DF）小于2。5%网络交换机 常用中高压贴片电容 ：500V 103 1206封装500V 123 1206封装500V 153 1206封装500V 223 1206封装500V 333 1206封装250V 124 1210封装100V 334 1210封装100V 222 1206封装以上都为陶瓷X7R材质，耐温-55-125度。损耗（DF）小于2.5%模块电源 常用大容量贴片电容和高压贴片电容100V 1U 1812封装100V 2.2U 1812封装50V 4.7U 1812封装25V 10U 1812封装25V 22U 1812封装10V 47U 1812封装6.3V 100U 1812封装50V 10U 2220封装2KV 102 1812封装2KV 332 1812封装2KV 103 1812封装630V 104 1812封装630V 224 2220封装250V 1U 2220封装以上都为陶瓷X7R材质，耐温-55-125度。损耗（DF）小于2.5%开关电源常用高压贴片电容和大容量贴片电容 ：1KV 100p 1206封装1KV 221 1206封装1KV 102 1206封装1KV 222 1206封装1KV 472 1206封装1KV 103 1206封装630V 104 1812封装10U/25V 1210封装10U/16V 1206封装以上都为陶瓷X7R材质，耐温-55-125度。损耗（DF）小于2。5%LED阻容降压用高压贴片电容（代替插件CBB）110v电路专用250V 224 1812封装 250V 334 1812封装 250V 474 1812封装250V 684 1812封装250V 105 1812封装500V 224 1812封装以上都为陶瓷X7R材质，耐温-55-125度。损耗（DF）小于2。5%可代替传统插件瓷片和CBB以及铝电解缩小体积模块电源常用大容量贴片电容和高压贴片电容100V 1U 1812封装100V 2.2U 1812封装50V 4.7U 1812封装25V 10U 1812封装25V 22U 1812封装10V 47U 1812封装6.3V 100U 1812封装50V 10U 2220封装2KV 102 1812封装2KV 332 1812封装2KV 103 1812封装630V 104 1812封装630V 224 2220封装250V 1U 2220封装以上都为陶瓷X7R材质，耐温-55-125度。损耗（DF）小于2.5%可代替传统插件瓷片和钽电容以及铝电解缩小体积更多规格欢迎查询和索样 开关电源 常用高压贴片电容和大容量贴片电容1KV 100p 1206封装1KV 221 1206封装1KV 102 1206封装1KV 222 1206封装1KV 472 1206封装1KV 103 1206封装630V 104 1812封装10U/25V 1210封装10U/16V 1206封装以上都为陶瓷X7R材质，耐温-55-125度。损耗（DF）小于2。5%可代替传统插件瓷片和CBB以及铝电解缩小体积更多规格欢迎查询和索样~网络交换机常用高压贴片电容500V 103 1206封装网络交换机常用高压贴片电容500V 123 1206封装网络交换机常用高压贴片电容500V 153 1206封装网络交换机常用高压贴片电容500V 223 1206封装网络交换机常用高压贴片电容500V 333 1206封装网络交换机常用高压贴片电容250V 124 1210封装网络交换机常用高压贴片电容100V 334 1210封装网络交换机常用高压贴片电容100V 222 1206封装网络交换机常用高压贴片电容HID灯 常用高压贴片电容和大容量贴片电容1KV 100p 1206封装高压贴片电容和大容量贴片电容1KV 221 1206封装高压贴片电容和大容量贴片电容1KV 102 1206封装高压贴片电容和大容量贴片电容1KV 222 1206封装高压贴片电容和大容量贴片电容1KV 472 1206封装高压贴片电容和大容量贴片电容1KV 103 1206封装高压贴片电容和大容量贴片电容630V 104 1812封装高压贴片电容和大容量贴片电容10U/25V 1210封装高压贴片电容和大容量贴片电容10U/50V 1210封装高压贴片电容和大容量贴片电容以上都为陶瓷X7R材质，耐温-55-125度。损耗（DF）小于2。5%可代替传统插件瓷片和CBB以及铝电解缩小体积更多规格欢迎查询和索样~LED灯常用高压贴片和大容量贴片电容高压陶瓷贴片电容-可代替传统插件电容缩小电源体积(LED电源专用) 漏电的贴片电容会比周围的电容颜色略深一些；电容坏会引起计算机进入系统蓝屏、死机、运行大程序死机，漏电会引起计算机重启
有。电容器所带电量Q与电容器两极间的电压U的比值，叫电容器的电容，回收大功率补偿电容是有回收作用的，可以用在滤波电路中的电容器称为滤波电容，在电源滤波和各种滤波器电路中使用这种电容电路，滤波电容将一定频段内的信号从总信号中去除。
MLCC一般为20~30层，由钛酸钡、钛酸铅及铅、钛、镁、铋等金属的氧化物及银、钯内电极浆料和端电极组成，一般金属含量小于8%。我国贵金属矿产资源品位低、储量少，每年都需要耗用大量外汇进口贵金属原料，以满足国民经济建设的需要。从各种贵金属废料中回收贵金属日益受到人们的关注，因而从上述MLCC废料中回收银、钯具有重要意义。
目前从一般电子废料中回收银、钯的方法主要有高温熔炼法和化学法。
高温熔炼法是把含贵金属的电子废料加入电炉中高温熔炼，金、银及铂族金属富集在捕集金属（如铜、铅）中，再用传统的方法从捕集金属中回收贵金属。
化学法是用酸或氰化物溶液溶解陶瓷废料中的银、钯，用置换、萃取或离子交换法从溶液中富集银、钯。例如：用硝酸溶解-磷酸二氢纳还原法；用王水溶解-阴离子交换吸附法；用硝酸溶解-N235萃取法。但是MLCC废料不同于一般电子废料，在国内尚未见类似的文献报道。
1、MLCC废料硝酸浸出
MLCC废料部分已经高温焙烧过，未经过焙烧的生料必须在1000℃高温焙烧使其中的有机物挥发。钯在560℃被氧化，至820℃后氧化钯又分解，因此MLCC废料中钯呈金属状态。用硝酸浸出银、钯时反应如下：
3Pd+8HNO3=3Pd(NO3)2+2NO↑+4H2O
3Ag+4HNO3=3AgNO3+NO↑+2H2O
MO+2HNO3=M(NO3)2+H2O（M=Ba、Pb、Mg等）
2、银的熔炼
加入碳酸钠还原熔炼氧化银反应如下：
2AgCl+Na2CO3=Ag2CO3+2NaCl
Ag2CO3=Ag2O+CO2↑
2Ag2O=4Ag+O2↑
3、丁基黄药沉淀钯
丁基黄药是钯的选择性沉淀剂，用黄药从浸出渣洗水沉钯反应如下：
Pd(NO3)2+2ROCSSNa=(ROCSS)2Pd+2NaNO3
M(NO3)2+2ROCSSNa=(ROCSS)2M+2NaNO3（M=Ba、Pb、Mg等）
(ROCSS)2M+Pd(NO3)2=(ROCSS)2Pd+
M(NO3)2
瓷片电容器承诺的储存期为一年
当然，在实际运用中，远远超过一年的期限
其实，法律法规没有规定电容器的储存期要多久
储存期跟平时产品储存的环境、存放的时间和使用的方法是不可分离的，每种产品都有它的储存条件和安全使用方法
我们只要按厂家要求操作，期限是可以延长的
瓷片电容器的储存条件，电容器存放在干燥，防潮湿，防化学物质，防火的地方
一般在常温下约25℃±5℃，湿度65%±10%条件下储存一年，是不会影响电容的电气特性
湿度大于90%，绝缘性能就会下降，耐电压也会降低
电容器使用时都有连接到电源，操作不当，电容器会受损
且有强大的电流产生，一般是在专业人员的陪同下，按照IEC60384或GB/T6346等国标操作
要注意的事：瓷片电容在工作中，温度升高时，如果容量下降过多，就会影响性能,造成失效
不同材质的电容器,温度节点是不一样的
不同的电容有不同的特性，今天我们就来探讨下瓷片电容、独石电容和贴片电容的区别在哪里吧。
瓷片电容：
瓷片电容(ceramiccapacitor)是一种用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜，再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器。瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。
优点：稳定，绝缘性好，耐高压
缺点：容量比较小
独石电容：
独石电容是多层陶瓷电容器的别称，英文名称monolithic ceramic capacitor或multi-layer ceramic capacitor, 简称MLCC，根据所使用的材料，可分为三类。
一类为温度补偿类NPO电介质这种电容器电气性能最稳定，基本上不随温度、电压、时间的改变，属超稳定型、低损耗电容材料类型，适用在对稳定性、可靠性要求较高的高频、特高频、甚高频电路中。
二类为高介电常数类X7R电介质由于X7R是一种强电介质，因而能制造出容量比NPO介质更大的电容器。这种电容器性能较稳定，随温度、电压时间的改变，其特有的性能变化并不显著，属稳定电容材料类型，使用在隔直、耦合、傍路、滤波电路及可靠性要求较高的中高频电路中。
三类为半导体类Y5V电介质这种电容器具有较高的介电常数，常用于生产比容较大、标称容量较高的大容量电容器产品。但其容量稳定性较X7R差，容量、损耗对温度、电压等测试条件较敏感，主要用在电子整机中的振荡、耦合、滤波及旁路电路中。
特点：温度特性好，频率特性好。一般电容随着频率的上升,电容量呈现下降的规律，独石电容下降比较少，容量比较稳定。
陶瓷电容：
陶瓷电容用用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。
选择合适的电容，会大大提升产品性能哟
