[瓷片品牌]什么是瓷片电容以它的特点和作用

一、电容器：

1、作用：电容器是电气设备中常用的一种重要元件，可以用来容纳电荷。

2、构成：两金属板间夹上一层绝缘物质(电介质)就是一个最简单的电容器。两个金属板就是电容器的两个电极。 

3、充电与放电：使电容器带电叫充电；使充电后的电容器失去电荷叫放电。 

4、电容器所带电量：电容器的一个极板上所带电量的绝对值。 

5、击穿电压与额定电压：加在电容器两极上的电压如果超过某一极限，电介质将被击穿从而损坏电容器，这个极限电压叫击穿电压；电容器长期工作所能承受的电压叫做额定电压，它比击穿电压要低。

二、电容：

1、单位：在国际单位制中，电容单位是法(F)。

2、常用单位有：微法(μF)和皮法(pF)。

3、它们的换算关系是1F=106uF=1012pF。 

4、物理意义：表示电容器容纳电荷本领大小的物理量。 

5、平行板电容器电容的决定因素：平行板电容器的电容，跟介电常量ε成正比，跟正对面积S成正比，跟极板间的距离d成反比。

扩展资料

电容器分类：

1、按照结构分三大类：固定电容器、可变电容器和微调电容器。

2、按电解质分类：有机介质电容器、无机介质电容器、电解电容器、电热电容器和空气介质电容器等。

3、按用途分有：高频旁路、低频旁路、滤波、调谐、高频耦合、低频耦合、小型电容器。

4、按制造材料的不同可以分为：瓷介电容、涤纶电容、电解电容、钽电容，还有先进的聚丙烯电容等等。

5、高频旁路：陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、涤纶电容器、玻璃釉电容器。

6、低频旁路：纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器。

参考资料来源：百度百科——电容器

外壳是陶瓷的，用来绝缘

高压瓷片电容器一个主要的特点就是耐压高，电压一般大于1KV的电压

高压瓷片电容器常规有2KV、3KV、4KV电压

常用于高压场合

最高的可达30KV的电压

在瓷片电容器中一般DC50V以下叫低压，DC100V~500V为中高压，DC1000V~6000V和为高压，DC6000V以上为超高压

安规Y电容也是属于高压瓷片电容

瓷片电容有I类瓷，II类瓷，III类瓷之分，I类瓷，NP0，温度特性，频率特性和电压特性佳，因介电常数不高，所以容量做不大II类瓷，X7R次之，温度特性和电压特性较好III类瓷，介电常数高，所以容量可以做很大，但温度特性和电压特性不太好

高压瓷片电容器一般体积不大

另外，瓷介电容器击穿后，往往呈短路状态

(这是它的弱点)而薄膜电容器失效后，一般呈开路状态

高压瓷片电容取决于使用在什么场合，典型作用可以消除高频干扰

在大功率、高压领域使用的高压瓷片电容器，要求具有小型、高耐压和频率特性好等特点

近年来随着材料、电极和制造技术的进步，高压瓷片电容的发展有长足的进展，并取得广泛应用

高压瓷片电容已成为大功率高压电子产品不可缺少的元件之一

400v其耐压就是400v，104

是电容的容量为0.1uF

瓷片电容与电解电容并联，瓷片电容消除高供范垛既艹焕讹唯番沥频干扰

电解电容消除低频干扰

整个电路组合是个滤波电路

是个较典型的抗干扰电路.

电容容量误差表

符

号

F

G

J

K

L

M

允许误差

±1%

±2%

±5%

±10%

±15%

±20%

如：一瓷片电容为104J表示容量为0.

1

uF、误差为±5%

瓷片电容，看名字就知道材料是陶瓷啦

电容（电容器），（Capacitor）电路缩写为C，电容单位法拉，用字母“F”表示。电容是用来储存电荷的容器，简称电容器。电容器是一种储能元件，在电路中用于调谐、滤波、耦合、旁路、能量转换和延时。

电容器是由两片相距很近的金属中间用某介质（固、液、气体）隔离而构成的。金属板也叫电容极板。按其结构可分为固定电容器、半可变电容器、可变电容器三种。

1． 常用电容的结构和特点

常用的电容器按其介质材料可分为电解电容器、云母电容器、瓷介电容器、玻璃釉电容等。

其在电路中的符号表示：

作用是：1、存储电荷 2、隔直通交 3、滤波 4、耦合 5、旁路 等等。

存储电荷: 平时我们照相机的闪光灯，就是*电容器储积电荷然后在一瞬间释放出来

滤波：电容器对电波或电磁波、信号等起过滤作用

电容的种类有很多，可以从原理上分为：无极性可变电容、无极性固定电容、有极性电容等，从材料上可以分为：CBB电容（聚乙烯）、聚丙稀电容、涤纶电容、瓷片电容、云母电容、独石电容、电解电容、钽电容等。使用电容还有一个指标，那就用多大的容量，这就涉及到额定值读数了。电解电容很容易读数，直接在上面看厂商标出容量和负极性，工作环境，最高工作电压值。瓷片电容就比较难一点。小于100P会标出多少P。当标值为474时。首先知道第一、二位是有效数值，如上例中的47，第三位代表10的指数(简单地说就是在前面两位数后面补几个0) ，如上例中的4。那么474表示47×10000=470000PF。

自己举一反三。聪明的你读数应该没有问题了。

电容的单位法拉（F），法拉这个单位很大很大。我们很少用到，常用的是微法(UF)、皮法（pF）。它们之间的转换为：1F=1000000 uF 1uF= 1000000 pF。上面所提到的474就等于0.47uF。

二、电容器检测的一般方法

1.固定电容器的检测.

A�检测10pF以下的小电容 。因10pF以下的固定电容器容量太小，用万用表进行测量，只能定性的检查其是否有漏电，内部短路或击穿现象。测量时，可选用万用表R×10k挡，用两表笔分别任意接电容的两个引脚，阻值应为无穷大。若测出阻值(指针向右摆动)为零，则说明电容漏电损坏或内部击穿。

B�检测10PF～0�01μF固定电容器是否有充电现象，进而判断其好坏。万用表选用R×1k挡。两只三极管的β值均为100以上，且穿透电流要小。可选用3DG6等型号硅三极管组成复合管。万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接。由于复合三极管的放大作用，把被测电容的充放电过程予以放大，使万用表指针摆幅度加大，从而便于观察。应注意的是：在测试操作时，特别是在测较小容量的电容时，要反复调换被测电容引脚接触A、B两点，才能明显地看到万用表指针的摆动。C�对于0�01μF以上的固定电容，可用万用表的R×10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电，并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量。

2.电解电容器的检测

A�因为电解电容的容量较一般固定电容大得多，所以，测量时，应针对不同容量选用合适的量程。根据经验，一般情况下，1～47μF间的电容，可用R×1k挡测量，大于47μF的电容可用R×100挡测量。

B�将万用表红表笔接负极，黑表笔接正极，在刚接触的瞬间，万用表指针即向右偏转较大偏度(对于同一电阻挡，容量越大，摆幅越大)，接着逐渐向左回转，直到停在某一位置。此时的阻值便是电解电容的正向漏电阻，此值略大于反向漏电阻。实际使用经验表明，电解电容的漏电阻一般应在几百kΩ以上，否则，将不能正常工作。在测试中，若正向、反向均无充电的现象，即表针不动，则说明容量消失或内部断路；如果所测阻值很小或为零，说明电容漏电大或已击穿损坏，不能再使用。

C�对于正、负极标志不明的电解电容器，可利用上述测量漏电阻的方法加以判别。即先任意测一下漏电阻，记住其大小，然后交换表笔再测出一个阻值。两次测量中阻值大的那一次便是正向接法，即黑表笔接的是正极，红表笔接的是负极。

D�使用万用表电阻挡，采用给电解电容进行正、反向充电的方法，根据指针向右摆动幅度的大小，可估测出电解电容的容量。

3.可变电容器的检测

A�用手轻轻旋动转轴，应感觉十分平滑，不应感觉有时松时紧甚至有卡滞现象。将载轴向前、后、上、下、左、右等各个方向推动时，转轴不应有松动的现象。

B�用一只手旋动转轴，另一只手轻摸动片组的外缘，不应感觉有任何松脱现象。转轴与动片之间接触不良的可变电容器，是不能再继续使用的。

C�将万用表置于R×10k挡，一只手将两个表笔分别接可变电容器的动片和定片的引出端，另一只手将转轴缓缓旋动几个来回，万用表指针都应在无穷大位置不动。在旋动转轴的过程中，如果指针有时指向零，说明动片和定片之间存在短路点；如果碰到某一角度，万用表读数不为无穷大而是出现一定阻值，说明可变电容器动片与定片之间存在漏电现象

1960年左右陶瓷叠片电容作为商品开始开发

1970年，随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来，瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件，而其中技术参数也是学者们研究的重点

现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容市场的70%左右

因为陶瓷介质电容的绝缘体材料主要使用陶瓷，其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠

陶瓷材料有几个种类

自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后，高介电系数的PB（铅）退出瓷片电容技术参数领域，现在主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等

和其它的电容相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点

由于原材料丰富，结构简单，价格低廉，而且电容量范围较宽（一般有几个PF到上百μF），损耗较小，电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整

瓷片电容技术参数品种繁多，外形尺寸相差甚大从0402（约1×0.5mm）封装的贴片电容到大型的功率瓷片电容

按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体瓷片电容；按无功功率大小可分为低功率、高功率瓷片电容；按工作电压可分为低压和高压瓷片电容；按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等

瓷片电容的分类：瓷片电容技术参数从介质类型主要可以分为两类，即Ⅰ类瓷片电容技术参数和Ⅱ类瓷片电容技术参数

Ⅰ类瓷片电容技术参数（ClassⅠceramiccapacitor），过去称高频瓷片电容技术参数（High-freqencyceramiccapacitor），是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容

它特别适用于谐振回路，以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路，或用于温度补偿

Ⅱ类瓷片电容技术参数（ClassⅡceramiccapacitor）过去称为为低频瓷片电容技术参数（Lowfrequencycermiccapacitor），指用铁电陶瓷作介质的电容，因此也称铁电瓷片电容技术参数

这类电容的比电容大，电容量随温度呈非线性变化，损耗较大，常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中

常见的Ⅱ类瓷片电容技术参数有：X7R、X5R、Y5V、Z5U其中：X7R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字7位最高工作温度+125℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；X5R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；Y5V表示为：第一位Y为最低工作温度-30℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%，-82%±15%

Z5U表示为：第一位Z为最低工作温度+10℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%，-56%