瓷片电容烧坏了看不出容量怎么办
瓷片电容容量标记看不清时可以参考以下方法确定：
查找相关电路图纸，查看该电容器容量；
找同规格型号电路板查看其容量；
通过判断电路特性参数，电容器作用计算或估算其容量；
用不同容量的瓷片电容替换试验，使电路工作在最佳状态。
1、外观法判断法
一只坏了电容器，可以从外观上直接看出好坏。先看下电容器是否有鼓包的现象，若有则说明该电容器坏了，应马上更换。
当电容器的外壳温升高于55℃以上时，示温片发生脱落，同样说明该电容器已损坏，应及时更换掉。
及时发现电容器的好坏，及时处理故障，可以有效维护电路的稳定。
2、用万用表测量法
在测量前选好合适的档位，如果测得结果无穷大，那么说明该电容器已损坏了。如果电容器内部声音异常，也说明电容器坏了。
另外，还可以对电容器进行外部检查，如套管的外部有无闪络痕迹，外壳是否变形，是否漏油，如有这些现象，说明该电容器是坏的。
检测电容时注意事项
1、检测电容时，假如自己无法操作的情况下，可以联系专业的人员来帮忙检测，这样检测出来的结果是非常准确的。而且在检测的时候，也要做好相对应的防护措施，不能有误伤的现象。
2、而且在测试的时候，要先把档位调整正确，接着要看一下电容的大小情况如何。假如电容的档位较大，这时可以用20档。
3、在使用前，要先把万用表的说明书阅读清楚。说明书中是会有相对应的介绍的，按照这些步骤来操作的情况下，就不会有出错的现象了。而且在测试的时候，一定要逐步来进行操作，并且要把每一步都记录清楚，这样才不会有漏了的步骤。
您好，多层陶瓷电容具由陶瓷介质、端电极、金属电极三种材料构成，失效样式为金属电极和陶介之间层错，电气表现为受外力和温度冲击时电容时好时坏。陶瓷电容失效的类型和表现主要有三种：1、热击失效2、扭曲破裂失效3、原材失效。
1、陶瓷电容热击失效模式：
热击失效的机理是：在生产多层陶瓷电容时，运用各类兼容材料会导致内部出现张力的不同热膨胀系数及导热率。当温度转变率过大时就容易出现因热击而破裂的现象，这类破裂往往从构造弱及机器构造集成时发生，通常是在接近外露端接和陶瓷端接的界面处、产生机器张力的地方。
2、陶瓷电容扭曲破裂失效
导致的破裂失效：当进行零件的取放尤其是零件取放时，取放的定中爪由于磨损、对位不准确，倾斜等造成的。由定中爪集成起来的压力，会造成较大的压力或切断率，继而呈现破裂点。这些破裂现象通常为可见的表面裂缝，或2至3个电极间的内部破裂；表面破裂通常会沿着强的压力线及陶瓷位移的方向。真空检拾头导致的损坏或破裂﹐通常会在芯片的表面呈现一个圆形或半月形的压痕面积﹐并带有不圆滑的边缘。此外﹐这个半月形或圆形的裂缝直经也和吸头相吻合。另一个由吸头所造成的损环﹐因拉力而造成的破裂﹐裂缝会由组件的一边伸展到另一边﹐这些裂缝可能会蔓延至组件的另一面﹐并且其粗糙的裂痕可能会令电容具的底部破损。
以后制造阶段导致的破裂失效：电路板切割﹑测试﹑背面组件和连接器安装﹑及后面组装时，若焊锡组件受到扭曲或在焊锡经过后把电路板拉直，都有可能造成‘扭曲破裂’这项的损坏。在机器力效果下板材弯曲变形时，陶瓷的活动范畴受端位及焊点限控，破裂就会在陶瓷的端接界面处呈现，这类破裂会从呈现的位置开始，从45°角向端接蔓延开来。
3、陶瓷电容原材失效
1）电极间失效及结合线破裂主要由陶瓷的高空隙，或电介质层与相对电极间存在的空隙引起，使电极间是电介质层裂开，成为潜伏性的漏电危机。
2）燃烧破裂的特性与电极垂直，且通常源自电极边缘或终端。假如显示出破裂是垂直的话，则它们应是由燃烧所引起。
以上就是陶瓷电容器失效的类型和表现，希望能帮到您哦，台湾智旭JEC也有生产陶瓷电容，具有各种国际认证，可以去看看哦。
①→用指针万用表的RX10K档测量是否漏电，(正常电容测量时表针稍微向右摆动一下，马上就回零，)这就正常，若指针停在某阻值处，不动，这就表示此电容漏电。
②→然后在用数字万用表的电容档测量一下此电容的容量，这就是判断瓷片电容的基本好坏。
③→若有条件的话，【用电容耐压、漏电流测式仪】
测更完美了。
1.潮湿对电参数恶化的影响
空气中湿度过高时，水膜凝聚在电容器外壳表面，可使电容器的表面绝缘电阻下降。此外，对于半密封结构电容器来说，水分还可渗透到电容器介质内部，使电容器介质的绝缘电阻绝缘能力下降。因此，高温、高湿环境对电容器参数恶化的影响极为显著。经烘干去湿后电容器的电性能可获改善，但是水分子电解的后果是无法根除的。例如，电容器的工作于高温条件下，水分子在电场作用下电解为氢离子（H+）和氢氧根离子（OH-），引线根部产生电化学腐蚀。即使烘干去湿，也不可能使引线复原。
2.银离子迁移的后果
无机介质电容器多半采用银电极，半密封电容器在高温条件下工作时，渗入电容器内部的水分子产生电解。在阳极产生氧化反应，银离子与氢氧根离子结合生产氢氧化银；在阴极产生还原反应，氢氧化银与氢离子反应生成银和水。由于电极反应，阳极的银离子不断向阴极还原成不连续金属银粒，靠水膜连接成树状向阳极延伸。银离子迁移不仅发生在无机介质表面，还能扩散到无机介质内部，引起漏电流增大，严重时可使用两个银电极之间完全短路，导致电容器击穿。
3.高温条件下陶瓷电容器击穿机理
半密封陶瓷电容器在高湿度环境条件下工作时，发生击穿失效是比较普遍的严重问题。所发生的击穿现象大约可以分为介质击穿和表面极间飞弧击穿两类。介质击穿按发生时间的早晚又可分为早期击穿与老化击穿两种，早期击穿暴露了电容介质材料与生产工艺方面存在的缺陷，这些缺陷导致陶瓷介质介电强度显著降低，以至于在高湿度环境的电场作用下，电容器在耐压试验过程中或工作初期，就产生电击穿。老化击穿大多属于电化学击穿范畴。由于陶瓷电容器银的迁移，陶瓷电容器的电解老化击穿已成为相当普遍的问题。银迁移形成的导电树枝状物，使漏电流局部增大，可引起热击穿，使电容器断裂或烧毁。热击穿现象多发生在管形或圆片形的小型瓷介质电容器中，因为击穿时局部发热严重，较薄的管壁或较小的瓷体容易烧毁或断裂。
4.电极材料的改进
陶瓷电容器一直使用银电极。银离子迁移和由此而引起含钛陶瓷介质的加速老化是导致陶瓷电容器失效的主要原因。有的厂家生产陶瓷电容器已不用银电极，而改用镍电极，在陶瓷基片上采用化学镀镍工艺。由于镍的化学稳定性比银好，电迁移率低，提高了陶瓷电容器的性能和可靠性。
又如，以银做电极的独石低频瓷介质电容器，由于银电极和瓷料在900℃下一次烧结时瓷料欠烧不能获得致密的陶瓷介质，存在较大的气孔率；此外银电极常用的助溶剂氧化钡会渗透到瓷体内部，在高温下依靠氧化钡和银之间良好的浸润“互熔”能力，使电极及介质内部出现热扩散现象，即宏观上看到的“瓷吸银”现象。银伴随着氧化钡进入瓷体中后，大大减薄了介质的有效厚度，引起产品绝缘电阻的减少和可靠性的降低。为了提高独石电容器的可靠性，改用银-钯电极代替通常含有氧化钡的电极，并且在材料配方中添加了1%的5#玻璃粉。消除了在高温下一次烧结时金属电极向瓷介质层的热扩散现象，能促使瓷料烧结致密化，使得产品的性能和可靠性有较大提高，与原工艺和介质材料相比较，电容器的可靠性提高了1~2个数量级。
5.叠片陶瓷电容器的断裂
叠片陶瓷电容器最常见的失效是断裂，这是叠片陶瓷电容器自身介质的脆性决定的。由于叠片陶瓷电容器直接焊接在电路板上，直接承受来自电路板的各种机械应力，而引线式陶瓷电容器则可以通过引脚吸收来自电路板的机械应力。因此，对于叠片陶瓷电容器来说，由于热膨胀系数不同或电路板弯曲所造成的机械应力将是叠片陶瓷电容器断裂的最主要因素。
6.叠片陶瓷电容器的断裂分析
叠片陶瓷电容器机械断裂后，断裂处的电极绝缘间距将低于击穿电压，会导致两个或多个电极之间的电弧放电而彻底损坏叠片陶瓷电容器。
叠片陶瓷电容器机械断裂的防止方法主要有：尽可能地减少电路板的弯曲，减小陶瓷贴片电容在电路板上的应力，减小叠片陶瓷电容器与电路板的热膨胀系数的差异而引起的机械应力。
如何减小叠片陶瓷电容器在电路板上的应力将在下面另有叙述，这里不再赘述。减小叠片陶瓷电容器与电路板的热膨胀系数的差异而引起的机械应力，可以通过选择封装尺寸小的电容器来减缓，如铝基电路板应尽可能用1810以下的封装，如果电容量不够可以采用多只并联的方法或采用叠片的方法解决，也可以采用带有引脚的封装形式的陶瓷电容器解决。
7.叠片陶瓷电容器电极端头被熔淋
在波峰焊焊接叠片陶瓷电容器时可能会出现电极端头被焊锡熔掉了。其原因主要是波峰焊叠片陶瓷电容器接触高温焊锡的时间过长。现在在市场上的叠片陶瓷电容器分为适用于回流焊工艺的和适用于波峰焊工艺的，如果将适用于回流焊工艺的叠片陶瓷电容器用于波峰焊，很可能发生叠片陶瓷电容器电极端头的熔淋现象。关于不同焊接工艺下叠片陶瓷电容器电极端头可以承受的高温焊锡的时间特性，在后面的叠片陶瓷电容器的适用注意事项中有详尽叙述，这里不在赘述。
消除的办法很简单，就是在使用波峰焊工艺时，尽可能地使用符合波峰焊工艺的叠片陶瓷电容器；或者尽可能不采用波峰焊工艺。
