瓷片电容分高压瓷片电容及低压瓷片电容。在应用，为何会有失效？
从以下几点进行分析一：瓷片电容在电场作用下的击穿破坏遵循弱点击穿理论，而局部放电是产生弱点破坏的根源
除因温度冷热变化产生热应力导致开裂外，对于环氧包封型高压陶瓷电容，无论是留边型还是满银型电容都存在着电极边缘电场集中和陶瓷-环氧的结合界面等比较薄弱的环节
环氧包封的瓷片电容由于环氧树脂固化冷却过程体积收缩，产生的内应力以残余应力的形式保留在包封层中，并作用于陶瓷-环氧界面，劣化界面的粘结
在电场作用下，组成高压瓷片电容瓷体的钙钛矿型钛酸锶铁类陶瓷（SPBT）会发生电机械应力，产生电致应变
当环氧包封层的残余应力较大时，二者联合作用极可能造成包封与陶瓷体之间脱壳，产生气隙，从而降低电压水平
二：介质内空洞：导致空洞产生的主要因素为陶瓷粉料内的有机或无机污染、烧结过程控制不当等
空洞的产生极易导致漏电，而漏电又导致器件内局部发热，进一步降低陶瓷介质的绝缘性能从而导致漏电增加
该过程循环发生，不断恶化，导致其耐压水平降低
三：包封层环氧材料因素：一般包封层厚度越厚，包封层破坏所需的外力越高
在同样电场力和残余应力的作用下，陶瓷基体和环氧界面的脱粘产生气隙较为困难
另外固化温度的影响，随着固化温度的提高，高压瓷片电容的击穿电压会越高，因为高温固化时可以较快并有效地减少残余应力
随着整体模块灌胶后固化的高温持续，当达到或超过陶瓷电容器外包封层环氧树脂的玻璃转化温度，达到了粘流态，陶瓷基体和环氧界面的脱粘产生了气隙，此时的形变就很难恢复，这种气隙会降低陶瓷电容的耐压水平
四：机械应力裂纹：陶瓷体本身属于脆性较高的材料，在产生和流转过程中较大的应力可能造成应力裂纹，导致耐压降低
常见的应力源有：工艺过程电路板流转操作；流转过程中的人、设备、重力等因素；元件接插操作；电路测试；单板分割；电路板安装；电路板定位铆接；螺丝安装等
导致瓷片电容失效结论一：直接原因：陶瓷-环氧界面存在间隙，导致其耐压水平降低
二：间接原因：二次包封模块固化过程中产生了环氧材料应力收缩，致使陶瓷-环氧界面劣化，形成了弱点放电的路径
三：二次包封模块固化后，样品放置时间过短，其内部界面应力未完全释放出来，在陶瓷-环氧界面存在微裂纹，导致耐压水平降低
单层电容和多层电容的区别在于：
1、从含义上看，多层陶瓷电容即贴片电容 ，其全称为多层（积层，叠层）片式陶瓷电容；单层电容即瓷片电容 ，是一种用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜，再经高温烧结后作为电极而成的电容器。
2、从型号外观看，一般多层瓷介电容器型号中第三位用1表示单层，即圆片电容，第三位如果是4，表示多层结构。如CC1和CT1是单层，CC4和CT41是多层。
单层是原始结构，目前基本为多层。当然还有微波电容，也有单层和多层。
3、从要素特点来看，多层瓷片电容器容量大，但不耐高电压，容量不稳定，寿命较短，用于低压、低频电路。瓷片电容器容量小，耐压高，稳定性好，用于高压、高频电路。
扩展资料
贴片电容有两种尺寸表示方法，一种是以英寸为单位来表示，一种是以毫米为单位来表示。
贴片电容的系列型号有0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812、2010、2225、2512，这些是英寸表示法， 04 表示长度是0.04 英寸，02 表示宽度0.02 英寸，其他类同型号尺寸（mm）
贴片电容的命名所包含的参数有贴片电容的尺寸、做这种贴片电容用的材质、要求达到的精度、要求的电压、要求的容量、端头的要求以及包装的要求。
一般订购贴片电容需提供的参数要有尺寸的大小、要求的精度、电压的要求、容量值、以及要求的品牌即可。
瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。
低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。
按瓷介电容电介质又分：
1.类电介质(NP0,C0G)；
2.类电介质(X7R,2X1)；
3.类电介质(Y5V,2F4)瓷介电容器EIA RS-198。
瓷片电容的识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。
参考资料来源：百度百科-贴片电容
参考资料来源：百度百科-瓷片电容
外壳是陶瓷的，用来绝缘
高压瓷片电容器一个主要的特点就是耐压高，电压一般大于1KV的电压
高压瓷片电容器常规有2KV、3KV、4KV电压
常用于高压场合
最高的可达30KV的电压
在瓷片电容器中一般DC50V以下叫低压，DC100V~500V为中高压，DC1000V~6000V和为高压，DC6000V以上为超高压
安规Y电容也是属于高压瓷片电容
瓷片电容有I类瓷，II类瓷，III类瓷之分，I类瓷，NP0，温度特性，频率特性和电压特性佳，因介电常数不高，所以容量做不大II类瓷，X7R次之，温度特性和电压特性较好III类瓷，介电常数高，所以容量可以做很大，但温度特性和电压特性不太好
高压瓷片电容器一般体积不大
另外，瓷介电容器击穿后，往往呈短路状态
(这是它的弱点)而薄膜电容器失效后，一般呈开路状态
高压瓷片电容取决于使用在什么场合，典型作用可以消除高频干扰
在大功率、高压领域使用的高压瓷片电容器，要求具有小型、高耐压和频率特性好等特点
近年来随着材料、电极和制造技术的进步，高压瓷片电容的发展有长足的进展，并取得广泛应用
高压瓷片电容已成为大功率高压电子产品不可缺少的元件之一
高压瓷片电容优点
1.容量损耗随温度频率具高稳定性
2.特殊的串联结构适合于高电压极长期工作可靠性
3.高电流爬升速率并适用于大电流回路无感型结构 .识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。
221表示标称容量为220pF。 224表示标称容量为22x10(4)pF。 在这种表示法中有一个特殊情况，就是当第三位数字用"9"表示时，是用有效数字乘上10的-1次方来表示容量大小。
高压瓷片电容只要针对于高频，高压瓷片电容取决于使用在什么场合，典型作用可以消除高频干扰
在大功率、高压领域使用的高压陶瓷电容器，要求具有小型、高耐压和频率特性好等特点
近年来随着材料、电极和制造技术的进步，高压陶瓷电容器的发展有长足的进展，并取得广泛应用
高压陶瓷电容器已成为大功率高压电子产品不可缺少的元件之一
因为电力系统的特殊性：交流电压高，高频，处于室外环境中(-40度到+60度)，雷击电压/电流大，等等各种因素，造成了高压陶瓷电容器在研发和生产中一直处于困境：环境的恶劣，要求电容具有超强的稳定性，即变化率要小；同时，计量，储能，分压等产品要求高精密度，这对处于这种环境下的高压陶瓷电容器的局放，即局部放电量有着极为苛刻的要求：局放为零
高压陶瓷电容优点1、容量损耗随温度频率具高稳定性
2、特殊的串联结构适合于高电压极长期工作可靠性
3、高电流爬升速率并适用于大电流回路无感型结构
电容器的需求越大，无法避免一个社会现象
高仿，小作坊，假货这种趋势在这个市场不断的扩大
购买电容我们要擦亮眼睛，要选择正规的厂家
瓷片电容器，一个主要的特点就是耐压高，2KV、3KV电压很常见。
常用于高压场合。
陶瓷有I类瓷，II类瓷，III类瓷之分，
I类瓷，NP0，温度特性，频率特性和电压特性佳，因介电常数不高，所以容量做不大；
II类瓷，X7R次之，温度特性和电压特性较好；
III类瓷，介电常数高，所以容量可以做很大，但温度特性和电压特性不太好。
瓷片电容器一般体积不大。
另外，再强调一个重要特点：
瓷介电容器击穿后，往往呈短路状态。（这是它的弱点）
而薄膜电容器失效后，一般呈开路状态。
