瓷片电容如何计算

看外形真的不好分，就得看标志了，没标志相信你也不敢用。一般压敏电阻数值4几、6几，尾数都是1，这是耐压。数值前，都有几D的标志，这是压敏电阻的尺寸。另外上面有ZOL 或H字样的符号，而电容一般都标有C类符号。高压电容标有1600V,2000V字样，压敏电阻没有。

从单位来区分:贴片电容的单位为uf转换率为1uf=1000nf=1000pf

贴片电阻单位为R转换率为1000R=1K

1000K=1M，

贴片产品上面一般都贴标签如果您发现标签上面有这些字样就可判断出它是贴片电容还是贴片电阻。

从外观上来区分:贴片电容颜色一般为黄色，微黑两种，贴片电阻只要黑色一种，且贴片电容厚度比较厚，从外观看是胖胖的（除超薄型）贴片电阻则是扁扁的，而且贴片电容外表无任何字样，而贴片电阻表面会有印上产品的阻值，例如贴片电阻阻值为0.5R那么产品表面会印有0R5字样。

从用途中来区分：贴片电容的在产品中具有滤波，耦合

去耦合

EMI

旁路

等等

主要特点就是隔直流通交流，

贴片电阻在电路中的主要作用为分流、限流、分压、偏置、滤波（与电容器组合使用）和阻抗匹配等。可用仪器测试出来！

直观判断：贴片电阻和贴片电容通过观察外观颜色及形状,一般都能区分开来.贴片电容几乎都为灰色或棕色,有部分为黄色,如钽质电容.电阻无一例外都是黑色的.另外一个区分之处就是贴片电阻都印了阻值在顶部,如103、472、682之类的数字,而电容一般无任何标识.最后一点区别就是电容一般比较厚,而电阻比较扁平.

间接判断：用万用表电阻档测量（单独测量,焊接上PCB的不能测）,有阻值读数为电阻,阻值读数无穷大为电容

直流电压简介：

大小和方向均不随时间变化的电压叫直流电压。

在直流电路中，电源两端、某电路两端、元件两端所加的电压就是直流电压。如手电筒电池两端和灯泡两端的电压都是直流电压。 由于串并联关系的存在，电气设备的并联现象增多（电阻并联具有分流作用）。并联支路中就有分流电流通过，分流电流通过用电负载时就产生“分流电压”（分流电压在数值上等于支路电流与支路电阻的乘积）。如万用表中测试电压和电流就是利用电阻串联的分压和电阻并联的分流作用，可以改变量程的。 选用的电压等级是极其复杂的一件事情，实际上，选择高一些的电压，对确实可以节省很多导线和能源，但是，它会增加开关或者电子元件的成本，也节省不了多少钱。如果我们开始发展电力的时候选择100-120VAC，会在直接利用整流电路的用电器方面减少很多资金，也会更安全，甚至电力线路干扰源会减少很多。

高压瓷片电容器，一个主要的特点就是体积小耐压高

高压瓷片电容就是以陶瓷材料为介质的圆板电容器，在“瓷片”电容器中一般DC50v以下叫低压，DC50V~500V为中高压，DC1000v~6000v和为高压，安规Y电容也是属于高压，DC6000v以上为超高压

2KV、3KV电压很常见

常用于高压场合

高压瓷片电容作用具有耐磨直流高压的特点，适用于高压旁路和耦合电路中，其中的低耗损高压圆片具有较低的介质损耗，特别适合在电视接收机和扫描等电路中使用

二、瓷片电容规格有哪些瓷片电容用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成的电容器

瓷片电容(瓷介电容)作用主要有三个方面：1.容量损耗随温度频率具高稳定性2.特殊的串联结构适合于高电压极长期工作可靠性3.高电流爬升速率并适用于大电流回路无感型结构

通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器如消除高频干扰

瓷片电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿

陶瓷有I类瓷，II类瓷，III类瓷之分，I类瓷，NP0，温度特性，频率特性和电压特性佳，因介电常数不高，所以容量做不大II类瓷，X7R次之，温度特性和电压特性较好III类瓷，介电常数高，所以容量可以做很大，但温度特性和电压特性不太好

瓷片电容器一般体积不大

另外，再强调一个重要特点：瓷介电容器击穿后，往往呈短路状态

(这是它的弱点)而薄膜电容器失效后，一般呈开路状态瓷片电容规格Ⅱ类瓷也叫做高介电常数型(HighDielectricConstantType)，是适用於作旁路、耦合或用在对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中的具有高介电常数的一种电容器

该类陶瓷介质是以在类别温度范围内电容量非线性变化来表徵

其特性符合以下标准：用途：1).旁路和耦合2).对Q值和容量稳定性要求一般的分步电路

三、电容的识别方法电容器耐压的标注有一种是采用一个数字和一个字母组合而成

数字表示10的幂指数，字母表示数值，单位是V(伏)

字母ABCDEFGHJKZ耐压值1.01.251.62.02.53.154.05.06.38.09.01J代表6.3*10=63V2G代表4.0*100=400V3A代表1.0*1000=1000V由于电容体积要比电阻大，所以一般都使用直接标称法

如果是10n，那么就是10nF，同样100p就是100pF

如果是4n7就是4.7nF，不标单位的直接表示法：用1～4位数字表示，即指数标识，容量单位为pF，如独石和一些瓷片电容，一般就用指数形式，471就代表47×10^1pF=470pF

瓷片电容也有直接标识容量的，单位就是pF

钽电容，一般直接标识数值，常见单位莡F

(电容数字标识部分由pongo网友补充，在此表示感谢!)色码表示法：沿电容引线方向，用不同的颜色表示不同的数字，第一，二种环表示电容量，第三种颜色表示有效数字后零的个数(单位为pF)颜色意义：黑=0、棕=1、红=2、橙=3、黄=4、绿=5、蓝=6、紫=7、灰=8、白=9

电容的识别：看它上面的标称，一般有标出容量和正负极，比如钽电容上，有白线的一端就是正极，另外像电解电容，就用引脚长短来区别正负极长脚为正，短脚为负

电阻电容序列值电容容值系列

瓷片电容是瓷片电容又称圆片瓷介电容分为高压瓷片电容和低压瓷片电容等，高压瓷片电容有哪些特点?瓷片电容规格有哪些呢，下面小编来向你介绍!一、高压瓷片电容高压瓷片电容器，就是以陶瓷材料为介质的电容器

高压瓷片电容器，一个主要的特点就是耐压高

高压瓷片电容就是以陶瓷材料为介质的圆板电容器，在“瓷片”电容器中一般DC50v以下叫低压，DC100V~500V为中高压，DC1000v~6000v和为高压，安规Y电容也是属于高压，DC6000v以上为超高压

2KV、3KV电压很常见

常用于高压场合

高压瓷片电容作用具有耐磨直流高压的特点，适用于高压旁路和耦合电路中，其中的低耗损高压圆片具有较低的介质损耗，特别适合在电视接收机和扫描等电路中使用

二、瓷片电容规格有哪些瓷片电容用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成的电容器

瓷片电容(瓷介电容)作用主要有三个方面：1.容量损耗随温度频率具高稳定性2.特殊的串联结构适合于高电压极长期工作可靠性3.高电流爬升速率并适用于大电流回路无感型结构

通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器如消除高频干扰

瓷片电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿

陶瓷有I类瓷，II类瓷，III类瓷之分，I类瓷，NP0，温度特性，频率特性和电压特性佳，因介电常数不高，所以容量做不大II类瓷，X7R次之，温度特性和电压特性较好III类瓷，介电常数高，所以容量可以做很大，但温度特性和电压特性不太好

瓷片电容器一般体积不大

另外，再强调一个重要特点：瓷介电容器击穿后，往往呈短路状态

(这是它的弱点)而薄膜电容器失效后，一般呈开路状态瓷片电容规格Ⅱ类瓷也叫做高介电常数型(HighDielectricConstantType)，是适用於作旁路、耦合或用在对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中的具有高介电常数的一种电容器

该类陶瓷介质是以在类别温度范围内电容量非线性变化来表徵

其特性符合以下标准：用途：1).旁路和耦合2).对Q值和容量稳定性要求一般的分步电路

三、电容的识别方法电容器耐压的标注有一种是采用一个数字和一个字母组合而成

数字表示10的幂指数，字母表示数值，单位是V(伏)

字母ABCDEFGHJKZ耐压值1.01.251.62.02.53.154.05.06.38.09.01J代表6.3*10=63V2G代表4.0*100=400V3A代表1.0*1000=1000V由于电容体积要比电阻大，所以一般都使用直接标称法

如果是10n，那么就是10nF，同样100p就是100pF

如果是4n7就是4.7nF，不标单位的直接表示法：用1～4位数字表示，即指数标识，容量单位为pF，如独石和一些瓷片电容，一般就用指数形式，471就代表47×10^1pF=470pF

瓷片电容也有直接标识容量的，单位就是pF

钽电容，一般直接标识数值，常见单位莡F

(电容数字标识部分由pongo网友补充，在此表示感谢!)色码表示法：沿电容引线方向，用不同的颜色表示不同的数字，第一，二种环表示电容量，第三种颜色表示有效数字后零的个数(单位为pF)颜色意义：黑=0、棕=1、红=2、橙=3、黄=4、绿=5、蓝=6、紫=7、灰=8、白=9

电容的识别：看它上面的标称，一般有标出容量和正负极，比如钽电容上，有白线的一端就是正极，另外像电解电容，就用引脚长短来区别正负极长脚为正，短脚为负

电阻电容序列值电容容值系列

简单的介绍了下瓷片电容，希望能让亲们重新了解高压瓷片电容，瓷谷电子专业制造瓷片电容，安规Y电容30载，为您的安全生活提供有力保障，好质量的瓷片电容请联系瓷谷电子，，24小时热线免费咨询

103为0.01uF，104为0.1uF。

瓷片电容读法：104=10*10的4次方pF=0.1uF，相同的型号有103、102、224、223、222、474、473、472等。

瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。

扩展资料

瓷片电容的识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。

电容的基本单位用法拉(F)表示，其它单位还有：毫法(mF)、微法 (μF)、纳法(nF)、皮法(pF)。其中：1法拉=1000毫法(mF)，1毫法=1000微法(μF)，1微法=1000纳法 (nF)，1纳法=1000皮法(pF)

数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字，第三位数字表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。

参考资料来源：百度百科-瓷片电容

20K275是原EPCOS的压敏电阻。

20，为氧化锌压敏瓷片的直径（Φ20mm)，Dise。275代表是最大容许回路电压为275AC，K表示允许误差为±10%。

国内型号为14D431K。也可以选取相邻14D471K。

压敏电阻是一种限压型保护器件。利用压敏电阻的非线性特性，当过电压出现在压敏电阻的两极间，压敏电阻可以将电压钳位到一个相对固定的电压值，从而实现对后级电路的保护。压敏电阻的主要参数有：压敏电压、通流容量、结电容、响应时间等。

可能一些新的朋友在刚看维修MP3技术资料时或电路图时常会看到磁珠这个词，可在网上粗略一查，好像他和电感差不多，其实则不然下面我就说一下他们之间的区别：

磁珠的作用要从其结构来着手分析，磁珠的结构可以看成一个电阻和电感的串接（许多人容易把它和电感混淆，它和电感的区别就在于多了电阻的分量）。其作用主要是在高频率下利用电感成分反射噪声，利用电阻成分把噪音转换成热量，由此达到抑制噪声的作用。使用方法比较简单，直接插入信号线、电源线中就可以通过吸收、反射来实现抑制噪声和执行EMC对策的功能。

电感的作用:储能、滤波、阻抗、扼流、谐振和变压的作用。

电阻器识别电阻

电阻，用符号R表示。其最基本的作用就是阻碍电流的流动。衡量电阻器的两个最基本的参数是阻值和功率。阻值用来表示电阻器对电流阻碍作用的大小，用欧姆表示。除基本单位外，还有千欧和兆欧。功率用来表示电阻器所能承受的最大电流，用瓦特表示，有1/16W，1/8W，1/4W，1/2W，1W，2W等多种，超过这一最大值，电阻器就会烧坏。根据电阻器的制作材料不同，有水泥电阻（制作成本低，功率大，热噪声大，阻值不够精确，工作不稳定），碳膜电阻，金属膜电阻（体积小，工作稳定，噪声小，精度高）以及金属氧化膜电阻等等。根据其阻值是否可变可分为微调电阻，可调电阻，电位器等。可调电阻（电位器）电路符号如下：

电阻在标记它的值的方法是用色环标记法。它的识别方法如下：

色别 第一位色环

（电阻值的第一位） 第二位色环

（电阻值的第二位） 第三位色环

（乘10的倍数） 第四位色环

（表误差）

棕

1

1

10

--

红 2 2 100 --

橙 3 3 1000 --

黄 4 4 10000 --

绿 5 5 100000 --

蓝 6 6 1000000 --

紫 7 7 10000000 --

灰 8 8 100000000 --

白 9 9 1000000000 --

黑 0 0 1 --

金 -- -- 0.1 +-0.05

银 -- -- 0.01 +-0.1

无色 -- -- -- +-0.2

电容，用符号C表示。电容有存储电荷的作用，由于它的这个特性，决定了它有通交流阻直流，通高频阻低频的作用。因此常用作隔直，滤波，耦合。电容器的两个最基本的指标是容量和击穿电压。容量显示电容器的储存能力，有法拉（F）和微法（十的负六次方法拉）、皮法（十的负十二次方法拉）等计量单位。由于电容简单来说就是两个相互绝缘的导体，所以当电压升高到一定程度时，会击穿这层绝缘。这个极限电压就是电容器的耐压值。电容器按有无极性可分为有极性电容和无极性电容两种，在一般情况下，有极性电容的正负极不可接反。按制作材料分，电容器有铝电解电容（成本低，容量大，耐热性差，稳定性差）、钽电解电容（成本高，精度高，体积小，漏电小）、磁片电容、聚炳稀电容、纸质电容以及金属膜电容等多种。按容量是否可变分为固定电容和可调电容。无极性电容和有极性电容以及可调电容电路符号分别如下：

电感器，通俗的说就是线圈。它的基本的性质是通直流，阻交流，与电容器的性质恰恰相反。衡量电感器的最基本指标是电感量。以亨利（H）为单位，还有毫亨，微亨等。电感器可分为磁芯电感（电感量大，常用在滤波电路）和空心电感（电感量小，常用于高频电路）两种。磁芯电感的电路符号分别如右：

晶体管：最常用的有三极管和二极管两种。它对信号有放大作用。三极管以符号BG（旧）或（T）表示，二极管以D表示。按制作材料分，晶体管可分为锗管和硅管两种。按极性分，三极管有PNP和NPN两种，而二极管有P型和N型之分。多数国产管用***表示，其中每一位都有特定含义：如 3 A X 31，第一位3代表三极管，2代表二极管。第二位代表材料和极性。A代表PNP型锗材料；B代表NPN型锗材料；C为PNP型硅材料；D为NPN型硅材料。第三位表示用途，其中X代表低频小功率管；D代表低频大功率管；G代表高频小功率管；A代表高频大功率管。最后面的数字是产品的序号，序号不同，各种指标略有差异。注意，二极管同三极管第二位意义基本相同，而第三位则含义不同。对于二极管来说，第三位的P代表检波管；W代表稳压管；Z代表整流管。上面举的例子，具体来说就是PNP型锗材料低频小功率管。对于进口的三极管来说，就各有不同，要在实际使用过程中注意积累资料。常用的进口管有韩国的90xx、80xx系列，欧洲的2Sx系列，在该系列中，第三位含义同国产管的第三位基本相同。

半导体晶体管的三种放大电路原理如下：

1、————共基极放大电路。它的特点是输入阻抗低，输出阻抗高，电流放大倍数小于1，不易与前级匹配。

2、————共发射极放大电路。它的特点是电流放大倍数较大，功率放大倍数更大，但在强信号是失真较大。

3、————共集电极放大电路。它的特点是输入阻抗高，输出阻抗低，常用于阻抗匹配电路，增益最小。

现在应用最多的莫过于集成电路，符号IC（Integered Circuit）。从小规模集成电路一直到大规模、超大规模乃至生物集成电路发展。它恐怕是电子元器件中种类最多的。其命名方法依厂家的不同而千差万别，两块功能和外形完全相同的集成电路由两个厂家生产出来，其型号差异极大。集成电路的特点就是内部元器件密集，可以大大减小设备的体积和增加设备的可*性和易维护性。缺点就是散热问题不好解决，出了故障不易检查。要知道某一集成电路的

电容的基础知识

电容的基础知识常用电容按介质区分有纸介电容、油浸纸介电容、金属化纸介电容、云母电容、薄膜电容、陶瓷电容、电解电容等。

电容的外形

电容器上标有的电容数是电容器的标称容量。电容器的标称容量和它的实际容量会有误差。常用固定电容允许误差的等级见表2。常用固定电容的标称容量系列见表3。

电容长期可靠地工作，它能承受的最大直流电压，就是电容的耐压，也叫做电容的直流工作电压。如果在交流电路中，要注意所加的交流电压最大值不能超过电容的直流工作电压值。

表4是常用固定电容直流工作电压系列。有*的数值，只限电解电容用。

由于电容两极之间的介质不是绝对的绝缘体，它的电阻不是无限大，而是一个有限的数值，一般在1000兆欧以上。电容两极之间的电阻叫做绝缘电阻，或者叫做漏电电阻。漏电电阻越小，漏电越严重。电容漏电会引起能量损耗，这种损耗不仅影响电容的寿命，而且会影响电路的工作。因此，漏电电阻越大越好。

电容的种类也很多，为了区别开来，也常用几个拉丁字母来表示电容的类别，如图2所示。第一个字母C表示电容，第二个字母表示介质材料，第三个字母以后表示形状、结构等。上面的是小型纸介电容，下面的是立式矩开密封纸介电容。表5列出电容的类别和符号。表6是常用电容的几项特性。

基础知识之上下拉电阻:

1、当TTL电路驱动COMS电路时，如果TTL电路输出的高电平低于COMS电路的最低高电平（一般为3.5V），这时就需要在TTL的输出端接上拉电阻，以提高输出高电平的值。

2、OC门电路必须加上拉电阻，以提高输出的高电平值。

3、为加大输出引脚的驱动能力，有的单片机管脚上也常使用上拉电阻。

4、在COMS芯片上，为了防止静电造成损坏，不用的管脚不能悬空，一般接上拉电阻产生降低输入阻抗，提供泄荷通路。

5、芯片的管脚加上拉电阻来提高输出电平，从而提高芯片输入信号的噪声容限增强抗干扰能力。

6、提高总线的抗电磁干扰能力。管脚悬空就比较容易接受外界的电磁干扰。

7、长线传输中电阻不匹配容易引起反射波干扰，加上下拉电阻是电阻匹配，有效的抑制反射波干扰。

现代计算机使用的数字逻辑电路都是用高低电平来代表数值0和1，使用时钟发生器产生时序信号来将电平信号划分为一个一个的数值。至于用高电平代表1、低电平代表0还是用高电平代表0、低电平代表1，就要看电路设计时的定义了。不过一般来说都是用高电平代表1、低电平代表0。你看电路图上信号引脚名称上有跟横线的就表示低电平有效，其它的都是高电平有效。

常用的逻辑电平

·逻辑电平：有TTL、CMOS、LVTTL、ECL、PECL、GTL；RS232、RS422、LVDS等。

·其中TTL和CMOS的逻辑电平按典型电压可分为四类：5V系列（5V TTL和5V CMOS）、3.3V系列，2.5V系列和1.8V系列。

·5V TTL和5V CMOS逻辑电平是通用的逻辑电平。

·3.3V及以下的逻辑电平被称为低电压逻辑电平，常用的为LVTTL电平。

·低电压的逻辑电平还有2.5V和1.8V两种。

1，TTL电平：

输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是0.4V。

2，CMOS电平：

1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。

3，电平转换电路：

因为TTL和COMS的高低电平的值不一样（ttl 5v<＝＝>cmos 3.3v），所以互相连接时需要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压。

4，OC门，即集电极开路门电路，OD门，即漏极开路门电路，必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱动门电路。

5，TTL和COMS电路比较：

1）TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。

2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。

COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。

COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。

6. 计算机串行接口采用RS232标准：规定逻辑1的电平为-3~-15V，逻辑0的电平为+3~+15V。

7.还有......

电路图中Vcc和Vdd的解释

Vcc和Vdd是器件的电源端。Vcc是双极器件的正，Vdd多半是单级器件的正。下标可以理解为NPN晶体管的集电极C，和PMOS or NMOS场效应管的漏极D。同样你可在电路图中看见Vee和Vss，含义一样。因为主流芯片结构是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP结构Vcc就为负了。荐义选用芯片时一定要看清电气参数。

Vcc 来源于集电极电源电压, Collector Voltage, 一般用于双极型晶体管, PNP 管时为负电源电压, 有时也标成 -Vcc, NPN 管时为正电压.

Vdd 来源于漏极电源电压, Drain Voltage, 用于 MOS 晶体管电路, 一般指正电源. 因为很少单独用 PMOS 晶体管, 所以在 CMOS 电路中 Vdd 经常接在 PMOS 管的源极上.

Vss 源极电源电压, 在 CMOS 电路中指负电源, 在单电源时指零伏或接地.

Vee 发射极电源电压, Emitter Voltage, 一般用于 ECL 电路的负电源电压.

Vbb 基极电源电压, 用于双极晶体管的共基电路.

IC定义

IC ＝ Integrated circuit

集成电路，按你的说法，主控IC＝主控芯片，亦即IC＝“芯片”。

内部阻抗通常称为电容电抗，并以欧姆符号XC表示，与具有固定值的电阻不同。

瓷片电容(是一种用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜。