220v继电器触点接瓷片电容开裂

贴片电容一般都采用叠层结构，如果电容两端加上去的电压超过电容耐压值，就容易将介质击穿发生短路。测量电容是否短路，最好焊下来测量，因为有的电路和电容并联一个低阻值的电阻，不细看就以为短路了。因为本人在检测一个电能计量装置中ABC三相采样电路的贴片陶瓷电容，疑似短路，马上测量另两电路结果都一样。再仔细一看并不是零欧，顺线一找结果发现这三个采样电路的电容，分别并联一个几十欧的电阻，将电容焊下来测量一切正常。

电容： 电容（或电容量， Capacitance）指的是在给定电位差下的电荷储藏量；记为C，国际单位是法拉（F）。电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直、耦合、旁路、滤波、调谐回路、能量转换、控制电路等方面。电荷在电场中会受力而移动，当导体之间有了介质，则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上；造成电荷的累积储存，最常见的例子就是两片平行金属板。也是电容器的俗称。

首先，排除高压瓷片电容坏了会产生爆炸，不会对使用者人身造成伤害。坏了会有以下几种现象产生：

一：使用产品不通电；

二：使用产品短路；

三：使用产品失效。

如选到质量不好的高压瓷片电容，在长期工作电压下，内部残存的气泡产生局部放电现象。局部放电进一步导致绝缘损伤和老化。温度也会上长，会导致高压瓷片电容损坏，击穿。

电视电源板上的高压瓷片电容是我们常见的，出现坏掉的情况我们如何解决了。近日小编见到小伙伴说自己的液晶电视上高压瓷片电容221K/1KV烧毁，电视没指示灯，好像没电一样。出现这种情况的时候可以更换这个型号的电子元件并且检查下电源管是否有击穿的即可。

那么电源板上的高压瓷片电容坏了，参数为103M/1KV，可以替换和更换吗。

答案是可以的。

选择更换那么需要注意的是：

电容的容量差别在百分之三十到五十之间不会有明显的影响可以换，但耐压值须大于或等于原值。无论选择哪种方法，也要考虑到电源板的实际情况！

规范使用，才会保护产品的寿命。遇到高压瓷片电容坏掉不会处理的情况下，可以寻找正规的高压瓷片电容厂家寻求帮助。在购买的时候，要选择售前售后服务有保障的厂家，确保可以放心使用，避免产生不必要的麻烦。

二，它两端的电压严重超过额定电压。——这多是因为（或许）深夜户内交流电电压太高造成的。——尤其是日韩电子元器件，它基本没有啥啥宽容度，不像我国产品最高240伏特，给它250伏特也没关系。日韩的最高240伏特，给它245伏特就烧断了。

三，主要原因是前头的电阻烧了造成的后果。

四，监测时，必须至少烫开瓷片电容的一只脚。用万用表测量一下。

1.潮湿对电参数恶化的影响

空气中湿度过高时，水膜凝聚在电容器外壳表面，可使电容器的表面绝缘电阻下降。此外，对于半密封结构电容器来说，水分还可渗透到电容器介质内部，使电容器介质的绝缘电阻绝缘能力下降。因此，高温、高湿环境对电容器参数恶化的影响极为显著。经烘干去湿后电容器的电性能可获改善，但是水分子电解的后果是无法根除的。例如，电容器的工作于高温条件下，水分子在电场作用下电解为氢离子（H+）和氢氧根离子（OH-），引线根部产生电化学腐蚀。即使烘干去湿，也不可能使引线复原。

2.银离子迁移的后果

无机介质电容器多半采用银电极，半密封电容器在高温条件下工作时，渗入电容器内部的水分子产生电解。在阳极产生氧化反应，银离子与氢氧根离子结合生产氢氧化银；在阴极产生还原反应，氢氧化银与氢离子反应生成银和水。由于电极反应，阳极的银离子不断向阴极还原成不连续金属银粒，靠水膜连接成树状向阳极延伸。银离子迁移不仅发生在无机介质表面，还能扩散到无机介质内部，引起漏电流增大，严重时可使用两个银电极之间完全短路，导致电容器击穿。

3.高温条件下陶瓷电容器击穿机理

半密封陶瓷电容器在高湿度环境条件下工作时，发生击穿失效是比较普遍的严重问题。所发生的击穿现象大约可以分为介质击穿和表面极间飞弧击穿两类。介质击穿按发生时间的早晚又可分为早期击穿与老化击穿两种，早期击穿暴露了电容介质材料与生产工艺方面存在的缺陷，这些缺陷导致陶瓷介质介电强度显著降低，以至于在高湿度环境的电场作用下，电容器在耐压试验过程中或工作初期，就产生电击穿。老化击穿大多属于电化学击穿范畴。由于陶瓷电容器银的迁移，陶瓷电容器的电解老化击穿已成为相当普遍的问题。银迁移形成的导电树枝状物，使漏电流局部增大，可引起热击穿，使电容器断裂或烧毁。热击穿现象多发生在管形或圆片形的小型瓷介质电容器中，因为击穿时局部发热严重，较薄的管壁或较小的瓷体容易烧毁或断裂。

4.电极材料的改进

陶瓷电容器一直使用银电极。银离子迁移和由此而引起含钛陶瓷介质的加速老化是导致陶瓷电容器失效的主要原因。有的厂家生产陶瓷电容器已不用银电极，而改用镍电极，在陶瓷基片上采用化学镀镍工艺。由于镍的化学稳定性比银好，电迁移率低，提高了陶瓷电容器的性能和可靠性。

又如，以银做电极的独石低频瓷介质电容器，由于银电极和瓷料在900℃下一次烧结时瓷料欠烧不能获得致密的陶瓷介质，存在较大的气孔率；此外银电极常用的助溶剂氧化钡会渗透到瓷体内部，在高温下依靠氧化钡和银之间良好的浸润“互熔”能力，使电极及介质内部出现热扩散现象，即宏观上看到的“瓷吸银”现象。银伴随着氧化钡进入瓷体中后，大大减薄了介质的有效厚度，引起产品绝缘电阻的减少和可靠性的降低。为了提高独石电容器的可靠性，改用银-钯电极代替通常含有氧化钡的电极，并且在材料配方中添加了1%的5#玻璃粉。消除了在高温下一次烧结时金属电极向瓷介质层的热扩散现象，能促使瓷料烧结致密化，使得产品的性能和可靠性有较大提高，与原工艺和介质材料相比较，电容器的可靠性提高了1~2个数量级。

5.叠片陶瓷电容器的断裂

叠片陶瓷电容器最常见的失效是断裂，这是叠片陶瓷电容器自身介质的脆性决定的。由于叠片陶瓷电容器直接焊接在电路板上，直接承受来自电路板的各种机械应力，而引线式陶瓷电容器则可以通过引脚吸收来自电路板的机械应力。因此，对于叠片陶瓷电容器来说，由于热膨胀系数不同或电路板弯曲所造成的机械应力将是叠片陶瓷电容器断裂的最主要因素。

6.叠片陶瓷电容器的断裂分析

叠片陶瓷电容器机械断裂后，断裂处的电极绝缘间距将低于击穿电压，会导致两个或多个电极之间的电弧放电而彻底损坏叠片陶瓷电容器。

叠片陶瓷电容器机械断裂的防止方法主要有：尽可能地减少电路板的弯曲，减小陶瓷贴片电容在电路板上的应力，减小叠片陶瓷电容器与电路板的热膨胀系数的差异而引起的机械应力。

如何减小叠片陶瓷电容器在电路板上的应力将在下面另有叙述，这里不再赘述。减小叠片陶瓷电容器与电路板的热膨胀系数的差异而引起的机械应力，可以通过选择封装尺寸小的电容器来减缓，如铝基电路板应尽可能用1810以下的封装，如果电容量不够可以采用多只并联的方法或采用叠片的方法解决，也可以采用带有引脚的封装形式的陶瓷电容器解决。

7.叠片陶瓷电容器电极端头被熔淋

在波峰焊焊接叠片陶瓷电容器时可能会出现电极端头被焊锡熔掉了。其原因主要是波峰焊叠片陶瓷电容器接触高温焊锡的时间过长。现在在市场上的叠片陶瓷电容器分为适用于回流焊工艺的和适用于波峰焊工艺的，如果将适用于回流焊工艺的叠片陶瓷电容器用于波峰焊，很可能发生叠片陶瓷电容器电极端头的熔淋现象。关于不同焊接工艺下叠片陶瓷电容器电极端头可以承受的高温焊锡的时间特性，在后面的叠片陶瓷电容器的适用注意事项中有详尽叙述，这里不在赘述。

消除的办法很简单，就是在使用波峰焊工艺时，尽可能地使用符合波峰焊工艺的叠片陶瓷电容器；或者尽可能不采用波峰焊工艺。

在固体电介质中发生破坏性放电时，称为击穿。击穿时，在固体电介质中留下痕迹，使固体电介质永久失去绝缘性能。如绝缘纸板击穿时，会在纸板上留下一个孔。可见击穿这个词仅限用于固体电介质中。

它的外形以片式居多，也有管形、圆形等形状

陶瓷电容一般都是圆形的蓝色本体

随着科技发展需求，陶瓷电容在电子市场的需求与日俱增

那陶瓷电容损坏原因有哪些呢？潮湿对电参数恶化的影响

空气中温度过高，会使陶瓷电容器的表面绝缘电阻下降，对于半密封结构电容器来说，水分会渗透到电容器的介质内部使电容器介质的绝缘电阻绝缘能力下降

因此，高温，高湿环境对陶瓷电容的损坏影响较大

二：银离子的迁移

无机介质电容器多半采用银电极，半密封电容器在高温条件下工作，渗入电容器内部的水分子产生电解

产生氧化反应，银离子与氢氧根离子结合产生氢氧化银

由于电极反应，银离子迁移不仅发生在无机介质表面，还扩散到无机介质内部，引起漏电流增大，严重时会使两个银电极之间完全短路，导致陶瓷电容损坏或击穿

有的陶瓷电容器，在运用测试操作时，电容器投入时的电流过大，无任何无电压保护措施，也无串联电抗器，使电容器过热，绝缘降低或损坏，如果操作频繁，也会影响陶瓷电容损坏，甚至爆炸

如果选购到质量不好的陶瓷电容，在长期工作电压下，内部残存的气泡产生局部放电现象

局部放电进一步导致绝缘损伤和老化

温度也会上长，会导致陶瓷电容损坏，击穿

陶瓷贴片电容MLCC，正常情况下应是高绝缘的，绝缘值高达1．0E＋9欧姆．多种因素会导致MLCC的绝缘下降造成漏电现象．

（1） 表面脏污引起的表面绝缘下降，这类漏电电流不十分大，一般是微安级别．热风吹一吹绝缘值会上升．

（2） 内部裂纹，有焊接引起的裂纹和MLCC制造不良自带裂纹．这类裂纹引起的漏电电流会不断升高，严重时会引起局部爆炸起火．

2）电流过高

3）内部瓷体不洁

4）产品包封层吸潮，使内部受潮

5）失效产品

电流过大也会导致陶瓷电容破裂，耐压过低，陶瓷电容存在一定误差，输入的电压也会有波动，也许会超过耐压值

建议选用大一点的，也有可能是因为元器件的性能不好

换大耐压值的电容，这里所指的是电流过大，不是接负载的电流

是刚启动设备时，电容充电(此时电流较大