高压瓷片电容测试条件

高压瓷片电容，就是以陶瓷材料为介质的圆片形电容器

外壳是陶瓷的，用来绝缘

高压瓷片电容器一个主要的特点就是耐压高，电压一般大于1KV的电压

高压瓷片电容器常规有2KV、3KV、4KV电压

常用于高压场合

最高的可达30KV的电压

在瓷片电容器中一般DC50V以下叫低压，DC100V~500V为中高压，DC1000V~6000V和为高压，DC6000V以上为超高压

安规Y电容也是属于高压瓷片电容

瓷片电容有I类瓷，II类瓷，III类瓷之分，I类瓷，NP0，温度特性，频率特性和电压特性佳，因介电常数不高，所以容量做不大II类瓷，X7R次之，温度特性和电压特性较好III类瓷，介电常数高，所以容量可以做很大，但温度特性和电压特性不太好

高压瓷片电容器一般体积不大

另外，瓷介电容器击穿后，往往呈短路状态

(这是它的弱点)而薄膜电容器失效后，一般呈开路状态

高压瓷片电容取决于使用在什么场合，典型作用可以消除高频干扰

在大功率、高压领域使用的高压瓷片电容器，要求具有小型、高耐压和频率特性好等特点

近年来随着材料、电极和制造技术的进步，高压瓷片电容的发展有长足的进展，并取得广泛应用

高压瓷片电容已成为大功率高压电子产品不可缺少的元件之一

常规的脚距和脚长是5*25，1kv产品分为蓝色和土黄色两种颜色，一般都是以蓝色为主色。

除因温度冷热变化产生热应力导致开裂外，对于环氧包封型高压陶瓷电容，无论是留边型还是满银型电容都存在着电极边缘电场集中和陶瓷-环氧的结合界面等比较薄弱的环节

环氧包封的瓷片电容由于环氧树脂固化冷却过程体积收缩，产生的内应力以残余应力的形式保留在包封层中，并作用于陶瓷-环氧界面，劣化界面的粘结

在电场作用下，组成高压瓷片电容瓷体的钙钛矿型钛酸锶铁类陶瓷（SPBT）会发生电机械应力，产生电致应变

当环氧包封层的残余应力较大时，二者联合作用极可能造成包封与陶瓷体之间脱壳，产生气隙，从而降低电压水平

二：介质内空洞：导致空洞产生的主要因素为陶瓷粉料内的有机或无机污染、烧结过程控制不当等

空洞的产生极易导致漏电，而漏电又导致器件内局部发热，进一步降低陶瓷介质的绝缘性能从而导致漏电增加

该过程循环发生，不断恶化，导致其耐压水平降低

三：包封层环氧材料因素：一般包封层厚度越厚，包封层破坏所需的外力越高

在同样电场力和残余应力的作用下，陶瓷基体和环氧界面的脱粘产生气隙较为困难

另外固化温度的影响，随着固化温度的提高，高压瓷片电容的击穿电压会越高，因为高温固化时可以较快并有效地减少残余应力

随着整体模块灌胶后固化的高温持续，当达到或超过陶瓷电容器外包封层环氧树脂的玻璃转化温度，达到了粘流态，陶瓷基体和环氧界面的脱粘产生了气隙，此时的形变就很难恢复，这种气隙会降低陶瓷电容的耐压水平

四：机械应力裂纹：陶瓷体本身属于脆性较高的材料，在产生和流转过程中较大的应力可能造成应力裂纹，导致耐压降低

常见的应力源有：工艺过程电路板流转操作；流转过程中的人、设备、重力等因素；元件接插操作；电路测试；单板分割；电路板安装；电路板定位铆接；螺丝安装等

导致瓷片电容失效结论一：直接原因：陶瓷-环氧界面存在间隙，导致其耐压水平降低

二：间接原因：二次包封模块固化过程中产生了环氧材料应力收缩，致使陶瓷-环氧界面劣化，形成了弱点放电的路径

三：二次包封模块固化后，样品放置时间过短，其内部界面应力未完全释放出来，在陶瓷-环氧界面存在微裂纹，导致耐压水平降低

首先，排除高压瓷片电容坏了会产生爆炸，不会对使用者人身造成伤害。坏了会有以下几种现象产生：

一：使用产品不通电；

二：使用产品短路；

三：使用产品失效。

如选到质量不好的高压瓷片电容，在长期工作电压下，内部残存的气泡产生局部放电现象。局部放电进一步导致绝缘损伤和老化。温度也会上长，会导致高压瓷片电容损坏，击穿。

电视电源板上的高压瓷片电容是我们常见的，出现坏掉的情况我们如何解决了。近日小编见到小伙伴说自己的液晶电视上高压瓷片电容221K/1KV烧毁，电视没指示灯，好像没电一样。出现这种情况的时候可以更换这个型号的电子元件并且检查下电源管是否有击穿的即可。

那么电源板上的高压瓷片电容坏了，参数为103M/1KV，可以替换和更换吗。

答案是可以的。

选择更换那么需要注意的是：

电容的容量差别在百分之三十到五十之间不会有明显的影响可以换，但耐压值须大于或等于原值。无论选择哪种方法，也要考虑到电源板的实际情况！

规范使用，才会保护产品的寿命。遇到高压瓷片电容坏掉不会处理的情况下，可以寻找正规的高压瓷片电容厂家寻求帮助。在购买的时候，要选择售前售后服务有保障的厂家，确保可以放心使用，避免产生不必要的麻烦。

瓷片电容(ceramic capacitor)是一种用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜，再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器。

瓷片电容的分类

瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

按瓷介电容电介质又分：

1、类电介质(NP0,C0G)

2、类电介质(X7R,2X1)

3、类电介质(Y5V,2F4)瓷介电容器EIA RS-198。

瓷片电容规格是怎样的

1、高压陶瓷电容，一般耐压1KV以上的。

2、中压陶瓷电容，一般指100-1KV的。

3、低压陶瓷电容，一般指100V以下的。

至于型号：就和普通电容一样，基本的容值都有。1p-104pf里都有。

瓷片电容的电容量一般以pF(10的-12次方F)为单位，早期产品多采用直接标注，如1000p、220p等现在一般以常用指数表示法，如102、221，前两位数是电容量的有效数字，后一位数是后面添零的个数，如102表示有效数是10，2表示后面再添2个0，即1000pF221表示有效数22，1表示后面再添1个0，即220pF。

高压瓷片电容优点

1.容量损耗随温度频率具高稳定性

2.特殊的串联结构适合于高电压极长期工作可靠性

3.高电流爬升速率并适用于大电流回路无感型结构 .识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。

221表示标称容量为220pF。 224表示标称容量为22x10(4)pF。 在这种表示法中有一个特殊情况，就是当第三位数字用"9"表示时，是用有效数字乘上10的-1次方来表示容量大小。