瓷片电容103什么意思

高压陶瓷电容和安规电容的差别有以下几种：一、直插的高压陶瓷电容器，俗称DIP类的，这类产品从16VDC到100KV都有生产，但是主要是指直流的，而且是引线型的

二、直插型的陶瓷电容器有另类，就是交流陶瓷电容器，一般指250VAC的Y2安规电容器，以及400VAC的Y1交流安规电容器

这类电容的电压是指交流电压，而且是有十个左右的国家的安全认证的

陶安规电容器之外，别的引线型陶瓷电容器所说的电压一般是指直流而言

三、贴片陶瓷电容，俗称SMD类的，这种电容的规格一般以0204，0603，0805，1206，1210等表示

贴片电容英文简写是MLCC，电压从16VDC到2KV以上都有，当然，电压越高，价格也越不菲

四、螺栓型高压陶瓷电容器

这类电容器一般耐超高电压，在电力系统中往往是指交流电压

如40KV102K，40KV103K，40KV153K等，型号很多种，但是里边的电压并不是直流

因为我们家里，或工厂企业所用的电都是交流电啊！这类电容器的技术含量是相当高的，往往是很多企业能做出这种形状，却始终没办法做出客人要求的品质，原因是：首先这类产品要求较高的交流电压，而大多数厂所标的是直流电压，所以，在送样阶段就被淘汰了；其次，这类高压陶瓷电容器要求超低的局放，局部放电量越大，电容的实际耐压值就越低，因此，局放是衡量一颗电容的质量的最好标准；再次，超高的工频，一般的引线型的电容也要以做到袍高的工频，而这种螺栓型的就更高要求

最后，这类电容对材质要求很严格，因为不同材质的损耗和温度系数，介电系数不一样

通常用于高稳定震荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器

瓷片电容只要针对于高频,高压瓷片电容取决于你使用在什么场合,典型作用可以消除高频干扰

优点1.容量损耗随温度频率具高稳定性2.特殊的串联结构适合于高电压极长期工作可靠性3.高电流爬升速率并适用于大电流回路无感型结构作用MLCC(1类)—微型化,高频化,超低损耗,低ESR,高稳定,高耐压,高绝缘,高可靠,无极性,低容值,低成本,耐高温.主要应用高高频电路中

MLCC(2类)—微型化,高比容,中高压,无极性,高可靠,耐高温,低ESR,低成本.主要应用于中,低频电路中作隔直,耦合,旁路和滤波等电容器使用

高压陶瓷 1.不需要认证 2.超高压可以达到7KV 在高就罕见了，3.打印方式和Y电容比不用把各国认证打在产品表面，5 电压最低可以到16V 6，耐压最高2.5倍 一般生产是1.5倍的标准测

高频电容是陶瓷电容器的一种

陶瓷电容器用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成

它又分高频瓷介和低频瓷介两种

陶瓷电容器具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器

低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉

这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿

高频瓷介电容器由一种浓度适于喷涂的特殊混合物喷涂成薄膜而成，介质再以银层电极经烧结而成“独石”结构

高频瓷介电容器适用于高频电路云母电容器

就结构而言，可分为箔片式及被银式

被银式电极为直接在云母片上用真空蒸发法或烧渗法镀上银层而成，由于消除了空气间隙，温度系数大为下降，电容稳定性也比箔片式高

瓷片电容主要针对于高频，高压瓷片电容取决于使用在什么场合，典型作用可以消除高频干扰

瓷片电容的优点：1、容量损耗随温度频率具高稳定性

2、特殊的串联结构适合于高电压极长期工作可靠性

3、高电流爬升速率并适用于大电流回路无感型结构

高频电容频率特性好，Q值高，温度系数小；不能做成大的容量；广泛应用在高频电器中，并可用作标准电容器玻璃釉电容器

性能可与云母电容器媲美，能耐受各种气候环境，一般可在200℃或更高温度下工作，额定工作电压可达500V，损耗tgδ0.0005～0.008

所谓片式多层瓷介电容器(MLCC)---简称片式电容器,是由印好电极（内电极）的陶瓷介质膜片以错位的方式叠合起来，经过一次性高温烧结形成陶瓷芯片，再在芯片的两端封上金属层（外电极），从而形成一个类似独石的结构体，故也叫独石电容器。

片式电容器除有电容器 “隔直通交”的通性特点外，其还有体积小，比容大，寿命长，可靠性高，适合表面安装等特点。随着世界电子行业的飞速发展，作为电子行业的基础元件，片式电容器也以惊人的速度向前发展，每年以10%～15%的速度递增。目前，世界片式电容的需求量在 2000亿支以上，70%出自日本，其次是欧美和东南亚（含中国）。随着片容产品可靠性和集成度的提高，其使用的范围越来越广，广泛地应用于各种军民用电子整机和电子设备。如电脑、电话、程控交换机、精密的测试仪器、雷达通信等。

2、瓷片电容(ceramiccapacitor)是一种用陶瓷材料作介质,在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器。

3、瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

陶瓷电容在工作时的热循环过程中会使陶瓷电容的温度升高，那么温度升高了对陶瓷电容的容量有影响吗？我们进行了热循环试验，以102陶瓷电容为例，电容量变化率随温度变化曲线

从20℃降低到-100℃的冷冰阶段，随着温度的下降，其电容量变化率负向增大

然后进行加热阶段，随着温度的升高到0℃，其电容量变化率正向增大，随着温度继续升高到100℃，其电容量变化率负向增大，然后随着电容器自然冷冰回到30℃，其电容量变化率正向增大

由此可以得出：在温度从-100℃升高到100℃当过程中，温度低于℃，陶瓷封装电容器具有正的温度系数，当温度高于℃，陶瓷封装电容器具有负的温度系数

然后再一次的热循环试验中经不同次数热循环后发现对于102陶瓷电容的前400次热循环电容量变化率比较缓慢，在400次热循环以后，随着热循环次数的增加，其电容量变化率大幅度的的向负方向漂移

根据电容器技术条件规定为:D小于0.04，小于百分之二十的失效标准，102陶瓷电容已经失效，随着循环次数的增加，其电容量变化率变化幅度和速率逐渐增大

由于陶瓷电容的电容量变化率主要取决于电介质的温度特性，通常介电常数都在几千以上，随着温度的降低钛酸钡从立方顺电体相转变为正方形的铁电体相，再转变为正交相，对应这两个转变，钛酸钡的介电常数随温度变化的曲线上有两个峰值

添加物的存在使钛酸钡基陶瓷的介电常数变化的峰值明显减小，并却向低温方向偏移，这类介质具有铁电特性