陶瓷电容器有哪些分类

瓷片只插件薄膜型陶瓷电容，分类：

1、高压陶瓷电容，一般耐压1KV以上的。

2、中压陶瓷电容，一般指100-1KV的。

3、低压陶瓷电容，一般指100V以下的。

至于型号：就和普通电容一样，基本的容值都有。1p-104pf里都有。

通常情况下，100uF的贴片陶瓷电容会比同样规格的钽电容还要贵，所以如果需要再大的容值，比如220uF，470uF等等，一般都是直接选用钽电容。

一般来说贴片陶瓷电容最大容值是100uF，尺寸有1210,1812等规格。。---------%易%容%网。

钽电容寿命长、耐高温、准确度高、滤高频谐波性能极好，即便是同等价格前提下，也是优于贴片陶瓷电容的选择。

瓷片电容分类Ⅰ类瓷介电容和Ⅱ类瓷介电容

温度补偿型NPO(COG)是Ⅰ类瓷片电容；X7R；X5R；Y5U；Y5V是Ⅱ类瓷片电容Ⅰ类瓷片电容特点是容量稳定性好，基本不随温度；电压；时间的变化而变化，容量也比较小

NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器

它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的

NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一

在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC

NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的

其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%

NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好

应用在电容稳定性有要求的场合

Ⅱ类瓷片电容特点是容量稳定相对较差，但是容量相对也大些

X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器

当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的

X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的,它也随时间的变化而变化,大约每10年变化1%ΔC,表现为10年变化了约5%

X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下

它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大

Y5V瓷片电容是有一定温度限制的通用电容器,在工作温度-30℃到85℃范围内其容量变化为+22%到-82%、介质损耗为5%

Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达100μF的电容器

Y5V瓷片电容适合用于去耦、平滑用

瓷片电容是一种用陶瓷材料作介质,在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器。103意思是说电容为0.01uF，瓷片电容读法：103=10*10的3次方pF=0.01uF。

电容器，通常简称其容纳电荷的本领为电容，用字母C表示。定义1：电容器，顾名思义，是“装电的容器”，是一种容纳电荷的器件。电容的种类也是有很多种，以下简单按照介质分类的几种电容：

1、陶瓷电容：以高介电常数、低损耗的陶瓷材料为介质，体积小，电感小。

2、云母电容：以云母片作介质的电容器。性能优良，高稳定，高精密。

3、纸质电容：纸介电容器的电极用铝箔或锡箔做成，绝缘介质是浸蜡的纸，相叠后卷成圆柱体，外包防潮物质，有时外壳采用密封的铁 的纸，相叠后卷成圆柱 体，外包防潮物质，有时外壳采用密封的铁 壳以提高防潮性。

4、薄膜电容：用聚苯乙烯、聚四氟乙烯或涤纶等有机薄膜代替纸介质，做成的各种电容器。体积小，但损耗大，不稳定。 质，做成的各种电容器。体积小，但损耗大，不稳定。

5、电解电容：以铝、担、锯、钛等金属氧化膜作介质的电容器。容量大，稳定性差。（使用时应注意极性） 大，稳定性差。

Ⅰ类陶瓷电容器根据美国标准EIA-198-D，在用字母或数字表示陶瓷电容器的温度性质有三部分：一部分为（例如字母C）温度系数α的有效数字；第二位部分有效数字的倍乘（如0即为100）；第三部分为随温度变化的容差（以ppm/℃表示）例如，C0G（有时也称为NP0）表示为：前面的字母C为温度系数的有效数字为0，第二位数字0为有效温度系数的倍乘为100=1，第三位字母G为随温度变化的容差为±30ppm/℃，即0±30ppm/℃，Ⅰ类陶瓷电容器的电容量几乎不随温度变化陶瓷电容器从介质类型主要可以分为两类，即Ⅰ类陶瓷电容器和Ⅱ类陶瓷电容器，具体是怎么样的呢？有哪些特点？适用于哪些范围呢？1、Ⅰ类陶瓷电容器：过去称高频陶瓷电容器，是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容器，特别适用于谐振回路，以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路，片状陶瓷电容，或用于温度补偿；2、Ⅱ类陶瓷电容器：过去称为为低频陶瓷电容器，指用铁电陶瓷作介质的电容器，因此也称铁电陶瓷电容器，图片状陶瓷电容，常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中

陶瓷电容有以下一些材质：Y5P；Y5E；Y5R；Y5T；Y5V； Y5U； Z5U；Z5V；Z4V；X7R；N750；N330；NPO；SL。

陶瓷电容常用的几种：Y5P；Y5V；Y5U；X7R；NPO。

Y5P的温度补偿性能最好，全温度范围内的电容值变化范围为±10%。

Y5U对温度变化无补偿性，全温度范围内的电容值变化范围为+22%/-56%。

Y5V表示工作在-30~+85度，整个温度范围内偏差-82%~+22%

X5R表示工作在-55~+85度，整个温度范围内偏差正负15%

X7R表示工作在-55~+125度，整个温度范围内偏差正负15%

NPO（COG）是温度特性最稳定的电容器，电容温漂很小，整个温度范围容量很稳定，温度也是-55~125度，适用于振荡器，超高频滤波去耦。

电容的种类可以从原理上分为：无极性可变电容、无极性固定电容、有极性电容等，从材料上可以分为：CBB电容（聚乙烯），涤纶电容、瓷片电容、云母电容、独石电容、电解电容、钽电容等。

1、无极性可变电容

制作工艺：可旋转动片为陶瓷片表面镀金属薄膜，定片为镀有金属膜的陶瓷底；动片为同轴金属片，定片为有机薄膜片作介质

2、无极性无感CBB电容

制作工艺：2层聚丙乙烯塑料和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成。

3、无极性CBB电容

制作工艺：2层聚乙烯塑料和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成。

4、无极性瓷片电容

制作工艺：薄瓷片两面渡金属膜银而成。

5、无极性云母电容

制作工艺：云母片上镀两层金属薄膜

6、有极性电解电容

制作工艺：两片铝带和两层绝缘膜相互层叠，转捆后浸在电解液中。

7、钽电容

制作工艺：用金属钽作为正极，在电解质外喷上金属作为负极。

8、聚酯（涤纶）电容

符号：CL

9、聚苯乙烯电容

符号：CB

10、聚丙烯电容

符号：CBB

11、云母电容

符号：CY

12、高频瓷介电容

符号：CC

13、低频瓷介电容

符号：CT

14、玻璃釉电容

符号：CI

15、铝电解电容

符号：CD

16、钽电解电容（CA）、铌电解电容（CN）

扩展资料：

电容的作用

1、旁路

旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。就像小型可充电电池一样，旁路电容能够被充电，并向器件进行放电。为尽量减少阻抗，旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地电位是地连接处在通过大电流毛刺时的电压降。

2、去耦

去耦，又称解耦。从电路来说， 总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大， 驱动电路要把电容充电、放电， 才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候， 电流比较大， 这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感）会产生反弹，这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作，这就是所谓的“耦合”。

3、滤波

从理论上（即假设电容为纯电容）说，电容越大，阻抗越小，通过的频率也越高。但实际上超过1μF 的电容大多为电解电容，有很大的电感成份，所以频率高后反而阻抗会增大。有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容，这时大电容滤低频，小电容滤高频。电容的作用就是通交流隔直流，通高频阻低频。电容越大高频越容易通过。

具体用在滤波中，大电容（1000μF）滤低频，小电容（20pF）滤高频。曾有网友形象地将滤波电容比作“水塘”。由于电容的两端电压不会突变，由此可知，信号频率越高则衰减越大，可很形象的说电容像个水塘，不会因几滴水的加入或蒸发而引起水量的变化。它把电压的变动转化为电流的变化，频率越高，峰值电流就越大，从而缓冲了电压。滤波就是充电，放电的过程 。

4、储能

储能型电容器通过整流器收集电荷，并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。电压额定值为40～450VDC、电容值在220～150 000μF 之间的铝电解电容器是较为常用的。根据不同的电源要求，器件有时会采用串联、并联或其组合的形式， 对于功率级超过10KW 的电源，通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器。

参考资料来源：百度百科—电容

1.瓷介电容器（CC） 

结构：用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金属（银）薄膜，再经高温烧结后作为电极而成。瓷介电容器又分1类电介质（NPO、CCG）；2类电介质（X7R、2X1）和2类电介质（Y5V、2F4）瓷介电容器。 用途：主要应用于高频电路中。

2.涤纶电容器（CL） 

结构：涤纶电容器，是用极性聚酯薄膜为介质制成的具有正温度系数（即温度升高时，电容量变大）的无极性电容。 

用途：一般应用于中、低频电路中。常用的型号有CL11、CL21等系列。

3.聚苯乙烯电容器（CB） 

结构：有箔式和金属化式两种类型。 用途：一般应用于中、高频电路中。常用的型号有CB10、CB11（非密封箔式）、CB14~16（精密型）、CB24、CB25（非密封性金属化）、CB80（高压型）、CB40（密封型金属化）等系列。

4.聚丙烯电容器（CBB） 

结构：用无极性聚丙烯薄膜为介质制成的一种负温度系数无极性电容。有非密封式（常用有色树脂漆封装）和密封式（用金属或塑料外壳封装）两种类型。 

用途：一般应用于中、低频电子电路或作为电动机的启动电容。常用的箔式聚丙烯电容：CBB10、CBB11、CBB60、CBB61等；金属化式聚丙烯电容：CBB20、CBB21、CBB401等系列。

5.独石电容器 

结构：独石电容器是用钛酸钡为主的陶瓷材料烧结制成的多层叠片装超小型电容器。

用途：广泛应用于谐振、旁路、耦合、滤波等。 

常用的有CT4（低频）、CT42（低频）；CC4（高频）、CC42（高频）等系列。

6.云母电容器（CY） 

结构：云母电容器是采用云母作为介质，在云母表面喷一层金属膜（银）作为电极，按需要的容量叠片后经浸渍压塑在胶木壳（或陶瓷、塑料外壳）内构成。 

用途：一般在高频电路中作信号耦合、旁路、调谐等使用。常用的有CY、CYZ、CYRX等系列。

7.纸介电容器（CZ） 

结构：纸介电容器是用较薄的电容器专用纸作为介质，用铝箔或铅箔作为电极，经卷饶成型、浸渍后封装而成。 缺点：体积大、容量精度低、损耗大、稳定性较差。 常见有CZ11、CZ30、CZ31、CZ32、CZ40、CZ80等系列。

8.金属化纸介电容器（CJ） 

结构：金属化纸介电容器采用真空蒸发技术，在涂有漆膜的 纸上再蒸镀一层金属膜作为电极而成。 

优点：与普通纸介电容相比，体积小，容量大，击穿后能自愈能力强。 常见有CJ10、CJ11等系列。

9.铝电解电容器（CD） 

结构：有极性铝电解电容器是将附有氧化膜的铝箔（正极）和浸有电解液的衬垫纸，与阴极（负极）箔叠片一起卷绕而成。外型封装有管式、立式。并在铝壳外有蓝色或黑色塑料套。 

用途： 通常在直流电源电路或中、低频电路中起滤波、退耦、信号耦合及时间常数设定、隔直流等作用。（注意:不能用 于交流电源电路。在直流电源中作滤波电容使用时极性不能接反。）

10.钽电解电容器（CA） 

结构：有两种形式：1. 箔式钽电解电容器    内部采用卷绕芯子,负极为液体电解质，介质为氧化钽。型号有 CA30、CA31、CA35、CAk35等系列。 2. 钽粉烧结式   阳极（正极）用颗粒很细的钽粉压块后烧结而成。封装形式有多种。型号有CA40 、CA41、CA42、CA42H、CA49、CA70（无极性）等系列。

11.云母微调电容器（CY） 

结构：云母微调电容器由定片和动片构成，定片为固定金属片，其表面贴有一层云母薄片作为介质，动片为具有弹性的铜片或铝片，通过调节动片上的螺钉调节动片与定片之间的距离，来改变电容量。    云母微调电容器有单微调和双微调之分。 

用途：应用于晶体管收音机、电子仪器、电子设备中。

12.瓷介微调电容器（CC） 

结构：瓷介微调电容器是用陶瓷作为介质。在动片（瓷片）与定片（瓷片）上均镀有半圆形的银层，通过旋转动片改变两银片之间的相对位置，即可改变电容量的大小。 

用途：应用于晶体管收音机、电子仪器、电子设备中。

13.薄膜微调电容器 

结构： 薄膜微调电容器是用有机塑料薄膜作为介质，即在动片与定片（动、定片均为半圆形金属片）之间加上有机塑料薄膜，调节动片上的螺钉，使动片旋转，即可改变容量。  薄膜微调电容器一般分为双微调和四微调。有的密封双连或密封四连可变电容器上自带薄膜微调电容器，将微调电容器安装在外壳顶部，使用和调整就更方便了。

14.空气可变电容器（CB） 

结构： 电极由两组金属片组成。一组为定片，一组为动片，动片与定片之间以空气作为介质。当转动动片使之全部旋进定片时，其电容量最大，反之，将动片全部旋出定片时，电容量最小。

15.薄膜可变电容器 

结构：薄膜可变电容器是在其动片与定片之间加上塑料薄膜作为介质，外壳为透明或半透明塑料封装，因此也称密封单连或密封双连和密封四连可变电容器。 

用途：单连主要用在简易收音机或电子仪器中；双连用在晶体管收音机和电子仪器、电子设备中；四连常用在AF/FM多波段收音机。

电容的种类可以从原理上分为：无极性可变电容、无极性固定电容、有极性电容等，从材料上可以分为：CBB电容（聚乙烯），涤纶电容、瓷片电容、云母电容、独石电容、电解电容、钽电容等。

1.无极性可变电容。制作工艺：可旋转动片为陶瓷片表面镀金属薄膜，定片为镀有金属膜的陶瓷底；动片为同轴金属片，定片为有机薄膜片作介质。优点：容易生产，技术含量低。缺点：体积大，容量小。用途：改变震荡及谐振频率电路。调频、调幅、发射／接收电路。

2.无极性无感CBB电容。制作工艺：2层聚丙乙烯塑料和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成。优点：无感，高频特性好，体积较小。缺点：不适合做大容量，价格比较高，耐热性能较差。用途：耦合／震荡，音响，模拟／数字电路，高频电源滤波／退耦。

3.无极性CBB电容。制作工艺：2层聚乙烯塑料和2层金属箔交替夹杂然后捆绑而成。优点：有感，高频特性好，体积较小。缺点：不适合做大容量，价格比较高，耐热性能较差。用途：耦合／震荡，模拟／数字电路，电源滤波／退耦。

4.无极性瓷片电容。制作工艺：薄瓷片两面渡金属膜银而成。优点：体积小，耐压高，价格低，频率高（有一种是高频电容）。缺点：易碎，容量低。用途：高频震荡、谐振、退耦、音响。

5.无极性云母电容。制作工艺：云母片上镀两层金属薄膜。优点：容易生产，技术含量低。缺点：体积大，容量小用途：震荡、谐振、退耦及要求不高的电路无极性独石电容体积比CBB更小，其他同CBB，有感。用途：模拟／数字电路信号旁路／滤波，音响。

6.有极性电解电容。制作工艺：两片铝带和两层绝缘膜相互层叠，转捆后浸在电解液中。优点：容量大。缺点：高频特性不好。用途：低频级间耦合、旁路、退耦、电源滤波、音响。

7.钽电容。制作工艺：用金属钽作为正极，在电解质外喷上金属作为负极。优点：稳定性好，容量大，高频特性好。缺点：造价高。用途：高精度电源滤波、信号级间耦合、高频电路、音响电路。

8.聚酯（涤纶）电容。符号：CL。电容量：40p--4u。额定电压：63--630V。主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差。应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路。

9.聚苯乙烯电容。符号：CB。电容量：10p--1u。额定电压：100V--30KV。主要特点：稳定，低损耗，体积较大。应用：对稳定性和损耗要求较高的电路。

以上内容参考：百度百科-电容

瓷片电容104是0.1uF。

计算方法如下：

104电容，前面的两位数字，表示有效值，后面的4表示10的幂，

那么104电容值为10x10^4pF=10^5pF=10^(-7)F=0.1uF

扩展资料：

分类

瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。

按瓷介电容电介质又分：

1、类电介质(NP0,C0G)；

2、类电介质(X7R,2X1)；

3、类电介质(Y5V,2F4)瓷介电容器EIA RS-198。

参考资料来源：百度百科-瓷片电容