cmos集成电路的常用电容是什么？
CMOS集成电路常用的电容有：
电解电容：用于隔直流，通交流。其容量较大，一般在数微法到数十微法之间。
瓷片电容：用于隔直流，通交流。体积较小，容量较小，一般在几皮法到几十皮法之间。
独石电容：用于隔直流，通交流。容量较大，可达几百皮法。
涤纶电容：用于隔直流，通交流。容量较大，可达几百皮法。
电解电容器：一种特种电容器，主要用于高压和大电流的电路中。
不同的CMOS集成电路使用的电容器可能会有所不同，因此在使用电容器时需要根据具体的电路图和相关参数进行选择。
瓷片电容的电容量一般以pF（10的-12次方F）为单位，早期产品多采用直接标注，如1000p、220p等；现在一般以常用指数表示法，如102、221，前两位数是电容量的有效数字，后一位数是后面添零的个数，如102表示有效数是10，2表示后面再添2个0，即1000pF；221表示有效数22，1表示后面再添1个0，即220pF。
陶瓷电容有以下一些材质：Y5P；Y5E；Y5R；Y5T；Y5V； Y5U； Z5U；Z5V；Z4V；X7R；N750；N330；NPO；SL。
陶瓷电容常用的几种：Y5P；Y5V；Y5U；X7R；NPO。
Y5P的温度补偿性能最好，全温度范围内的电容值变化范围为±10%。
Y5U对温度变化无补偿性，全温度范围内的电容值变化范围为+22%/-56%。
Y5V表示工作在-30~+85度，整个温度范围内偏差-82%~+22%
X5R表示工作在-55~+85度，整个温度范围内偏差正负15%
X7R表示工作在-55~+125度，整个温度范围内偏差正负15%
NPO（COG）是温度特性最稳定的电容器，电容温漂很小，整个温度范围容量很稳定，温度也是-55~125度，适用于振荡器，超高频滤波去耦。
