压敏电阻10K471是什么意思？
型号可能有点误差，以品牌东沃供应的10D471K来说，其命名方式如下图：
10指的是压敏电阻陶瓷片直径；
D指的是陶瓷片形状，圆形；
471指的是压敏电阻1800V；
K指的是压敏电阻电压误差，表示±10%；
①低温型：低温NTC热敏电阻陶瓷的使用温度范围一般在42~300K，一般以Fe、Co、Ni、Mn、Cu等两种以上的过渡金属氧化物为主要成分来形成尖晶石结构，为了降低B值，可掺入少量稀土元素如La、Nd、Yb等。主要应用在宇航以及一系列低温工程与超导研究领域；
②中温型：中温NTC热敏电阻陶瓷的使用温度范围一般在室温~300℃，大多为尖晶石型含Mn氧化物陶瓷；
③高温型：高温NTC热敏电阻陶瓷的使用温度范围一般在300~1000℃，一般由ZrO2-Y2O3系、ZrO2-CaO系萤石型结构的材料构成。
金属陶瓷电阻薄膜是指由金属和氧化物绝缘体混合所构成的薄膜。
基本介绍 中文名 ：金属陶瓷电阻薄膜 外文名 ：metallic ceramic resistance film 学科 ：材料技术 领域 ：工程技术 简介,特点,材料,制备,性能, 简介 金属陶瓷电阻薄膜是指由金属和氧化物绝缘体混合所构成的薄膜。 特点 其主要特点是电阻率高、耐高温。 材料 主要的材料有： （1）Cr-SiO薄膜，是一种高阻薄膜，其方阻为500 ~3kΩ/口，电阻温度系数小于100ppm/ C'。可用蒸发或溅射法制备。蒸发所用原料为高纯(99 99%)铬粉和SiO粉混合物。反应溅射法所用原料为高纯铬、矽复合靶，反应气体为高纯氧;或用高纯铬靶、SiO靶进行双靶溅射; （2）Ti-SiO2薄膜，也是一种电阻温度系数较小、稳定性高的高阻薄膜。 制备 薄膜采用射频溅射制备，靶由高纯钛板和SiO2片构成。通过改变钛和SiO2的面积比，可得到成分不同的Ti-SiO2膜，膜厚为250~300nm。 性能 Ti-SiO2薄膜的性能受靶成分、溅射工艺等因素的影响。金属陶瓷电阻薄膜用于高、中阻薄膜电阻器。
