瓷片电容的规格怎么辨别

1电阻电容知识
导体对电流的阻碍作用叫电阻，电阻器是电路元件中应用最广泛的一种，在电子设备中约占元件总数的30%以上，其质量的好坏对电路工作的稳定性有极大影响。它的主要用途是稳定和调节电路中的电流和电压，其次还作为分流器分压器和负载使用。

电阻器在电路图中的标号一般为R，电位器的标号为W。单位为欧[姆]，符号为Ω。常用的电阻单位还有千欧（kΩ）、兆欧（MΩ），它们之间的关系是：1MΩ=103kΩ=106Ω。

电容器是家用电器中主要元器件之一，和电阻器一样几乎每种电子电路中都离不开它。用途不同、结构不同、材料不同，电容器的品种规格也是非常多的。

任何两个互相靠近而又彼此绝缘的导体都可构成电容器。组成电容器的两个导体叫做极板，极板中间的物质叫做电介质。
电容器是由两个金属电极中间夹一层绝缘体（又称电介质）所构成。当在两个金属电极间加上电压时，电极上就会贮存电荷。电容器具有阻止直流电通过，而允许交流电通过（当然，也有些阻力）的特点，因此电容器在电路中常用于隔离直流电压、滤除交流信号、信号调谐等方面。

电容器在电路中起着储存电荷的作用，电容器就是“储存电荷的容器”。对任何一个电容器而言，两极板的电压都随所带电荷量的增加而增加，并且电荷量与电压成正比，其比值q/U是一个恒量；但是对于不同的电容器，这一比值不相同。可见q/U表现了电容器的固有特性。因此，把电容器所带电荷量与其端电压的比值叫做电容器的电容量，简称电容，用字母C表示。

电容的基本单位是：F（法），此外还有μF（微法）、pF（皮法），另外还有一个用的比较少的单位，那就是：nF（纳法），由于电容 F的容量非常大，所以我们看到的一般都是μF、nF、pF的单位，而不是F的单位。其它单位还有：毫法（mF），其中：1法拉=103毫法。他们之间的具体换算如下：

1F=1000000μF 1μF=1000nF=1000000pF
2求教电容电阻专业知识有哪位懂电容,电阻专业知识的,能不能提供一
电容是表征电容器容纳电荷的本领的物理量。

我们把电容器的两极板间的电势差增加1伏所需的电量，叫做电容器的电容。 电容的符号是C。

在国际单位制里，电容的单位是法拉，简称法，符号是F。一个电容器，如果带1库的电量时两级间的电势差是1伏，这个电容器的电容就是1法。

很多电子产品中，电容器都是必不可少的电子元器件，它在电子设备中充当整流器的平滑滤波、电源和退耦、交流信号的旁路、交直流电路的交流耦合等。由于电容器的类型和结构种类比较多，因此，使用者不仅需要了解各类电容器的性能指标和一般特性，而且还必须了解在给定用途下各种元件的优缺点、机械或环境的限制条件等。

本文介绍电容器的主要参数及应用，可供读者选择电容器种类时用。 1、标称电容量（CR）：电容器产品标出的电容量值。

云母和陶瓷介质电容器的电容量较低（大约在5000pF以下）；纸、塑料和一些陶瓷介质形式的电容量居中（大约在0005μF10μF）；通常电解电容器的容量较大。 这是一个粗略的分类法。

2、类别温度范围：电容器设计所确定的能连续工作的环境温度范围，该范围取决于它相应类别的温度极限值，如上限类别温度、下限类别温度、额定温度（可以连续施加额定电压的最高环境温度）等。 3、额定电压（UR）：在下限类别温度和额定温度之间的任一温度下，可以连续施加在电容器上的最大直流电压或最大交流电压的有效值或脉冲电压的峰值。

电容器应用在高压场合时，必须注意电晕的影响。电晕是由于在介质/电极层之间存在空隙而产生的，它除了可以产生损坏设备的寄生信号外，还会导致电容器介质击穿。

在交流或脉动条件下，电晕特别容易发生。对于所有的电容器，在使用中应保证直流电压与交流峰值电压之和不的超过直流电压额定值。

4、损耗角正切（tgδ）：在规定频率的正弦电压下，电容器的损耗功率除以电容器的无功功率。 这里需要解释一下，在实际应用中，电容器并不是一个纯电容，其内部还有等效电阻，它的简化等效电路如下图所示。

图中C为电容器的实际电容量，Rs是电容器的串联等效电阻，Rp是介质的绝缘电阻，Ro是介质的吸收等效电阻。 对于电子设备来说，要求Rs愈小愈好，也就是说要求损耗功率小，其与电容的功率的夹角δ要小。

这个关系用下式来表达： tgδ=Rs/Xc=2πfcRs 因此，在应用当中应注意选择这个参数，避免自身发热过大，以减少设备的失效性。 5、电容器的温度特性：通常是以20℃基准温度的电容量与有关温度的电容量的百分比表示。

补充： 1、电容在电路中一般用“C”加数字表示（如C13表示编号为13的电容）。电容是由两片金属膜紧靠，中间用绝缘材料隔开而组成的元件。

电容的特性主要是隔直流通交流。 电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。

容抗XC=1/2πf c (f表示交流信号的频率，C表示电容容量)电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。 2、识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。

电容的基本单位用法拉（F）表示，其它单位还有：毫法（mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF）。其中：1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法 容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 uF/16V 容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示 字母表示法：1m=1000 uF 1P2=1。

2PF 1n=1000PF 数字表示法：一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是倍率。 如：102表示10102PF=1000PF 224表示22104PF=0。

22 uF 3、电容容量误差表 符 号 F G J K L M 允许误差 ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20% 如：一瓷片电容为104J表示容量为0。 1 uF、误差为±5%。

6使用寿命：电容器的使用寿命随温度的增加而减小。主要原因是温度加速化学反应而使介质随时间退化。

7绝缘电阻：由于温升引起电子活动增加，因此温度升高将使绝缘电阻降低。 电容器包括固定电容器和可变电容器两大类，其中固定电容器又可根据所使用的介质材料分为云母电容器、陶瓷电容器、纸/塑料薄膜电容器、电解电容器和玻璃釉电容器等；可变电容器也可以是玻璃、空气或陶瓷介质结构。

以下附表列出了常见电容器的字母符号。 电容分类介绍 名称：聚酯（涤纶）电容（CL） 符号： 电容量：40p--4u 额定电压：63--630V 主要特点：小体积，大容量，耐热耐湿，稳定性差 应用：对稳定性和损耗要求不高的低频电路 名称：聚苯乙烯电容（CB） 符号： 电容量：10p--1u 额定电压：100V--30KV 主要特点：稳定，低损耗，体积较大 应用：对稳定性和损耗要求较高的电路 名称：聚丙烯电容（CBB） 符号： 电容量：1000p--10u 额定电压：63--2000V 主要特点：性能与聚苯相似但体积小，稳定性略差 应用：代替大部分聚苯或云母电容，用于要求较高的电路 名称：云母电容（CY） 符号： 电容量：10p--0。

1u 额定电压：100V--7kV 主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小 应用：高频振荡，脉冲等要求较。
3电容电阻的基本知识
电容电阻指电容对电流的阻碍作用。

存在于交流电路中。因为交流电能通过电容，而直流电不能通过电容。

电容电阻就是电阻和电容合并起来的说法，因为用到电阻的地方差不多都需要电容。所以就叫电容电阻。

导体对电流的阻碍作用就叫该导体的电阻。电阻在电路中起分压、分流、限流等作用。

电容是表征电容器容纳电荷的本领的物理量，非导电体的下述性质：当非导电体的两个相对表面保持某一电位差时（如在电容器中），由于电荷移动的结果，能量便贮存在该非导电体之中。电容在电路中起滤波、耦合、旁路、定时、谐振等作用。

瓷片电容的容量识别方法（根据标识计算电容容量的方法）如下：
瓷片电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。
电容的基本单位用法拉(F)表示，其它单位还有：毫法(mF)、微法 (μF)/mju:/、纳法(nF)、皮法(pF)。其中：1法拉=1000毫法(mF)，1毫法=1000微法(μF)，1微法=1000纳法 (nF)，1纳法=1000皮法(pF)
1、容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 μF/16V；
2、容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示；
字母表示法：
1m=1000μF
1P=1pF（如470P=470pF）
1P2=12PF
1n=1000PF；
数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字，第三位数字表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。
如：
102表示标称容量为10×10²pF=1000pF；
104表示标称容量为10×(10^4)pF=100000pF；
470表示标称容量为47pF；
223表示标称容量为(22×(10^3))pF（即22000pF）。
在这种表示法中有一个特殊情况，就是当第三位数字用"9"表示时，是用有效数字乘上10的-1次方来表示容量大小。
如：229表示标称容量为22x10^(-1)pF=22pF。
电容（电容器）,（Capacitor）电路缩写为C,电容单位法拉,用字母“F”表示电容是用来储存电荷的容器,简称电容器电容器是一种储能元件,在电路中用于调谐、滤波、耦合、旁路、能量转换和延时
电容器是由两片相距很近的金属中间用某介质（固、液、气体）隔离而构成的金属板也叫电容极板按其结构可分为固定电容器、半可变电容器、可变电容器三种
1． 常用电容的结构和特点
常用的电容器按其介质材料可分为电解电容器、云母电容器、瓷介电容器、玻璃釉电容等
其在电路中的符号表示：
作用是：1、存储电荷 2、隔直通交 3、滤波 4、耦合 5、旁路 等等
存储电荷:平时我们照相机的闪光灯,就是电容器储积电荷然后在一瞬间释放出来
滤波：电容器对电波或电磁波、信号等起过滤作用
电容的种类有很多,可以从原理上分为：无极性可变电容、无极性固定电容、有极性电容等,从材料上可以分为：CBB电容（聚乙烯）、聚丙稀电容、涤纶电容、瓷片电容、云母电容、独石电容、电解电容、钽电容等使用电容还有一个指标,那就用多大的容量,这就涉及到额定值读数了电解电容很容易读数,直接在上面看厂商标出容量和负极性,工作环境,最高工作电压值瓷片电容就比较难一点小于100P会标出多少P当标值为474时首先知道第一、二位是有效数值,如上例中的47,第三位代表10的指数(简单地说就是在前面两位数后面补几个0) ,如上例中的4那么474表示47×10000=470000PF
电容的单位法拉（F）,法拉这个单位很大很大我们很少用到,常用的是微法(UF)、皮法（pF）它们之间的转换为：1F=1000000 uF 1uF= 1000000 pF上面所提到的474就等于047uF
二、电容器检测的一般方法
1固定电容器的检测
A检测10pF以下的小电容 因10pF以下的固定电容器容量太小,用万用表进行测量,只能定性的检查其是否有漏电,内部短路或击穿现象测量时,可选用万用表R×10k挡,用两表笔分别任意接电容的两个引脚,阻值应为无穷大若测出阻值(指针向右摆动)为零,则说明电容漏电损坏或内部击穿
B检测10PF～001μF固定电容器是否有充电现象,进而判断其好坏万用表选用R×1k挡两只三极管的β值均为100以上,且穿透电流要小可选用3DG6等型号硅三极管组成复合管万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接由于复合三极管的放大作用,把被测电容的充放电过程予以放大,使万用表指针摆幅度加大,从而便于观察应注意的是：在测试操作时,特别是在测较小容量的电容时,要反复调换被测电容引脚接触A、B两点,才能明显地看到万用表指针的摆动C对于001μF以上的固定电容,可用万用表的R×10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电,并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量
2电解电容器的检测
A因为电解电容的容量较一般固定电容大得多,所以,测量时,应针对不同容量选用合适的量程根据经验,一般情况下,47μF间的电容,可用R×1k挡测量,大于47μF的电容可用R×100挡测量
B将万用表红表笔接负极,黑表笔接正极,在刚接触的瞬间,万用表指针即向右偏转较大偏度(对于同一电阻挡,容量越大,摆幅越大),接着逐渐向左回转,直到停在某一位置此时的阻值便是电解电容的正向漏电阻,此值略大于反向漏电阻实际使用经验表明,电解电容的漏电阻一般应在几百kΩ以上,否则,将不能正常工作在测试中,若正向、反向均无充电的现象,即表针不动,则说明容量消失或内部断路；如果所测阻值很小或为零,说明电容漏电大或已击穿损坏,不能再使用
C对于正、负极标志不明的电解电容器,可利用上述测量漏电阻的方法加以判别即先任意测一下漏电阻,记住其大小,然后交换表笔再测出一个阻值两次测量中阻值大的那一次便是正向接法,即黑表笔接的是正极,红表笔接的是负极
D使用万用表电阻挡,采用给电解电容进行正、反向充电的方法,根据指针向右摆动幅度的大小,可估测出电解电容的容量
3可变电容器的检测
A用手轻轻旋动转轴,应感觉十分平滑,不应感觉有时松时紧甚至有卡滞现象将载轴向前、后、上、下、左、右等各个方向推动时,转轴不应有松动的现象
B用一只手旋动转轴,另一只手轻摸动片组的外缘,不应感觉有任何松脱现象转轴与动片之间接触不良的可变电容器,是不能再继续使用的
C将万用表置于R×10k挡,一只手将两个表笔分别接可变电容器的动片和定片的引出端,另一只手将转轴缓缓旋动几个来回,万用表指针都应在无穷大位置不动在旋动转轴的过程中,如果指针有时指向零,说明动片和定片之间存在短路点；如果碰到某一角度,万用表读数不为无穷大而是出现一定阻值,说明可变电容器动片与定片之间存在漏电现象

电路图识别之磁珠和电感的区别篇
可能一些新的朋友在刚看维修MP3技术资料时或电路图时常会看到磁珠这个词，可在网上粗略一查，好像他和电感差不多，其实则不然下面我就说一下他们之间的区别：
磁珠的作用要从其结构来着手分析，磁珠的结构可以看成一个电阻和电感的串接（许多人容易把它和电感混淆，它和电感的区别就在于多了电阻的分量）。其作用主要是在高频率下利用电感成分反射噪声，利用电阻成分把噪音转换成热量，由此达到抑制噪声的作用。使用方法比较简单，直接插入信号线、电源线中就可以通过吸收、反射来实现抑制噪声和执行EMC对策的功能。
电感的作用:储能、滤波、阻抗、扼流、谐振和变压的作用。
电阻器识别电阻
电阻，用符号R表示。其最基本的作用就是阻碍电流的流动。衡量电阻器的两个最基本的参数是阻值和功率。阻值用来表示电阻器对电流阻碍作用的大小，用欧姆表示。除基本单位外，还有千欧和兆欧。功率用来表示电阻器所能承受的最大电流，用瓦特表示，有1/16W，1/8W，1/4W，1/2W，1W，2W等多种，超过这一最大值，电阻器就会烧坏。根据电阻器的制作材料不同，有水泥电阻（制作成本低，功率大，热噪声大，阻值不够精确，工作不稳定），碳膜电阻，金属膜电阻（体积小，工作稳定，噪声小，精度高）以及金属氧化膜电阻等等。根据其阻值是否可变可分为微调电阻，可调电阻，电位器等。可调电阻（电位器）电路符号如下：
电阻在标记它的值的方法是用色环标记法。它的识别方法如下：
色别 第一位色环
（电阻值的第一位） 第二位色环
（电阻值的第二位） 第三位色环
（乘10的倍数） 第四位色环
（表误差）
棕
1
1
10
--
红 2 2 100 --
橙 3 3 1000 --
黄 4 4 10000 --
绿 5 5 100000 --
蓝 6 6 1000000 --
紫 7 7 10000000 --
灰 8 8 100000000 --
白 9 9 1000000000 --
黑 0 0 1 --
金 -- -- 01 +-005
银 -- -- 001 +-01
无色 -- -- -- +-02
电容，用符号C表示。电容有存储电荷的作用，由于它的这个特性，决定了它有通交流阻直流，通高频阻低频的作用。因此常用作隔直，滤波，耦合。电容器的两个最基本的指标是容量和击穿电压。容量显示电容器的储存能力，有法拉（F）和微法（十的负六次方法拉）、皮法（十的负十二次方法拉）等计量单位。由于电容简单来说就是两个相互绝缘的导体，所以当电压升高到一定程度时，会击穿这层绝缘。这个极限电压就是电容器的耐压值。电容器按有无极性可分为有极性电容和无极性电容两种，在一般情况下，有极性电容的正负极不可接反。按制作材料分，电容器有铝电解电容（成本低，容量大，耐热性差，稳定性差）、钽电解电容（成本高，精度高，体积小，漏电小）、磁片电容、聚炳稀电容、纸质电容以及金属膜电容等多种。按容量是否可变分为固定电容和可调电容。无极性电容和有极性电容以及可调电容电路符号分别如下：
电感器，通俗的说就是线圈。它的基本的性质是通直流，阻交流，与电容器的性质恰恰相反。衡量电感器的最基本指标是电感量。以亨利（H）为单位，还有毫亨，微亨等。电感器可分为磁芯电感（电感量大，常用在滤波电路）和空心电感（电感量小，常用于高频电路）两种。磁芯电感的电路符号分别如右：
晶体管：最常用的有三极管和二极管两种。它对信号有放大作用。三极管以符号BG（旧）或（T）表示，二极管以D表示。按制作材料分，晶体管可分为锗管和硅管两种。按极性分，三极管有PNP和NPN两种，而二极管有P型和N型之分。多数国产管用表示，其中每一位都有特定含义：如 3 A X 31，第一位3代表三极管，2代表二极管。第二位代表材料和极性。A代表PNP型锗材料；B代表NPN型锗材料；C为PNP型硅材料；D为NPN型硅材料。第三位表示用途，其中X代表低频小功率管；D代表低频大功率管；G代表高频小功率管；A代表高频大功率管。最后面的数字是产品的序号，序号不同，各种指标略有差异。注意，二极管同三极管第二位意义基本相同，而第三位则含义不同。对于二极管来说，第三位的P代表检波管；W代表稳压管；Z代表整流管。上面举的例子，具体来说就是PNP型锗材料低频小功率管。对于进口的三极管来说，就各有不同，要在实际使用过程中注意积累资料。常用的进口管有韩国的90xx、80xx系列，欧洲的2Sx系列，在该系列中，第三位含义同国产管的第三位基本相同。
半导体晶体管的三种放大电路原理如下：
1、————共基极放大电路。它的特点是输入阻抗低，输出阻抗高，电流放大倍数小于1，不易与前级匹配。
2、————共发射极放大电路。它的特点是电流放大倍数较大，功率放大倍数更大，但在强信号是失真较大。
3、————共集电极放大电路。它的特点是输入阻抗高，输出阻抗低，常用于阻抗匹配电路，增益最小。
现在应用最多的莫过于集成电路，符号IC（Integered Circuit）。从小规模集成电路一直到大规模、超大规模乃至生物集成电路发展。它恐怕是电子元器件中种类最多的。其命名方法依厂家的不同而千差万别，两块功能和外形完全相同的集成电路由两个厂家生产出来，其型号差异极大。集成电路的特点就是内部元器件密集，可以大大减小设备的体积和增加设备的可性和易维护性。缺点就是散热问题不好解决，出了故障不易检查。要知道某一集成电路的
电容的基础知识
电容的基础知识常用电容按介质区分有纸介电容、油浸纸介电容、金属化纸介电容、云母电容、薄膜电容、陶瓷电容、电解电容等。
电容的外形
电容器上标有的电容数是电容器的标称容量。电容器的标称容量和它的实际容量会有误差。常用固定电容允许误差的等级见表2。常用固定电容的标称容量系列见表3。
电容长期可靠地工作，它能承受的最大直流电压，就是电容的耐压，也叫做电容的直流工作电压。如果在交流电路中，要注意所加的交流电压最大值不能超过电容的直流工作电压值。
表4是常用固定电容直流工作电压系列。有的数值，只限电解电容用。
由于电容两极之间的介质不是绝对的绝缘体，它的电阻不是无限大，而是一个有限的数值，一般在1000兆欧以上。电容两极之间的电阻叫做绝缘电阻，或者叫做漏电电阻。漏电电阻越小，漏电越严重。电容漏电会引起能量损耗，这种损耗不仅影响电容的寿命，而且会影响电路的工作。因此，漏电电阻越大越好。
电容的种类也很多，为了区别开来，也常用几个拉丁字母来表示电容的类别，如图2所示。第一个字母C表示电容，第二个字母表示介质材料，第三个字母以后表示形状、结构等。上面的是小型纸介电容，下面的是立式矩开密封纸介电容。表5列出电容的类别和符号。表6是常用电容的几项特性。
基础知识之上下拉电阻:
1、当TTL电路驱动COMS电路时，如果TTL电路输出的高电平低于COMS电路的最低高电平（一般为35V），这时就需要在TTL的输出端接上拉电阻，以提高输出高电平的值。
2、OC门电路必须加上拉电阻，以提高输出的高电平值。
3、为加大输出引脚的驱动能力，有的单片机管脚上也常使用上拉电阻。
4、在COMS芯片上，为了防止静电造成损坏，不用的管脚不能悬空，一般接上拉电阻产生降低输入阻抗，提供泄荷通路。
5、芯片的管脚加上拉电阻来提高输出电平，从而提高芯片输入信号的噪声容限增强抗干扰能力。
6、提高总线的抗电磁干扰能力。管脚悬空就比较容易接受外界的电磁干扰。
7、长线传输中电阻不匹配容易引起反射波干扰，加上下拉电阻是电阻匹配，有效的抑制反射波干扰。
现代计算机使用的数字逻辑电路都是用高低电平来代表数值0和1，使用时钟发生器产生时序信号来将电平信号划分为一个一个的数值。至于用高电平代表1、低电平代表0还是用高电平代表0、低电平代表1，就要看电路设计时的定义了。不过一般来说都是用高电平代表1、低电平代表0。你看电路图上信号引脚名称上有跟横线的就表示低电平有效，其它的都是高电平有效。
常用的逻辑电平
·逻辑电平：有TTL、CMOS、LVTTL、ECL、PECL、GTL；RS232、RS422、LVDS等。
·其中TTL和CMOS的逻辑电平按典型电压可分为四类：5V系列（5V TTL和5V CMOS）、33V系列，25V系列和18V系列。
·5V TTL和5V CMOS逻辑电平是通用的逻辑电平。
·33V及以下的逻辑电平被称为低电压逻辑电平，常用的为LVTTL电平。
·低电压的逻辑电平还有25V和18V两种。
1，TTL电平：
输出高电平>24V,输出低电平<04V。在室温下，一般输出高电平是35V，输出低电平是02V。最小输入高电平和低电平：输入高电平>=20V，输入低电平<=08V，噪声容限是04V。
2，CMOS电平：
1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。
3，电平转换电路：
因为TTL和COMS的高低电平的值不一样（ttl 5v<＝＝>cmos 33v），所以互相连接时需要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压。
4，OC门，即集电极开路门电路，OD门，即漏极开路门电路，必须外界上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱动门电路。
5，TTL和COMS电路比较：
1）TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。
2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。
COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。
COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。
6 计算机串行接口采用RS232标准：规定逻辑1的电平为-3~-15V，逻辑0的电平为+3~+15V。
7还有
电路图中Vcc和Vdd的解释
Vcc和Vdd是器件的电源端。Vcc是双极器件的正，Vdd多半是单级器件的正。下标可以理解为NPN晶体管的集电极C，和PMOS or NMOS场效应管的漏极D。同样你可在电路图中看见Vee和Vss，含义一样。因为主流芯片结构是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP结构Vcc就为负了。荐义选用芯片时一定要看清电气参数。
Vcc 来源于集电极电源电压, Collector Voltage, 一般用于双极型晶体管, PNP 管时为负电源电压, 有时也标成 -Vcc, NPN 管时为正电压
Vdd 来源于漏极电源电压, Drain Voltage, 用于 MOS 晶体管电路, 一般指正电源 因为很少单独用 PMOS 晶体管, 所以在 CMOS 电路中 Vdd 经常接在 PMOS 管的源极上
Vss 源极电源电压, 在 CMOS 电路中指负电源, 在单电源时指零伏或接地
Vee 发射极电源电压, Emitter Voltage, 一般用于 ECL 电路的负电源电压
Vbb 基极电源电压, 用于双极晶体管的共基电路
IC定义
IC ＝ Integrated circuit
集成电路，按你的说法，主控IC＝主控芯片，亦即IC＝“芯片”。