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关于电容_03片状钽电容的失效分析

靓丽的黄蜂
含蓄的小蜜蜂
2023-05-08 19:59:51

关于电容_03片状钽电容的失效分析

最佳答案
粗犷的盼望
迷人的小海豚
2025-07-18 08:44:44

固体钽电容最大的有点是对环境变化反应“迟钝”。 早期的钽电容失效主要是两个因素造成的,最明显的是由于极性接反引起的击穿失效,这种失效多在研发阶段,由于设计和测试不当引起的,所以禁止使用万用表电阻档对片状钽电容电路或其本身进行不分极性的电阻测试。另外一种较为隐避的失效通常在实际工作时出现,其原因是由于焊接温度过高,焊接持续时间过长,导致钽电容内钽丝与阳极引线熔焊的焊锡受热流,形成多余物,造成短路失效。随着钽电容的贴片化和工艺水平的提高,这种失效已经可以控制并消除,同时更为深层次的失效原因也开始暴露。在实际生产和使用中我们发现,片状钽电容失效呈现以下特点:  ( 1 )容值较大的片状钽电容比容值较小的片状钽电容更容易失效;  ( 2 ) 片状钽电容失效多发生在固定的位置,或固定的电路中,譬如电源滤波电路中;  ( 3 ) 电源滤波电路中第一个钽电容最易失效;  ( 4 ) 在I C T、测试时的上电瞬间片状钽电容最容易失效;  (5 ) 老化过程中钽电容容易失效;  ( 6 ) 散热较差的区域片状钽电容更容易失效;  ( 7 ) 浪涌情况下片状钽电容更容易失效。  总结以上现象,主要导致片状钽电容失效的因素为容值、温度和浪涌。(1)、容值如何引起片状钽电容的失效 随着片状钽电容容值的增大,体积将增大,耐压值和串联阻抗却会降低。因此较小容值的片状钽电容具有较高的耐压值,所以不易失效。本质也就是在于耐压值对钽电容失效的影响。在固体片状钽电容上加高电压,内部形成高的电场,易于局部击穿,使其失效,也就是常说的“场致失效”。因此为提高可靠性,需降额50%处理。 (2)、温度如何引起片状钽电容的失效 “热致效应”。通常采取增加降额和运用“缓启动”电路来提高可靠性,同时避免较高的环境温度,远离热源。 (3)、浪涌如何导致片状钽电容的失效 浪涌电流的大小决定于电压上升的速率,上电时的浪涌电流施加到输入电容时,电容承受浪涌的能力依赖于它的额定电压。串联电阻可以降低浪涌电流的峰值,但同时增加了阻尼电阻,降低了电路的Q值。 在低阻抗电路中,电流瞬态冲击峰值取决于片状钽电容内部的ESR,承受相同的冲击电流,ESR低的片状钽电容比ESR高的失效可能性大。因为片状钽电容容值越高,体积越大,等效ESR就越小,较小体积的片状钽电容内部有较高的ESR,它本身就限制了最大浪涌电流。因此,大容值的片状钽电容通常由多个小容值的并联代替。 (4)、制造工艺对片状钽电容失效率的影响纯度、电介质的厚度、片状钽电容的密封材料、MnQ2的平坦度。未完待续。。。。。。

最新回答
精明的含羞草
安详的溪流
2025-07-18 08:44:44

连接器上锡不良的主要表现为引脚下表面与焊点不相接,导致此失效的原因有两方面:①过炉过程中存在热变形;②过炉过程中连接器引脚温度偏低,影响润湿性能。
由成分分析可排除上锡不良与外来污染的相关性;通过剖面分析和引脚剥离后分析可知,NG焊点为假焊,内部表现为引脚与焊锡之间出现分层,分层中存在大量助焊剂残留,且焊锡在焊盘上呈圆滑状分布,说明在过炉过程中,引脚与焊锡未接触,而通常导致焊点分层的主要原因有三点:①连接器引脚可焊性较差;②连接器引脚共面性存在问题;③炉温设置不当。
通过可焊性验证分析,可排除连接器引脚本身可焊性差问题;根据对引脚在过炉过程中的变形量测试结果可知,该连接器在室温状态下均满足共面性小于01mm的规范要求,但个别连接器中间位置引脚在220℃或峰值温度时,会发生较大热变形,超过012mm的锡膏印刷厚度,导致在过炉过程中引脚与焊锡间未接触,造成引脚上锡不良;通过炉温验证可知,连接器上引脚的实测温度相比于其他元器件引脚的峰值温度偏低,相差8℃,较低的峰值温度会对润湿能力产生不良影响,影响引脚的上锡性

单纯的香菇
怕黑的嚓茶
2025-07-18 08:44:44
一、瓷介电容内部的结瘤问题
结瘤问题是瓷介电容制造过程中,金属化电极材料涂敷不均匀导致的金属化电极堆积变形所形成的。由于金属化电极的变形会导致瓷介介质变形,从而使电容器的介质变薄而使击穿电压下降。金属化电极的变形也可导致电容在加电时电场不均匀而击穿失效。
二、 瓷介电容器内部的介质空洞问题
介质空洞是瓷介电容器内部常见的问题,它是瓷介电容器在制造过程中瓷介质的空洞所造成的。它对此介电容器的使用可靠性的主要影响是:
1、空洞的存在会导致瓷介电容器局部击穿电压降低而导致击穿失效或两个电极之间的绝缘电阻降低。
2、在电压较高时会使空洞处的空气电离化而产生漏电通道而漏电失效。
三、瓷介电容器内部的分层问题
瓷介电容器内部的分层问题也是瓷介电容器内部常见的问题,它是瓷介电容器在制造过程中瓷介质与金属化电极之间接触不紧密所造成的。它对介电容器的使用可靠性的主要影响是:
1、可导致电容的击穿电压下降,也可导致两个极之间的绝缘下降。
2、分层问题可导致瓷介电容器的抗机械能力进一步下降。
四、 瓷介电容器的电极与电容主体接触不好
这种问题是瓷介电容在制造过程中电极与电容主体之间烧焊工艺不好所造成的。这种接触不好在应用过程中会造成电容器的开路和接触电阻增大失效。智旭JEC专业制造安规电容,压敏电阻,独石电容,薄膜电容,涤纶电容,高压电容,更多品质电容尽在JEC。

尊敬的西牛
单纯的微笑
2025-07-18 08:44:44
1贴片电容内部烧毁可能是在板边或者容易受力折弯部分,受力导致内部陶瓷层与电极层错开,会引起不稳定性,此种失效模式在业界称为Bending crack。 此种失效模式下,电容内部发生轻微裂痕,外观无法观察,需要切片或是在100X显微镜下观察可发现;
表现为Capacitance不稳定,用Anglent 4287测试容值发生变化(一般是变小),但IR仍然存在,不会为0,受热或是压力后,不良可能消失,但后续可再现不良,其原因为电容内部电极部分(镍层)断开错位,导致不稳定性短路,导致电极烧毁。
2此种失效模式在X-RAY下进行观察,也可以做贴片进行分析。

甜美的钥匙
娇气的电脑
2025-07-18 08:44:44
中周内部的垫振电容,很少坏的。
短路和漏电,可用万用表的高阻挡测试,因为它的容量很小,只有几P到几十P,把它与好的瓷片电容对比电阻值就可知道,它和电解电容不好测试漏电不一样。
至于失效,你可把电容放入中周谐振电路中,用频谱仪在线路工作时候用探头对准谐振中周测试它的波形的中心频率,示波器在振荡弱的时候不好测试,同时往往只要搭上探头频率就会改变。也可用于一个产生准确的你的中周455或465KHz的信号源,用示波器看有没有被削弱或变形。如果没有示波器,只能从中周后面的解调或检波中的低频信号中听声音大小,把它与正常的做比较。如果你什么都没有,只有采用替换法试试。
不要用LC表电容表测试,这个东西没有你现成的中周谐振电路准。

帅气的小伙
复杂的龙猫
2025-07-18 08:44:44
电子元器件的主要失效模式包括但不限于开路、短路、烧毁、爆炸、漏电、功能失效、电参数漂移、非稳定失效等
对于硬件工程师来讲电子元器件失效是个非常麻烦的事情,比如某个半导体器件外表完好但实际上已经半失效或者全失效会在硬件电路调试上花费大把的时间,有时甚至炸机
今天主要说的是电容器,电阻器和电感
电容器失效模式与机理电容器的常见失效模式有:击穿短路;致命失效开路;致命失效电参数变化(包括电容量超差、损耗角正切值增大、绝缘性能下降或漏电流上升等);部分功能失效漏液;部分功能失效引线腐蚀或断裂;致命失效绝缘子破裂;致命失效绝缘子表面飞弧;部分功能失效,引起电容器失效的原因是多种多样的
各类电容器的材料、结构、制造工艺、性能和使用环境各不相同,失效机理也各不一样
引起电容器击穿的主要失效机理①电介质材料有疵点或缺陷,或含有导电杂质或导电粒子;②电介质的电老化与热老化;③电介质内部的电化学反应;④银离子迁移;⑤电介质在电容器制造过程中受到机械损伤;⑥电介质分子结构改变;⑦在高湿度或低气压环境中极间飞弧;⑧在机械应力作用下电介质瞬时短路
电容过电压失效的防范电容器在过压状态下容易被击穿,而实际应用中的瞬时高电压是经常出现的
选择承受瞬时过电压性能好的电容器,找原厂制造安全可靠
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电阻器失效模式与机理失效机理:是导致失效的物理、化学、热力学或其他过程
1、电阻器的主要失效模式与失效机理为1)开路:主要失效机理为电阻膜烧毁或大面积脱落,基体断裂,引线帽与电阻体脱落
2)阻值漂移超规范:电阻膜有缺陷或退化,基体有可动钠离子,保护涂层不良
3)引线断裂:电阻体焊接工艺缺陷,焊点污染,引线机械应力损伤
4)短路:银的迁移,电晕放电
电感失效分析电感器失效模式:电感量和其他性能的超差、开路、短路模压绕线片式电感失效机理:1磁芯在加工过程中产生的机械应力较大,未得到释放2磁芯内有杂质或空洞磁芯材料本身不均匀,影响磁芯的磁场状况,使磁芯的磁导率发生了偏差;3由于烧结后产生的烧结裂纹;4铜线与铜带浸焊连接时,线圈部分溅到锡液,融化了漆包线的绝缘层,造成短路;5铜线纤细,在与铜带连接时,造成假焊,开路失效