你知道那些关于陶瓷电容的知识

特点及用途：
☆ 金属化聚酯膜卷绕，无感式结构
☆ 环氧树脂包封，CP线单向引出
☆ 自愈性能好，绝缘电阻高，电容量稳定
☆ 适用于直流和脉动电路，广泛应用于各种电子电器电工设备的滤波、隔直、旁路、耦合和降噪等场合
技术要求：
☆ 引用标准：GB 7335
☆ 气候类别：55/085/21
☆ 额定电压：100V/160V、250V、400V、630V
☆ 电容量范围：001-10μF
☆ 电容量偏差：J(±5%), K(±10%)
☆ 耐电压：160UR(5s)
☆ 绝缘电阻：CR≤033μF, ≥10000MΩ (20℃, 1min)
CR>033μF, ≥5000MΩ·μF (20℃, 1min)
☆ 损耗角正切：≤10%(20℃,1KHz)
1． 金属化聚酯膜电容器CL21X
容量范围:001UF – 22UF
额定电压:50VDC- 100VDC
2． 金属化内串式聚丙烯电容器CBB221(高压型MPEH)
容量范围:001UF – 047UF
额定电压:50VDC- 100VDC
3． 金属化聚酯膜电容器CL21(含浸型MEF)
容量范围:0001UF – 68UF
额定电压:100VDC- 630VDC
4 金属化聚丙烯膜电容器CBB22(含浸型MPF)
容量范围:0001UF – 33UF
额定电压:100VDC- 630VDC
5 金属箔 金属化复合电极聚丙烯膜电容器CBB81(高压型PPS)
容量范围:000033UF – 022UF
额定电压:630VDC- 2000VDC
6 盒式金属化内串式聚丙烯膜电容器CBB82(盒式高压PPC)
容量范围:001UF – 0 22UF
额定电压:1000VDC- 2000VDC
7金属箔式聚酯膜电容器CL11(有感PEI)
容量范围:0001UF – 047UF
额定电压:100VDC- 1200VDC
8金属膜化聚丙烯膜抗干扰电容器MKP61(X2类)
容量范围:00047UF – 10UF
额定电压:250VAC- 275VAC
9高压金属化聚丙烯膜电容器MKP81
容量范围:00033UF – 2UF
额定电压:1000VDC- 1600VDC
10盒式金属化聚酯膜电容器CL21H(盒式型MEC)
容量范围:0001UF – 68UF
额定电压:63VDC- 630VDC
11金属化聚丙烯膜交流电机电容器CBB61
容量范围:05UF – 10UF
额定电压:250VAC- 450VAC
12塑壳式金属化聚酯薄膜电容器CL23
容量范围:0001UF – 10UF
额定电压:50VDC- 400VDC
13轴向金属化聚酯电容器CL20
容量范围:0001UF – 10UF
额定电压:100VDC- 630VDC
14 轴向金属化聚丙烯膜电容器CBB20
容量范围:0001UF – 10UF
额定电压:100VDC- 630VDC
15 金属化聚丙烯膜交流电容器CBB62 (含浸型盒式型)
容量范围:0001UF – 10UF
额定电压:125VAC- 600VAC
16 金属箔式聚酯膜电容器CL12(无感型PEN)
容量范围:0001UF – 047UF
额定电压:50VDC- 100VDC
16 金属箔式聚酯,聚丙烯复合膜电容器CH11
容量范围:0001UF – 01UF
额定电压:63VDC- 1200VDC
17 金属化聚酯膜交流电容器CL61(含浸型,盒式型)
容量范围:0001UF – 47UF
额定电压:125VAC- 300VAC
18 金属化聚丙烯膜交流电动机电容器CBB65
容量范围:4UF – 100UF
额定电压:110VAC- 450VAC

104是01uF，103是001uF
一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是倍率。
如：102表示10×10的2次方PF=1000PF 224表示22×10的4次方PF=022 uF

不知道大家在说什么，陶瓷电容的耐温问题是这样的：如果单从材料本身的耐温上来说贴片电容耐温125度以上肯定没问题；但是如果考虑到产品的正常使用就不能这么说了，因为125度是一般的电容的居里温度；目前也有耐高温的产品可达200度。

相信大家都知道热门电容中，瓷片电容占的比例也较多
在回路以及旁路电容器中瓷片电容都是必不可少的，瓷片电容都是由陶瓷材料烧制而成的
虽然材质都是一样的，但在不同电路中所运用的瓷片电容规格也是不一样的
规格一:1000V-6000V高频瓷片电容高频瓷片电容一般主要都是运用于较高稳定振荡的回路中，因此其在稳定性方面要求是比较高的，如比较常见的耦合电容以及高压旁路就会选择用高频瓷片电容
最主要的优点就是可以耐受高温以及耐磨性比较强，如日常生活中常见的电视接收机上就会使用高压瓷片电容
规格二:50V以下低频瓷片电容低频瓷片电容主要是运用在一些工作频率比较低的回路中，在这类型的回路中往往对于电容的稳定性以及损耗的程度要求都不是很高
尤其是在一些脉冲比较强的电路中是不能使用低频瓷片电容的，否则很有可能会被电压直接击穿
二者的差异比较二者不同类型的瓷片电容规格识别可以直接通过电容器或者是电路来进行判断
一般来说可以耐受高压，绝缘性比较好，而且比较可靠，运用于高压电路中的就属于高频瓷片电容
而低频瓷片电容相比较而言可靠性以及成本都比较低，多数时候都是运用于一些低频电路以及耦合电路等的电容器中
快速识别方法一般来说在音频控制器以及分频器上使用的电容都是高频瓷片电容，因为其容量会比较大，通过金属塑料薄膜的使用可以获得更佳的音质
其次就是在滤波电容中，其容量的特性决定了使用电解电容的效果会比较好，但在使用的过程中还要注意抑制高频阻抗不断上升的情况
所以针对瓷片电容规格的识别来说，可以通过判断回路的电压以及特性就可以快速鉴别出其所使用的瓷片电容，同时在进行识别的时候也可以参照电阻的规格识别方法

01微法。一般瓷片电容01微法。电容（Capacitance）是“电容量”的简称，用于表征电子元件在给定电势差下的储电能力，常用字母C表示。电容的国际标准单位为法拉（F）。电荷在电场作用下会移动；当导体之间填充介质时，介质会阻碍电荷移动，并使得电荷在导体上积累和储存，这种储存的电荷量被称为“电容”，而相应存储电荷的电子元件被称为“电容器”。

瓷片电容技术的发展历程：1900年意大利L隆巴迪发明陶瓷介质电容；30年代末人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长，因而制造出较便宜的瓷介质电容；1940年前后人们发现了现在的瓷片电容技术参数的主要原材料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性后，开始将瓷片电容技术参数使用于对既小型、精度要求又极高的军事用电子设备当中
1960年左右陶瓷叠片电容作为商品开始开发
1970年，随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来，瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件，而其中技术参数也是学者们研究的重点
现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容市场的70%左右
因为陶瓷介质电容的绝缘体材料主要使用陶瓷，其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠
陶瓷材料有几个种类
自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后，高介电系数的PB（铅）退出瓷片电容技术参数领域，现在主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等
和其它的电容相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点
由于原材料丰富，结构简单，价格低廉，而且电容量范围较宽（一般有几个PF到上百μF），损耗较小，电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整
瓷片电容技术参数品种繁多，外形尺寸相差甚大从0402（约1×05mm）封装的贴片电容到大型的功率瓷片电容
按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体瓷片电容；按无功功率大小可分为低功率、高功率瓷片电容；按工作电压可分为低压和高压瓷片电容；按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等
瓷片电容的分类：瓷片电容技术参数从介质类型主要可以分为两类，即Ⅰ类瓷片电容技术参数和Ⅱ类瓷片电容技术参数
Ⅰ类瓷片电容技术参数（ClassⅠceramiccapacitor），过去称高频瓷片电容技术参数（High-freqencyceramiccapacitor），是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容
它特别适用于谐振回路，以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路，或用于温度补偿
Ⅱ类瓷片电容技术参数（ClassⅡceramiccapacitor）过去称为为低频瓷片电容技术参数（Lowfrequencycermiccapacitor），指用铁电陶瓷作介质的电容，因此也称铁电瓷片电容技术参数
这类电容的比电容大，电容量随温度呈非线性变化，损耗较大，常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中
常见的Ⅱ类瓷片电容技术参数有：X7R、X5R、Y5V、Z5U其中：X7R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字7位最高工作温度+125℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；X5R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；Y5V表示为：第一位Y为最低工作温度-30℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%，-82%±15%
Z5U表示为：第一位Z为最低工作温度+10℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%，-56%