瓷片电容规格识别

电容在电路中一般用“C”加数字表示，电容是由两片金属膜紧靠，中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。 电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。

电容的容量标识的几种方法：

一、直接标识：如上图的电解电容，容量47uf，电容耐压25v。

二、使用单位nF：10n=001uF；33n=0033uF。后面的63是指电容耐压63v。

三、数学计数法：

如果标值473，即为47X1000pF=0047uF。（后面的4、3，都表示10的多少次方）。          又如： 332=33X100pF=3300pF                    

102=10×102pF=1000pF                    

224=22×104pF=022 uF

电容的介绍：

在各种电子设备中，调谐、耦合、滤波、去耦、隔断直流电、旁路交流电等，都需要用到电容器。电容器通常叫做电容。电容的种类很多，按结构形式来分，有固定电容、半可变电容、可变电容。常用电容按介质区分有纸介电容、油浸纸介电容、金属化纸介电容、云母电容、薄膜电容、陶瓷电容、电解电容、铝电解电容、钽、铌电解电容等。

陶瓷电容器是介质材料为陶瓷的电容器，根据陶瓷材料的不同，可以分为低频陶瓷电容器和高频陶瓷电容器两类
按结构形式分类，又可分为圆片状电容器、管状电容器、矩形电容器、片状电容器、穿心电容器等多种
电容就像水杯一样，越大的水杯，装的水越多
电容尺寸越大，容量越大
电容的容量单位是F，基本单位还有pF、nF和uF
电容中存储的电量是“容值x电压”
这个电压指的是耐压值，就是电容能充电充到多少伏
电量和容值成正比，和电压成正比，和体积也成正比
一般陶瓷电容起步容量有05pF的，并且根据瓷片的不同尺寸和容量也会不同，常用的0402电容大一般是10uF，0805的电容大一般是47uF
大容量可达100UF，例如日本的一间公司成功研制出电容量大为100μF，高耐压为25V的大容量陶瓷电容，该产品可用于液晶显示器的电源线路
选购电容器不能一味的选择大容量，选择合适的才是正确的，例如0402电容可以做到10uF10V，0805的电容可以做到47uF10V，但是为了好采购、成本低，一般都不会顶格选电容，一般推荐0402选47uF，0603选10uF，0805选22uF
因此一定要结合自身电路需求去选择合适的电容器，不要盲目选择大容量的电容

我来说吧：铝电解，漏电较大（我的意思是还可以，半个月好的铝电解可以保持90%的电量）温度：-40~85、105容量范围01~100000，耐压还蛮高的最高也有几百伏
钽电容：比铝电解好很多，主要是不怕热，-40~150，但是容量不大，成本高。因为钽粉很贵啊。容量001~2000μF左右
陶瓷电容：其实就是瓷片电容，它温度不限（不过一般达不到的很恶劣。呵呵）容量是：01μF~1pF
涤纶电容统称为聚合物薄膜电容（质量好的聚合物电容：MKP、MKT）容量在22μF~1000pF左右。温度不要超过150。焊接的时间不可以太长
贴片电容，不同的厂家有不同的制造方法，焊接的时间也不可以太长。温度在80以下。容量最大不会超过1μF。个别除外
还有补充：
超级电容：容量大。但是现在不支持大电流放电。不然会损坏的。点击时采用碳电极，原理像充电电池。应为碳电极的表面面积大。容量也大大约在1F~2000F。呵呵不可思议吧，但是耐压小12~36V最小的我看到的有12V
还有独石电容。没有温度系数。很稳定。容量想聚合物薄膜电容差不多的
哎呀~~~手都打酸了。呵呵呵
详情可以看百科的电容词条。有很详细的解释的，上面是我的经验，我已经内化了。呵呵~~~希望可以帮到你。不同材质的电容有不同的通途哦~~~~~

瓷片电容的容量识别方法（根据标识计算电容容量的方法）如下：
瓷片电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。
电容的基本单位用法拉(F)表示，其它单位还有：毫法(mF)、微法 (μF)/mju:/、纳法(nF)、皮法(pF)。其中：1法拉=1000毫法(mF)，1毫法=1000微法(μF)，1微法=1000纳法 (nF)，1纳法=1000皮法(pF)
1、容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 μF/16V；
2、容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示；
字母表示法：
1m=1000μF
1P=1pF（如470P=470pF）
1P2=12PF
1n=1000PF；
数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字，第三位数字表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。
如：
102表示标称容量为10×10²pF=1000pF；
104表示标称容量为10×(10^4)pF=100000pF；
470表示标称容量为47pF；
223表示标称容量为(22×(10^3))pF（即22000pF）。
在这种表示法中有一个特殊情况，就是当第三位数字用"9"表示时，是用有效数字乘上10的-1次方来表示容量大小。
如：229表示标称容量为22x10^(-1)pF=22pF。
电容（电容器）,（Capacitor）电路缩写为C,电容单位法拉,用字母“F”表示电容是用来储存电荷的容器,简称电容器电容器是一种储能元件,在电路中用于调谐、滤波、耦合、旁路、能量转换和延时
电容器是由两片相距很近的金属中间用某介质（固、液、气体）隔离而构成的金属板也叫电容极板按其结构可分为固定电容器、半可变电容器、可变电容器三种
1． 常用电容的结构和特点
常用的电容器按其介质材料可分为电解电容器、云母电容器、瓷介电容器、玻璃釉电容等
其在电路中的符号表示：
作用是：1、存储电荷 2、隔直通交 3、滤波 4、耦合 5、旁路 等等
存储电荷:平时我们照相机的闪光灯,就是电容器储积电荷然后在一瞬间释放出来
滤波：电容器对电波或电磁波、信号等起过滤作用
电容的种类有很多,可以从原理上分为：无极性可变电容、无极性固定电容、有极性电容等,从材料上可以分为：CBB电容（聚乙烯）、聚丙稀电容、涤纶电容、瓷片电容、云母电容、独石电容、电解电容、钽电容等使用电容还有一个指标,那就用多大的容量,这就涉及到额定值读数了电解电容很容易读数,直接在上面看厂商标出容量和负极性,工作环境,最高工作电压值瓷片电容就比较难一点小于100P会标出多少P当标值为474时首先知道第一、二位是有效数值,如上例中的47,第三位代表10的指数(简单地说就是在前面两位数后面补几个0) ,如上例中的4那么474表示47×10000=470000PF
电容的单位法拉（F）,法拉这个单位很大很大我们很少用到,常用的是微法(UF)、皮法（pF）它们之间的转换为：1F=1000000 uF 1uF= 1000000 pF上面所提到的474就等于047uF
二、电容器检测的一般方法
1固定电容器的检测
A检测10pF以下的小电容 因10pF以下的固定电容器容量太小,用万用表进行测量,只能定性的检查其是否有漏电,内部短路或击穿现象测量时,可选用万用表R×10k挡,用两表笔分别任意接电容的两个引脚,阻值应为无穷大若测出阻值(指针向右摆动)为零,则说明电容漏电损坏或内部击穿
B检测10PF～001μF固定电容器是否有充电现象,进而判断其好坏万用表选用R×1k挡两只三极管的β值均为100以上,且穿透电流要小可选用3DG6等型号硅三极管组成复合管万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接由于复合三极管的放大作用,把被测电容的充放电过程予以放大,使万用表指针摆幅度加大,从而便于观察应注意的是：在测试操作时,特别是在测较小容量的电容时,要反复调换被测电容引脚接触A、B两点,才能明显地看到万用表指针的摆动C对于001μF以上的固定电容,可用万用表的R×10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电,并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量
2电解电容器的检测
A因为电解电容的容量较一般固定电容大得多,所以,测量时,应针对不同容量选用合适的量程根据经验,一般情况下,47μF间的电容,可用R×1k挡测量,大于47μF的电容可用R×100挡测量
B将万用表红表笔接负极,黑表笔接正极,在刚接触的瞬间,万用表指针即向右偏转较大偏度(对于同一电阻挡,容量越大,摆幅越大),接着逐渐向左回转,直到停在某一位置此时的阻值便是电解电容的正向漏电阻,此值略大于反向漏电阻实际使用经验表明,电解电容的漏电阻一般应在几百kΩ以上,否则,将不能正常工作在测试中,若正向、反向均无充电的现象,即表针不动,则说明容量消失或内部断路；如果所测阻值很小或为零,说明电容漏电大或已击穿损坏,不能再使用
C对于正、负极标志不明的电解电容器,可利用上述测量漏电阻的方法加以判别即先任意测一下漏电阻,记住其大小,然后交换表笔再测出一个阻值两次测量中阻值大的那一次便是正向接法,即黑表笔接的是正极,红表笔接的是负极
D使用万用表电阻挡,采用给电解电容进行正、反向充电的方法,根据指针向右摆动幅度的大小,可估测出电解电容的容量
3可变电容器的检测
A用手轻轻旋动转轴,应感觉十分平滑,不应感觉有时松时紧甚至有卡滞现象将载轴向前、后、上、下、左、右等各个方向推动时,转轴不应有松动的现象
B用一只手旋动转轴,另一只手轻摸动片组的外缘,不应感觉有任何松脱现象转轴与动片之间接触不良的可变电容器,是不能再继续使用的
C将万用表置于R×10k挡,一只手将两个表笔分别接可变电容器的动片和定片的引出端,另一只手将转轴缓缓旋动几个来回,万用表指针都应在无穷大位置不动在旋动转轴的过程中,如果指针有时指向零,说明动片和定片之间存在短路点；如果碰到某一角度,万用表读数不为无穷大而是出现一定阻值,说明可变电容器动片与定片之间存在漏电现象

瓷片电容技术的发展历程：1900年意大利L隆巴迪发明陶瓷介质电容；30年代末人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长，因而制造出较便宜的瓷介质电容；1940年前后人们发现了现在的瓷片电容技术参数的主要原材料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性后，开始将瓷片电容技术参数使用于对既小型、精度要求又极高的军事用电子设备当中
1960年左右陶瓷叠片电容作为商品开始开发
1970年，随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来，瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件，而其中技术参数也是学者们研究的重点
现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容市场的70%左右
因为陶瓷介质电容的绝缘体材料主要使用陶瓷，其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠
陶瓷材料有几个种类
自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后，高介电系数的PB（铅）退出瓷片电容技术参数领域，现在主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等
和其它的电容相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点
由于原材料丰富，结构简单，价格低廉，而且电容量范围较宽（一般有几个PF到上百μF），损耗较小，电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整
瓷片电容技术参数品种繁多，外形尺寸相差甚大从0402（约1×05mm）封装的贴片电容到大型的功率瓷片电容
按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体瓷片电容；按无功功率大小可分为低功率、高功率瓷片电容；按工作电压可分为低压和高压瓷片电容；按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等
瓷片电容的分类：瓷片电容技术参数从介质类型主要可以分为两类，即Ⅰ类瓷片电容技术参数和Ⅱ类瓷片电容技术参数
Ⅰ类瓷片电容技术参数（ClassⅠceramiccapacitor），过去称高频瓷片电容技术参数（High-freqencyceramiccapacitor），是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容
它特别适用于谐振回路，以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路，或用于温度补偿
Ⅱ类瓷片电容技术参数（ClassⅡceramiccapacitor）过去称为为低频瓷片电容技术参数（Lowfrequencycermiccapacitor），指用铁电陶瓷作介质的电容，因此也称铁电瓷片电容技术参数
这类电容的比电容大，电容量随温度呈非线性变化，损耗较大，常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中
常见的Ⅱ类瓷片电容技术参数有：X7R、X5R、Y5V、Z5U其中：X7R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字7位最高工作温度+125℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；X5R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；Y5V表示为：第一位Y为最低工作温度-30℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%，-82%±15%
Z5U表示为：第一位Z为最低工作温度+10℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%，-56%