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请问高压瓷片电容有什么作用啊

沉默的秋天
秀丽的小天鹅
2023-05-07 15:38:11

请问高压瓷片电容有什么作用啊?

最佳答案
靓丽的小蝴蝶
文艺的白羊
2025-07-07 21:16:17

具有耐磨直流高压的特点,适用于高压旁路和耦合电路中,其中的低耗损高压圆片具有较低的介质损耗,特别适合在电视接收机和扫描等电路中使用。高压瓷片电容只要针对于高频,高压瓷片电容取决于你使用在什么场合,典型作用可以消除高频干扰。高压瓷片电容优点1容量损耗随温度频率具高稳定性2特殊的串联结构适合于高电压极长期工作可靠性3高电流爬升速率并适用于大电流回路无感型结构 识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同,分直标法、色标法和数标法3种。221表示标称容量为220pF。 224表示标称容量为22x10(4)pF。 在这种表示法中有一个特殊情况,就是当第三位数字用"9"表示时,是用有效数字乘上10的-1次方来表示容量大小。

最新回答
勤奋的斑马
震动的大船
2025-07-07 21:16:17

瓷片电容是瓷片电容又称圆片瓷介电容分为高压瓷片电容和低压瓷片电容等,高压瓷片电容有哪些特点瓷片电容规格有哪些呢,下面我来向你介绍!

一、高压瓷片电容

高压瓷片电容器,就是以陶瓷材料为介质的电容器。高压瓷片电容器,一个主要的特点就是耐压高。 高压瓷片电容就是以陶瓷材料为介质的圆板电容器,在“瓷片”电容器中一般DC50v以下叫低压,DC100V~500V为中高压,DC1000v~6000v和为高压,安规Y电容也是属于高压,DC6000v以上为超高压。

2KV、3KV电压很常见。常用于高压场合。

高压瓷片电容作用具有耐磨直流高压的特点,适用于高压旁路和耦合电路中,其中的低耗损高压圆片具有较低的介质损耗,特别适合在电视接收机和扫描等电路中使用。

二、瓷片电容规格有哪些

瓷片电容用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质,在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成的电容器。

瓷片电容(瓷介电容)作用主要有三个方面:

1容量损耗随温度频率具高稳定性;2特殊的串联结构适合于高电压极长期工作可靠性 ;3高电流爬升速率并适用于大电流回路无感型结构。通常用于高稳定振荡回路中,作为回路、旁路电容器及垫整电容器如消除高频干扰。

瓷片电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿。

陶瓷有I类瓷,II类瓷,III类瓷之分,I类瓷,NP0,温度特性,频率特性和电压特性佳,因介电常数不高,所以容量做不大;II类瓷,X7R次之,温度特性和电压特性较好;III类瓷,介电常数高,所以容量可以做很大,但温度特性和电压特性不太好。

瓷片电容器一般体积不大。另外,再强调一个重要特点:瓷介电容器击穿后,往往呈短路状态。(这是它的弱点)而薄膜电容器失效后,一般呈开路状态

瓷片电容规格Ⅱ类瓷也叫做高介电常数型(High Dielectric Constant Type),是适用于作旁路、耦合或用在对损耗 和电容量稳定性要求不高的电路中的具有高介电常数的一种电容器。该类陶瓷介质是以在类别温度 范围内电容量非线性变化来表征。其特性符合以下标准:

用途:1) 旁路和耦合;2) 对 Q 值 和容量稳定性要求一般的分步电路。

三、电容的识别方法

电容器耐压的标注有一种是采用一个数位和一个字母组合而成。数位表示10的幂指数,字母表示数值,单位是V(伏)。

字母 A B C D E F G H J K Z

耐压值 10 125 16 20 25 315 40 50 63 80 90

1J代表 6310=63V 2G代表 40100=400V 3A代表 101000=1000V

由于电容体积要比电阻大,

所以一般都使用直接标称法。如果是 10n,那么就是10nF,同样100p就是100pF。如果是4n7就是47nF,

不标单位的直接标记法:用1~4位元数位表示,即指数标识,容量单位 为pF,如独石和一些瓷片电容,一般就用指数形式,471就代表47×10^1 pF=470pF。 瓷片电容也有直接标识容量的,单位就是pF。

钽电容,一般直接标识数值,常见单位莡F。 (电容数位识别码部分由pongo网友补充,在此表示感谢!) 色码标记法:沿电容引线方向,用不同的颜色表示不同的数字,第一,二种环表示电容量,第三种颜色表示有效数字后零的个数(单位为pF) 颜色意义:黑=0、棕=1、红=2、橙=3、黄=4、绿=5、蓝=6、紫=7、灰=8、白=9。

电容的识别:看它上面的标称,一般有标出容量和正负极,比如钽电容上,有白线的一端就是正极,另外像电解电容,

就用引脚长短来区别正负极长脚为正,短脚为负。 电阻电容序列值 电容容值系列。 瓷片电容是瓷片电容又称圆片瓷介电容分为高压瓷片电容和低压瓷片电容等,高压瓷片电容有哪些特点瓷片电容规格有哪些呢,下面我来向你介绍!

一、高压瓷片电容

高压瓷片电容器,就是以陶瓷材料为介质的电容器。高压瓷片电容器,一个主要的特点就是耐压高。 高压瓷片电容就是以陶瓷材料为介质的圆板电容器,在“瓷片”电容器中一般DC50v以下叫低压,DC100V~500V为中高压,DC1000v~6000v和为高压,安规Y电容也是属于高压,DC6000v以上为超高压。

2KV、3KV电压很常见。常用于高压场合。

高压瓷片电容作用具有耐磨直流高压的特点,适用于高压旁路和耦合电路中,其中的低耗损高压圆片具有较低的介质损耗,

特别适合在电视接收机和扫描等电路中使用。

二、瓷片电容规格有哪些

瓷片电容用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质,在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成的电容器。

瓷片电容(瓷介电容)作用主要有三个方面:

1容量损耗随温度频率具高稳定性;2特殊的串联结构适合于高电压极长期工作可靠性 ;3高电流爬升速率并适用于大电流回路无感型结构。通常用于高稳定振荡回路中,作为回路、旁路电容器及垫整电容器如消除高频干扰。

瓷片电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿。

陶瓷有I类瓷,II类瓷,III类瓷之分,I类瓷,NP0,温度特性,频率特性和电压特性佳,因介电常数不高,所以容量做不大;II类瓷,X7R次之,温度特性和电压特性较好;III类瓷,介电常数高,所以容量可以做很大,但温度特性和电压特性不太好。瓷片电容器一般体积不大。另外,再强调一个重要特点:瓷介电容器击穿后,往往呈短路状态。(这是它的弱点)而薄膜电容器失效后,一般呈开路状态

瓷片电容规格Ⅱ类瓷也叫做高介电常数型(High Dielectric Constant Type),是适用于作旁路、耦合或用在对损耗 和电容量稳定性要求不高的电路中的具有高介电常数的一种电容器。该类陶瓷介质是以在类别温度 范围内电容量非线性变化来表征。其特性符合以下标准:

用途:1) 旁路和耦合;2) 对 Q 值 和容量稳定性要求一般的分步电路。

三、电容的识别方法

电容器耐压的标注有一种是采用一个数位和一个字母组合而成。数位表示10的幂指数,字母表示数值,单位是V(伏)。

字母 A B C D E F G H J K Z

耐压值 10 125 16 20 25 315 40 50 63 80 90

1J代表 6310=63V 2G代表 40100=400V 3A代表 101000=1000V

由于电容体积要比电阻大,所以一般都使用直接标称法。如果是 10n,那么就是10nF,同样100p就是100pF。如果是4n7就是47nF,

不标单位的直接标记法:用1~4位元数位表示,即指数标识,容量单位 为pF,如独石和一些瓷片电容,一般就用指数形式,471就代表47×10^1 pF=470pF。 瓷片电容也有直接标识容量的,单位就是pF。

钽电容,一般直接标识数值,常见单位莡F。 (电容数位识别码部分由pongo网友补充,在此表示感谢!) 色码标记法:沿电容引线方向,用不同的颜色表示不同的数字,第一,二种环表示电容量,第三种颜色表示有效数字后零的个数(单位为pF) 颜色意义:黑=0、棕=1、红=2、橙=3、黄=4、绿=5、蓝=6、紫=7、灰=8、白=9。

电容的识别:看它上面的标称,一般有标出容量和正负极,比如钽电容上,有白线的一端就是正极,另外像电解电容,就用引脚长短来区别正负极长脚为正,短脚为负。 电阻电容序列值 电容容值系列。

陶瓷有I类瓷,II类瓷,III类瓷之分,I类瓷,NP0,温度特性,频率特性和电压特性佳,因介电常数不高,所以容量做不大;II类瓷,X7R次之,温度特性和电压特性较好;III类瓷,介电常数高,所以容量可以做很大,但温度特性和电压特性不太好。瓷片电容器一般体积不大。另外,再强调一个重要特点:瓷介电容器击穿后,往往呈短路状态。(这是它的弱点)而薄膜电容器失效后,一般呈开路状态

瓷片电容规格Ⅱ类瓷也叫做高介电常数型(High Dielectric Constant Type),是适用于作旁路、耦合或用在对损耗 和电容量稳定性要求不高的电路中的具有高介电常数的一种电容器。该类陶瓷介质是以在类别温度 范围内电容量非线性变化来表征。其特性符合以下标准:

用途:1) 旁路和耦合;2) 对 Q 值 和容量稳定性要求一般的分步电路。

三、电容的识别方法

电容器耐压的标注有一种是采用一个数位和一个字母组合而成。数位表示10的幂指数,字母表示数值,单位是V(伏)。

字母 A B C D E F G H J K Z

耐压值 10 125 16 20 25 315 40 50 63 80 90

1J代表 6310=63V 2G代表 40100=400V 3A代表 101000=1000V

由于电容体积要比电阻大,所以一般都使用直接标称法。如果是 10n,那么就是10nF,同样100p就是100pF。如果是4n7就是47nF,

不标单位的直接标记法:用1~4位元数位表示,即指数标识,容量单位 为pF,如独石和一些瓷片电容,一般就用指数形式,471就代表47×10^1 pF=470pF。 瓷片电容也有直接标识容量的,单位就是pF。

钽电容,一般直接标识数值,常见单位莡F。 (电容数位识别码部分由pongo网友补充,在此表示感谢!) 色码标记法:沿电容引线方向,用不同的颜色表示不同的数字,第一,二种环表示电容量,第三种颜色表示有效数字后零的个数(单位为pF) 颜色意义:黑=0、棕=1、红=2、橙=3、黄=4、绿=5、蓝=6、紫=7、灰=8、白=9。

电容的识别:看它上面的标称,一般有标出容量和正负极,比如钽电容上,有白线的一端就是正极,另外像电解电容,就用引脚长短来区别正负极长脚为正,短脚为负。 电阻电容序列值 电容容值系列。

野性的犀牛
激动的麦片
2025-07-07 21:16:17
从以下几点进行分析一:瓷片电容在电场作用下的击穿破坏遵循弱点击穿理论,而局部放电是产生弱点破坏的根源
除因温度冷热变化产生热应力导致开裂外,对于环氧包封型高压陶瓷电容,无论是留边型还是满银型电容都存在着电极边缘电场集中和陶瓷-环氧的结合界面等比较薄弱的环节
环氧包封的瓷片电容由于环氧树脂固化冷却过程体积收缩,产生的内应力以残余应力的形式保留在包封层中,并作用于陶瓷-环氧界面,劣化界面的粘结
在电场作用下,组成高压瓷片电容瓷体的钙钛矿型钛酸锶铁类陶瓷(SPBT)会发生电机械应力,产生电致应变
当环氧包封层的残余应力较大时,二者联合作用极可能造成包封与陶瓷体之间脱壳,产生气隙,从而降低电压水平
二:介质内空洞:导致空洞产生的主要因素为陶瓷粉料内的有机或无机污染、烧结过程控制不当等
空洞的产生极易导致漏电,而漏电又导致器件内局部发热,进一步降低陶瓷介质的绝缘性能从而导致漏电增加
该过程循环发生,不断恶化,导致其耐压水平降低
三:包封层环氧材料因素:一般包封层厚度越厚,包封层破坏所需的外力越高
在同样电场力和残余应力的作用下,陶瓷基体和环氧界面的脱粘产生气隙较为困难
另外固化温度的影响,随着固化温度的提高,高压瓷片电容的击穿电压会越高,因为高温固化时可以较快并有效地减少残余应力
随着整体模块灌胶后固化的高温持续,当达到或超过陶瓷电容器外包封层环氧树脂的玻璃转化温度,达到了粘流态,陶瓷基体和环氧界面的脱粘产生了气隙,此时的形变就很难恢复,这种气隙会降低陶瓷电容的耐压水平
四:机械应力裂纹:陶瓷体本身属于脆性较高的材料,在产生和流转过程中较大的应力可能造成应力裂纹,导致耐压降低
常见的应力源有:工艺过程电路板流转操作;流转过程中的人、设备、重力等因素;元件接插操作;电路测试;单板分割;电路板安装;电路板定位铆接;螺丝安装等
导致瓷片电容失效结论一:直接原因:陶瓷-环氧界面存在间隙,导致其耐压水平降低
二:间接原因:二次包封模块固化过程中产生了环氧材料应力收缩,致使陶瓷-环氧界面劣化,形成了弱点放电的路径
三:二次包封模块固化后,样品放置时间过短,其内部界面应力未完全释放出来,在陶瓷-环氧界面存在微裂纹,导致耐压水平降低

懦弱的绿茶
英俊的秀发
2025-07-07 21:16:17
一般来说瓷片电容和高频电容是极为相似的两种电容器,事实上高频电容和瓷片电容是有区别的
高频电容是陶瓷电容器的一种
陶瓷电容器用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质,并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成
它又分高频瓷介和低频瓷介两种
陶瓷电容器具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器
低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉
这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿
高频瓷介电容器由一种浓度适于喷涂的特殊混合物喷涂成薄膜而成,介质再以银层电极经烧结而成“独石”结构
高频瓷介电容器适用于高频电路云母电容器
就结构而言,可分为箔片式及被银式
被银式电极为直接在云母片上用真空蒸发法或烧渗法镀上银层而成,由于消除了空气间隙,温度系数大为下降,电容稳定性也比箔片式高
瓷片电容主要针对于高频,高压瓷片电容取决于使用在什么场合,典型作用可以消除高频干扰
瓷片电容的优点:1、容量损耗随温度频率具高稳定性
2、特殊的串联结构适合于高电压极长期工作可靠性
3、高电流爬升速率并适用于大电流回路无感型结构
高频电容频率特性好,Q值高,温度系数小;不能做成大的容量;广泛应用在高频电器中,并可用作标准电容器玻璃釉电容器
性能可与云母电容器媲美,能耐受各种气候环境,一般可在200℃或更高温度下工作,额定工作电压可达500V,损耗tgδ00005~0008