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简单介绍瓷片电容耐压值的相关知识

淡定的小猫咪
香蕉歌曲
2023-05-07 13:34:33

简单介绍瓷片电容耐压值的相关知识

最佳答案
娇气的啤酒
雪白的钢铁侠
2025-07-08 11:37:34

如今这个时代是属于电力的时代,而依托着电力这个强大的载体,也产生了众多的分支和不计其数的创造,从半导体到集成芯片等等的创造,无不让这个社会发生着日新月异的改变。而众多的小元器件也与我们的生活息息相关,有人需要研究它,而有人需要创造它,更多的人需要使用它,瓷片电容就是一种这样的器件,今天我们一起来看看瓷片电容的耐压问题。

电容的标称及识别方法:

1直标法:如果数字是0001,那它代表的是0001uF=1nF,如果是10n,那么就是10nF,同样100p就是100pF。

2不标单位的直接表示法:用1~4位数字表示,容量单位为pF,如350为350pF,3为3pF,05为05pF

3色码表示法:沿电容引线方向,用不同的颜色表示不同的数字,第一,二种环表示电容量,第三种颜色表示有效数字后零的个数(单位为pF)颜色意义:黑=0、棕=1、红=2、橙=3、黄=4、绿=5、蓝=6、紫=7、灰=8、白=9。 瓷片电容器有高压瓷片和普通瓷片电容器,普通瓷片电容器耐压过去标准是50V,高压瓷片电容器有几百伏的,有几千伏的,一般在容值下面标出XXKV。

电容的容量标识的几种方法:

一、直接标识:如其电解电容,容量47uf,电容耐压25v。

二、使用单位nf:如上图的涤纶电容,标称4n7,即47nf,转换为pf即为4700pf。还有的例如:10n,即001uf;33n,即0033uf。后面的63是指电容耐压63v

三、数学计数法:如瓷介电容,标值104,容量就是: 10x10000pf=01uf如果标值473,即为47X1000pf=0047uf。(后面的4、3,都表示10的多少次方)。又如:332=33X100pf=3300pf。 电容的使用,都应该在指定的耐压下工作。现在的好多质量不高的产品,就因为使用了耐压不足的电容而引起故障(常见电容爆裂)。

电容识别:

1、电容在电路中一般用“C”加数字表示(如C13表示编号为13的电容)。电容是由两片金属膜紧靠,中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。 电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小,电容对交流信号的阻碍作用称为容抗,它与交流信号的频率和电容量有关。 容抗XC=1/2πf c (f表示交流信号的频率,C表示电容容量) 电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。

2、电容识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同,分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉(F)表示,其它单位还有:毫法(mF)、微法(uF)、纳法(nF)、皮法(pF)。其中:1法拉=10 3毫法=10 6微法=10 9纳法=10 12皮法容量大的电容其容量值在电容上直接标明,如10 uF/16V 容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示字母表示法:1m=1000 uF 1P2=12PF 1n=1000PF 数字表示法:一般用三位数字表示容量大小,前两位表示有效数字,第三位数字是倍率。 如:102表示10×102PF=1000PF224表示22×104PF=022 uF

3、电容容量误差表 符 号 F G J K L M 允许误差 ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20% 如:一瓷片电容为104J表示容量为0 1 uF、误差为±5%。

那么上述就是如何识别瓷片电容的一些参数的方法,笔者总结的还是比较全面的,相信可以帮助有不同需求上的朋友。而这类器件,我们讲参数决定一切,质量决定一切,意思就是,必须选好刚刚好的参数,否则是无效的,或者讲不能用。那么各位再选购的时候一定需要注意,识别相关的电容等要细致,那么今天的瓷片电容识别的方法就给大家介绍到这里。

土巴兔在线免费为大家提供“各家装修报价、1-4家本地装修公司、3套装修设计方案”,还有装修避坑攻略!点击此链接:瓷片电容205是2μF的,可以用18~22μF(225或185)的替换,相近即可(如果该电容不是做振荡电容)。实再无法找到瓷片电容采用耐压相同或更高的相同容量涤纶电容试一试也无妨;至于采用电解电容估计不行,反向漏电会影响电路工作,且不适合工作在中高频。

最新回答
漂亮的小蜜蜂
激昂的火车
2025-07-08 11:37:34

高压陶瓷电容具有耐磨直流高压的特点,适用于高压旁路和耦合电路中,其中的低耗损高压圆片具有较低的介质损耗,特别适合在电视接收机和扫描等电路中使用
高压瓷片电容只要针对于高频,高压瓷片电容取决于使用在什么场合,典型作用可以消除高频干扰
在大功率、高压领域使用的高压陶瓷电容器,要求具有小型、高耐压和频率特性好等特点
近年来随着材料、电极和制造技术的进步,高压陶瓷电容器的发展有长足的进展,并取得广泛应用
高压陶瓷电容器已成为大功率高压电子产品不可缺少的元件之一
因为电力系统的特殊性:交流电压高,高频,处于室外环境中(-40度到+60度),雷击电压/电流大,等等各种因素,造成了高压陶瓷电容器在研发和生产中一直处于困境:环境的恶劣,要求电容具有超强的稳定性,即变化率要小;同时,计量,储能,分压等产品要求高精密度,这对处于这种环境下的高压陶瓷电容器的局放,即局部放电量有着极为苛刻的要求:局放为零
高压陶瓷电容优点1、容量损耗随温度频率具高稳定性
2、特殊的串联结构适合于高电压极长期工作可靠性
3、高电流爬升速率并适用于大电流回路无感型结构
电容器的需求越大,无法避免一个社会现象
高仿,小作坊,假货这种趋势在这个市场不断的扩大
购买电容我们要擦亮眼睛,要选择正规的厂家

美好的书本
寒冷的麦片
2025-07-08 11:37:34

·高压陶瓷电容和高压瓷片电容的特点对比:
高压陶瓷电容的特点
1不需要认证
2超高压可以达到7KV 在高就罕见了,
3打印方式和Y电容比不用把各国认证打在产品表面,
4 电压最低可以到16V
5,耐压最高25倍 一般生产是15倍的标准测
A型材料的交流击穿电压特性 外面用环氧树脂模压包封的陶瓷电容器的击穿电压厂。与间隙长G(圆片半径与电极半径之差)的关系。电容器的直径为18mm,材料介电常数为1460‘以下简称A材),电极为银电极。试验条件为25℃,施加50Hz交流电压,电压上升率为ZkV/s
高压瓷片电容特点:
常用于高压场合。
陶瓷有I类瓷,II类瓷,III类瓷之分,
I类瓷,NP0,温度特性,频率特性和电压特性佳,因介电常数不高,所以容量做不大;
II类瓷,X7R次之,温度特性和电压特性较好;
III类瓷,介电常数高,所以容量可以做很大,但温度特性和电压特性不太好。
瓷片电容器一般体积不大。
另外,再强调一个重要特点:
瓷介电容器击穿后,往往呈短路状态。(这是它的弱点)
而薄膜电容器失效后,一般呈开路状态。
高压瓷片电容和高压陶瓷电容功能基本上是一样的,一些细节会有些不同。所以在使用的时候也要注意到性能方面。
一、直插的高压陶瓷电容器,俗称DIP类的,这类产品从16VDC到100KV都有生产,但是主要是指直流的,而且是引线型的。
二、直插型的陶瓷电容器有另类,就是交流陶瓷电容器,一般指250VAC的Y2安规电容器,以及400VAC的Y1交流安规电容器。从名称上显而易见,这类电容的电压是指交流电压,而且是有十个左右的国家的安全认证的。陶安规电容器之外,别的引线型陶瓷电容器所说的电压一般是指直流而言。
三、贴片陶瓷电容,俗称SMD类的,这种电容的规格一般以0201,0402,0603,0805,1206,1210等表示。。贴片电容英文简写是MLCC,电压从63VDC到2KV以上都有,当然,电压越高,价格也越不菲。
四,螺栓型高压陶瓷电容器。这类电容器一般耐超高电压,在电力系统中往往是指交流电压。如40KV102K,40KV103K,40KV153K等,型号很多种,但是里边的电压并不是直流。因为我们家里,或工厂企业所用的电都是交流电啊!这类电容器的技术含量是相当高的,往往是很多企业能做出这种形状,却始终没办法做出客人要求的品质,原因是:首先这类产品要求较高的交流电压,而大多数厂所标的是直流电压,所以,在送样阶段就被淘汰了;其次,这类高压陶瓷电容器要求超低的局放,局部放电量越大,电容的实际耐压值就越低,因此,局放是衡量一颗电容的质量的最好标准;再次,超高的工频,一般的引线型的电容也要以做到袍高的工频,而这种螺栓型的就更高要求。最后,这类电容对材质要求很严格,因为不同材质的损耗和温度系数,介电系数不一样。 高压发生器要用到很多高压陶瓷电容器和大容量高压电容器。传统使用,客人们一般都使用高压薄膜类的电容器,但是随着陶瓷电容的优势不断体现,将来,薄膜电容器将越来越少的出现在高压发生器中。
高压薄膜类电容器与高压陶瓷电容器的各自优劣,主要是以下几点:
1高压陶瓷电容的使用寿命更长。薄膜电容的寿命也就是三两年,电好的产品也不会超出5年。而高压陶瓷电容器则不同,比方说帝科电容就公开承诺:按20年设计,至少保证使用10年。
2高压陶瓷电容的内阻更小。这是由各自的构造特点决定的。高压陶瓷电容器的内阻很小,而薄膜电容器由于是采取卷绕方式,这样就造成内阻偏大。而这种偏大的内阻带来的另一负面影响就是,电容在反复充放电的过程中,内阻会继续变大,并且会在一定时候使电容在电路中失效。
3相对而言高压陶瓷电容器的电压更高。薄膜电容器的电容相对来讲,工作电压是不如陶瓷电容的高,这是共识;
4有优点也会有缺点,陶瓷电容的容量较小。 高压陶瓷电容器的可靠性测试,也叫老化测试,寿命测试,包括很多方面的测试内容:
1,串联电阻测试,绝缘电阻测试;
2,拉力测试,即引线与芯片焊接的牢固度;
3,正负温变化率测试,即-40度到+60度状况下,电容的变化率;
4,老化测试,高压陶瓷电容在模拟工作环境状态下运作30~60天,测试其衰减其各项参数的变化;
5,耐压实验,包括额定工作电压24小时工作测试;也包括击穿耐压,即破坏性测试,电容被击穿前的那一个临界电压就是击穿电压。
6,局放测试,即局部放电测试;
7,寿命测试,即在老化测试的基础上,再对电容进行高频冲电流下快速充放电测试,得到的充放电次数就是充放电寿命,注意,这个寿命的得出是在长时间的老化之后得出的。 高温烧结,是高压陶瓷电容的最重要的工序之一。经过一百吨的冲压铸造,以及一千多度的高温烧结,高压陶瓷电容的芯片内部,各分子之间的构造成晶体结构。接下来的6小时的高温烘烤,和7小时的保温,彻底打乱了晶体的内部构造。
那么,要想恢复芯片的构造,稳固芯片的特性,高压陶瓷电容需要时间恢复。自然恢复(常温存放)以60天以上的时间为佳。而且,存放一年与存放两年的产品,以时间长为表现优异。所以,恢复期长,对电容器的性能是有很大帮助的,没有恢复期的电容,其耐压及耐电流性能是较差的。经试验发现,存放时间长的高压陶瓷电容器,其损耗角值会变得更小,高频特性也会更好。 ·电容的基本单位是:F(法),此外还有μF(微法)、pF(皮法),另外还有一个用的比较少的单位,那就是:nF,由于电容F的容量非常大,所以我们看到的一般都是μF、nF、pF的单位,而不是F的单位。他们之间的具体换算如下:
1F=1000000μF
1μF=1000nF=1000000pF
·电容的符号:
电容的符号同样分为国内标表示法和国际电子符号表示法,但电容符号在国内和国际表示都差不多,唯一的区别就是在有极性电容上,国内的是一个空筐下面一根横线,而国际的就是普通电容加一个“+”符号代表正极。 1工作电压
在交流电路或纹波电流电路中使用直流额定电压电容器时,请务必将外加电压的Vp-p值或包含直流偏置电压的Vo-p值维持在额定电压范围内
若向电路施加电压,开始或停止时可能会因谐振或切换产生暂时的异常电压请务必使用额定电压范围包含这些异常电压的电容器
2工作温度和自生热
(适用于B/E/F特性)
电容器的表面温度应保持在其额定工作温度范围的上限以下务必考虑到电容器的自生热电容器在高频电流,冲激电流等中使用时可能会因介电损耗发出自生热外加电压应使自生热等负荷在25℃周围温度条件下不超过20℃范围测量时应使用01mm小热容量的(K)的热电偶,而且电容器不应受到其它元件的散热或周围温度波动影响
过热可能会导致电容器特性及可靠性下降(切勿在冷却风扇运转时进行测量否则无法确保测量数据的精确性)
3耐电压的测试条件
(1)测试设备
交流耐电压的测试设备应具有能够产生类似于50/60Hz正弦波的性能
如果施加变形的正弦波或超过规定电压值的过载电压,则可能会导致故障
(2)电压外加方法
施加耐电压时,电容器的引线或端子应与耐电压测试设备的输出端连接牢固;然后再将电压从近零增加到测试电压
如果测试电压不从近零逐渐提高而是直接施加在电容器上,则施加时应包含过零点测试结束时,测试电压应降到近零;然后再将电容器引线或端子从耐电压测试设备的输出端取下
如果测试电压不从近零逐渐提高而是直接施加在电容器上,则可能会出现浪涌电压,从而导致故障0V电压正弦波
过零点是指电压正弦通过0V的位置
4失效安全性
当电容器损坏时,失效可能会导致短路为了避免在短路时引起触电,冒烟,火灾等危险情况,请在电路中使用熔丝等元件来设置自动防故障功能
使用本产品时如忽略上述警告事项,则在严重情况下可能导致短路,并引起冒烟或局部离散。

标致的紫菜
仁爱的小蝴蝶
2025-07-08 11:37:34
随着科技进步及发展,高压陶瓷电容已随着各类电子产品走进你们生活当中,为了使用者的安全,对高压陶瓷电容的品质要求也是很高的,那么高压陶瓷电容的额定值及有关注意事项有些什么呢?1工作电压在交流电路或纹波电流电路中使用直流额定电压电容器时,请务必将外加电压的Vp-p值或包含直流偏置电压的Vo-p值维持在额定电压范围内若向电路施加电压,开始或停止时可能会因谐振或切换产生暂时的异常电压请务必使用额定电压范围包含这些异常电压的电容器2工作温度和自生热(适用于B/E/F特性)电容器的表面温度应保持在其额定工作温度范围的上限以下务必考虑到电容器的自生热电容器在高频电流,冲激电流等中使用时可能会因介电损耗发出自生热外加电压应使自生热等负荷在25℃周围温度条件下不超过20℃范围测量时应使用01mm小热容量的(K)的热电偶,而且电容器不应受到其它元件的散热或周围温度波动影响过热可能会导致电容器特性及可靠性下降(切勿在冷却风扇运转时进行测量否则无法确保测量数据的精确性)3耐电压的测试条件(1)测试设备交流耐电压的测试设备应具有能够产生类似于50/60Hz正弦波的性能如果施加变形的正弦波或超过规定电压值的过载电压,则可能会导致故障(2)电压外加方法施加耐电压时,电容器的引线或端子应与耐电压测试设备的输出端连接牢固;然后再将电压从近零增加到测试电压如果测试电压不从近零逐渐提高而是直接施加在电容器上,则施加时应包含过零点测试结束时,测试电压应降到近零;然后再将电容器引线或端子从耐电压测试设备的输出端取下如果测试电压不从近零逐渐提高而是直接施加在电容器上,则可能会出现浪涌电压,从而导致故障0V电压正弦波过零点是指电压正弦通过0V的位置4失效安全性当电容器损坏时,失效可能会导致短路为了避免在短路时引起触电,冒烟,火灾等危险情况,请在电路中使用熔丝等元件来设置自动防故障功能使用本产品时如忽略上述警告事项,则在严重情况下可能导致短路,并引起冒烟或局部离散

平常的黑夜
失眠的秋天
2025-07-08 11:37:34
高压陶瓷电容器在新能源领域有着广泛的应用,主要用于以下几个方面:1能量存储:高压陶瓷电容器可以用来存储电能,比如用于太阳能发电、风力发电、地源热泵等。
2频率控制:高压陶瓷电容器可以用来产生高频信号,比如用于通信、医疗设备等。
3温度补偿:高压陶瓷电容器可以用来补偿温度变化,保证设备的稳定性。
4电压调节:高压陶瓷电容器可以用来调节电池电压,保证设备的稳定性和可靠性。
总的来说,高压陶瓷电容器在新能源领域有着广泛的应用,具有高容量、高稳定性、高频率响应等特点,可以提高新能源系统的效率和可靠性。

高兴的山水
还单身的悟空
2025-07-08 11:37:34
瓷片电容是一种用陶瓷材料作介质,在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,再经高温烧结后作为电极而成的电容器
通常用于高稳定震荡回路中,作为回路、旁路电容器及垫整电容器
瓷片电容只要针对于高频,高压瓷片电容取决于你使用在什么场合,典型作用可以消除高频干扰
优点1容量损耗随温度频率具高稳定性2特殊的串联结构适合于高电压极长期工作可靠性3高电流爬升速率并适用于大电流回路无感型结构作用MLCC(1类)—微型化,高频化,超低损耗,低ESR,高稳定,高耐压,高绝缘,高可靠,无极性,低容值,低成本,耐高温主要应用高高频电路中
MLCC(2类)—微型化,高比容,中高压,无极性,高可靠,耐高温,低ESR,低成本主要应用于中,低频电路中作隔直,耦合,旁路和滤波等电容器使用

安静的战斗机
忧心的抽屉
2025-07-08 11:37:34
瓷片电容技术的发展历程:1900年意大利L隆巴迪发明陶瓷介质电容;30年代末人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长,因而制造出较便宜的瓷介质电容;1940年前后人们发现了现在的瓷片电容技术参数的主要原材料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性后,开始将瓷片电容技术参数使用于对既小型、精度要求又极高的军事用电子设备当中
1960年左右陶瓷叠片电容作为商品开始开发
1970年,随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来,瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件,而其中技术参数也是学者们研究的重点
现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容市场的70%左右
因为陶瓷介质电容的绝缘体材料主要使用陶瓷,其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠
陶瓷材料有几个种类
自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后,高介电系数的PB(铅)退出瓷片电容技术参数领域,现在主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等
和其它的电容相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点
由于原材料丰富,结构简单,价格低廉,而且电容量范围较宽(一般有几个PF到上百μF),损耗较小,电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整
瓷片电容技术参数品种繁多,外形尺寸相差甚大从0402(约1×05mm)封装的贴片电容到大型的功率瓷片电容
按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体瓷片电容;按无功功率大小可分为低功率、高功率瓷片电容;按工作电压可分为低压和高压瓷片电容;按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等
瓷片电容的分类:瓷片电容技术参数从介质类型主要可以分为两类,即Ⅰ类瓷片电容技术参数和Ⅱ类瓷片电容技术参数
Ⅰ类瓷片电容技术参数(ClassⅠceramiccapacitor),过去称高频瓷片电容技术参数(High-freqencyceramiccapacitor),是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容
它特别适用于谐振回路,以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路,或用于温度补偿
Ⅱ类瓷片电容技术参数(ClassⅡceramiccapacitor)过去称为为低频瓷片电容技术参数(Lowfrequencycermiccapacitor),指用铁电陶瓷作介质的电容,因此也称铁电瓷片电容技术参数
这类电容的比电容大,电容量随温度呈非线性变化,损耗较大,常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中
常见的Ⅱ类瓷片电容技术参数有:X7R、X5R、Y5V、Z5U其中:X7R表示为:第一位X为最低工作温度-55℃,第二位的数字7位最高工作温度+125℃,第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%;X5R表示为:第一位X为最低工作温度-55℃,第二位的数字5位最高工作温度+85℃,第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%;Y5V表示为:第一位Y为最低工作温度-30℃,第二位的数字5位最高工作温度+85℃,第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%,-82%±15%
Z5U表示为:第一位Z为最低工作温度+10℃,第二位的数字5位最高工作温度+85℃,第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%,-56%