瓷片电容561，30各代表电容的值是多少

贴片电容规格主要是从价格类型来说，贴片电容包括NPO、X7R、Z5U和Y5V。其主要区别是它们的填充介质不同。在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同。

随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。

NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±03ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±005%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±01%。

Z5U电容器——Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围，对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。

X7R电容器——X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。

X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。

扩展资料：

电容的作用：

1、旁路

旁路电容器是一种向本地设备提供能量的能量存储设备。 它可以使调节器的输出均匀，并减少负载需求。 就像小型可充电电池一样，旁路电容器可以充电和放电至设备。

为了使阻抗最小，旁路电容器应尽可能靠近负载设备的电源引脚和接地引脚。 这样可以很好地防止接地电位上升和输入值过大引起的噪声。 接地电势是指接地连接经过大电流故障时的电压降。

2、去耦

去耦，也称为去耦。 从电路的角度看，它总是可以分为驱动源和驱动负载。 如果负载电容较大，则驱动电路需要对电容器进行充电和放电以完成信号转换。 当上升沿相对陡峭时，电流相对较大，因此驱动电流将吸收较大的电源电流。

电感，电阻（尤其是芯片引脚上的电感会反弹），与正常情况相比，该电流实际上是一种噪声，会影响上一级的正常运行，这称为“耦合”。

参考资料来源：百度百科-贴片电容

瓷片电容技术的发展历程：1900年意大利L隆巴迪发明陶瓷介质电容；30年代末人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长，因而制造出较便宜的瓷介质电容；1940年前后人们发现了现在的瓷片电容技术参数的主要原材料BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性后，开始将瓷片电容技术参数使用于对既小型、精度要求又极高的军事用电子设备当中
1960年左右陶瓷叠片电容作为商品开始开发
1970年，随着混合IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来，瓷片电容成为电子设备中不可缺少的零部件，而其中技术参数也是学者们研究的重点
现在的陶瓷介质电容的全部数量约占电容市场的70%左右
因为陶瓷介质电容的绝缘体材料主要使用陶瓷，其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠
陶瓷材料有几个种类
自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后，高介电系数的PB（铅）退出瓷片电容技术参数领域，现在主要使用TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等
和其它的电容相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点
由于原材料丰富，结构简单，价格低廉，而且电容量范围较宽（一般有几个PF到上百μF），损耗较小，电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整
瓷片电容技术参数品种繁多，外形尺寸相差甚大从0402（约1×05mm）封装的贴片电容到大型的功率瓷片电容
按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体瓷片电容；按无功功率大小可分为低功率、高功率瓷片电容；按工作电压可分为低压和高压瓷片电容；按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等
瓷片电容的分类：瓷片电容技术参数从介质类型主要可以分为两类，即Ⅰ类瓷片电容技术参数和Ⅱ类瓷片电容技术参数
Ⅰ类瓷片电容技术参数（ClassⅠceramiccapacitor），过去称高频瓷片电容技术参数（High-freqencyceramiccapacitor），是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容
它特别适用于谐振回路，以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路，或用于温度补偿
Ⅱ类瓷片电容技术参数（ClassⅡceramiccapacitor）过去称为为低频瓷片电容技术参数（Lowfrequencycermiccapacitor），指用铁电陶瓷作介质的电容，因此也称铁电瓷片电容技术参数
这类电容的比电容大，电容量随温度呈非线性变化，损耗较大，常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中
常见的Ⅱ类瓷片电容技术参数有：X7R、X5R、Y5V、Z5U其中：X7R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字7位最高工作温度+125℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；X5R表示为：第一位X为最低工作温度-55℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母R为随温度变化的容值偏差±15%；Y5V表示为：第一位Y为最低工作温度-30℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母V为随温度变化的容值偏差+22%，-82%±15%
Z5U表示为：第一位Z为最低工作温度+10℃，第二位的数字5位最高工作温度+85℃，第三位字母U为随温度变化的容值偏差+22%，-56%

你这个问题问得相当的专业，我上网帮你查了下相关的信息，一般可以用以下三个方法来识别： 1、问到瓷片电容和压敏电阻怎么分就应该是两者都是蓝色的，容易分不清楚才会这样问。我以前也是这种情况。 2、瓷片电容是把电压和容量打在外部封装，如：10KV/102 3、压敏电阻是把芯片直径和压敏电阻打在外部封装，如：32K431或32D431从这个丝印就可以分辨出来了。 关于瓷片电容规格识别就说这么多，希望我的回答可以帮到您，祝您生活愉快！

1、瓷片电容104是多大。

2、瓷片电容104是多大uF。

3、瓷片电容104是多大容量。

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1瓷片电容104是100000皮法（pF），也就是100纳法（nF），采用的是数字表示法，三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。

2三位数字的前两位数字为标称容量的有效数字，第三位数字表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。

你举例的电容是陶瓷圆板电容，容量是30pf，没有标单位的为最小单位pf，下滑线代表直流额定电压50v，一般都可以耐压到500v没问题，因为它的的芯片厚度至少都有15条。此容量一般都是k档或J档，温度特性是SL 或N750，如果是涂了黑头的就是NPO材质或NPOS,如果还有不懂可以留言。

电容器主要电气规格
1电容量Capacitance:一般电解电容器的电容量范围为047uF-10000uF,测试频率为120Hz塑料薄膜电容器的电容量范围为0001uF-047uF,测试频率为1KHz陶瓷电容器T/Ctype的电容量范围为1pF-680pF,测试频率为1MHzHi-Ktype的电容量范围为100pF-0047uF,测试频率为1KHzS/Ctype的电容量范围为001uF-033uF
2电容值误差Tolerance:一般电解电容器的电容值误差范围为M即+/-20%,塑料薄膜电容器为J即+/-5%或K即+/-10%,或M即+/-20%三种,陶瓷电容器T/Ctype为C即+/-025pF(10pF以下时),或D即+/-05pF(10pF以下时),或J或K四种Hi-Ktype及S/Ctype为K或M或Z即+80/-20%三种
3损失角即D值:一般电解电容器因为内阻较大故D值较高,其规格视电容值高低决定,为01-024以下塑料薄膜电容器则D值较低,视其材质决定为0001-001以下陶瓷电容器视其材质决定,Hi-Ktype及S/Ctype为0025以下T/Ctype其规格以Q值表示需高于400-1000(Q值相当于D值的倒数)
4温度系数TemperatureCoefficient:即为电容量受温度变化改变之比例值,一般仅适用于陶瓷电容器T/Ctype其常用代号为CH或NPO即为+/-60ppm,UJ即为-750+/-120ppm,SL即为+350+/-1000ppmHi-Ktype(Z)及S/Ctype(Y),其常用代号为B(5P)即为+/-10%,E(5U)即为+20/-55%,F(5V)即为+30/-80%
5漏电流量Leakagecurrent:此为电解电容器之特定规格,一般以电容器本身额定电压加压3Min后,串接电流表测试,其漏电流量需在001CV(uF电容量值与额定电压相乘积)或3uA以下(取其较大数值)特定低漏电流量使用(Lowleakagetype)则其漏电流量需在0002CV或04uA以下
6冲击电压SurgeVoltage:一般以电容器本身额定电压之13倍电压加压,需工作正常无异状
7使用温度范围:一般电解电容器的使用温度范围为-25℃至+85℃,特定高温用或低漏电流量用者为-40℃至+105℃塑料薄膜电容器为-40℃至+85℃陶瓷电容器T/Ctype为-40℃至+85℃,Hi-Ktype及S/Ctype为-25℃至+85℃